JP2013175492A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】内部の発生応力による故障が抑制され、接続部間のマイグレーションやショートが抑制され、かつ全体の強度が維持された、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板10と、前記基板10上に形成された接続部15と、前記接続部15に接続された半導体素子11と、前記基板10と前記半導体素子11と前記接続部15の間にアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部13とを備えた半導体装置であって、前記半導体素子11と前記基板10の少なくとも一方と、前記接続部15との表面が、これらおよび前記アンダーフィル材料よりも弾性率の低い保護膜12によって被覆されていることを特徴とした半導体装置により、ショートやマイグレーションといった短絡による不良が起こりにくく、また損傷が起こりにくく、信頼性が高い長寿命な半導体装置とすることができる。
【選択図】図1
【解決手段】基板10と、前記基板10上に形成された接続部15と、前記接続部15に接続された半導体素子11と、前記基板10と前記半導体素子11と前記接続部15の間にアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部13とを備えた半導体装置であって、前記半導体素子11と前記基板10の少なくとも一方と、前記接続部15との表面が、これらおよび前記アンダーフィル材料よりも弾性率の低い保護膜12によって被覆されていることを特徴とした半導体装置により、ショートやマイグレーションといった短絡による不良が起こりにくく、また損傷が起こりにくく、信頼性が高い長寿命な半導体装置とすることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板上にフリップチップ接続された半導体素子と、それらの間隙を保護する保護膜および保護膜のみでは充填されない空隙を充填硬化するアンダーフィル材とからなる半導体装置に関するものである。
従来、基板上に半導体素子がフリップチップ接続された半導体装置における保護材料としては、基板と半導体素子の間隙を充填し、硬化するアンダーフィル材料が用いられている。こうした充填材料は、半導体装置の使用上発生する熱応力を緩和するために、より低い弾性率のものが求められる。さらにこうした充填材料が接続部間のショートやマイグレーションの抑止に役割を果たすことも期待されている。これは、近年、半導体装置の微細化による集積化が進み、フリップチップ接続された半導体装置においては、接続部同士の距離が100μmを大幅に下回るような構造も提案されているので(例えば、特許文献1参照)、ショートやマイグレーションの発生頻度が上昇したことによる。
またアンダーフィルされた充填部分と半導体素子と基板の接続部の密着性を改善することを目的とし、接続部表面をシランカップリング剤やチオール系化合物から形成される被膜で被覆する構造および製造方法なども提案されている(例えば特許文献2参照)。
図6は、従来の半導体装置を示す断面図である。図6に示すように、フリップチップ実装された半導体素子110と基板100において、半導体素子の基板との接続面にはパッド111が形成され、パッド111には接続部112が形成されている。基板100もまた同様に、半導体素子との接続面に、パッド101が形成されている。半導体素子110と基板100は、素子側の接続部112と基板側のパッド101が機械的かつ電気的に接続されることにより接続されている。
半導体素子の小型化は、例えば半導体素子110上のパッド111のサイズW、隣接するパッド111とのピッチPを小さくすることにより達成される。これに伴いパッド111上に形成される接続部112のサイズも小さくならなければならない。同様にフリップチップ接続するためには、基板100上に形成されたパッド101も狭ピッチ化およびサイズの縮小化が必要となる。
半導体素子110と基板100は次の工程により接続することが可能である。半導体素子110の接続面においてパッド111上にメッキや放電法により形成されたはんだボールを、熱または超音波またはそれら両方により押圧して接続部112を形成する。
次に半導体素子110の接続面と基板100の接続面を対峙させながら、フェースダウンにより搭載する。この際、熱および圧力によって、接続部112と基板100上におけるパッド101とを機械的かつ電気的に接続する。最後に、装置全体の強度保持および高い接続信頼性を得るために基板100と半導体素子110間隙にアンダーフィル材料(例えば熱硬化性のエポキシ樹脂)120を充填させ硬化させる。
Origin Technical Journal No. 67 (2004) III−7
しかしながら、上記従来の半導体装置における組立工程では、アンダーフィル材料とその他基材の線膨張係数差により発生する応力で、基板や半導体素子若しくはこれらの接続部における脆弱な部分がダメージを受けるという問題があった。また、接続部間のピッチの短小化によって、アンダーフィル材料の未充填の部分が生じ、この未充填部分に起因する接続部間のショートや、マイグレーション発生の抑制効果が十分でないという問題が生じていた。
本発明は、かかる点に鑑みて発明者らの鋭意努力の結果なされたものであり、その目的とするところは、半導体装置を構成する前記基板や前記半導体素子、アンダーフィル材料など各種基材の熱特性に起因する発生応力による損傷の発生を、適切な応力緩和により抑制することができ、さらに前記接続部間のピッチが小さくなっても、ショートやマイグレーションといった不良が発生する頻度を低減し、より信頼性の高い半導体装置を提供するところにある。
具体的に本発明は、フリップチップボンディングされてなる半導体装置において、半導体素子、基板、接続部をはじめ、従来の構造であればアンダーフィル材料と接触することになる部材の表面の少なくとも一部分に、前記半導体素子、前記基板、前記接続部、前記アンダーフィル材料のいずれよりも弾性率が低い絶縁性の保護膜が形成されていることを特徴とする。本構成による半導体装置は、ショートやマイグレーションといった短絡不良を発生させず、且つ応力緩和によって各種基材の熱特性に起因する発生応力による損傷の発生を抑制することができる。
本発明の半導体装置では、フリップチップ実装パッケージにおいて、その接続部間のショートやマイグレーションの発生を抑制し、発生する内部応力の緩和に優れた信頼性の高いものとすることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。本実施形態の半導体装置では、基板10と、基板10上にフリップチップ実装された半導体素子11と、基板10と半導体素子11上にそれぞれ形成された接続部15用のパッド部14およびパッド部17、接続部15とパッド部14とパッド部17のそれぞれの側面、および基板10と半導体素子11の接続部領域を被覆する保護膜12と、保護膜12の間隙にアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部13を備える。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。本実施形態の半導体装置では、基板10と、基板10上にフリップチップ実装された半導体素子11と、基板10と半導体素子11上にそれぞれ形成された接続部15用のパッド部14およびパッド部17、接続部15とパッド部14とパッド部17のそれぞれの側面、および基板10と半導体素子11の接続部領域を被覆する保護膜12と、保護膜12の間隙にアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部13を備える。
基板10はその表面に実装のためのパッド部14を複数備えたプリント配線基板である。パッド部14には半導体素子11がパッド部17と接続部15を介して実装されている。基板10の厚みは、0.15mm〜0.40mm程度とすることができる。
接続部15で形成される基板10と半導体素子11の隙間にはアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部13が形成されている。アンダーフィル部13を形成する材料は特に限定するものではないが、例えば公知のエポキシ系樹脂硬化物とすることができる。
接続部15は、パッド部14上に10μm〜50μm程度の高さに形成される。また、接続部15を形成する材料は鉛フリーはんだを好適に使用することができる。また、接続部15同士のピッチは25μm〜200μm程度である。
半導体素子11と、基板10と、接続部15の表面を被覆する保護膜12の厚みは、マイグレーションやショートといった短絡不良を十分に抑制するという観点から、少なくとも0.3μmより大きいことが望ましい。また、保護膜12の熱膨張に起因するパッケージ全体の変形を抑制するという観点からは、基板10の接続面と半導体素子11の接続面の間の距離か、隣り合う接続部15間の最近接距離のどちらか短い方の30%より小さいことが望ましい。
例えば、基板10と半導体素子11間の距離が50μm、隣合う接続部15の間の最近接距離が100μmである場合、保護膜12の厚みは0.3μm以上15μm以下が望ましいということになる。上限値の15μmは、基板10と半導体素子11間の距離50μmを接続部15の間隔の100μmより優先した結果である。さらに厚い方の上限は、膜厚の均一性が維持されやすいという観点から3μm以下であることがさらに望ましい。
また保護膜12を構成する材料の組成は、シリコーンゴムなど絶縁性の低弾性率材料とする。保護膜12を構成する材料の弾性率としては、フリップチップ実装後の環境における一般的な室温であるところの摂氏25度からリフロー工程のために昇温される一般的な温度であるところの摂氏260度までの範囲にわたり0.5MPa〜10MPa程度であることが望ましい。
前記温度範囲において弾性率が0.5MPaより小さいと、保護膜12そのものの形状維持が困難となり、また弾性率が10MPaより大きいと、十分な応力緩和の効果が期待できない。また保護膜12はマイグレーションやショート不良の抑制のための重要な役割を担い、その体積抵抗率は1.0×1015Ω・cm〜5.0×1015Ω・cm程度が望ましい。
保護膜12は、低分子量の前駆体が熱によって重合することで形成されるものが望ましい。低分子量材料は一般に粘度を低くすることができ、狭い接続部間の隙間にも十分に充填することができるからである。前駆体の材料は、特に限定するものではないが、熱硬化性シリコーンゴムを形成する液状シリコーンゴム前駆体が望ましい。また保護膜12は無機充填材を含有していても良い。保護膜12が無機充填材を含むことで体積抵抗率が上昇するので、前記接続部15間のショートやマイグレーションといった不良をより確実に防止することができる。
液状シリコーンゴムの前駆体としては、例えば非特許文献1に記載されたビニル基含有オルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサンと白金などの硬化触媒の混合物などの公知のものを使用することができ、1液型か2液型かは限定するものではない。すなわちその基本的な化学構造としては主鎖構造がシロキサン骨格構造であり、アルキル基がシリコン原子に結合している。さらに、前記シロキサン骨格の末端にはビニル基などシロキサン骨格同士の結合に必要な反応部位が結合している。
上記の混合物を公知の方法で熱により加熱硬化させる際には、ヒドロシリル化反応がおこり、前記前駆体は、本発明における重要な部位であるところの、化学的に安定、且つ低弾性率、且つ欠陥のない緻密な構造をもつ保護膜12を形成することとなる。またシリコン原子に結合する官能基は必要に応じて、アルキル基以外のもの、例えばヒドロキシル基やグリシジルエーテル基に代表される極性官能基などであっても良い。
このようなシリコーンゴムの前駆体である、オルガノポリシロキサンは、公知の方法により、例えばオルガノシロキサンを強酸の存在下で重合させた後、水と特定の有機珪素化合物とを添加するなどして製造することが出来る。
前記保護膜12の形成方法を含めた本発明の第一の実施形態の製造プロセスフローとしては前記保護膜12の前駆体として、シリコーンゴムの前駆体を例に取ると例えば次に説明するような、いくつかの工法が可能である。
<第一の工法>
図2(a)のように前記基板10上に形成された半田ボール15Aが配置された領域および、前記半導体素子11上に形成された半田ボール15Bが配置された領域に比重1.04g/cm3のオルガノポリシロキサンに白金などの硬化触媒が添加されたシリコーンゴムの前駆体20を、公知のディスペンサーなどで塗布する(図2(b))。塗布量としては2mm平方の中に、直径35μmの半球状半田ボールが50μm間隔で配列された場合、16.8μg程度である。このとき前駆体20の液膜の厚みは3.0μm程度となる。また、基板10および半導体素子11の双方の半田ボール配置領域に塗布する場合、計6.0μg塗布することになる。
図2(a)のように前記基板10上に形成された半田ボール15Aが配置された領域および、前記半導体素子11上に形成された半田ボール15Bが配置された領域に比重1.04g/cm3のオルガノポリシロキサンに白金などの硬化触媒が添加されたシリコーンゴムの前駆体20を、公知のディスペンサーなどで塗布する(図2(b))。塗布量としては2mm平方の中に、直径35μmの半球状半田ボールが50μm間隔で配列された場合、16.8μg程度である。このとき前駆体20の液膜の厚みは3.0μm程度となる。また、基板10および半導体素子11の双方の半田ボール配置領域に塗布する場合、計6.0μg塗布することになる。
その後、1Nより小さい荷重範囲で高精度な荷重制御が可能な公知のフリップチップボンダーを使用したフリップチップボンド工法で、基板10のパッド部14上に形成された半田ボール15Aと半導体素子11のパッド部17上に形成された半田ボール15Bは、前記シリコーンゴムの前駆体20を突き破る形で機械的に、かつ、電気的に接続される(図2(c))。
より詳細には次の手順による。接続前の基板10及び半導体素子11の設定温度は摂氏100度とする。その後、画像認識による位置合わせとそれに続く接続工程に移行する。接続工程において加圧する際の条件は、加圧力を0.1Nとし、1秒間に約10回程度のスクラブをX方向とY方向に交互に加えながら5秒間の間に、基板10及び半導体素子11を装置設定温度として摂氏100度から摂氏300度まで昇温加熱させる。この工程で、液状シリコーンゴム前駆体20の液膜が半田ボール15Aおよび半田ボール15Bに上下から挟まれ、突き破られる形で半田ボール15Aと半田ボール15Bは機械的かつ電気的に接続され接続部15になる(図2(c))。
同時に液状シリコーンゴム前駆体20が熱硬化されることにより、シリコーンゴム保護膜12Aとすることができる(図2(c))。最後に、公知のディスペンサーを使用して、基板10上の半導体素子11近傍において、半導体素子11の1つの辺から0.4mm程度離しながら、半導体素子11の上面に接触させないように0.5〜0.8mg程度の熱硬化性エポキシ樹脂組成物で構成されたアンダーフィル材料を前記シリコーンゴム保護膜12Aの間隙に充填する。その後摂氏165度で1時間以上熱硬化させてアンダーフィル部13を形成することにより本発明の第1の実施形態にかかわる半導体装置を得る(図2(d))。
<第二の工法>
図3(a)のように、基板10と半導体素子11を位置合わせする。その後、第一の工法と同様に基板10と半導体素子11とをフリップチップ接続する。接続方法としては以下のように接続する。接続前の基板10及び半導体素子11の設定温度は摂氏170度とする。なお第一の工法と同様に半田ボール15Aと15Bは形成されているものとする。その後、画像認識による位置合わせとそれに続く接続工程に移行する。接続工程において加圧する際の条件は、加圧力を0.1Nとし、3秒間の間に基板10及び半導体素子11を装置設定温度として摂氏170度から摂氏300度まで昇温加熱させる(図3(b))。ここで半田ボール15Aと15Bから接続部15が形成される。
図3(a)のように、基板10と半導体素子11を位置合わせする。その後、第一の工法と同様に基板10と半導体素子11とをフリップチップ接続する。接続方法としては以下のように接続する。接続前の基板10及び半導体素子11の設定温度は摂氏170度とする。なお第一の工法と同様に半田ボール15Aと15Bは形成されているものとする。その後、画像認識による位置合わせとそれに続く接続工程に移行する。接続工程において加圧する際の条件は、加圧力を0.1Nとし、3秒間の間に基板10及び半導体素子11を装置設定温度として摂氏170度から摂氏300度まで昇温加熱させる(図3(b))。ここで半田ボール15Aと15Bから接続部15が形成される。
次にフリップチップ接続された基板10と半導体素子11の間隙端部の少なくとも一箇所に第一の工法と同様の液状シリコーンゴム前駆体20を、基板10上の半導体素子11の側面近傍において、半導体素子11の上面に付着しないように、例えば第一の工法と同様のディスペンサーで塗布する。2mm平方の中に、直径35μmの接続部15が50μm間隔で配列されている場合、液膜の厚みを3.0μmとするには、前記基板10の接続面と前記半導体素子11の接続面の間隔が25μm程度として、塗布量は28.6μg程度である。
その結果、液状シリコーンゴム前駆体20は、間隙内部の基材との濡れ広がりによって、前記半導体素子11面、前記基板10面および前記接続部15側面にコーティングされていく。特に前駆体20は分子量の小さい状態であるので、シリコーンゴムより粘度が低く、毛細管現象での濡れ広がりの際に、未塗布部分が残ることはない。
前記コーティングが完了した後に、摂氏75度で1時間、その後摂氏150度で2時間という加熱条件での熱硬化反応により、シリコーンゴムの保護膜12Aとすることができる(図3(c))。その後、前記第一の工法と同様にアンダーフィル材料を充填、硬化させることで、アンダーフィル部13を形成し(図3(d))、本発明における半導体装置の第1の実施形態にかかわる半導体装置を得る。
本発明の第1の実施形態の半導体装置において、アンダーフィル部13は基板10上において、接続部15が配置された領域からはみ出しても良い。この場合には、半導体素子11の領域のアンダーフィルによる保護をより確実なものとすることができる。
かかる構成によれば、アンダーフィルされた材料は、半導体素子11面に対して垂直な方向から見た際の半導体素子面積領域と一致する接続領域においては、主には保護膜12と接触している。保護膜12は有機化合物モノマーを出発物質として、重合されたゴム状の材料で構成されており、その他の部材の線膨張係数差によって発生する応力を変形により緩和させることができる。
これにより、たとえばアンダーフィル材料と基板10の線膨張係数差に起因する反りなどの問題を緩和することができる。つまりアンダーフィル材料と基板10や半導体素子11、接続部15といった部材間の線膨張係数の差によって発生する応力は、弾性率の低い保護膜12の弾性変形によって吸収され、その他の箇所にダメージを与えることなく、より信頼性の高い半導体装置とすることができる。
従来では、半導体装置の構成部材間の熱特性の違いにより発生する応力が原因となり、部材間で剥離などの不良が発生するという問題が生じていた。これを緩和させるためには無機充填材比率を極端に低くして弾性率が低いアンダーフィル材料を使用しなければならなかった。しかし、弾性率が低い材料は、吸湿性が高いために信頼性に劣るという問題が生じていた。本発明の半導体装置では、アンダーフィル部と他の部材間の応力を、保護膜が吸収するので、無機充填材比率が十分に高い、信頼性の高いアンダーフィル材を使用しつつ、剥離などの問題を発生させることなく、長寿命の半導体装置とすることができる。
本発明の第1の実施形態の半導体装置においては、保護膜が半導体素子の側面にフィレット形状となって密着していても良い。この場合には、半導体素子側面に保護膜が接触していない場合と比較して、応力に対する半導体素子コーナー部分へのさらなる保護効果を発揮することができる。なお、この保護膜の半導体素子側面へのフィレット形状は保護膜の前駆体材料の供給量を増やすことにより形成することが出来る。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法、具体的には、上述した第1の実施形態で説明した半導体装置を製造する方法及び、それぞれの製法により製造されたそれぞれの半導体装置の利点について説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法、具体的には、上述した第1の実施形態で説明した半導体装置を製造する方法及び、それぞれの製法により製造されたそれぞれの半導体装置の利点について説明する。
図4および図5は本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。図4(a)に示す半導体装置では、接続部15によって、基板10と半導体素子11が接続されている。接続部15、基板10、半導体素子11の表面は保護膜12によって被覆されている。保護膜12の表面同士の隙間にはアンダーフィル材料が充填されている。さらにアンダーフィル材料は半導体素子11の周囲においてフィレット部を形成しているすなわち、本実施形態のアンダーフィル部13は、フィレット部13Aを有する。
アンダーフィル材料としては公知のものを使用することが出来る。外部からの半導体素子11のエッジ部分への機械的衝撃から保護するためにフィレット部13Aは半導体素子11の側面上端にまで這い上がっていることが好ましい。工程上好ましい公知のアンダーフィル材料の充填とそれに続く硬化工程で、簡便にフィレット部13Aを形成することができる。
尚、前記アンダーフィル材料を使用し、保護膜12の表面同士の隙間を充填させる場合、保護膜12を構成する材料の化学構造として、例えば水酸基を有するものを使用するのが好ましい。保護膜12の表面に水酸基が存在することで、アンダーフィル材料と保護膜12の表面のぬれ性が向上し、より効率的にアンダーフィル材料を充填させることが可能となる。結果、生産性向上という効果が得られる。
図4(b)に示す半導体装置では、保護膜12の厚みが大きく、基板平面からの垂直方向においてアンダーフィル部13の厚みよりも厚く形成されている。保護膜12の厚みは基板10と半導体素子11の接続部15が配列されている領域への保護膜12の前駆体20である液体の供給量によって調整することができる。
供給量が多く、保護膜12の厚みが厚い場合には、さらにすぐれた耐ショート性、耐マイグレーション性を付与することができる。さらにこの場合には、半導体素子11の側面をも保護膜12で被覆することが可能である。この場合は、外部からの半導体素子11のエッジ部分への機械的衝撃から保護するという観点から一層好ましい。
保護膜12の厚みは特に限定するものではないが、基板10の接続面と半導体素子11の接続面の間の距離か、隣り合う前記接続部15間の最近接距離のどちらか短い方の30%より小さいことが望ましい。図4(b)において、基板10と半導体素子11のそれぞれの接続面間の距離が50μm、隣合う接続部15の最近接距離が100μmである場合、保護膜12の厚みは15μmが限度であり、これより厚くならないことが望ましい。また使用するアンダーフィル材料の量を少なくすることができるため、充填時間も短くなり、生産性向上の観点から効果的である。
図5(a)および図5(b)に示す半導体装置では、前駆体20を塗布する際に、基板10側もしくは半導体素子11側の少なくとも一方にのみ塗布し、接続部15の表面および基板10側(図5(a))か、もしくは半導体素子11側(図5(b))にのみ保護膜12が形成されている。この場合にもショートやマイグレーションの防止や応力緩和に効果を発揮することは可能であり、前駆体20の使用量が少ないので、生産コスト低減の観点から有利である。
以上説明したように、本発明の半導体装置は、従来の保護膜を有しないフリップチップ実装された半導体装置と比較して、内部発生応力が守備良く緩和され、且つ耐ショートおよび耐マイグレーションに優れている点で、産業上の利用可能性は高い。
10 回路基板
11 半導体素子
12 保護膜
12A シリコーンゴム保護膜
13 アンダーフィル部
13A フィレット部
14 基板上パッド
15 接続部
15A 基板上パッドに形成された半田ボール
15B 半導体素子上パッドに形成された半田ボール
17 半導体素子上パッド
20 液状シリコーンゴム前駆体
100 回路基板
101 基板上パッド
110 半導体素子
111 半導体素子上パッド
112 接続部
120 アンダーフィル樹脂硬化物
11 半導体素子
12 保護膜
12A シリコーンゴム保護膜
13 アンダーフィル部
13A フィレット部
14 基板上パッド
15 接続部
15A 基板上パッドに形成された半田ボール
15B 半導体素子上パッドに形成された半田ボール
17 半導体素子上パッド
20 液状シリコーンゴム前駆体
100 回路基板
101 基板上パッド
110 半導体素子
111 半導体素子上パッド
112 接続部
120 アンダーフィル樹脂硬化物
Claims (9)
- 基板と、
半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子とを接続する接続部と、
前記基板と前記半導体素子と前記接続部との間にアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部とを備えた半導体装置であって、
前記半導体素子と前記基板の少なくとも一方と、前記接続部との表面が、前記アンダーフィル材料よりも弾性率の低い保護膜によって被覆されていることを特徴とした半導体装置。 - 前記半導体素子と、前記基板と、前記接続部の表面が、前記アンダーフィル材料よりも弾性率の低い前記保護膜によって被覆されていることを特徴とした請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体素子の側面が前記保護膜で被覆された請求項2記載の半導体装置。
- 前記保護膜の膜厚が、隣接する前記接続部間の距離、前記基板と前記半導体素子間の距離の短い方の30%より薄い請求項2記載の半導体装置。
- 前記保護膜がシリコーンゴム材料または有機物組成ゴム材料である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、摂氏25度から摂氏260度にわたり、弾性率が0.5MPa以上10MPa以下の範囲内であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板に接続部が配置された部材、または、半導体素子上に接続部が配置された部材の少なくとも一方に、保護膜の前駆体による塗布膜を形成する工程と、
前記基板上および前記半導体素子上の前記接続部が前記前駆体による塗布膜を突き破って接続するようフリップチップ実装する工程と、
前記前駆体が重合することによって前記保護膜が形成される工程と、
前記保護膜の間隙にアンダーフィル材を充填し硬化する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 基板と半導体素子とを接続部で接続した実装体に対して、
前記基板と前記半導体素子の少なくとも一方と、前記接続部の側面を、保護膜の前駆体による塗布膜でコーティングする工程と、
コーティングされた前記前駆体が重合することによって前記保護膜が形成される工程と、
前記基板と前記半導体と前記接続部との間隙に、アンダーフィル材料を充填し硬化する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜はシリコーンゴム材料であり、前記シリコーンゴム材料の前駆体は、オルガノポリシロキサン骨格を有し、
前記保護膜が形成される工程は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、前記前駆体が前記シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する反応を含むことを特徴とする請求項7または8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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