WO2014112167A1 - モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

モジュールおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014112167A1
WO2014112167A1 PCT/JP2013/078054 JP2013078054W WO2014112167A1 WO 2014112167 A1 WO2014112167 A1 WO 2014112167A1 JP 2013078054 W JP2013078054 W JP 2013078054W WO 2014112167 A1 WO2014112167 A1 WO 2014112167A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin layer
wiring board
electronic component
resin
main surface
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/078054
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
悟志 伊藤
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2014557322A priority Critical patent/JPWO2014112167A1/ja
Priority to CN201380070487.4A priority patent/CN104919586A/zh
Publication of WO2014112167A1 publication Critical patent/WO2014112167A1/ja
Priority to US14/797,752 priority patent/US20150318228A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0503—13th Group
    • H01L2924/05032—AlN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0504—14th Group
    • H01L2924/05042—Si3N4
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0543—13th Group
    • H01L2924/05432—Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0544—14th Group
    • H01L2924/05442—SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/066—Phenolic resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/07—Polyamine or polyimide
    • H01L2924/07025—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Definitions

  • the present invention relates to a module in which an electronic component mounted on a wiring board is covered with a resin layer, and a manufacturing method thereof.
  • a flip chip mounting method is widely used as a method for mounting the electronic component on the surface of the wiring board. Since this mounting method can reduce the mounting area of the electronic component as compared with the mounting method of the electronic component by wire bonding, the module can be miniaturized. In addition, since the wiring length for connecting the electronic component and the wiring board can be shortened, the electrical characteristics of the module can be improved.
  • the flip chip mounting method is, for example, a method in which bumps formed of solder, Au, or the like are provided on electrodes on the circuit formation surface of an IC that is an electronic component, and the IC is directly connected to the wiring board using the bumps. Therefore, the stress generated between the wiring board and the electronic component tends to concentrate on the connection part, and it is difficult to ensure the connection reliability of the module.
  • connection portion is reinforced by filling the gap between the wiring substrate and the electronic component where the connection portion between the wiring board and the electronic component is formed with an underfill resin ( Patent Document 1).
  • the module 100 has a chip 102 such as an IC flip-chip mounted on a wiring substrate 101 and another chip 104 on the surface opposite to the surface on which the bump 103 is formed. Is installed.
  • An electrode is formed on the upper surface of the chip 104, and the electrode and the electrode of the wiring board 101 are connected by an Au wire.
  • An underfill resin 105 is filled in a gap between the chip 102 such as an IC and the wiring substrate 101, and a mold resin layer 106 is formed on the wiring substrate 101 so as to cover both the chips 102 and 104 and the Au wire. Is done.
  • the stress generated between the wiring board 101 and the chip 102 is not concentrated on the connection portion. Since it is dispersed in the underfill resin, the connection reliability between the wiring substrate 101 and the chip 102 can be improved. Further, since both the chips 102 and 104 and the Au wire are covered with the mold resin layer 106, it is possible to prevent the both chips 102 and 104 and the Au wire from being damaged by an external stress.
  • the difference in linear expansion coefficient between the wiring board 101 and the underfill resin 105, the wiring board 101 and the mold resin layer 106, or the like It is known that the problem that the module 100 warps due to the difference in the linear expansion coefficient with respect to or the like.
  • the warpage of the module 100 is particularly affected by the difference in linear expansion coefficient between the module resin layer 106 and the wiring substrate 101.
  • the underfill resin 105 and the resin of the mold resin layer 106 contain a filler having a low linear expansion coefficient (for example, silica filler), so that the wiring substrate 101, the underfill resin 105, and The warpage of the module 100 is reduced by reducing the difference in the linear expansion coefficient of the mold resin layer 106.
  • the underfill resin 105 not only increases the fillability of the underfill region, but also reduces the linear expansion coefficient and prevents damage to the circuit forming surface on which the bumps of the chip 102 are provided.
  • a filler having a particle size smaller than the distance between the wiring substrate 101 and the chip 102 is used.
  • a filler having a particle size larger than that of the filler contained in the underfill resin 105 is used for the mold resin layer 106 in order to reduce the linear expansion coefficient.
  • the linear expansion coefficient of the underfill resin 105 and the linear expansion coefficient of the mold resin layer 106 are different. In such a case, peeling occurs at the contact interface between the underfill resin 105 and the mold resin layer 106, and this peeling progresses to cause interface peeling between the mold resin layer 106 and the wiring substrate 101. May occur.
  • This interfacial peeling is caused by poor connection between the connection portion of the wiring substrate 101 and the chip 102, or when the bump 103 of the chip 102 is a solder bump, for example, when the bump 103 of the chip 102 is melted, Since this causes solder splash that contacts the other bumps 103 through the peeled interface and short-circuits between the adjacent bumps 103, a technique for preventing these problems from occurring has been demanded.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a module capable of improving the connection reliability between a wiring board and an electronic component mounted on the wiring board.
  • a module of the present invention is formed over a wiring board, an electronic component mounted on one main surface of the wiring board, and an entire surface of one main surface of the wiring board.
  • An underfill resin layer formed so as to fill a gap between the one main surface of the wiring board and the electronic component, and a mold formed so as to cover at least a part of the underfill resin layer and the electronic component.
  • a resin layer, and the underfill resin layer is formed of a resin containing a filler whose particle size is smaller than an interval between one main surface of the wiring board and the electronic component.
  • the underfill resin layer so as to fill the gap between the one main surface of the wiring board and the electronic component, for example, when the electronic component is flip-chip mounted on the one main surface of the wiring substrate, It is possible to provide a module with high connection reliability between the electronic component and the wiring board because the stress generated between the electronic component and the wiring board is not concentrated on the connection portion but is dispersed in the resin of the underfill resin layer. it can.
  • the gap between the one main surface of the wiring board and the electronic component is formed by forming the underfill resin layer with a resin containing a filler whose particle size is smaller than the distance between the one main surface of the wiring substrate and the electronic component.
  • the filler does not interfere and the filling property of the resin of the underfill resin layer into the gap is improved, so the connection reliability between the wiring board and the electronic component is improved. It is possible to prevent a void that causes a decrease from occurring in a gap between the one main surface of the wiring board and the electronic component.
  • the electronic component is flip-chip mounted, it is possible to prevent the circuit forming surface of the electronic component from being damaged by the filler of the underfill resin layer.
  • a plurality of the electronic components are mounted on one main surface of the wiring board, and the particle size of the filler contained in the underfill resin layer is such that the one main surface of the wiring substrate and each of the electronic components are
  • the underfill resin layer may be formed to be thicker than the largest interval among the intervals between the one main surface of the wiring board and each of the electronic components. .
  • the particle size of the filler of the underfill resin layer is made smaller than the smallest interval among the intervals between one main surface of the wiring substrate and each electronic component.
  • the filling property of the resin of the underfill resin layer into the gap is improved.
  • the underfill resin layer thicker than the largest interval among the intervals between the one main surface of the wiring board and each electronic component in each electronic component, Since the entire region of the gap is filled with resin, the connection reliability with the wiring board in each electronic component is improved.
  • the mold resin layer is formed of a plurality of layers each containing a filler having a particle size larger than that of the filler of the underfill resin layer and each having a different particle size. You may arrange
  • the module manufacturing method of the present invention includes a mounting step of mounting an electronic component on one main surface of a wiring board, and a resin sealing treatment so as to surround the electronic component on the periphery of the one main surface of the wiring board.
  • a resin sealing treatment so as to surround the electronic component on the periphery of the one main surface of the wiring board.
  • the underfill resin a liquid resin containing a filler whose particle size is smaller than the distance between the one main surface of the wiring board and the electronic component, the one main surface of the wiring substrate and the electronic component are Since the filling property of the liquid resin into the gap is improved, the generation of voids in the gap can be prevented.
  • the underfill resin layer can be formed over the entire surface of one main surface of the wiring board by a simple method of filling the surrounding area with the resin sealing jig with a liquid resin, A module having high connection reliability with a component can be easily manufactured.
  • the underfill resin layer is formed as the number of electronic components to be mounted increases. Man-hours increase and module manufacturing costs increase.
  • it is necessary to secure a space between the electronic components for disposing the resin injection port of the dispenser, which hinders high density mounting of the electronic components. It becomes.
  • each electronic component is filled at once by filling the liquid resin into the surrounding area by the resin sealing jig. Since all parts can be underfilled, the number of steps in the underfill resin layer forming process is reduced, and the manufacturing cost of the module can be reduced. Moreover, since a space for disposing the resin injection port of the dispenser is not necessary, it is possible to cope with high-density mounting of electronic components.
  • a mounting step of mounting an electronic component on one main surface of a wiring board, and a resin sealing jig are arranged around the electronic component on the periphery of the one main surface of the wiring board
  • An underfill resin containing a filler having a particle size smaller than the distance between the one main surface of the wiring board and the electronic component in the surrounding region by the resin sealing jig Arranging the powder resin so that the powder resin is evenly arranged in the surrounding region, and arranging the powder resin in a gap between the one main surface of the wiring board and the electronic component.
  • the underfill resin layer of the module of the present invention can be formed using a powder resin.
  • the underfill resin layer that fills the gap between the one main surface of the wiring board and the electronic component is formed over the entire surface of the one main surface of the wiring board, and the underfill resin layer includes the grains. It is formed of a resin containing a filler whose diameter is smaller than the distance between one main surface of the wiring board and the electronic component. Therefore, even if interfacial delamination occurs due to the difference in coefficient of linear expansion between the resin of the underfill resin layer and the resin of the mold resin layer, this interfacial delamination extends to the interface between the wiring board and the underfill resin layer.
  • connection between the wiring board and the electronic component due to the interface peeling between the wiring board and the resin layer or between the terminals due to solder splash (for example, between adjacent terminals of the electronic component) It is possible to prevent the occurrence of a problem such as a short circuit, thereby providing a module with high connection reliability between the wiring board and the electronic component.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the module 1 according to the first embodiment.
  • the module 1 includes a wiring board 2, an electronic component 3 mounted on one main surface of the wiring board 2, and the entire one main surface of the wiring board 2.
  • the underfill resin layer 4 is formed so as to fill a gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3, and the electronic component 3 and the underfill resin layer 4 are covered.
  • a mold resin layer 5 is formed so as to fill a gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3, and the electronic component 3 and the underfill resin layer 4 are covered.
  • the wiring substrate 2 is made of, for example, a glass epoxy resin substrate, a low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate, a glass substrate, and the like, and wiring electrodes and via conductors are formed on the main surface and inside thereof.
  • the wiring board 2 may be either a multilayer board or a single-layer board.
  • the electronic component 3 is a semiconductor element formed of, for example, Si or GaAs, and is flip-chip mounted on one main surface of the wiring board 2 using solder bumps 6.
  • the electronic component 3 may be configured to mount a chip capacitor, a chip inductor, a chip resistor, or the like.
  • the underfill resin layer 4 is a resin (hereinafter referred to as a resin of the underfill resin layer 4) containing a filler (silica filler) formed of silica or the like having a smaller linear expansion coefficient than the epoxy resin in the epoxy resin. And is formed over the entire surface of one main surface of the wiring board 2 as described above, and a gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3 is formed. Formed to fill. At this time, the underfill resin layer 4 is formed to be thicker than the distance h between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3 (thickness h 0 > h of the underfill resin layer 4). The underfill resin layer 4 may be formed so that the thickness h 0 of the underfill resin layer 4 is the same as the distance h between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3.
  • the filler contained in the underfill resin layer 4 has an average particle size smaller than the distance h between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3. At this time, the maximum particle size is made smaller than the distance h between the wiring board 2 and the electronic component 3 in order to improve the resin filling property in the gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3. Is preferred.
  • resin of the underfill resin layer 4 besides epoxy resin, phenol resin, cyanate resin, polyimide resin, bismaleimide resin, or the like can be used.
  • a filler contained in the underfill resin layer 4 an alumina filler, an aluminum nitride filler, a silicon nitride filler, carbon fiber, etc. other than a silica filler can be used.
  • the mold resin layer 5 is a resin (hereinafter referred to as “silica filler”) containing a filler (silica filler) formed of silica or the like having a smaller linear expansion coefficient than the epoxy resin in the epoxy resin. , And may be referred to as a resin of the mold resin layer 5), and is formed so as to cover the underfill resin layer 4 and the electronic component 3.
  • the filler contained in the mold resin layer 5 has an average particle size larger than the average particle size of the filler of the underfill resin layer 4.
  • the mold resin layer 5 does not necessarily have to be formed so as to cover the entire surface of the underfill resin layer 4, and may be formed so as to cover at least a part of the underfill resin layer 4 and the electronic component. I do not care.
  • resin of the mold resin layer 5 in addition to the epoxy resin, phenol resin, cyanate resin, polyimide resin, bismaleimide resin, and the like can be used as in the case of the underfill resin layer 4.
  • a filler contained in the mold resin layer 4 an alumina filler, an aluminum nitride filler, a silicon nitride filler, carbon fiber, etc. other than a silica filler can be used.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the module 1, and (a) to (f) show the respective steps.
  • modules according to other embodiments described later can also be manufactured by using a method for manufacturing the module 1 described below.
  • the electronic component 3 is flip-chip mounted on one main surface of the wiring board 2 (mounting process). At this time, by disposing the electronic component 3 at a predetermined position on one main surface of the wiring board 2, and then melting the solder bump 6 by, for example, putting the wiring board 2 on which the electronic component 3 is disposed into a reflow furnace, The wiring board 2 and the electronic component 3 are connected.
  • a sealing resin jig 7 is arranged and fixed so as to surround the electronic component 3 on the periphery of the one main surface of the wiring board 2 (arrangement step).
  • the sealing resin jig 7 is made of rubber resin.
  • the surrounding area of the sealing resin jig 7 is filled with the liquid resin 4a as an underfill resin (filling step).
  • the liquid resin 4a is a resin that forms the underfill resin layer 4, and is a liquid epoxy resin containing a filler.
  • the amount of the liquid resin 4a is adjusted so that the underfill resin layer 4 is formed over the entire surface of the one main surface of the wiring board 2 in the underfill resin layer forming step described later.
  • a filler whose particle size is smaller than the interval between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3 is used.
  • the sealing resin jig 7 is removed, and the liquid resin 4a is formed at a temperature of about 180 ° C.
  • the underfill resin layer 4 is formed (underfill resin layer forming step).
  • the liquid resin 4 a spreads over the entire surface of the one main surface of the wiring board 2.
  • the sealing resin jig 7 is not necessarily removed.
  • the molding resin 5 a is disposed so as to cover the underfill resin layer 4 and the electronic component 3.
  • the mold resin layer 5 is formed by curing the arranged mold resin 5a at a temperature of about 180 ° C. (mold resin layer forming step).
  • the resin of the mold resin layer 5 is a resin in which a filler is contained in an epoxy resin, and the filler having a particle size larger than that of the filler of the underfill resin layer 4 is used.
  • the mold resin layer 5 can be formed by using any one of liquid, powder, and solid resin as the mold resin 5a. For example, when a liquid or powder resin is used as the mold resin 5a, the mold resin 5a is disposed on the underfill resin layer 4 and the electronic component 3 before the sealing resin jig 7 is removed. After the mold resin 5a is semi-cured or fully cured, the sealing resin jig 7 may be removed.
  • positioning process which arrange
  • a sealing resin jig 7 having a cavity whose opening is slightly larger than the outer shape of one main surface of the wiring board 2 is prepared, and the electronic component 3 is placed in the cavity.
  • the mounted wiring board 2 may be arranged. In this way, the underfill resin layer 4 can be easily formed over the entire surface of the one main surface of the wiring board 2.
  • the electronic component 3 and the wiring board are formed by forming the underfill resin layer 4 so as to fill the gap between the one main surface of the wiring board 2 and the flip-chip mounted electronic component 3. 2 is dispersed in the resin of the underfill resin layer 4 without concentrating on the connecting portion (in the vicinity of the solder bump 6) between the electronic component 3 and the wiring substrate 2, and thus the electronic component 3 and the wiring substrate. 2 can be provided.
  • the underfill resin layer 4 is formed of a resin containing a filler whose particle size is smaller than the distance between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3, whereby the one main surface of the wiring board 2 and the electronic
  • the filler does not interfere and the filling of the resin of the underfill resin layer 4 into the gap is improved. It is possible to prevent a void that causes a decrease in connection reliability with the electronic component 3 from occurring in a gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3. Further, it is possible to prevent the circuit forming surface (the surface facing the wiring board 2) of the electronic component 3 from being damaged by the filler of the underfill resin layer 4.
  • the formation of the underfill resin layer 4 on the entire surface of the wiring board 2 can prevent such a problem from occurring.
  • the particle size can be made larger than the particle size of the filler of the underfill resin layer 4. Since the filler has a higher thermal conductivity than the epoxy resin and has a low coefficient of linear expansion, the volume of the filler in the module resin layer 5 is increased by increasing the particle size of the filler of the mold resin layer 5. Thus, the heat dissipation characteristics of the module 1 can be improved, and the warpage of the module 1 can be reduced.
  • the entire surface of one main surface of the wiring board 2 is covered by a simple method of filling a liquid resin into the surrounding region by the resin sealing jig 7. Since the underfill resin layer 4 can be formed, the module 1 with high connection reliability between the wiring board 2 and the electronic component 3 can be easily manufactured.
  • the underfill resin layer increases as the number of electronic components 3 to be mounted increases.
  • the man-hour for forming 4 increases, and the manufacturing cost of the module 1 increases.
  • FIG. 3 is a view for explaining the manufacturing method of the module 1a according to the second embodiment, and (a) to (f) show each step.
  • the module 1a according to this embodiment is different from the module 1 of the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 in that the underfill resin layer 4 is formed using the powder resin 4b in the manufacturing method. It is. Since other configurations are the same as those of the module 1 of the first embodiment, the description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • FIGS. 3 (a) to 3 (b) correspond to the steps shown in FIGS.
  • the process shown in f) corresponds to FIG. 2 (e) and is the same process, and the description thereof is omitted.
  • the module 1a is manufactured by placing the powder resin 4b under the surrounding area by the sealing resin jig 7 as shown in FIG. 3C. It arrange
  • This powder resin 4b is a mixture of a powder formed of an epoxy resin and a filler, and this filler has a particle size smaller than the distance between one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3. Is used. At this time, the amount of the powder resin 4b is changed over the entire surface of one main surface of the wiring substrate 2 in the underfill resin layer forming step described later, and the one main surface of the wiring substrate 2 is formed. And an amount suitable for being formed so as to fill a gap between the electronic component 3 and the electronic component 3.
  • region of the powder resin 4b can be performed by spraying from the upper side of the wiring board 2, etc., for example. Further, as shown in FIG. 3C, in this step, the gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3 is not filled with the powder resin 4b.
  • the powder resin 4b is evenly arranged in the surrounding area by the sealing resin jig 7 by vibrating the wiring board 2 or the like (for example, ultrasonic vibration).
  • the powder resin 4b is prepared so that the powder resin 4b is filled in the gap between the one main surface of the wiring board 2 and the electronic component 3 (powder adjusting step).
  • the sealing resin jig 7 is removed, and the temperature of about 180 ° C. is removed.
  • the underfill resin layer 4 is formed by permanently curing the powder resin 4b at a temperature (underfill resin layer forming step). At this time, when the powder resin 4b is fully cured, the temporarily cured powder resin 4b spreads over the entire surface of the one main surface of the wiring board 2.
  • the module 1a is manufactured by forming the mold resin layer 5 by the same method as the mold resin layer forming step of the module 1 described with reference to FIG. 2E (see FIG. 3F). .
  • the underfill resin layer 4 and the mold resin layer 5 can be formed at the same time using a powder resin mixed with a powdery epoxy resin.
  • the powder resin in which the above-described large and small fillers and powdered epoxy resin are mixed is used as the wiring board 2. It sprays until the electronic component 3 is filled from the upper side, and the wiring board 2 etc. are vibrated. At this time, the filler whose particle size is smaller than the distance between the one main surface of the wiring substrate 2 and the electronic component 3 enters the gap between the one main surface of the wiring substrate 2 and the electronic component 3 and together with the epoxy resin, the underfill resin The layer 4 is formed, and the filler having a large particle size moves upward from the underfill resin layer 4 to form the mold resin layer 5 together with the epoxy resin. Thus, since the man-hour of manufacture of the module 1 can be reduced by forming the underfill resin layer 4 and the mold resin layer 5 simultaneously, the manufacturing cost of the module 1 can be reduced.
  • the underfill resin layer 4 of the module 1a can be formed using the powder resin 4b by using the method for manufacturing the module 1a according to the second embodiment of the present invention described above.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the module 1b.
  • the module 1b according to this embodiment is different from the module 1 of the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that the mold resin layer 5 has a two-layer structure as shown in FIG. . Since other configurations are the same as those of the module 1 of the first embodiment, the description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the mold resin layer 5 includes a first mold resin layer 5b disposed adjacent to the upper side of the underfill resin layer 4 and a second mold resin layer 5c disposed on the upper side of the first mold resin layer 5b. And formed. Further, the particle size of the filler contained in the first mold resin layer 5b and the particle size of the filler contained in the second mold resin layer 5c are both larger than the particle size of the filler of the underfill resin layer 4, and the first The particle size of the filler of the mold resin layer 5b is smaller than the particle size of the filler of the second mold resin layer 5c. That is, the particle size of the filler contained in each layer 4, 5b, 5c is gradually increased from the underfill resin layer 4 to the upper layer side.
  • the mold resin layer 5 is not limited to the above-described two-layer structure, and may be configured to further increase the number of layers. In this case, what is necessary is just to make it the particle diameter of the filler to contain become large, so that the layer arrange
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the module 1c.
  • the module 1c according to this embodiment differs from the module 1 of the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that a plurality of electronic components 3 are provided on one main surface of the wiring board 2 as shown in FIG. It is an implementation point. Since the other configuration is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • one semiconductor element 3a and two chip components 3b are mounted on one main surface of the wiring board 2 as the electronic components 3.
  • Both chip components 3b are passive components such as a chip capacitor, a chip inductor, and a chip resistor.
  • the semiconductor element 3a is mounted by flip chip mounting, and both the chip components 3b are mounted by using a well-known surface mounting technique.
  • the filler, and the one main surface of the particle size is the wiring board 2, the semiconductor element 3a, the two chip components 3b distance h between each of the h 1, the smallest distance h 1 contained in the under fill resin layer 4 The smaller one is used.
  • the underfill resin layer 4, the one main surface of the wiring substrate 2, the semiconductor element 3a, the two chip components 3b distance h between each of the h 1, is thicker than the largest distance h (underfill The thickness h 2 > h) of the resin layer 4.
  • the particle size of the filler of the underfill resin layer 4 is the smallest among the distances h and h 1 between the one main surface of the wiring board 2 and each of the electronic components 3 (semiconductor element 3a and chip component 3b). to be smaller than the distance h 1, all of the electronic components 3, the filling of the underfill resin layer 4 of the resin into the gap between the wiring substrate 2 is improved. Further, by forming the underfill resin layer 4 thicker than the largest interval h among the intervals h and h 1 between the one main surface of the wiring board 2 and the respective electronic components 3, Since the resin is filled in the entire area of the gap between the main surface of the wiring board 2 and each of the electronic components 3, the connection reliability with the wiring board 2 is improved.
  • the mold resin layer 5 is formed using a liquid resin.
  • the mold resin layer 5 can also be formed using, for example, a powder resin or a resin sheet.
  • the present invention can be applied to various modules in which the electronic component 3 mounted on the wiring board 2 is sealed with resin.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

　配線基板と該配線基板に実装される電子部品との接続信頼性の向上を図ることができるモジュールを提供することを目的とする。　モジュール１は、配線基板２と、該配線基板２の一方主面に実装された電子部品３と、配線基板２の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間を埋めるように形成されたアンダーフィル樹脂層４と、アンダーフィル樹脂層４および電子部品３を被覆するように形成されたモールド樹脂層５とを備え、アンダーフィル樹脂層４が、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂により形成されている。

Description

モジュールおよびその製造方法
　本発明は、配線基板に実装された電子部品が樹脂層により被覆されたモジュールおよびその製造方法に関する。
　近年、配線基板と電子部品とを備えるモジュールにおいて、電子部品を配線基板の表面に実装する方法としてフリップチップ実装方法が広く用いられている。この実装方法は、ワイヤボンディングによる電子部品の実装方法と比較して電子部品の実装面積を小さくできるため、モジュールの小型化を図ることができる。また、電子部品と配線基板とを接続するための配線長を短くすることができるため、モジュールの電気的特性の向上を図ることができる。
　しかしながら、フリップチップ実装方法は、例えば、電子部品であるＩＣの回路形成面の電極上に半田やＡｕ等で形成されたバンプを設け、このバンプを用いて直接、ＩＣを配線基板に接続する方法であるため、配線基板と電子部品との間で発生する応力が接続部に集中しやすく、モジュールの接続信頼性を確保するのが困難である。
　そこで、従来では配線基板と電子部品との接続部が形成される配線基板と電子部品との隙間にアンダーフィル樹脂を充填することにより、接続部の補強が図られたモジュールが提案されている（特許文献１参照）。
　このモジュール１００は、図６に示すように、配線基板１０１上にＩＣ等のチップ１０２がフリップチップ実装されるとともに、当該チップ１０２のバンプ１０３の形成面と反対側の面上に別のチップ１０４が搭載される。また、このチップ１０４の上側の面には電極が形成されており、当該電極と配線基板１０１の電極とがＡｕワイヤにより接続される。そして、ＩＣ等のチップ１０２と配線基板１０１との隙間にはアンダーフィル樹脂１０５が充填されるとともに、両チップ１０２，１０４およびＡｕワイヤを被覆するように配線基板１０１上にモールド樹脂層１０６が形成される。
　このように、フリップチップ実装されたチップ１０２と配線基板１０１との隙間にアンダーフィル樹脂を充填することで、配線基板１０１とチップ１０２との間に発生した応力が接続部に集中することなく、アンダーフィル樹脂に分散するため、配線基板１０１とチップ１０２との接続信頼性の向上を図ることができる。また、両チップ１０２，１０４およびＡｕワイヤがモールド樹脂層１０６により被覆されているため、外部応力により両チップ１０２，１０４およびＡｕワイヤが破損するのを防止することができる。
特開２００７－６７０４７号公報（段落００１７～００２０、図８等参照）
　ところで、上記したような配線基板１０１にアンダーフィル樹脂１０５やモールド樹脂層１０６を設けるモジュール構成では、配線基板１０１とアンダーフィル樹脂１０５との線膨張係数の差や、配線基板１０１とモールド樹脂層１０６との線膨張係数の差等によりモジュール１００が反るという問題が発生することが知られている。一般的に、モールド樹脂層１０６の容積はアンダーフィル樹脂１０５よりも大きいため、このモジュール１００の反りは、特に、モジュール樹脂層１０６と配線基板１０１との線膨張係数の差に影響を受ける。
　そこで、特許文献１に記載のモジュール１００では、アンダーフィル樹脂１０５とモールド樹脂層１０６の樹脂に線膨張係数の低いフィラー（例えば、シリカフィラー）を含有させて、配線基板１０１とアンダーフィル樹脂１０５およびモールド樹脂層１０６の線膨張係数の差を小さくすることにより、モジュール１００の反りの低減が図られている。このとき、アンダーフィル樹脂１０５には、アンダーフィル領域の充填性を上げるだけでなく、線膨張係数を低くしつつ、チップ１０２のバンプが設けられる回路形成面が傷つくのを防止するために、その粒径が配線基板１０１とチップ１０２との間隔よりも小さいフィラーが用いられる。また、モールド樹脂層１０６には、線膨張係数を低くするためにアンダーフィル樹脂１０５に含有するフィラーよりもその粒径が大きいフィラーが用いられる。
　しかしながら、従来のモジュール１００では、モールド樹脂層１０６のフィラーの粒径とアンダーフィル樹脂１０５のフィラーの粒径が異なるため、アンダーフィル樹脂１０５の線膨張係数とモールド樹脂層１０６の線膨張係数が異なる場合があり、このような場合には、アンダーフィル樹脂１０５とモールド樹脂層１０６との接触界面で剥離が発生し、この剥離が進展することでモールド樹脂層１０６と配線基板１０１との界面剥離が発生するおそれがある。この界面剥離は、配線基板１０１とチップ１０２の接続部の接続不良や、例えばチップ１０２のバンプ１０３が半田バンプである場合には、チップ１０２のバンプ１０３が溶融したときに、溶けたバンプ１０３が剥離した界面を伝って他のバンプ１０３と接触し、隣接するバンプ１０３間がショートする半田スプラッシュの原因になるため、これらの問題が発生するのを防止する技術が求められていた。
　本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、配線基板と該配線基板に実装される電子部品との接続信頼性の向上を図ることができるモジュールを提供することを目的とする。
　上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された電子部品と、前記配線基板の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との隙間を埋めるように形成されたアンダーフィル樹脂層と、前記アンダーフィル樹脂層の少なくとも一部および前記電子部品を被覆するように形成されたモールド樹脂層とを備え、前記アンダーフィル樹脂層は、その粒径が前記配線基板の一方主面と前記電子部品との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂により形成されていることを特徴としている。
　このように、配線基板の一方主面と電子部品との隙間を埋めるようにアンダーフィル樹脂層を形成することで、例えば、電子部品が配線基板の一方主面にフリップチップ実装された場合に、電子部品と配線基板との間に発生する応力が接続部に集中することなく、アンダーフィル樹脂層の樹脂に分散するため、電子部品と配線基板との接続信頼性の高いモジュールを提供することができる。
　また、アンダーフィル樹脂層を、その粒径が配線基板の一方主面と電子部品との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂で形成することにより、配線基板の一方主面と電子部品との隙間にアンダーフィル樹脂層の樹脂を充填する際に、フィラーが邪魔することがなく、当該隙間へのアンダーフィル樹脂層の樹脂の充填性が向上するため、配線基板と電子部品との接続信頼性の低下の原因となるボイドが配線基板の一方主面と電子部品との隙間に発生するのを防止することができる。また、電子部品がフリップチップ実装される場合には、電子部品の回路形成面がアンダーフィル樹脂層のフィラーにより傷つけられるのを防止することもできる。
　また、アンダーフィル樹脂層を配線基板の一方主面の全面に渡って形成することにより、アンダーフィル樹脂層とモールド樹脂層との間の線膨張係数の違いから界面剥離が発生した場合であっても、この界面剥離は配線基板とアンダーフィル樹脂層との界面まで進展することがないため、従来のように、配線基板と樹脂層との界面剥離に起因する配線基板と電子部品との接続不良や半田スプラッシュによる端子間（例えば電子部品の隣接する端子間）のショート等の問題が発生するのを防止することができる。
　また、前記配線基板の一方主面には複数の前記電子部品が実装されており、前記アンダーフィル樹脂層に含有するフィラーの粒径は、前記配線基板の一方主面と前記各電子部品それぞれとの間隔のうち、最も小さい間隔よりも小さく、前記アンダーフィル樹脂層は、前記配線基板の一方主面と前記各電子部品それぞれとの間隔のうち、最も大きい間隔よりも厚く形成されていてもよい。
　このように、アンダーフィル樹脂層のフィラーの粒径を、配線基板の一方主面と各電子部品それぞれとの間隔のうち、最も小さい間隔よりも小さくすることで、全ての電子部品において、配線基板との隙間へのアンダーフィル樹脂層の樹脂の充填性が向上する。また、アンダーフィル樹脂層を、配線基板の一方主面と各電子部品それぞれとの間隔のうち、最も大きい間隔よりも厚く形成することにより、各電子部品それぞれにおいて、配線基板の一方主面との隙間の全領域に樹脂が充填されるため、各電子部品それぞれにおける配線基板との接続信頼性が向上する。
　また、前記モールド樹脂層は、それぞれ粒径が前記アンダーフィル樹脂層のフィラーの粒径よりも大きく、かつ、それぞれ粒径が異なるフィラーを含有する複数の層で形成され、前記各層は、前記アンダーフィル樹脂層から上層側に配置される層ほど、含有するフィラーの粒径が大きくなるように配置されていてもよい。
　このように、アンダーフィル樹脂層から上層側にいくにつれて、各層（アンダーフィル樹脂層を含む）が含有するフィラーの粒径を徐々に大きくすることにより、隣接する層間の線膨張係数の差を小さくすることができるため、隣接する層の境界で界面剥離が発生するのを抑えることができる。
　また、本発明のモジュールの製造方法は、配線基板の一方主面に電子部品を実装する実装工程と、前記配線基板の前記一方主面の周縁に前記電子部品を囲むように樹脂封止用治具を配置する配置工程と、前記樹脂封止用治具による囲繞領域内に、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との間隔よりもその粒径が小さいフィラーを含有する液状樹脂をアンダーフィル樹脂として充填する充填工程と、前記液状樹脂を硬化させるとともに前記樹脂封止用治具を除去することによりアンダーフィル樹脂層を形成するアンダーフィル樹脂層形成工程と、前記アンダーフィル樹脂層および前記電子部品を被覆するようにモールド樹脂層を形成するモールド樹脂層形成工程とを備えることを特徴としている。
　このように、配線基板の一方主面と電子部品との間隔よりもその粒径が小さいフィラーを含有する液状樹脂をアンダーフィル樹脂として使用することにより、配線基板の一方主面と電子部品との隙間への液状樹脂の充填性が向上するため、当該隙間にボイドが発生するのを防止することができる。また、樹脂封止用治具による囲繞領域内に液状樹脂を充填するという簡単な方法で配線基板の一方主面の全面に渡ってアンダーフィル樹脂層を形成することができるため、配線基板と電子部品との接続信頼性の高いモジュールを容易に製造することができる。
　ところで、例えば、配線基板に複数の電子部品を実装し、ディスペンス方式により各電子部品毎にアンダーフィル樹脂層を形成する場合、実装する電子部品の数が増えるほどアンダーフィル樹脂層を形成するための工数が増えてモジュールの製造コストが増加する。また、電子部品毎にアンダーフィル樹脂層の樹脂を塗布するために、ディスペンサの樹脂注入口を配置するためのスペースを電子部品間に確保する必要があり、電子部品の高密度実装化への妨げとなる。
　しかしながら、本発明のモジュールの製造方法では、複数の電子部品を配線基板に実装した場合であっても、樹脂封止用治具による囲繞領域内に液状樹脂を充填することにより、一度に各電子部品全てのアンダーフィルを行うことができるため、アンダーフィル樹脂層形成工程の工数が減少し、モジュールの製造コストの低減を図ることができる。また、ディスペンサの樹脂注入口を配置するためのスペースが必要ないため、電子部品の高密度実装化に対応することもできる。
　本発明のモジュールの製造方法として、配線基板の一方主面に電子部品を実装する実装工程と、前記配線基板の一方主面の周縁に前記電子部品を囲むように樹脂封止用治具を配置する配置工程と、前記樹脂封止用治具による囲繞領域内に、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との間隔よりもその粒径が小さいフィラーを含有する粉末樹脂をアンダーフィル樹脂として配置する粉末樹脂配置工程と、前記粉末樹脂が前記囲繞領域内に均等に配置されるように当該粉末樹脂を整えるとともに、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との隙間に前記粉末樹脂が充填されるように前記粉末樹脂を整える粉整工程と、前記粉末樹脂を溶解した後、硬化させるとともに前記樹脂封止治具を除去することによりアンダーフィル樹脂層を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、前記アンダーフィル樹脂層および前記電子部品を被覆するようにモールド樹脂層を形成するモールド樹脂層形成工程とを備えるようにしてもよい。
　このように構成することにより、本発明のモジュールのアンダーフィル樹脂層を粉末樹脂を用いて形成することができる。
　本発明によれば、配線基板の一方主面と電子部品との隙間を埋めるアンダーフィル樹脂層が、配線基板の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、アンダーフィル樹脂層が、その粒径が配線基板の一方主面と電子部品との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂により形成される。したがって、アンダーフィル樹脂層の樹脂とモールド樹脂層の樹脂との間の線膨張係数の違いから界面剥離が発生した場合であっても、この界面剥離は配線基板とアンダーフィル樹脂層との界面まで進展することがないため、従来のように、配線基板と樹脂層との界面剥離に起因する配線基板と電子部品との接続不良や半田スプラッシュによる端子間（例えば電子部品の隣接する端子間）のショート等の問題が発生するのを防止することができ、これにより、配線基板と電子部品との接続信頼性の高いモジュールを提供することができる。
本発明の第１実施形態にかかるモジュールの断面図である。 図１のモジュールの製造方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態にかかるモジュールの製造方法を説明するための図である。 本発明の第３実施形態にかかるモジュールの断面図である。 本発明の第４実施形態にかかるモジュールの断面図である。 従来のモジュールの断面図である。
　＜第１実施形態＞
　本発明の第１実施形態にかかるモジュール１について、図１を参照して説明する。なお、図１は第１実施形態にかかるモジュール１の断面図である。
　この実施形態にかかるモジュール１は、図１に示すように、配線基板２と、該配線基板２の一方主面に実装された電子部品３と、配線基板２の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間を埋めるように形成されたアンダーフィル樹脂層４と、電子部品３およびアンダーフィル樹脂層４を被覆するように形成されたモールド樹脂層５とを備える。
　配線基板２は、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板、ガラス基板等からなり、その主面や内部に配線電極やビア導体が形成される。なお、配線基板２は、多層基板および単層基板のいずれを使用してもよい。
　電子部品３は、例えば、ＳｉやＧａＡｓ等で形成された半導体素子であり、半田バンプ６を用いて配線基板２の一方主面にフリップチップ実装される。なお、電子部品３として、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗等を実装する構成であってもかまわない。
　アンダーフィル樹脂層４は、エポキシ樹脂中に、当該エポキシ樹脂と比較して線膨張係数が小さいシリカ等で形成されたフィラー（シリカフィラー）を含有させた樹脂（以下、アンダーフィル樹脂層４の樹脂という場合もある）により形成されたものであり、上記したように、配線基板２の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間を埋めるように形成される。このとき、アンダーフィル樹脂層４は、配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔ｈより厚くなるように形成される（アンダーフィル樹脂層４の厚みｈ０＞ｈ）。なお、アンダーフィル樹脂層４の厚みｈ０が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔ｈと同じになるように、アンダーフィル樹脂層４を形成してもかまわない。
　また、アンダーフィル樹脂層４に含有するフィラーは、その平均粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔ｈより小さいものが用いられる。このとき、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間への樹脂の充填性をよくするために、その最大粒径を、配線基板２と電子部品３との間隔ｈよりも小さくするのが好ましい。
　なお、アンダーフィル樹脂層４の樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂などを用いることができる。また、アンダーフィル樹脂層４に含有させるフィラーとしては、シリカフィラーのほか、アルミナフィラー、窒化アルミフィラー、窒化ケイ素フィラー、炭素繊維などを用いることができる。
　モールド樹脂層５は、アンダーフィル樹脂層４と同様に、エポキシ樹脂中に、当該エポキシ樹脂と比較して線膨張係数が小さいシリカ等で形成されたフィラー（シリカフィラー）を含有させた樹脂（以下、モールド樹脂層５の樹脂という場合もある）により形成されたものであり、アンダーフィル樹脂層４および電子部品３を被覆するように形成される。このとき、モールド樹脂層５に含有させるフィラーは、その平均粒径がアンダーフィル樹脂層４のフィラーの平均粒径よりも大きなものが用いられる。また、モールド樹脂層５を必ずしもアンダーフィル樹脂層４の全面を被覆するように形成する必要はなく、少なくともアンダーフィル樹脂層４の一部および電子部品を被覆するように形成する構成であっても構わない。
　なお、モールド樹脂層５の樹脂としては、アンダーフィル樹脂層４と同様に、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂などを用いることができる。また、モールド樹脂層４に含有させるフィラーとしては、シリカフィラーのほか、アルミナフィラー、窒化アルミフィラー、窒化ケイ素フィラー、炭素繊維などを用いることができる。
　次に、本実施形態にかかるモジュール１の製造方法について、図２を参照して説明する。なお、図２はモジュール１の製造方法を説明するための図であり、（ａ）～（ｆ）は各工程を示している。また、後述する他の各実施形態にかかるモジュールも、以下に示すモジュール１の製造方法を用いて製造することができる。
　まず、図２（ａ）に示すように、配線基板２の一方主面に電子部品３をフリップチップ実装する（実装工程）。このとき、配線基板２の一方主面の所定の位置に電子部品３を配置したあと、電子部品３が配置された配線基板２をリフロー炉に投入するなどして半田バンプ６を溶かすことにより、配線基板２と電子部品３とを接続する。
　次に、図２（ｂ）に示すように、配線基板２の一方主面の周縁に電子部品３を囲むように封止樹脂用治具７を配置して固定する（配置工程）。この封止樹脂用治具７はゴム樹脂で形成されている。
　次に、図２（ｃ）に示すように、封止樹脂用治具７の囲繞領域内に、液状樹脂４ａをアンダーフィル樹脂として充填する（充填工程）。この液状樹脂４ａは、アンダーフィル樹脂層４を形成する樹脂であり、液状のエポキシ樹脂中にフィラーを含有させたものである。このとき、液状樹脂４ａの量を、後述するアンダーフィル樹脂層形成工程で、アンダーフィル樹脂層４が配線基板２の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間を埋めるように形成されるのに適した量で調整する。なお、フィラーは、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいものが用いられる。
　次に、図２（ｄ）に示すように、１３０℃程度の温度で液状樹脂４ａを仮硬化させたあと、封止樹脂用治具７を除去し、１８０℃程度の温度で液状樹脂４ａを本硬化させることにより、アンダーフィル樹脂層４を形成する（アンダーフィル樹脂層形成工程）。このとき、液状樹脂４ａを本硬化させたときに、液状樹脂４ａが配線基板２の一方主面の全面に渡って広がる。なお、封止樹脂用治具７は必ずしも除去しなくてもよい。
　次に、図２（ｅ）に示すように、モールド用樹脂５ａをアンダーフィル樹脂層４および電子部品３を被覆するように配置する。
　次に、図２（ｆ）に示すように、配置したモールド用樹脂５ａを１８０℃程度の温度で硬化させることにより、モールド樹脂層５を形成して（モールド樹脂層形成工程）、モジュール１を製造する。なお、モールド樹脂層５の樹脂は、エポキシ樹脂中にフィラーを含有させたものであり、このフィラーは、その粒径がアンダーフィル樹脂層４のフィラーの粒径よりも大きいものが用いられる。また、モールド用樹脂５ａとして、液状、粉末、固体のいずれかの態様の樹脂を用いることによりモールド樹脂層５を形成することができる。例えば、モールド樹脂５ａとして、液状または粉末樹脂を用いる場合は、封止樹脂用治具７を除去する前に、アンダーフィル樹脂層４および電子部品３上にモールド用樹脂５ａを配置して、当該モールド用樹脂５ａを半硬化または本硬化させた後、封止樹脂用治具７を除去するようにすればよい。
　なお、封止樹脂用治具７を配線基板２の一方主面の周縁に配置する配置工程については、
上記したものに限らず、例えば、配線基板２の一方主面の外形よりもその開口部が一回り大きいキャビティを有する封止樹脂用治具７を用意して、このキャビティ内に電子部品３が実装された配線基板２を配置するようにしてもよい。このようにすることで、アンダーフィル樹脂層４を容易に配線基板２の一方主面の全面に渡って形成することができる。
　したがって、上記した実施形態によれば、配線基板２の一方主面とフリップチップ実装された電子部品３との隙間を埋めるようにアンダーフィル樹脂層４を形成することで、電子部品３と配線基板２との間に発生する応力が電子部品３と配線基板２との接続部（半田バンプ６近傍）に集中することなく、アンダーフィル樹脂層４の樹脂に分散するため、電子部品３と配線基板２との接続信頼性の高いモジュール１を提供することができる。
　また、アンダーフィル樹脂層４を、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂で形成することにより、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間にアンダーフィル樹脂層４の樹脂を充填する際に、フィラーが邪魔することがなく、当該隙間へのアンダーフィル樹脂層４の樹脂の充填性が向上するため、配線基板２と電子部品３との接続信頼性の低下の原因となるボイドが配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間に発生するのを防止することができる。また、電子部品３の回路形成面（配線基板２との対向面）がアンダーフィル樹脂層４のフィラーにより傷つけられるのを防止することもできる。
　また、アンダーフィル樹脂層４を配線基板２の一方主面の全面に渡って形成することにより、アンダーフィル樹脂層４とモールド樹脂層５との間の線膨張係数の違いから界面剥離が発生した場合であっても、この界面剥離は配線基板２とアンダーフィル樹脂層４との界面まで進展することがないため、従来のように、配線基板と樹脂層との界面剥離に起因する配線基板と電子部品との接続不良や半田スプラッシュによる端子間（例えば電子部品３の隣接する端子（半田バンプ６）間）のショート等の問題が発生するのを防止することができる。
　また、従来では、このような問題が発生するのを防止するために、アンダーフィル樹脂層４のフィラーの粒径とモールド樹脂層５のフィラーの粒径との差を小さくする必要があったが、この実施形態にかかるモジュール１では、配線基板２の全面にアンダーフィル樹脂層４を形成することにより、このような問題が発生するのを防止することができるため、モールド樹脂層５のフィラーの粒径をアンダーフィル樹脂層４のフィラーの粒径よりもより大きくすることができる。フィラーはエポキシ樹脂と比較して熱伝導率が高く、また、線膨張係数も低いため、モールド樹脂層５のフィラーの粒径を大きくすることで、モジュール樹脂層５内のフィラーの容積を大きくすることができ、モジュール１の放熱特性の向上を図ることができるとともに、モジュール１の反りの低減を図ることができる。
　また、図２を参照して説明したモジュール１の製造方法では、樹脂封止用治具７による囲繞領域内に液状樹脂を充填するという簡単な方法で配線基板２の一方主面の全面に渡ってアンダーフィル樹脂層４を形成することができるため、配線基板２と電子部品３との接続信頼性の高いモジュール１を容易に製造することができる。
　ところで、例えば、配線基板２に複数の電子部品３を実装し、ディスペンス方式により各電子部品３毎にアンダーフィル樹脂層４を形成する場合、実装する電子部品３の数が増えるほどアンダーフィル樹脂層４を形成するための工数が増えてモジュール１の製造コストが増加する。また、電子部品３毎にアンダーフィル樹脂層４の樹脂を塗布するために、ディスペンサの樹脂注入口を配置するためのスペースを電子部品３間に確保する必要があり、電子部品３の高密度実装化への妨げとなる。
　しかしながら、図２を参照して説明したモジュール１の製造方法を用いると、複数の電子部品３を配線基板２に実装した場合であっても、樹脂封止用治具７による囲繞領域内に液状樹脂４ａを充填することにより、一度に各電子部品３全てのアンダーフィルを行うことができるため、アンダーフィル樹脂層形成工程の工数が減少し、モジュール１の製造コストの低減を図ることができる。また、ディスペンサの樹脂注入口を配置するためのスペースが必要ないため、電子部品３の高密度実装化に対応することもできる。
　＜第２実施形態＞
　本発明の第２実施形態にかかるモジュール１ａについて、図３を参照して説明する。なお、図３は第２実施形態にかかるモジュール１ａの製造方法を説明するための図であり、（ａ）～（ｆ）は各工程を示す。
　この実施形態にかかるモジュール１ａが図１および図２を参照して説明した第１実施形態のモジュール１と異なるところは、製造方法において、アンダーフィル樹脂層４を粉末樹脂４ｂを用いて形成する点である。その他の構成は、第１実施形態のモジュール１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　なお、図３に示すモジュール１ａの製造方法の各工程のうち、図３（ａ）～（ｂ）に示す工程は、図２（ａ）～（ｂ）に示す工程に対応し、図３（ｆ）に示す工程は、図２（ｅ）に対応し、それぞれ同じ工程であるため説明を省略する。
　モジュール１ａの製造方法は、図３（ａ）および（ｂ）の各工程を経たあと、図３（ｃ）に示すように、封止樹脂用治具７による囲繞領域内に粉末樹脂４ｂをアンダーフィル樹脂として配置する（粉末樹脂配置工程）。この粉末樹脂４ｂは、エポキシ樹脂で形成された粉末とフィラーとが混合されたものであり、このフィラーは、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいものが用いられる。このとき、粉末樹脂４ｂの量を、後述するアンダーフィル樹脂層形成工程で、アンダーフィル樹脂層４が配線基板２の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間を埋めるように形成されるのに適した量で調整する。なお、粉末樹脂４ｂの囲繞領域内への配置は、例えば、配線基板２の上方側から散布するなどして行うことができる。また、図３（ｃ）に示すように、この工程では配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間には、粉末樹脂４ｂが充填されていない状態となる。
　次に、図３（ｄ）に示すように、配線基板２等を振動（例えば、超音波振動）させることにより、粉末樹脂４ｂが封止樹脂用治具７による囲繞領域内に均等に配置されるように粉末樹脂４ｂを整えるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間に粉末樹脂４ｂが充填されるように粉末樹脂４ｂを整える（粉整工程）。
　次に、図３（ｅ）に示すように、１３０℃程度の温度で加熱することで粉末樹脂４ｂを溶解させつつ仮硬化したあと、封止樹脂用治具７を除去し、１８０℃程度の温度で粉末樹脂４ｂを本硬化させることによりアンダーフィル樹脂層４を形成する（アンダーフィル樹脂層形成工程）。このとき、粉末樹脂４ｂを本硬化させたときに、仮硬化した粉末樹脂４ｂが配線基板２の一方主面の全面に渡って広がる。
　次に、図２（ｅ）を参照して説明したモジュール１のモールド樹脂層形成工程と同様の方法によりモールド樹脂層５を形成することにより（図３（ｆ）参照）、モジュール１ａを製造する。
　なお、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいフィラーと、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも大きいフィラーと、粉末状のエポキシ樹脂とを混合した粉末樹脂を用いて、アンダーフィル樹脂層４とモールド樹脂層５とを同時に形成することもできる。
　具体的には、電子部品３が実装された配線基板２に封止樹脂用治具７を配置したあと、上記した大小のフィラーと粉末状のエポキシ樹脂が混合された粉末樹脂を配線基板２の上方側から電子部品３が埋まるまで散布し、配線基板２等を振動させる。このとき、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいフィラーが、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間に入り込んでエポキシ樹脂とともにアンダーフィル樹脂層４を形成し、粒径が大きいフィラーがアンダーフィル樹脂層４よりも上側に移動してエポキシ樹脂とともにモールド樹脂層５を形成することになる。このように、アンダーフィル樹脂層４とモールド樹脂層５とを同時に形成することで、モジュール１の製造の工数を減らすことができるため、モジュール１の製造コストの低減を図ることができる。
　したがって、上記した本発明の第２実施形態にかかるモジュール１ａの製造方法を用いることにより、モジュール１ａのアンダーフィル樹脂層４を粉末樹脂４ｂを用いて形成することができる。
　＜第３実施形態＞
　本発明の第３実施形態にかかるモジュール１ｂについて、図４を参照して説明する。なお、図４は、モジュール１ｂの断面図である。
　この実施形態にかかるモジュール１ｂが図１を参照して説明した第１実施形態のモジュール１と異なるところは、図４に示すように、モールド樹脂層５が２層構造になっている点である。その他の構成は、第１実施形態のモジュール１と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、モールド樹脂層５は、アンダーフィル樹脂層４の上側に隣接して配置された第１モールド樹脂層５ｂと、該第１モールド樹脂層５ｂの上側に配置された第２モールド樹脂層５ｃとで形成される。また、第１モールド樹脂層５ｂに含有するフィラーの粒径および第２モールド樹脂層５ｃに含有するフィラーの粒径は共に、アンダーフィル樹脂層４のフィラーの粒径よりも大きく、かつ、第１モールド樹脂層５ｂのフィラーの粒径が第２モールド樹脂層５ｃのフィラーの粒径よりも小さい。すなわち、アンダーフィル樹脂層４から上層側にいくにつれて、各層４，５ｂ，５ｃに含有するフィラーの粒径が徐々に大きくなるように構成されている。
　なお、モールド樹脂層５は、上記した２層構造に限らず、さらに層数を増やす構成であってもかまわない。この場合、上層側に配置される層ほど、含有するフィラーの粒径が大きくなるようにすればよい。
　このように構成することにより、隣接する層での線膨張係数の差を小さくすることができるため、隣接する層間の界面剥離を防止することができるとともに、モジュール１ｂの反りの低減を図ることができる。
　＜第４実施形態＞
　本発明の第３実施形態にかかるモジュール１ｃについて、図５を参照して説明する。なお、図５はモジュール１ｃの断面図である。
　この実施形態にかかるモジュール１ｃが、図１を参照して説明した第１実施形態のモジュール１と異なるところは、図５に示すように、配線基板２の一方主面に複数の電子部品３が実装されている点である。その他の構成は第１実施形態と同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、配線基板２の一方主面には、電子部品３として、１つの半導体素子３ａと２つのチップ部品３ｂが実装される。両チップ部品３ｂは、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗等の受動部品である。また、半導体素子３ａはフリップチップ実装により実装され、両チップ部品３ｂそれぞれは、周知の表面実装技術を用いて実装される。
　また、アンダーフィル樹脂層４に含有するフィラーは、その粒径が配線基板２の一方主面と、半導体素子３ａ、両チップ部品３ｂそれぞれとの間隔ｈ，ｈ１のうち、最も小さい間隔ｈ１よりも小さいものが用いられる。また、アンダーフィル樹脂層４は、配線基板２の一方主面と、半導体素子３ａ、両チップ部品３ｂそれぞれとの間隔ｈ，ｈ１のうち、最も大きい間隔ｈよりも厚く形成される（アンダーフィル樹脂層４の厚みｈ２＞ｈ）。
　このように、アンダーフィル樹脂層４のフィラーの粒径を、配線基板２の一方主面と各電子部品３（半導体素子３ａ，チップ部品３ｂ）それぞれとの間隔ｈ，ｈ１のうち、最も小さい間隔ｈ１よりも小さくすることで、全ての電子部品３において、配線基板２との隙間へのアンダーフィル樹脂層４の樹脂の充填性が向上する。また、アンダーフィル樹脂層４を、配線基板２の一方主面と各電子部品３それぞれとの間隔ｈ，ｈ１のうち、最も大きい間隔ｈよりも厚く形成することにより、各電子部品３それぞれにおいて、配線基板２の一方主面との隙間の全領域に樹脂が充填されるため、各電子部品３それぞれにおける配線基板２との接続信頼性が向上する。
　なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
　例えば、上記した実施形態では、モールド樹脂層５を液状樹脂を用いて形成する場合について説明したが、モールド樹脂層５を、例えば、粉末樹脂や樹脂シートを用いて形成することもできる。
　また、本発明は、配線基板２に実装した電子部品３が樹脂封止されてなる種々のモジュールに通用することができる。
　１，１ａ，１ｂ，１ｃ　モジュール
　２　配線基板
　３　電子部品
　３ａ　半導体素子（電子部品）
　３ｂ　チップ部品（電子部品）
　４　アンダーフィル樹脂層
　４ａ　液状樹脂
　４ｂ　粉末樹脂
　５　モールド樹脂層
　５ａ　モールド用樹脂
　５ｂ　第１モールド樹脂層
　５ｃ　第２モールド樹脂層
　７　樹脂封止用治具

Claims (5)

  1. 　配線基板と、
    　前記配線基板の一方主面に実装された電子部品と、
    　前記配線基板の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との隙間を埋めるように形成されたアンダーフィル樹脂層と、
    　前記アンダーフィル樹脂層の少なくとも一部および前記電子部品を被覆するように形成されたモールド樹脂層とを備え、
    　前記アンダーフィル樹脂層は、その粒径が前記配線基板の一方主面と前記電子部品との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂により形成されている
    　ことを特徴とするモジュール。
  2. 　前記配線基板の一方主面には複数の前記電子部品が実装されており、
    　前記アンダーフィル樹脂層に含有するフィラーの粒径は、前記配線基板の一方主面と前記各電子部品それぞれとの間隔のうち、最も小さい間隔よりも小さく、
    　前記アンダーフィル樹脂層は、前記配線基板の一方主面と前記各電子部品それぞれとの間隔のうち、最も大きい間隔よりも厚く形成されている
    　ことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
  3. 　前記モールド樹脂層は、それぞれ粒径が前記アンダーフィル樹脂層のフィラーの粒径よりも大きく、かつ、それぞれ粒径が異なるフィラーを含有する複数の層で形成され、
    　前記各層は、前記アンダーフィル樹脂層から上層側に配置される層ほど、含有するフィラーの粒径が大きくなるように配置されている
    　ことを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
  4. 　配線基板の一方主面に電子部品を実装する実装工程と、
    　前記配線基板の前記一方主面の周縁に前記電子部品を囲むように樹脂封止用治具を配置する配置工程と、
    　前記樹脂封止用治具による囲繞領域内に、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との間隔よりもその粒径が小さいフィラーを含有する液状樹脂をアンダーフィル樹脂として充填する充填工程と、
    　前記液状樹脂を硬化させるとともに前記樹脂封止用治具を除去することによりアンダーフィル樹脂層を形成するアンダーフィル樹脂層形成工程と、
    　前記アンダーフィル樹脂層および前記電子部品を被覆するようにモールド樹脂層を形成するモールド樹脂層形成工程と
    　を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
  5. 　配線基板の一方主面に電子部品を実装する実装工程と、
    　前記配線基板の一方主面の周縁に前記電子部品を囲むように樹脂封止用治具を配置する配置工程と、
    　前記樹脂封止用治具による囲繞領域内に、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との間隔よりもその粒径が小さいフィラーを含有する粉末樹脂をアンダーフィル樹脂として配置する粉末樹脂配置工程と、
    　前記粉末樹脂が前記囲繞領域内に均等に配置されるように当該粉末樹脂を整えるとともに、前記配線基板の一方主面と前記電子部品との隙間に前記粉末樹脂が充填されるように前記粉末樹脂を整える粉整工程と、
    　前記粉末樹脂を溶解した後、硬化させるとともに前記樹脂封止治具を除去することによりアンダーフィル樹脂層を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
    　前記アンダーフィル樹脂層および前記電子部品を被覆するようにモールド樹脂層を形成するモールド樹脂層形成工程と
    　を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
PCT/JP2013/078054 2013-01-16 2013-10-16 モジュールおよびその製造方法 WO2014112167A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014557322A JPWO2014112167A1 (ja) 2013-01-16 2013-10-16 モジュールおよびその製造方法
CN201380070487.4A CN104919586A (zh) 2013-01-16 2013-10-16 模块及其制造方法
US14/797,752 US20150318228A1 (en) 2013-01-16 2015-07-13 Module and method for producing module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013005397 2013-01-16
JP2013-005397 2013-01-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/797,752 Continuation US20150318228A1 (en) 2013-01-16 2015-07-13 Module and method for producing module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014112167A1 true WO2014112167A1 (ja) 2014-07-24

Family

ID=51209280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/078054 WO2014112167A1 (ja) 2013-01-16 2013-10-16 モジュールおよびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150318228A1 (ja)
JP (1) JPWO2014112167A1 (ja)
CN (1) CN104919586A (ja)
WO (1) WO2014112167A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017138402A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 ローム株式会社 半導体装置、パワーモジュール、およびその製造方法
JP2017183856A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 京セラ株式会社 水晶発振器
JPWO2021075036A1 (ja) * 2019-10-17 2021-04-22

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10535633B2 (en) 2015-07-02 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chip package having die structures of different heights and method of forming same
US9806058B2 (en) * 2015-07-02 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chip package having die structures of different heights and method of forming same
US9847269B2 (en) * 2015-07-31 2017-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fan-out packages and methods of forming same
US10438864B2 (en) * 2015-08-21 2019-10-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Circuit packages comprising epoxy mold compounds and methods of compression molding
DE102016224083A1 (de) 2016-12-02 2018-06-07 Robert Bosch Gmbh Elektrische Baugruppe
JP2018182204A (ja) * 2017-04-19 2018-11-15 株式会社村田製作所 コイル部品
US11152274B2 (en) * 2017-09-11 2021-10-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Multi-moldings fan-out package and process
CN109192705B (zh) * 2018-09-12 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 集成电路封装结构及封装方法
US20210407877A1 (en) * 2020-06-25 2021-12-30 Intel Corporation Integrated circuit die packages including a contiguous heat spreader
KR20220128773A (ko) * 2021-03-15 2022-09-22 삼성전자주식회사 몰드층을 포함하는 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064936A (ja) * 1996-05-07 1998-03-06 Lsi Logic Corp 集積回路をアンダーフィルするレゼルボワール
JPH10199936A (ja) * 1997-01-14 1998-07-31 Olympus Optical Co Ltd フレキシブル配線板へのフリップチップ実装構造
JP2004014871A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュール及びその製造方法
JP2006295010A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd モールド成型装置およびモールド成型方法
JP2010077234A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010109246A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Yaskawa Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2012096277A1 (ja) * 2011-01-12 2012-07-19 株式会社村田製作所 樹脂封止型モジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2576907B2 (ja) * 1990-01-30 1997-01-29 サンケン電気株式会社 回路基板装置の製造方法
JP3207720B2 (ja) * 1995-07-27 2001-09-10 株式会社東芝 樹脂モールド部品及びその製造方法
JP4149377B2 (ja) * 2001-06-07 2008-09-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US20060027936A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Fujitsu Limited Method for processing base
JP4645233B2 (ja) * 2005-03-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 弾性表面波装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064936A (ja) * 1996-05-07 1998-03-06 Lsi Logic Corp 集積回路をアンダーフィルするレゼルボワール
JPH10199936A (ja) * 1997-01-14 1998-07-31 Olympus Optical Co Ltd フレキシブル配線板へのフリップチップ実装構造
JP2004014871A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュール及びその製造方法
JP2006295010A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd モールド成型装置およびモールド成型方法
JP2010077234A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010109246A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Yaskawa Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2012096277A1 (ja) * 2011-01-12 2012-07-19 株式会社村田製作所 樹脂封止型モジュール

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017138402A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 ローム株式会社 半導体装置、パワーモジュール、およびその製造方法
JP2017183856A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 京セラ株式会社 水晶発振器
JPWO2021075036A1 (ja) * 2019-10-17 2021-04-22
WO2021075036A1 (ja) * 2019-10-17 2021-04-22 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品装置を製造する方法、及び電子部品装置
JP7327499B2 (ja) 2019-10-17 2023-08-16 株式会社レゾナック 電子部品装置を製造する方法、及び電子部品装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150318228A1 (en) 2015-11-05
CN104919586A (zh) 2015-09-16
JPWO2014112167A1 (ja) 2017-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014112167A1 (ja) モジュールおよびその製造方法
US10186477B2 (en) Power overlay structure and method of making same
TWI628750B (zh) 功率覆蓋結構及其製造方法
US9165864B2 (en) Power overlay structure with leadframe connections
US9184124B2 (en) Reliable surface mount integrated power module
US20110057327A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9748197B2 (en) Methods for packaging integrated circuits
US9633978B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20160240457A1 (en) Integrated circuit packages with dual-sided stacking structure
WO2007046197A1 (ja) 回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置
KR20130129100A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US7663254B2 (en) Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
TWI611541B (zh) 具有內建電性隔離件以及防潮蓋之線路板製備方法及其半導體組體
US9281269B2 (en) Integrated circuit package and method of manufacture
KR102066015B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조방법
TWI807943B (zh) 半導體晶粒封裝及其製造方法
JP3666576B2 (ja) 多層モジュールおよびその製造方法
JP2009188392A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2008270257A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2022193133A1 (zh) 封装结构及其制作方法、终端设备
US20220392820A1 (en) Integrated circuit optical package
JP5838312B2 (ja) インターポーザおよびその製造方法
JP2017103425A (ja) 半導体パッケージおよびパッケージ・オン・パッケージ
KR20180092379A (ko) 전력 전자 패키지 및 그 제조 방법
KR20100041373A (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13871825

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014557322

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13871825

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1