JP2015207701A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1の半導体層10は、活性部12と終端部14を有する。終端部14には、平面視したときに、活性部12の周囲を囲むように設けられている複数の終端耐圧構造40a,40b,40c,40dが形成されている。最内周の終端耐圧構造40aは、終端部14のコーナー範囲14Bにおいて、曲率半径が大きくなるような形態を有する。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 半導体層と、
前記半導体層の第1主面上に設けられている第1電極と、
前記半導体層の前記第1主面とは反対側の第2主面上に設けられている第2電極と、を備え、
前記半導体層は、
電流の流れる活性部と、
平面視したときに、前記活性部の周囲を囲むように前記第1主面側に設けられている複数の終端耐圧構造が形成されている終端部と、を有し、
前記終端部は、第1直線範囲と、第2直線範囲と、前記第1直線範囲と前記第2直線範囲の間に配置されているコーナー範囲と、を少なくとも含み、
最内周の前記終端耐圧構造は、前記第1直線範囲に設けられている第1直線部分と、前記第2直線範囲に設けられている第2直線部分と、前記コーナー範囲に設けられているコーナー部分と、を有しており、
前記コーナー部分の曲率半径をR1とし、
前記第1直線部分の前記コーナー範囲側の第1端部及び前記第2直線部分の前記コーナー範囲側の第2端部を通過し、前記第1端部と前記第2端部を線分の両端とする前記線分の二等分線上に中心点を有し、その中心角が90°となる円弧の曲率半径をR2とし、
R2<R1の関係が成立する、半導体装置。 - 前記コーナー範囲に設けられている終端耐圧構造間の距離は、前記第1直線範囲及び前記第2直線範囲に設けられている終端耐圧構造間の距離よりも短い、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記終端部は、前記コーナー範囲の前記第1主面側に設けられているとともに前記最内周の終端耐圧構造よりも内側に配置されているリサーフ領域をさらに含む、請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記終端耐圧構造は、ガードリングである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記終端耐圧構造は、前記第1主面から深さ方向に沿って伸びるトレンチ内に設けられており、導体部とその導体部を被覆する絶縁部を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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