JPH0264525A - Tn型液晶表示パネル - Google Patents
Tn型液晶表示パネルInfo
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- JPH0264525A JPH0264525A JP63216515A JP21651588A JPH0264525A JP H0264525 A JPH0264525 A JP H0264525A JP 63216515 A JP63216515 A JP 63216515A JP 21651588 A JP21651588 A JP 21651588A JP H0264525 A JPH0264525 A JP H0264525A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- AUXIEQKHXAYAHG-UHFFFAOYSA-N 1-phenylcyclohexane-1-carbonitrile Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1(C#N)CCCCC1 AUXIEQKHXAYAHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶テレビなどの液晶表示装置に用いられる
TN型液晶表示パネル間するものである。
TN型液晶表示パネル間するものである。
従来の技術
液晶テレビなどの液晶動画表示装置においてはTN動作
モード、TFTアレイなどのアクティブマトリクス駆動
方式が主流を占めている。
モード、TFTアレイなどのアクティブマトリクス駆動
方式が主流を占めている。
発明が解決しようとする課題
この液晶動画表示パネルの画質向上について、ここでは
二つの問題点を取り上げる。即ち、画面の輝度低下とフ
リッカ(30Hz成分)である。
二つの問題点を取り上げる。即ち、画面の輝度低下とフ
リッカ(30Hz成分)である。
前者の輝度低下の原因の一つはリーク電流である。液晶
駆動に必要な所定の蓄積電荷がリークにより減少すると
液晶駆動の実効電圧が低下し、輝度が低下する。ここで
リークは直流リークと交流リーク(30Hz)とがある
。従来は、液晶の電気絶縁抵抗率を大きくするなどによ
り直流リークの低減が試みられてきた。しかし、交流リ
ークについての原因は明かでなく、その対策は不十分で
あった。また、従来交流リークを少なくするのに効果的
な配向膜があったが、たとえその配向膜を用いたとして
も、アクティブ素子アレイ基板の表示電極部上の電気絶
縁構成と対向電極基板の表示電極部上の電気絶縁構成と
が異なっていたためにフリッカを抑制することはできな
かった。
駆動に必要な所定の蓄積電荷がリークにより減少すると
液晶駆動の実効電圧が低下し、輝度が低下する。ここで
リークは直流リークと交流リーク(30Hz)とがある
。従来は、液晶の電気絶縁抵抗率を大きくするなどによ
り直流リークの低減が試みられてきた。しかし、交流リ
ークについての原因は明かでなく、その対策は不十分で
あった。また、従来交流リークを少なくするのに効果的
な配向膜があったが、たとえその配向膜を用いたとして
も、アクティブ素子アレイ基板の表示電極部上の電気絶
縁構成と対向電極基板の表示電極部上の電気絶縁構成と
が異なっていたためにフリッカを抑制することはできな
かった。
後者の30Hz成分フリッカの原因は所定外のバイアス
電圧が対向する電極間に発生し、その所定外バイアス電
圧に対応するオフセット電圧印加による初期調整が所定
外バイアス電圧の温度変化及び時間変化によりシフトす
ることによる。しかし、その所定外バイアス電圧の発生
原因は明かではなく、十分なフリッカ対策はなされてい
なかった。従来のフリッカ対策は液晶駆動法によってい
た。即ち、隣接画素間で駆動信号の極性を互いに反転さ
せる方法である。しかし、この方法では消費電力が大き
くなるという欠点がある。
電圧が対向する電極間に発生し、その所定外バイアス電
圧に対応するオフセット電圧印加による初期調整が所定
外バイアス電圧の温度変化及び時間変化によりシフトす
ることによる。しかし、その所定外バイアス電圧の発生
原因は明かではなく、十分なフリッカ対策はなされてい
なかった。従来のフリッカ対策は液晶駆動法によってい
た。即ち、隣接画素間で駆動信号の極性を互いに反転さ
せる方法である。しかし、この方法では消費電力が大き
くなるという欠点がある。
本発明は、このような従来技術の課題を解決したTN型
液晶表示パネルを提供することを目的とする。
液晶表示パネルを提供することを目的とする。
即ち、本発明は、アクティブマトリクス方式TN型液晶
表示パネルにおいて、パネルの交流リーク及び直流リー
クを低減させることにより輝度低下を防止し、かつそれ
と同時に消費電力の増大を招くことなくフリッカを低減
させる、極めて実用的な対策を講じた液晶表示パネルを
提供するものである。
表示パネルにおいて、パネルの交流リーク及び直流リー
クを低減させることにより輝度低下を防止し、かつそれ
と同時に消費電力の増大を招くことなくフリッカを低減
させる、極めて実用的な対策を講じた液晶表示パネルを
提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明のアクティブマトリクス方式TN型液晶表示パネ
ルは、アクティブ素子アレイ基板上及び対向電極基板上
の少なくとも表示透明電極部の表面に接して配向膜を設
け、かつ、上記プレイ基板側の配向膜と上記対向電極基
板側の配向膜とがその材質及び厚みにおいて同一である
TN型液晶表示パネルである。
ルは、アクティブ素子アレイ基板上及び対向電極基板上
の少なくとも表示透明電極部の表面に接して配向膜を設
け、かつ、上記プレイ基板側の配向膜と上記対向電極基
板側の配向膜とがその材質及び厚みにおいて同一である
TN型液晶表示パネルである。
また、本発明のアクティブマトリクス方式TN型液晶表
示パネルは、アクティブ素子アレイ基板上及び対向電極
基板上の少なくとも表示電極部の表面に接して電気絶縁
膜を設け、更にその電気絶縁膜の表面に接して配向膜を
設け、かつ、上記アレイ基板側の電気絶縁膜と上記対向
電極基板側の電気絶縁膜とがその材質及び厚みにおいて
同一であり、かつ、上記アレイ基板側の配向膜と上記対
向電極基板側の配向膜とがその材質及び厚みにおいて同
一であるTN型液晶表示パネルである。
示パネルは、アクティブ素子アレイ基板上及び対向電極
基板上の少なくとも表示電極部の表面に接して電気絶縁
膜を設け、更にその電気絶縁膜の表面に接して配向膜を
設け、かつ、上記アレイ基板側の電気絶縁膜と上記対向
電極基板側の電気絶縁膜とがその材質及び厚みにおいて
同一であり、かつ、上記アレイ基板側の配向膜と上記対
向電極基板側の配向膜とがその材質及び厚みにおいて同
一であるTN型液晶表示パネルである。
作用
すでに述べたように、30Hz成分フリッカの原因は所
定外のバイアス電圧が対向する電極間に発生し、その所
定外バイアス電圧に対応するオフセット電圧印加による
初期調整が所定外バイアス電圧の温度変化及Un閏変化
によりシフトすることによる。その所定外バイアス電圧
の発生原因は、本発明の研究によれば、アクティブ素子
アレイ基板及び対向電極基板の表示透明電極部上に設け
た配向膜あるいは電気絶縁膜・配向膜の中に、あるいは
それらの界面近傍に所定外の電荷が蓄積し、しかも、ア
レイ基板側の所定外電荷蓄積量と対向電極基板側の所定
外電荷蓄積量とが異なることによって、対向する表示電
極間に所定外のバイアス電圧が発生することになる。し
たがって、アレイ基板側の所定外電荷蓄積量と対向電極
基板側の所定外電荷蓄積量とを同一にすることによって
所定外バイアス電圧の発生を無くすることができる。
定外のバイアス電圧が対向する電極間に発生し、その所
定外バイアス電圧に対応するオフセット電圧印加による
初期調整が所定外バイアス電圧の温度変化及Un閏変化
によりシフトすることによる。その所定外バイアス電圧
の発生原因は、本発明の研究によれば、アクティブ素子
アレイ基板及び対向電極基板の表示透明電極部上に設け
た配向膜あるいは電気絶縁膜・配向膜の中に、あるいは
それらの界面近傍に所定外の電荷が蓄積し、しかも、ア
レイ基板側の所定外電荷蓄積量と対向電極基板側の所定
外電荷蓄積量とが異なることによって、対向する表示電
極間に所定外のバイアス電圧が発生することになる。し
たがって、アレイ基板側の所定外電荷蓄積量と対向電極
基板側の所定外電荷蓄積量とを同一にすることによって
所定外バイアス電圧の発生を無くすることができる。
上下基板間で配向膜あるいは電気絶縁膜・配向膜に蓄積
される所定外電荷量を同一にするためには、配向膜ある
いは電気絶縁膜・配向膜の材質及び厚みを同じにするこ
とが有効かつ必要である。この様にして、上下基板間(
対向する表示電極間)での所定外の電位差の発生を無く
することができ、基本的にフリッカ(30Hz成分)を
無くすることができる。また、配向膜あるいは電気絶縁
膜・配向膜に蓄積される所定外電荷量の絶対値を小さく
することはフリッカ抑制に有効に作用する。そのために
は、配向膜あるいは電気絶縁膜の電荷保持力を下げる意
味でそれらの電気絶縁抵抗率を低くすることが望ましい
。しかし、この手法は次に述べる直流リークを防止する
観点からは望ましくない。
される所定外電荷量を同一にするためには、配向膜ある
いは電気絶縁膜・配向膜の材質及び厚みを同じにするこ
とが有効かつ必要である。この様にして、上下基板間(
対向する表示電極間)での所定外の電位差の発生を無く
することができ、基本的にフリッカ(30Hz成分)を
無くすることができる。また、配向膜あるいは電気絶縁
膜・配向膜に蓄積される所定外電荷量の絶対値を小さく
することはフリッカ抑制に有効に作用する。そのために
は、配向膜あるいは電気絶縁膜の電荷保持力を下げる意
味でそれらの電気絶縁抵抗率を低くすることが望ましい
。しかし、この手法は次に述べる直流リークを防止する
観点からは望ましくない。
次に、輝度低下を防止するために、対向する表示電極間
の直流リーク電流及び交流リーク電流(30Hz)を低
減させる必要がある。まず直流リーク電流を低減させる
には、対向表示電極間に存在する液晶層、配向膜、及び
電気絶縁膜のそれぞれの電気絶縁抵抗率を高くする必要
がある。しかし、実用液晶層の直流抵抗率は高々101
3Ωcm程度であり、それ以上は期待できない。配向膜
の抵抗率も1014ΩCm以上の高絶縁性が望ましいが
、液晶の配向性を制御する本来の役割の方が重要であり
、配向膜に高絶縁性が望めない場合には、1Q14Ωc
m以上の高絶縁性の電気絶縁膜を設けることが有効であ
る。この様にして対向する表示電極間の直流リークを防
止し、表示に必要な所定の蓄積電荷の保持率を高め、輝
度低下を防止することができる。
の直流リーク電流及び交流リーク電流(30Hz)を低
減させる必要がある。まず直流リーク電流を低減させる
には、対向表示電極間に存在する液晶層、配向膜、及び
電気絶縁膜のそれぞれの電気絶縁抵抗率を高くする必要
がある。しかし、実用液晶層の直流抵抗率は高々101
3Ωcm程度であり、それ以上は期待できない。配向膜
の抵抗率も1014ΩCm以上の高絶縁性が望ましいが
、液晶の配向性を制御する本来の役割の方が重要であり
、配向膜に高絶縁性が望めない場合には、1Q14Ωc
m以上の高絶縁性の電気絶縁膜を設けることが有効であ
る。この様にして対向する表示電極間の直流リークを防
止し、表示に必要な所定の蓄積電荷の保持率を高め、輝
度低下を防止することができる。
次に、配向膜を電子供与性あるいは電子受容性の強い極
性基を含有しない高分子1膜にすることにより、対向す
る表示電極間の交流(例えば周波数30Hz)リーク電
流を低減することができる。
性基を含有しない高分子1膜にすることにより、対向す
る表示電極間の交流(例えば周波数30Hz)リーク電
流を低減することができる。
本発明の研究によれば、交流リーク電流、即ち誘電損失
は液晶層と有機配向膜との界面近傍で発生することが判
明した。通常、液晶の誘電緩和現象は駆動周波数が数百
KHz〜数十MHzで起こる。
は液晶層と有機配向膜との界面近傍で発生することが判
明した。通常、液晶の誘電緩和現象は駆動周波数が数百
KHz〜数十MHzで起こる。
しかし、配向膜近傍の液晶分子は配向膜表面との相互作
用により束縛を受けており、駆動周波数が百H2以下で
も誘電緩和を起こす。即ち、誘電損失が大きくなる。し
かも液晶分子が極性の強いシアノ基を末端にもつネマテ
ィック液晶である場合(実用混合液晶では例外なく含有
Uている)、また有機高分子配向膜の表面が電子供与性
あるいは電子受容性の強い極性基をもっている場合、液
晶分子と配向膜表面との相互作用は特に強くなり、低周
波での誘電損失(交流リーク電流)が顕著になる。した
がって、配向膜としての有機高分子の極性基を電子供与
性および電子受容性の弱いものにすることによって、交
流駆動周波数30Hzでのリーク電流を小さくすること
ができる。
用により束縛を受けており、駆動周波数が百H2以下で
も誘電緩和を起こす。即ち、誘電損失が大きくなる。し
かも液晶分子が極性の強いシアノ基を末端にもつネマテ
ィック液晶である場合(実用混合液晶では例外なく含有
Uている)、また有機高分子配向膜の表面が電子供与性
あるいは電子受容性の強い極性基をもっている場合、液
晶分子と配向膜表面との相互作用は特に強くなり、低周
波での誘電損失(交流リーク電流)が顕著になる。した
がって、配向膜としての有機高分子の極性基を電子供与
性および電子受容性の弱いものにすることによって、交
流駆動周波数30Hzでのリーク電流を小さくすること
ができる。
実施例
以下に、本発明の詳細な説明する。
以下の実施例においてフリッカの程度を表わす量として
輝度変調度mrを用いた。ここでmr(フリッカ率)は
、透過光中の周波数f [Hz]成分の光量変動の振幅
を平均透過光強度で除した値として定義される。本実施
例では30Hzの信号周期でパネルを駆動した時の光量
変動の30Hz成分をスペクトラム・アナライザを用い
て分離し、m3aを算出した。駆動電圧はパネルの光透
過率が50%変化する電圧■511とした。50℃での
フリッカ率m 311は以下の方法で測定した。即ち、
全画素にVseの映像信号を人力し、20℃でm 3
[1が最小となる様にパネルのオフセット電圧を調整し
た。
輝度変調度mrを用いた。ここでmr(フリッカ率)は
、透過光中の周波数f [Hz]成分の光量変動の振幅
を平均透過光強度で除した値として定義される。本実施
例では30Hzの信号周期でパネルを駆動した時の光量
変動の30Hz成分をスペクトラム・アナライザを用い
て分離し、m3aを算出した。駆動電圧はパネルの光透
過率が50%変化する電圧■511とした。50℃での
フリッカ率m 311は以下の方法で測定した。即ち、
全画素にVseの映像信号を人力し、20℃でm 3
[1が最小となる様にパネルのオフセット電圧を調整し
た。
調整したオフセットを固定してパネルの温度を50℃に
上げて、50℃でのm311を測定した。
上げて、50℃でのm311を測定した。
また、直流リーク電流及び交流リーク電流は次の様にし
て測定した。TPTオフの状態でソース電極と対向電極
間に直流1vの電圧を加え、パネルの全絵素電極と対向
電極間に流れる電流を測定し、直流電流とした。同様に
TPTオフの状態でソース電極と対向電極間に±5■、
30Hzの矩形波を印加し、極性反転10m5ec後に
流れる電流を交流リーク電流とした。いずれの測定も2
0℃の温度で行なった。
て測定した。TPTオフの状態でソース電極と対向電極
間に直流1vの電圧を加え、パネルの全絵素電極と対向
電極間に流れる電流を測定し、直流電流とした。同様に
TPTオフの状態でソース電極と対向電極間に±5■、
30Hzの矩形波を印加し、極性反転10m5ec後に
流れる電流を交流リーク電流とした。いずれの測定も2
0℃の温度で行なった。
実施例(1)
アモルファスシリコンを用いたTFTアレイ基板と、カ
ラーフィルタを登載し、その上にITO透明電極を全面
に設けた対向電極基板とを用いて3型液晶テレビパネル
を試作した。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(
ITO透明電極)及び対向電極基板の表示電極部(IT
O透明電極)にはそれらの電極に直接接して、市販のポ
リイミド配向膜(日本合成ゴム、JIB)を設けた。そ
の厚みはアレイ基板側及び対向電極基板側のいずれにお
いても100OAとした。また、その電気絶縁抵抗率は
1016Ωcmであった。用いたネマティック混合液晶
はシアノフェニールシクロヘキサン系を30重量%含有
するものであり、その直流抵抗率は10”’cm(20
℃、IV印加、1分間後の値)である。このパネル3台
についてフリッカ率及びリーク電流を測定した結果の平
均値を表」−に示す。
ラーフィルタを登載し、その上にITO透明電極を全面
に設けた対向電極基板とを用いて3型液晶テレビパネル
を試作した。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(
ITO透明電極)及び対向電極基板の表示電極部(IT
O透明電極)にはそれらの電極に直接接して、市販のポ
リイミド配向膜(日本合成ゴム、JIB)を設けた。そ
の厚みはアレイ基板側及び対向電極基板側のいずれにお
いても100OAとした。また、その電気絶縁抵抗率は
1016Ωcmであった。用いたネマティック混合液晶
はシアノフェニールシクロヘキサン系を30重量%含有
するものであり、その直流抵抗率は10”’cm(20
℃、IV印加、1分間後の値)である。このパネル3台
についてフリッカ率及びリーク電流を測定した結果の平
均値を表」−に示す。
実施例(2)
実施例(1)と同様に、3型液晶テレビパネルを試作し
た。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(ITO透
明電極)及び対向電極基板の表示電極部(ITO透明電
極)のそれぞれに、それらの電極に直接接して、プラズ
マCVD法によりSiN、の電気絶縁膜(抵抗率3X1
0”0cm)を厚み3000Aとなるように設け、更に
その上に市販のポリイミド配向膜(日本合成ゴム製JI
B、 抵抗率1016Ωcm)を厚み800Aとなる
ように設けた。このパネル3台についてフリッカ率及び
リーク電流を測定した結果の平均値をLLに示す。
た。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(ITO透
明電極)及び対向電極基板の表示電極部(ITO透明電
極)のそれぞれに、それらの電極に直接接して、プラズ
マCVD法によりSiN、の電気絶縁膜(抵抗率3X1
0”0cm)を厚み3000Aとなるように設け、更に
その上に市販のポリイミド配向膜(日本合成ゴム製JI
B、 抵抗率1016Ωcm)を厚み800Aとなる
ように設けた。このパネル3台についてフリッカ率及び
リーク電流を測定した結果の平均値をLLに示す。
実施例(3)
実施例(1)と同様に、3型液晶テレビパネルを試作し
た。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(ITO透
明電極)及び対向電極基板の表示電極部(ITO透明電
極)のそれぞれに、それらの電極に直接接して、CVD
法によりSiO2の電気絶縁膜(抵抗率IQIsΩcm
)を厚み500Aとなるように設け、更にその上に市販
のポリイミド配向膜(日本合成ゴム製JIB、抵抗率1
016Ωcm)を厚み500Aとなるように設けた。こ
のパネル3台についてフリッカ率及びリーク電流を測定
した結果の平均値を表」−に示す。
た。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(ITO透
明電極)及び対向電極基板の表示電極部(ITO透明電
極)のそれぞれに、それらの電極に直接接して、CVD
法によりSiO2の電気絶縁膜(抵抗率IQIsΩcm
)を厚み500Aとなるように設け、更にその上に市販
のポリイミド配向膜(日本合成ゴム製JIB、抵抗率1
016Ωcm)を厚み500Aとなるように設けた。こ
のパネル3台についてフリッカ率及びリーク電流を測定
した結果の平均値を表」−に示す。
比較例
実施例(1)と同様に、3型液晶テレビパネルを試作し
た。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(ITO透
明電極)にはその電極に直接接して、プラズマCVD法
によりS t N xの電気絶縁膜(抵抗率3X10”
0cm)を厚み3000Aとなるように設け、更にその
上に市販のポリイミド配向膜(日本合成ゴム製JIB、
抵抗率1016Ωcm)を厚み100OAとなるように
設けた。一方、対向電極基板の表示電極部(ITO透明
電極)にはその電極に直接接して、市販のポリイミド配
向膜(日本合成ゴム1lJIB、 抵抗率1016Ω
am)を厚み100OAとなるように設けた。この比較
用パネル3台についてフリッカ率及びリーク電流を測定
した結果の平均値を表」−に示す。
た。ここで、TFTアレイ基板の表示電極部(ITO透
明電極)にはその電極に直接接して、プラズマCVD法
によりS t N xの電気絶縁膜(抵抗率3X10”
0cm)を厚み3000Aとなるように設け、更にその
上に市販のポリイミド配向膜(日本合成ゴム製JIB、
抵抗率1016Ωcm)を厚み100OAとなるように
設けた。一方、対向電極基板の表示電極部(ITO透明
電極)にはその電極に直接接して、市販のポリイミド配
向膜(日本合成ゴム1lJIB、 抵抗率1016Ω
am)を厚み100OAとなるように設けた。この比較
用パネル3台についてフリッカ率及びリーク電流を測定
した結果の平均値を表」−に示す。
(以下余白)
tLa型液晶パネルのフリプル率とリーク電流裏1から
明かな様に、本発明の液晶パネルはいずれも、フリッカ
率が0.02以下、リーク電流がlμ八へ下であり、実
用上問題は無い。これに対し比較例の液晶パネルは、5
0℃でのフリッカ率が0.02以上と大きく、実用上問
題がある。
明かな様に、本発明の液晶パネルはいずれも、フリッカ
率が0.02以下、リーク電流がlμ八へ下であり、実
用上問題は無い。これに対し比較例の液晶パネルは、5
0℃でのフリッカ率が0.02以上と大きく、実用上問
題がある。
発明の効果
本発明のアクティブマトリクス方式TN型液晶表示パネ
ルは、対向する表示電極間に発生する所定性のバイアス
電圧を基本的に無くすることができ、消費電力が増加す
るフリッカ消去駆動法を用いることなく表示パネルのフ
リッカを低減させることができた。かつそれと同時に、
対向する表示電極間の交流リーク及び直流リークを低減
させることができ、表示パネルの輝度低下、輝度むらを
防止しすることができる。
ルは、対向する表示電極間に発生する所定性のバイアス
電圧を基本的に無くすることができ、消費電力が増加す
るフリッカ消去駆動法を用いることなく表示パネルのフ
リッカを低減させることができた。かつそれと同時に、
対向する表示電極間の交流リーク及び直流リークを低減
させることができ、表示パネルの輝度低下、輝度むらを
防止しすることができる。
Claims (6)
- (1)アクティブマトリクス方式TN型液晶表示パネル
において、アクティブ素子アレイ基板上及び対向電極基
板上の少なくとも表示透明電極部の表面に接して配向膜
が設けられ、かつ、上記アレイ基板側の配向膜と上記対
向電極基板側の配向膜とがその材質及び厚みにおいて同
一であることを特徴とするTN型液晶表示パネル。 - (2)アクティブマトリクス方式TN型液晶表示パネル
において、アクティブ素子アレイ基板上及び対向電極基
板上の少なくとも表示電極部の表面に接して電気絶縁膜
が設けられ、更にその電気絶縁膜の表面に接して配向膜
が設けられ且つ上記アレイ基板側の電気絶縁膜と上記対
向電極基板側の電気絶縁膜とがその材質及び厚みにおい
て同一であり且つ上記アレイ基板側の配向膜と上記対向
電極基板側の配向膜とがその材質及び厚みにおいて同一
であることを特徴とするTN型液晶表示パネル。 - (3)配向膜が電子供与性あるいは電子受容性の強い極
性基を含有しない高分子薄膜であることを特徴とする請
求項1又は2記載のTN型液晶表示パネル。 - (4)配向膜がシアノ基含有ネマティック液晶に対して
弱い吸着力をもつことを特徴とする請求項1又は2記載
のTN型液晶表示パネル。 - (5)電気絶縁膜が、電気絶縁抵抗率において10^1
^4Ωcm以上であることを特徴とする請求項2記載の
TN型液晶表示パネル。 - (6)電気絶縁膜が、前記配向膜との接着強度を増すよ
うに表面処理されていることを特徴とする請求項2記載
のTN型液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63216515A JPH0264525A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Tn型液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63216515A JPH0264525A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Tn型液晶表示パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0264525A true JPH0264525A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16689645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63216515A Pending JPH0264525A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Tn型液晶表示パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0264525A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-08-31 JP JP63216515A patent/JPH0264525A/ja active Pending
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