DE10029521A1 - Hochohmige nematische flüssigkristalline Mischungen und Reinigungsverfahren dafür - Google Patents
Hochohmige nematische flüssigkristalline Mischungen und Reinigungsverfahren dafürInfo
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Abstract
Die Anmeldung betrifft nematische flüssigkristalline Mischungen mit einem spezifischen Widerstand von mehr als 1 x 10·13· OMEGA È cm, enthaltend Cyanoverbindungen und/oder fluorierte Verbindungen, sowie Flüssigkristallvorrichtungen, enthaltend diese Mischungen, ein Verfahren zur Herstellung solcher Mischungen mittels Elektrophorese und eine Vorrichtung zur Elektrophorese von Flüssigkristallmischungen.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft nematische
flüssigkristalline Mischungen mit hohem spezifischem
Widerstand sowie ein Verfahren zum Versehen von
nematischen flüssigkristallinen Mischungen mit einem
hohen spezifischen Widerstand mittels Entfernung von
ionischen Substanzen durch Elektrophorese. Die
Erfindung betrifft ferner eine Flüssigkristall
vorrichtung, enthaltend eine nematische
flüssigkristalline Mischung mit hohem spezifischem
Widerstand.
Die optische Durchlässigkeit von flüssigkristallinen
Anzeigen (LCDs) wird üblicherweise durch Anlegen eines
elektrischen Felds gesteuert. Das angelegte Feld sollte
dem internen Feld genau entsprechen, da dadurch bei
LCDs auftretende unerwünschte Phänomene wie Flicker,
Übersprechen und Auftreten von Geisterbildern ("image
sticking"), die alle die Qualität von LCDs herabsetzen,
vermieden werden können.
Im Fall von TFT-LCDs ist die Dauer der Spannungs
anlegung an LC-Schichten sehr kurz, üblicherweise
Dutzende von Mikrosekunden. Damit sich die gewünschte
Entsprechung der Spannung innerhalb und außerhalb der
LCD einstellt, muß aber nach dem Anlegen von Spannung
an LC-Schichten die Spannung der LC-Schichten selbst
auch ohne weitere Spannungszufuhr über einen bestimmten
Zeitraum wie Dutzende von Millisekunden über einem
bestimmten Niveau liegen. Eine der qualitätsbestimmen
den Kenngrößen von LC-Materialien ist daher die
"Voltage Holding Ratio" (VHR). In engem Zusammenhang
mit der VHR stehen der spezifische Widerstand (SW)
sowie die dielektrische Anisotropie (Δε). Es ist
allgemein bekannt, daß zur Gewährleistung einer hohen
Anzeigequalität in TFT-LCDs ein höherer Sollwert des
spezifischen Widerstands von schätzungsweise mehr als
1 × 1013 Ω.cm erforderlich ist als im Fall von passiv
angesteuerten LCDs.
Fluorierte Verbindungen und/oder cyanosubstituierte
Verbindungen enthaltende LC-Mischungen haben sich als
brauchbare LCD-Materialien erwiesen, da mit ihnen ein
höherer spezifischer Widerstand als mit den anderen
Materialien erzielbar ist. Gegenwärtig werden als LCD-
Materialien für TFT-LCDs überwiegend fluorierte
Verbindungen verwendet, von denen viele hohe
spezifische Widerstände von mehr als 1 × 1013 Ω.cm
aufweisen. Diese Verbindungen enthaltende Displays sind
jedoch aufgrund der Verunreinigung mit ionischen
Substanzen nach dem Einfüllen der Verbindungen in LC-
Anzeigetafel qualitativ nicht unbedingt zufrieden
stellend. Cyanosubstituierte Verbindungen finden
dagegen umfangreiche Anwendung für passiv angesteuerte
LCDs, aber nicht für TFT-LCDs, da sie einen geringeren
spezifischen Widerstand als fluorierte Verbindungen
aufweisen, was wiederum auf die ionische Verunreinigung
zurückzuführen ist. Wegen dieses geringeren
spezifischen Widerstands bestand allgemein die
Auffassung, daß der Einsatz von Cyanoverbindungen für
TFT-LCDs abgesehen von der Verwendung für LCDs vom "in
plane-switching"-Typ unmöglich sei. Daher wurde die
Bedeutung von Reinigungstechniken für LC-Materialien
für die Qualitätsverbesserung von fluorierte
Verbindungen und/oder cyanosubstituierte Verbindungen
enthaltenden LCDs erkannt.
LC-Materialien verunreinigende ionische Substanzen sind
der Hauptgrund für die Abnahme des spezifischen
Widerstands. Daher war die Reinigung von LC-Materialien
durch Abtrennung von ionischen Substanzen schon seit
langem von großer Bedeutung, was zur Entwicklung von
mehreren Verfahren für diesen Zweck geführt hat. So
wurden beispielsweise als allgemeine Technik
Adsorptionsmittel wie Aktivkohle, aktiviertes
Aluminiumoxid, Silicagel usw. verwendet. Andererseits
wurde auch die Elektrophorese schon seit langem für
diesen Zweck eingesetzt.
In der japanischen Patentanmeldung Sho 50-108186(A)
wird die Anordnung eines Paars von an eine Stromquelle
angeschlossenen Elektroden während des Reinigungs
prozesses für LC-Materialien beschrieben. Hierbei sind
die Elektroden in einem Rohr fixiert, und LC-
Materialien werden zwischen den beiden Elektroden
hindurchgeleitet. Die Wirkung bezüglich der Entfernung
von ionischen Substanzen ist jedoch möglicherweise nur
gering, da die Zeit des Anlegens des elektrischen Felds
an das LC-Material nicht lang genug sein kann.
Die Anwendung der Elektrophorese zur Reinigung von
Flüssigkeit und LC-Materialien wird in den japanischen
Patentanmeldungen Sho 51-11069(A) bzw. Sho 51-11079(A)
beschrieben. Bei den in den Beschreibungen dieser
Patentanmeldungen beschriebenen Anwendungstechniken
sind auch Filter an ein Elektrodenpaar angeschlossen,
die sich ebenso wie die Elektroden in der Flüssigkeit
oder den LC-Materialien befinden, und an die Elektroden
wird Gleichspannung angelegt. Dieser Erfindung scheint
das Konzept zugrunde zu liegen, wandernde ionische
Substanzen nicht etwa elektrisch an den Elektroden,
sondern hauptsächlich physikalisch auf den Filtern
unter dem Einfluß des elektrischen Felds einzufangen.
Hierbei kann die Einfangeffizienz jedoch nicht extrem
hoch sein, da die Ionen natürlich zu klein sind, um von
den Filtern eingefangen zu werden.
In der Beschreibung der japanischen Patentschrift
2982395(B) wird vorgeschlagen, in einem mit LC-
Materialien gefüllten Gefäß mehrere Elektroden
anzuordnen und an die Elektroden während des LCD-
Fertigungsprozesses alternierende Rechteckspannung
(Wechselspannung) anzulegen. Bei diesem Aufbau wandern
ionische Substanzen unter dem Einfluß eines
elektrischen Felds zu Elektroden und sammeln sich dort
an. Nach Umkehr der Polarität wandern die Ionen aber
wieder, abgesehen von denjenigen Ionen, die an den
Elektroden stark adsorbiert sind. Infolgedessen wird
das Anlegen von Wechselspannung hinsichtlich der
Ansammlung von ionischen Verunreinigungen an den
Elektroden als schlechter als Gleichspannung erachtet.
In der Tat liegen die gemäß den dort beschriebenen
Beispielen erhaltenen spezifischen Widerstände in der
Größenordnung von weniger als 1012 Ω.cm, was für die LC-
Materialien in TFT-LCDs nicht hoch genug ist.
Neben den oben aufgeführten Beispielen werden
elektrophoreseartige Techniken auch in einigen anderen
japanischen Patentanmeldungen beschrieben: Sho 64-
76027, Hei 4-171419 und Hei 8-297290. Allerdings sind
keiner der Beschreibungen dieser Anmeldungen spezielle
Werte des spezifischen Widerstands oder eine den
spezifischen Widerstand erhöhende Wirkung der Technik
bei jeder Anwendung zu entnehmen.
Da sich bisher keine der Reinigungstechniken für einen
hohen spezifischen Widerstand bei hohem Δε von LC-
Mischungen durchsetzen konnte, wie oben gezeigt ist,
nimmt der Bedarf an fortgeschritteneren Techniken sowie
LC-Materialien selbst immer weiter zu.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
LC-Mischungen mit hohem spezifischem Widerstand bei
hohem Δε, effektive Reinigungstechniken für LC-
Mischungen sowie eine Apparatur hierfür bereit
zustellen.
Die vorliegende Erfindung betrifft nematische
flüssigkristalline Mischungen mit hohem spezifischem
Widerstand sowie ein Verfahren zum Versehen von
nematischen flüssigkristallinen Mischungen mit einem
hohen spezifischen Widerstand mittels Entfernung von
ionischen Substanzen durch Elektrophorese.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind insbesondere
nematische flüssigkristalline Mischungen, enthaltend
Cyanoverbindungen und/oder fluorierte Verbindungen mit
einem spezifischen Widerstand von mehr als 1 × 1013 Ω.cm
und einer dielektrischen Anisotropie von 5 ≦ Δε ≦ 20 mit der
Maßgabe, daß eine fluorhaltige Verbindungen enthaltende
flüssigkristalline Mischung im Fall von 10 ≦ Δε ≦ 20 einen
spezifischen Widerstand von mehr als 1 × 1013 Ω.cm und
im Fall von 5 ≦ Δε ≦ 10 einen spezifischen Widerstand von
mehr als 1 × 1014 Ω.cm aufweist.
Gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung
werden nematische flüssigkristalline Mischungen
bereitgestellt, die Cyanoverbindungen enthalten und
einen spezifischen Widerstand von mehr als 2 × 1013 Ω.cm
aufweisen.
Da diese Mischungen höhere spezifische Widerstände als
herkömmliche Mischungen aufweisen, eignen sie sich
besser zur Anwendung für LC-Vorrichtungen wie TFT-LCDs.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der vorliegenden
Erfindung wird eine LC-Vorrichtung bereitgestellt, die
die nematischen LC-Mischungen enthält.
Gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung
wird zur Herstellung dieser hochohmigen Mischungen auch
ein Verfahren zur Herstellung der nematischen flüssig
kristallinen Mischung mit hohem spezifischem Widerstand
bereitgestellt, bei dem man an in einem die Mischung
enthaltenden Gefäß angeordnete Elektroden Gleichspannung
anlegt, wobei ionische Substanzen durch die
Elektrophorese an den Elektroden adsorbiert werden, und
die Elektroden aus dem Gefäß herausnimmt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der vorliegenden
Erfindung wird auch ein Verfahren bereitgestellt, das
dadurch gekennzeichnet ist, daß man die heraus
genommenen Elektroden außerhalb des Gefäßes wäscht und
danach wieder in das Gefäß einbringt und den gesamten
obigen Prozeß zur Erhöhung des spezifischen Widerstands
ein- oder mehrmals wiederholt.
Durch die Kombination von Elektroden mit angelegter
Gleichspannung und wiederholtem Waschen der Elektroden
außerhalb des Gefäßes sind die Mischungen weniger mit
ionischen Substanzen verunreinigt, was unabhängig von
hohen Δε-Werten der Flüssigkristallmischungen zu
höherem spezifischem Widerstand führt.
Im einzelnen umfaßt das erfindungsgemäße Reinigungs
verfahren das Anlegen der Gleichspannung an ein Paar
von in einem mit einem LC-Material gefüllten Gefäß
angeordneten Elektroden über einen bestimmten Zeitraum
mit Hilfe einer mit den Elektroden verbundenen
Stromquelle (beispielswiese Modell 6517 von Keithley).
In diesem Zeitraum werden ionische Substanzen zur
Wanderung in Richtung der Elektroden gezwungen und an
diesen adsorbiert. Dann werden die Elektroden aus dem
Gefäß genommen, wobei die angelegte Gleichspannung
nicht abgeschaltet wird. So werden die ionischen
Substanzen zusammen mit einem geringfügigen Verlust von
an den Elektroden haftenden LC-Materialien aus der
Mischung entfernt. Nach dem Abwaschen der ionischen
Verunreinigungen von den Elektroden werden die
Elektroden wieder im Gefäß angeordnet, und es wird
wieder Gleichspannung angelegt. Der spezifische
Widerstand von LC-Materialien im Gefäß wird durch die
Wiederholung der obigen Vorgehensweise recht
wirkungsvoll erhöht. Die Dauer des Anlegens der
Gleichspannung im Gefäß kann durch Überwachung des
Widerstandswerts von LC-Materialien verändert werden.
Dadurch kann man den spezifischen Widerstand wunsch
gemäß einstellen.
Nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird auch eine Apparatur zur Herstellung von
nematischen LC-Mischungen mit hohem spezifischem
Widerstand mit einem Gefäß als Behälter der LC-
Mischungen und Elektroden, an die in dem Gefäß
Gleichspannung angelegt wird, bereitgestellt, die
dadurch gekennzeichnet ist, daß die Elektroden aus dem
Gefäß herausgenommen werden und außerhalb des Gefäßes
wie oben erwähnt gewaschen werden können.
Im Prinzip kann man das obige Verfahren auf jede Art
von LC-Material anwenden. Dazu gehören fluorierte
Verbindungen enthaltende Mischungen, die sich als LC-
Materialien für TFT-LCDs allgemein bewährt haben, und
Cyanoverbindungen enthaltende Mischungen, die für
passiv angesteuerte LCDs umfangreiche Anwendung finden.
Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens auf ein
fluorierte Verbindungen enthaltendes LC-Material nimmt
der spezifische Widerstand beträchtlich zu, und es wird
auch ein ausreichender Spielraum gegen ionische
Verunreinigung garantiert. Gleichzeitig wird erwartet,
daß Cyanoverbindungen nach Vollendung des erfindungs
gemäßen Verfahrens für TFT-LCD-Anwendungen in Betracht
kommen.
In allen nachstehenden Beispielen wurde die in Fig. 1
dargestellte Apparatur mit einem in einem mit dem LC-
Material gefüllten Teflon-Gefäß angeordneten Paar von
Elektroden aus Pt verwendet. Die Elektrodenfläche
beträgt 10 cm2 und der Elektrodenabstand 1 cm. An die
Elektroden wird eine Gleichspannung von 300 V angelegt.
Die Bestimmung der spezifischen Widerstände erfolgte
durch Messung des Stroms unter Anlegen einer
Gleichspannung von 0,5 V bei 20°C. Bei jeder Messung
wurde unter Verwendung des Elektrometers Modell 6517
von Keithley mit der Stromablesung 10 s nach dem
Anlegen der Spannung begonnen und in Abständen von 1 s
10mal wiederholt. Als Elektroden wurden zylindrische
Zellen aus nickelbeschichtetem Messing verwendet. Die
Berechnung der spezifischen Widerstände erfolgte anhand
der Gleichung SW = V/I . S/d (V: Spannung (0,5 V), I:
Strom (Mittelwert aus 10 Messungen), S. Elektroden
fläche (7,14 cm2), d: Elektrodenabstand (1 mm)). Der
Meßfehler lag schätzungsweise innerhalb ±30%.
Bei der Reinigung wurden die Elektroden in das mit
Lösungsmittel (Aceton oder Methylenchlorid) gefüllte
Gefäß eines Ultraschallreinigers eingetaucht. Die
Eintauchzeit betrug fünf Minuten. Danach wurden die
Elektroden in einem elektrischen Ofen bei 80°C
getrocknet.
Die erfindungsgemäße Technik wurde auf Mischung A
angewandt, die fluorierte Verbindungen mit einem Δε von
+8,3 enthielt. Die physikalischen Eigenschaften der
Mischung bei 20°C sind in Tabelle I aufgeführt. Nach
Durchlaufen des LC-Füllprozesses unter Vakuum betrug
ihr spezifischer Widerstand nur 7,7 × 1012. Es wurde die
Wirkung des Elektrodenwaschens untersucht. Die
Ergebnisse sind in Tabelle II und Fig. 2 aufgeführt.
Es stellte sich heraus, daß ohne Waschen von 2 Stunden
bis 17 Stunden kein wesentlicher Anstieg des
spezifischen Widerstands beobachtet wurde, beim Waschen
der Elektroden über Reinigungsdauern von bis zu 17
Stunden aber ein stetiger Anstieg zu verzeichnen war,
der wesentlich höhere SW-Werte von 4,7 × 1013 Ω.cm
erreichte. Durch das Verfahren wurde der spezifische
Widerstand um einen Faktor von 6,7 erhöht.
Physikalische Eigenschaft | |
Wert | |
Übergangstemp. nematisch-isotrop (T (N, I)) | +85°C |
Brechungsindex-Anisotropie (Δn) | +0,0923 |
Anisotropie der Dielektrizitätskonstante (Δε) | +8,3 |
Die erfindungsgemäße Technik wurde auf Mischung B
angewandt, bei der es sich um eine fluorierte
Verbindungen enthaltende Mischung handelt. Die
physikalischen Eigenschaften der LC-Mischung bei 20°C
sind in Tabelle III aufgeführt, einschließlich des Δε-
Werts von +12,6. Nach Beendigung einer herkömmlichen
Reinigung unter Verwendung von Al2O3 (aktiv basisch,
Merck KGaA) als Adsorptionsmittel blieb der SW-Wert bei
1,2 × 1013 Ω.cm. Wie aus Tabelle IV hervorgeht, wurde
bestätigt, daß der SW-Wert weder durch einen zweiten
Reinigungsschritt unter erneuter Verwendung von Al2O3
als Adsorptionsmittel noch durch einen zweiten
Reinigungsschritt unter Verwendung eines anderen
Adsorptionsmittels, wie z. B. Silicagel (extra rein,
Kanto Chemical KK), Inertsil (150-5, GL Science) oder
Aktivkohle (01085-02, Kanto Chemical KK), weiter
verbessert werden konnte. Wie Tabelle IV und Fig. 3 zu
entnehmen ist, wurde der SW-Wert jedoch durch Anwendung
der erfindungsgemäßen Reinigung in 21 Stunden mit
dreimaligem Waschen der Elektroden mit Erfolg um einen
Faktor von ungefähr 10 erhöht.
Physikalische Eigenschaft | |
Wert | |
Übergangstemp. nematisch-isotrop (T (N, I)) | +78°C |
Brechungsindex-Anisotropie (Δn) | +0,0855 |
Anisotropie der Dielektrizitätskonstante (Δε) | +12,6 |
Weitere Beispiele, bei denen SW-Werte mit der
erfindungsgemäßen Technik erhöht wurden, sind in
Tabelle V zusammengestellt.
Die Zusammensetzung der Mischungen A bis F sind in den
Tabellen VII bis XII aufgeführt, wobei die Akronyme in
der nachstehenden Tabelle VI angegeben sind.
Verbindung | |
Konzentration/% | |
PCH-5F | 5,0 |
PCH-7F | 5.0 |
CCP-20CF3 | 7,0 |
CCP-30CF3 | 7,0 |
CCP-40CF3 | 7,0 |
CCP-50CF3 | 8,0 |
ECCP-3F.F | 8,0 |
ECCP-5F.F | 8,0 |
BCH-3F.F.F | 14,0 |
BCH-5F.F.F | 13,0 |
CCP-3F.F.F | 9,0 |
CCP-5F.F.F | 9,0 |
Σ | 100,0 |
Verbindung | |
Konzentration/% | |
CCP-2F.F.F | 10,0 |
CCP-3F.F.F | 12,0 |
CGU-2-F | 8,0 |
CGU-3-F | 8,0 |
CGU-5-F | 8,0 |
CCZU-2-F | 3,9 |
CCZU-3-F | 15,6 |
CCZU-5-F | 5,5 |
CCP-20CF2.F.F | 12,0 |
CCP-30CF2.F.F | 10,0 |
CCP-50CF2.F.F | 7,0 |
Σ | 100,0 |
Verbindung | |
Konzentration/% | |
CC-5-V | 6,0 |
CCH-35.F. F | 6,0 |
CCH-501 | 10,0 |
CCP-2F.F.F | 11,0 |
CCP-3F.F.F | 13,0 |
CCP-5F.F.F | 7,0 |
CCZU-2-F | 5,0 |
CCZU-3-F | 19,0 |
CCZU-5-F | 5,0 |
CCP-20CF2.F.F | 6,0 |
CCP-50CF2.F.F | 7,0 |
CH-45 | 5,0 |
Σ | 100,0 |
Verbindung | |
Konzentration/% | |
CCP-2F.F.F | 10,0 |
CCP-3F.F.F | 13,0 |
CCP-5F.F.F | 11,0 |
CCP-20CF3F | 12,0 |
CH-45 | 4,0 |
CC-5-V | 15,0 |
CCZU-2-F | 8,0 |
CCZU-3-F | 14,0 |
CCZU-5-F | 6,0 |
CCH-35 | 7,0 |
Σ | 100,0 |
Verbindung | |
Konzentration/% | |
CCP-2F.F.F | 10,0 |
CCP-3F.F.F | 14,0 |
CCP-5F.F.F | 6,0 |
CCP-20CF3 | 4,0 |
CCP-30CF3 | 4,0 |
CCP-40CF3 | 4,0 |
CCP-20CF3.F | 6,0 |
CCP-20CF3.F | 6,0 |
CGU-2-F | 12,0 |
CGU-3-F | 12,0 |
CGU-5-F | 3,0 |
BCH-3F.F.F | 11,0 |
CCGU-3-F | 8,0 |
Σ | 100,0 |
Verbindung | |
Konzentration/% | |
ME2N.F | 4,5 |
ME3N.F | 4,5 |
ME4N.F | 10,0 |
HP-3N.F | 5,0 |
PCH-3N.F.F | 13,0 |
CCH-301 | 12,0 |
CCH-501 | 6,0 |
CCZU-2-F | 4,0 |
CCZU-3-F | 16,0 |
CCZU-5-F | 4,0 |
CC-5-V | 8,0 |
CH-33 | 4,0 |
Σ | 100,0 |
Fig. 1 zeigt eine schematische Zeichnung des für die
Reinigung von Flüssigkristallmischungen verwendeten
Aufbaus.
Fig. 2 zeigt die Ergebnisse für Beispiel 1. Der Wert
des spezifischen Widerstands der Mischung A ist gegen
die Spannungsbehandlungszeit aufgetragen. Die vollen
Kreise stehen für die Ergebnisse der Reihe von
Reinigungsversuchen, bei denen die Elektroden nicht
gewaschen wurden. Die leeren Kreise stehen für die
Ergebnisse der Reinigung unter jeweiligem Herausnehmen
und Waschen der Elektroden.
Fig. 3 zeigt wie Fig. 2 den spezifischen Widerstand
in Abhängigkeit von der Reinigungszeit.
Fig. 1 Blockdiagramm der Reinigungsgerätschaften
Fig. 2 Erhöhung der SW-Werte durch Reinigung
Fig. 3 Erhöhung der SW-Werte durch Reinigung
Claims (6)
1. Nematische flüssigkristalline Mischungen,
enthaltend Cyanoverbindungen und/oder fluorierte
Verbindungen mit einem spezifischen Widerstand von
mehr als 1 × 1013 Ω.cm und einer dielektrischen
Anisotropie von 5 ≦ Δε ≦ 20 mit der Maßgabe, daß eine
fluorhaltige Verbindungen enthaltende flüssig
kristalline Mischung im Fall von 10 ≦ Δε ≦ 20 einen
spezifischen Widerstand von mehr als 5 × 1013 Ω.cm
und im Fall von 5 ≦ Δε ≦ 10 einen spezifischen
Widerstand von mehr als 1 × 1014 Ω.cm aufweist.
2. Nematische flüssigkristalline Mischungen nach
Anspruch 1, die Cyanoverbindungen enthalten und
einen spezifischen Widerstand von mehr als
2 × 1013 Ω.cm aufweisen.
3. Flüssigkristallvorrichtung, enthaltend eine
nematische flüssigkristalline Mischung nach
Anspruch 1 oder 2.
4. Verfahren zur Herstellung der nematischen flüssig
kristallinen Mischung mit hohem spezifischem
Widerstand, bei dem man an in einem die Mischung
enthaltenden Gefäß angeordnete Elektroden
Gleichspannung anlegt, wobei ionische Substanzen
durch die Elektrophorese an den Elektroden
adsorbiert werden, und die Elektroden aus dem
Gefäß herausnimmt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß man die herausgenommenen Elektroden außerhalb
des Gefäßes wäscht und danach wieder in das Gefäß
einbringt und den gesamten obigen Prozeß zur
Erhöhung des spezifischen Widerstands ein- oder
mehrmals wiederholt.
6. Apparatur zur Herstellung von nematischen
flüssigkristallinen Mischungen mit hohem
spezifischem Widerstand mit einem Gefäß als
Behälter der flüssigkristallinen Mischung und
Elektroden, an die in dem Gefäß Gleichspannung
angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden aus dem Gefäß herausgenommen werden und
außerhalb des Gefäßes gewaschen werden können.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000129521 DE10029521A1 (de) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | Hochohmige nematische flüssigkristalline Mischungen und Reinigungsverfahren dafür |
DE10125708A DE10125708A1 (de) | 2000-06-21 | 2001-05-25 | Hochohmige nematische flüssigkristalline Mischungen und Reinigngsverfahren dafür |
JP2001187830A JP5289656B2 (ja) | 2000-06-21 | 2001-06-21 | 高い比抵抗を有するネマチック液晶性混合物およびその精製方法 |
JP2013062230A JP2013173934A (ja) | 2000-06-21 | 2013-03-25 | 高い比抵抗を有するネマチック液晶性混合物およびその精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000129521 DE10029521A1 (de) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | Hochohmige nematische flüssigkristalline Mischungen und Reinigungsverfahren dafür |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10029521A1 true DE10029521A1 (de) | 2002-01-10 |
Family
ID=7645843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000129521 Withdrawn DE10029521A1 (de) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | Hochohmige nematische flüssigkristalline Mischungen und Reinigungsverfahren dafür |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10029521A1 (de) |
-
2000
- 2000-06-21 DE DE2000129521 patent/DE10029521A1/de not_active Withdrawn
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