JP2013173934A - 高い比抵抗を有するネマチック液晶性混合物およびその精製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
本発明は高いSRとともに高いΔεを有する液晶混合物、液晶混合物のための効果的な精製方法並びにそのためのデバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
電気泳動によるイオン性物質を除去する方法によって高い比抵抗をネマチック液晶性混合物に与える方法である。
【選択図】なし
本発明は高いSRとともに高いΔεを有する液晶混合物、液晶混合物のための効果的な精製方法並びにそのためのデバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
電気泳動によるイオン性物質を除去する方法によって高い比抵抗をネマチック液晶性混合物に与える方法である。
【選択図】なし
Description
本発明は高い比抵抗を有するネマチック液晶性混合物に関し、更に電気泳動によってイオン性物質を除去する方法によって高い比抵抗をネマチック液晶性混合物に与える方法に関する。この発明はさらに高い比抵抗を有するネマチック液晶性混合物を含む液晶素子に関する。
液晶性ディスプレイ(LCD)の光学透過率は一般的に印加することによって制御されている。LCDがちらつき、クロストーク、像固着のような好ましくない現象をさけることが出来るので、しかもこれら全てはLCDの品質を劣化させるので、当該印加は内部電場によく一致していることが好ましい。
TFT−LCDの場合には、LC層への電圧印加時間は極めて短く、これは一般的には数10μsである。しかしLC層に一旦電圧が印加されると、LCDの内部および外部に好ましい対応電圧を設定するために、このLC層自身の電圧をある水準以上で数10msのような、ある一定時間をさらなる電圧インプットすることさえなしに維持する必要がある。従って、電圧保持率(VHR)はLC素材の品質を決定する指標の一つである。比抵抗(SR)並びに誘電異方性(Δε)はVHRに密接に関係している。TFT−LCDにおける高いディスプレイ品質を保証するために、より高いSRの好ましい値の、概算で1×1013Ω・cm 以上が受動駆動のLCDの場合よりも要求されていることは公知である。
フッ素化合物および/またはシアン置換化合物を含むLC混合物は有用なLCD素材である。その理由はこれらの混合物が他の素材に比べて比較的に高いSRを達成することが出来るからである。現在フッ素化合物はTFT−LCDには有力なLC素材であり、その中の多くの化合物は1×1013Ω・cmより高い比抵抗値を持っている。しかしながら、これら化合物を含むディスプレイはLCパネルにこれらの化合物を充填した後にイオン性物質の汚染による品質において必然的に満足すべき物にならない傾向にある。他方シアン置換化合物は受動駆動するLCDには広範囲に使用されるが、ここでも再びイオン性不純物によってフッ素化合物と比較して、その低いSR故にTFT−LCDには使用されない。
この低いSR故に、シアン化合物は面内スイッチタイプのLCD以外にTFT−LCDには使用不可能であると一般には信じられてきた。従って、LC素材のための精製技術はフッ素化および/またはシアン置換化合物を含むLCDの品質強化には重要であると認識されてきた。
LC素材を汚染するイオン性物質はSRの劣化の主な原因である。従って、その素材からイオン性物質を除去することによるLC素材の精製は長い間重要な関心事であり、しかもそのためのいくつかの方法が設計されている。例えば、活性炭、活性酸化アルミニウム、シリカゲルなどのような吸着剤の使用が一般的な技術として使用されてきた。他方、電気泳動も同目的のために長い間使用されてきた。
日本公開特許公報昭50−108186(A)はLC素材の精製中、電源に接続された一対の電極を配置することを開示している。この配置では、電極は管内に固定されており、LC素材は2電極間を流動することができる。しかしながら、LC素材への電場印加時間が十分に長く出来ないので、イオン性物質の除去の効果は小さいものであろう。
液体素材とLC素材の精製のために電気泳動を適用することは日本特許出願昭51−11069(A)および昭51−11079(A)それぞれの中で開示されている。これらの出願の中の明細書に開示されている印加技術では、濾過器も1対の電極に取り付けられており、液体素材またはLC素材中の電極も取り付けられており、DC電圧を電極に印加する。この発明の着想は電気的な電極によるよりも電場内で濾過器の方に移動しているイオン性物質を主に物理的にトラップすることのように見える。トラップ効率に関しては、イオンが当然としてその濾過器によってトラップされるにはあまりにも小さすぎるので、その効率は極端に高効率的なものではないだろう。
日本特許2982395(B)明細書はLC素材で充填した反応容器内に多数の電極を配置し、しかもLCD製造方法の中で電極に交流矩形波形電圧(AC電圧)を印加することを示唆している。この構造では、イオン物質は電場内で電極に向かって動き、そこに蓄積する。しかし電極に強く吸着されている物質を除いては、極性の逆転後にはこれらの物質は移動を再開する。
従って、AC電圧の印加は電極でのイオン性の不純物の蓄積の点からDC電圧よりも劣っていると考えられている。現実には、その中に記載されている例によれば、その方法で得られたSR値は1012Ω・cm よりも少ないオーダーであり、この値はTFT−LCDでのLC素材のためには十分には高くはない。
上記の例に加えて、電気泳動関連技術がいくつかの他の日本特許出願昭64−76027、平4−171419、平4−288520、平8−297290に開示されている。しかしこれらの出願書の中で開示されているどの明細書も各出願書の中でSR値も技術のSR増大効果も記載していない。
LC混合物の高いΔεを有する高いSRのための精製技術のどれもが今までに上に示すように十分確立されていないので、より洗練された技術ならびにLC素材自身のための要求がますます増大してきている。
本発明は高いΔεと共に高いSRを有するLC混合物、LC混合物のための効果的な精製技術、並びにそのためのデバイスを提供することを目的としている。
本発明は高い比抵抗を有するネマチック液晶性混合物に関し、更に電気泳動によってイオン性物質を除去する方法によって高い比抵抗をネマチック液晶性混合物に与える方法に関する。
更に具体的には、本発明は、1×1013Ω・cmよりも高い比抵抗と5≦Δε≦30誘電異方性をもつシアン化合物および/またはフッ素化合物を含むネマチック液晶混合物を提供し、LC混合物が、フッ素化合物を含み、20≦Δε≦30の場合には、1×1013Ω・cmよりも高く、10≦Δε<20の場合には、5×1013Ω・cmよりも高く、5≦Δε<10の場合には、1×1014よりも高い比抵抗を有する。
本発明の1面では、シアン置換化合物を含み、かつ2×1013Ω・cmよりも大きな比抵抗を持つネマチックLC混合物を提供する。慣用の混合物に比較して、これらの混合物は高いSRを有するので、これらの混合物はTFT−LCDのようなLC素子の応用に適している。本発明の他の面では、かかるネマチックLC混合物を含む液晶デバイスを提供する。
本発明の別の面では、これらの高いSR混合物を製造するために、高い比抵抗を有するネマチックLC混合物を製造するための方法、ただしDC電圧を上記混合物を含む反応容器内で配置した電極に印加し、更にイオン性物質が電気泳動によって上記の電極に吸着され、その後にその電極をその反応容器から取り去ることも提供する。
本発明の他の面では、取り去った電極をその反応容器外で洗浄した後にその電極を電気泳動を受けさせる反応容器に戻し、上記全方法を比抵抗値を上げるために、1または2以上繰り返すことを特徴とする方法も提供する。
DC電圧印加電極および容器外でのその電極の繰り返し洗浄工程の組み合わせは混合物にイオン性物質の汚染を少なくすることが可能であって、その結果液晶混合物の△εが高い値にも関わらず、高いSRと成る。
より詳細には、本発明の精製方法は電極につながれた電力源(例えば、カイトライ(Keithley) 6517)によってある期間LC素材を充填した反応容器内に配置した1対の電極にDC電圧を印加することも含む。この期間には、イオン性物質は電極に移動するように強いられ、その電極に吸着されるようになる。電極はその後に印加されているDC電圧を停止することなく、その反応容器から取り出す。従って、イオン性物質は電極に付着したLC素材の少量のロスと共に混合物から除かれる。
電極からイオン性不純物を洗い落とした後に、電極は再び反応容器内に配置し、DC電圧印加を再び始める。反応容器中のLC素材の比抵抗は上記の処方の繰り返しによって全く有効に増加する。反応容器中のDC電圧の印加時間はLC素材の抵抗値をモニターすることによって変更しても良い。従って、希望したようにSR値を設定する事が可能となる。
本発明の更なる態様では、上記のLC混合物の容器としての反応容器とその容器内でDC電圧が印加される電極を含む高い比抵抗を有するネマチックLC混合物を製造するための装置を提供し、電極を反応容器から除去することが出来て、上記のように反応容器の外で洗浄することが出来ることに特徴を有する。
電極の素材と特にその形態は本発明にとって厳密のものではない。例えば、平板状の電極を有利に使用することが出来る。
原理的には、いかなる種類のLC素材にも上記の処方を実行可能である。これらの素材はTFT−LCDのためのLC素材として広く認められているフッ素化合物、受動駆動LCのために広く使用されているシアン化合物を含む混合物を含んでいる。
本発明の処方をフッ素化合物を含むLC素材に適用するならば、SR値は顕著に増加し、イオン性の汚染に対する十分な余地も保証されている。同時に本発明の処方の完了後に、シアン化合物はTFT−LCDのために適用可能になることが期待される。
この出願によるSR値はWeber等の「アクチブ マトリックス ディスプレイのための液晶 」(Liquid crystals for active matrix displays)液晶(Liquid Crystals)、1989、巻5、1381−1388に記載されているようにして求めた。 DC電流値は20℃の温度で求めた。DC電圧はしばしば逆接続した。
例
以下の全ての例では、図1の中に示されている装置はLC素材を充填したテフロン製の反応容器の中に配置された白金製の1対の電極からなる。電極の面積は10cm2であり、電極間の距離は1cmである。DC300Vを電極に印加する。
以下の全ての例では、図1の中に示されている装置はLC素材を充填したテフロン製の反応容器の中に配置された白金製の1対の電極からなる。電極の面積は10cm2であり、電極間の距離は1cmである。DC300Vを電極に印加する。
SR値を20℃でDC0.5Vを印加中に電流値を測定して求めた。各測定について、電圧は20秒の期間後に印加した。その後にDC電圧を25秒間印加し、その後にショートのために20秒の遮断が続く。その後に25秒間同じ電圧、ただし逆の極性で印加し、その後に再び20秒間のショートが以下同様に続く。電流の読みとりは電圧印加10秒後に始まり、各1秒のインターバルで10回繰り返した。その際にカイトライ6517電流計を使用した。電極として、中空の円筒型セルとMerck KGaA製の中空の円筒に同心円式に設置した実円柱を使用した。両電極は、ニッケルメッキした真鍮製である。液晶1cm3を中空の円柱セルに充填した。セルを電気的遮蔽ボックスの中に設置し、乾燥窒素雰囲気中の制御環境内におく。
SR値は以下の式を使って計算する。
SR=V/I・S/d
式中
Vは電圧(0.5V)
Iは電流(10回の平均)
Sは電極面積(7.14cm2)
dは電極間隔(1mm)
測定誤差は±30%以内になると推定する。
SR=V/I・S/d
式中
Vは電圧(0.5V)
Iは電流(10回の平均)
Sは電極面積(7.14cm2)
dは電極間隔(1mm)
測定誤差は±30%以内になると推定する。
精製中に電極を、超音波洗浄器内に含まれた、溶媒(アセトンまたは塩化メチル)を充填した反応容器に浸漬した。浸漬時間は5分であった。浸漬後に電極を電気炉内で80℃で乾燥した。
例1
本発明の技術を+8.3のΔεを有するフッ素化合物を含む混合物Aに適用する。20℃におけるこの混合物の物性を表Iに示す。真空中でLC充填工程を通過後に、そのSR値は7.7×1012にすぎなかった。電極の洗浄効果を検討した。その結果を表IIと図2に示した。2時間から17時間まで洗浄しない場合のどのケースにおいても、SRの顕著な増加は認められなかったことが見出された。しかし、17時間までの精製時間で電極を洗浄した場合には、着実な増加を確認し、4.7×1013Ω・cmの顕著に高いSR値に達する。この操作の効果は6.7倍のSRの増加である。
表I 混合物Aの物性
本発明の技術を+8.3のΔεを有するフッ素化合物を含む混合物Aに適用する。20℃におけるこの混合物の物性を表Iに示す。真空中でLC充填工程を通過後に、そのSR値は7.7×1012にすぎなかった。電極の洗浄効果を検討した。その結果を表IIと図2に示した。2時間から17時間まで洗浄しない場合のどのケースにおいても、SRの顕著な増加は認められなかったことが見出された。しかし、17時間までの精製時間で電極を洗浄した場合には、着実な増加を確認し、4.7×1013Ω・cmの顕著に高いSR値に達する。この操作の効果は6.7倍のSRの増加である。
表I 混合物Aの物性
例2
本発明の技術をフッ素化合物を含む混合物である混合物Bに適用する。20℃におけるこのLC混合物の物性を+12.6のΔεを含めて表IIIに示す。吸着剤としてAl2O3 (活性塩基MerckKGaA)を使用した慣用の精製方法の完了時に、SR値は1.2×1013Ω・cmのままである。表IVに示すように、吸着剤としてのAl2O3 を再び利用する第二の精製工程によって可能となるSR値のさらなる改良はなく、シリカゲル(特別純、関東化学KK(Kanto Chemical)製)、イナートシル(150−5、GL Science製)、または活性炭(01085−02 関東化学KK)のようなその他の吸着材を使った第二の精製工程によって可能となるさらなる改良もなかった。しかしながら、表IVおよび図3に示すように、SR値は電極の3回洗浄によって、21時間の間に本発明による精製方法の適用によって約10倍うまく増加した。
表III 混合物Bの物性
本発明の技術をフッ素化合物を含む混合物である混合物Bに適用する。20℃におけるこのLC混合物の物性を+12.6のΔεを含めて表IIIに示す。吸着剤としてAl2O3 (活性塩基MerckKGaA)を使用した慣用の精製方法の完了時に、SR値は1.2×1013Ω・cmのままである。表IVに示すように、吸着剤としてのAl2O3 を再び利用する第二の精製工程によって可能となるSR値のさらなる改良はなく、シリカゲル(特別純、関東化学KK(Kanto Chemical)製)、イナートシル(150−5、GL Science製)、または活性炭(01085−02 関東化学KK)のようなその他の吸着材を使った第二の精製工程によって可能となるさらなる改良もなかった。しかしながら、表IVおよび図3に示すように、SR値は電極の3回洗浄によって、21時間の間に本発明による精製方法の適用によって約10倍うまく増加した。
表III 混合物Bの物性
Claims (6)
- 1×1013Ω・cmよりも高い比抵抗および5≦Δε≦30の誘電異方性を持つシアン化合物および/またはフッ素化合物を含むネマチック液晶混合物であって、該液晶混合物がフッ素化合物を含有し、20≦Δε≦30の場合には1×1013Ω・cmよりも高く、10≦Δε<20の場合には5×1013Ω・cmよりも高く、5≦Δε<10の場合には1×1014 よりも高い比抵抗を持つ、前記ネマチック液晶混合物。
- 混合物がシアン化合物を含有し、2×1013 Ω・cmより大きい比抵抗を有する、請求項1に記載のネマチック液晶混合物。
- 請求項1または2に記載のネマチック液晶混合物を含む液晶デバイス。
- 高い比抵抗を有するネマチック液晶混合物を製造する方法であって、DC電圧をネマチック液晶混合物を含む反応容器に設置された電極に印加し、イオン性物質をその電極に電気泳動により吸着させ、その後にその電極をその反応容器から取り去る前記方法。
- 取り去られた電極を反応容器外で洗浄したのちに、その電極を電気泳動を受けさせるために反応容器に戻し、比抵抗値を増加するために前記の全工程を1または2回以上繰り返すことを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 高い比抵抗を有するネマチック液晶混合物を製造するための装置であって、前記液晶混合物の容器としての反応容器とDC電圧を、該反応容器内で印加する電極を含み、電極を反応容器から取り去り、反応容器の外で洗浄することができることを特徴とする、前記装置。
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