JP2013165119A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保持部材上の基板のずれ量を取得することにより、ずれ量が許容範囲に収まる状態で他のモジュールに基板を受け渡すこと。
【解決手段】一のモジュール（加熱モジュール）からフォーク３ＡがウエハＷを受け取ったときに、フォーク３Ａ上の基準位置からのずれ量を求め、このずれ量が許容範囲に収まっているときには、搬送アームＡ３によりウエハＷを他のモジュール（温調モジュール）に搬送し、検出値が許容範囲から外れているときには、仮置きモジュール７１に搬送する。仮置きモジュール７１では、前記ずれ量が許容範囲に収まるように、搬送アームＡ３が当該ウエハＷを受け渡し、次いで受け取っているので、ずれ量が許容範囲に収まる状態で温調モジュールに基板を受け渡すことができる。
【選択図】図２５

Description

本発明は、基板を基板搬送機構により一のモジュールから他のモジュールに搬送して処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板に対して処理を行うモジュールを複数個設け、これらモジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送して、所定の処理が行っている。前記基板搬送装置は、例えば基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、前記基台が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。

この際、フォークの基準位置に保持された基板は、次に搬送されるモジュールの載置領域の基準位置に受け渡される。前記基準位置とは、例えば基板の中心とフォークやモジュールの載置領域の中心とが揃う位置である。従って、前のモジュールからフォークの基準位置に基板を受け取れば、そのまま次のモジュールの基準位置に基板が受け渡される。

しかしながら、地震が発生した場合や、モジュールからフォークが基板を受け取る際に、基板が跳ね、正常な位置から大きくずれてキャッチされる場合など、基準位置からずれた状態でフォークが基板を受け取る場合もある。前記基板が跳ねる現象は、例えば基板の裏面側に回り込んだ薬液と載置面との間でテンションがかかり、受け渡しのために基板を持ち上げた時に発生しやすい。

これらの場合に基板の搬送を続行すると、次のモジュールに対して、基準位置から外れた状態で基板を受け渡すことになり、受け渡しの際に基板がモジュールと衝突したり、搬送途中に基板がフォークから落下してしまうおそれがある。このため、従来では、基板の搬送を停止し、装置内にオペレータが入りこんで、フォークの基準位置に基板を置き直したり、基板を除去したりする作業を行なっていた。

この際、装置の停止、基板の置き直しや除去、及び装置の復旧作業は、作業者が行わざるを得ず、作業者の負担が大きくなる上、装置の停止から復旧までには時間がある程度必要になるため、装置の稼働率の低下を招く要因の一つになっていた。

また、特許文献１には、第１の位置から第２の位置に基板を搬送する際に生じた基板の位置ずれを検出し、ずれ量を補正してからファインアライメントを行う技術が記載されている。しかしながら、この技術によっても、位置ずれ量が大きい場合に、基板搬送装置と搬送先のモジュールの正常な位置に基板を受け渡すことについては想定されておらず、本発明の課題を解決することはできない。

特開平１０-１６３３０２号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、一のモジュールから他のモジュールへ基板を搬送するときに、保持部材上の基板のずれ量を取得し、ずれ量が許容範囲に収まる状態で他のモジュールに基板を受け渡すことができる技術を提供することにある。

このため本発明の基板処理装置は、基板を保持し、水平方向に移動自在な保持部材を備え、基板を一のモジュールから他のモジュールに受け渡す基板搬送機構と、
保持部材が一のモジュールから基板を受け取った後、他のモジュールに搬送する前に、保持部材上の基板の位置を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、保持部材上の基板の基準位置に対するずれ量を求める演算部と、
前記基板搬送機構が、前記一のモジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールと、
前記演算部にて得られたずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲に収まっているときには、基板搬送機構により基板を他のモジュールに搬送し、検出値が許容範囲から外れているときには、前記検出値が許容範囲に収まるように、基板搬送機構が当該基板を仮置きモジュールに受け渡し、次いで受け取るための制御信号を出力する制御部と、を備えることを特徴とする。

また、本発明の基板処理方法は、基板を保持し、水平方向に移動自在な保持部材を備えた基板搬送機構により、基板を一のモジュールから他のモジュールに搬送して処理を行う基板処理方法において、
前記保持部材が一のモジュールから基板を受け取った後、他のモジュールに搬送する前に、保持部材上の基板の位置を検出する工程と、
前記検出結果に基づいて、保持部材上の基板の基準位置に対するずれ量を求める工程と、
前記ずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲に収まっているときには、基板搬送機構により基板を他のモジュールに搬送する工程と、
前記ずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲から外れているときには、前記検出値が許容範囲に収まるように、基板搬送機構が当該基板を仮置きモジュールに受け渡し、次いで受け取る工程と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、一のモジュールから保持部材が基板を受け取ったときに、保持部材上の基準位置からのずれ量を求め、このずれ量が許容範囲に収まっているときには、基板搬送機構により基板を他のモジュールに搬送し、検出値が許容範囲から外れているときには、仮置きモジュールに搬送する。仮置きモジュールでは、前記ずれ量が許容範囲に収まるように、基板搬送機構が当該基板を受け渡し、次いで受け取っているので、ずれ量が許容範囲に収まる状態で他のモジュールに基板を受け渡すことができる。

本発明に係るレジストパターン形成装置の実施の形態を示す平面図である。 レジストパターン形成装置を示す斜視図である。 レジストパターン形成装置を示す側部断面図である。 レジストパターン形成装置に設けられた第３のブロックを示す概略斜視図である。 第３のブロックに設けられた搬送アームを示す斜視図である。 搬送アームを示す平面図である。 搬送アームを示す側面図である。 搬送アームに設けられた検出部を示す平面図である。 レジストパターン形成装置に設けられた制御部を示す構成図である。 検出部にてウエハの周縁部の位置検出を行う一例を示す平面図である。 仮置きモジュールの一例を示す斜視図である。 仮置きモジュールの他の例を示す斜視図である。 ずれ量の許容範囲と検出可能範囲を示す平面図である。 仮置きモジュールのさらに他の例を示す斜視図である。 温調モジュールの一例を示す平面図である。 温調モジュールの一例を示す側部断面図である。 温調モジュールの冷却プレートと搬送アームとを示す平面図である。 温調モジュールの冷却プレートと搬送アームとを示す平面図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す側部断面図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す側部断面図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す側部断面図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す側部断面図である。 レジストパターン形成装置の作用を示すフローチャートである。 レジストパターン形成装置の作用を示す工程図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す工程図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す工程図である。 レジストパターン形成装置の作用を示す工程図である。 検出部の他の例を示す側面図である。 検出部のさらに他の例を示す側面図である。 検出部のさらに他の例を示す側面図である。 温調モジュールの冷却プレートと搬送アームとを示す平面図である。

以下本発明の基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布、現像装置に適用した場合を例にして説明する。先ず前記塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。図１は、前記レジストパターン形成装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図である。この装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、このブロックＳ１では、載置台２１上に載置された密閉型のキャリア２０から受け渡し手段Ｃが基板である半導体ウエハＷ（以下「ウエハＷ」という）を取り出して、当該ブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、前記受け渡し手段Ｃが、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウエハＷを受け取って前記キャリア２０に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、図２に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布モジュールと、この塗布モジュールにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群と、前記塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送アームＡ２，Ａ４と、を備えている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においても、前記薬液がレジスト液であることを除けば同様の構成である。

一方、第１の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像モジュール２２が２段に積層されている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像モジュール２２にウエハＷを搬送するための搬送アームＡ１が設けられている。つまり２段の現像モジュール２２に対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。

さらに、処理ブロックＳ２には、図１及び図３に示すように、棚ユニットＵ１が設けられ、この棚ユニットＵ１の各部同士の間では、前記棚ユニットＵ１の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤによってウエハＷが搬送される。ここで、ウエハＷの流れについて簡単に説明すると、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に受け渡し手段Ｃによって順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この受け渡しモジュールＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各モジュール（反射防止膜モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群）に搬送し、ウエハＷには反射防止膜が形成される。

その後、ウエハＷは棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト膜が形成される。こうして、レジスト膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。なおレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４にて更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、反射防止膜が形成された後、搬送アームＡ４により受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。

一方、ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ１に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。なお図３中のＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ１における受け渡し手段Ｃのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡し手段Ｃを介してキャリア２０に戻される。搬送アームＡ１〜Ａ４、受け渡し手段Ｃ，受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＦは、夫々本発明の基板搬送装置に相当するものである。

ここで、図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を示すものであるが、図１及び図４においてＵ３は加熱モジュールや冷却モジュール等の熱系モジュール群を含む複数のモジュールを積層して設けた棚ユニットである。これら棚ユニットＵ３は塗布モジュール２３と対向するように配列され、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に搬送アームＡ３が配置されている。図４中２４は、各モジュールと搬送アームＡ３との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送口である。

続いて、前記搬送アームＡ１〜Ａ４について説明するが、これら搬送アームＡ１〜Ａ４は同様に構成されているので、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に設けられた搬送アームＡ３を例にして説明する。この搬送アームＡ３は、図４〜図８に示すように、ウエハＷの周囲を囲むように設けられた保持枠をなす複数枚例えば２枚のフォーク３（３Ａ，３Ｂ）が夫々基台３１に沿って進退自在（図４及び図５中Ｘ軸方向に移動自在）に構成されると共に、前記基台３１が回転機構３２により鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。前記フォーク３Ａ，３Ｂは、その基端側が夫々進退機構３３Ａ，３３Ｂに支持され、これら進退機構３３Ａ，３３Ｂが基台３１内部に設けられたタイミングベルトを用いた駆動機構（図示せず）により基台３１に沿って移動するように構成されている。こうして、フォーク３Ａ，３Ｂは、進退機構３３Ａ，３３Ｂが基台３１の先端側へ前進した位置にあるウエハＷの受け渡し位置と、進退機構３３Ａ，３３Ｂが基台３１の基端側に後退した位置にある待機位置との間で進退自在に構成される。

前記回転機構３２の下方側には昇降台３４が設けられており、この昇降台３４は上下方向（図４及び図５中Ｚ軸方向）に直線状に伸びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、駆動部をなす昇降機構により昇降自在に設けられている。例えば昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。これらボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構は、いずれもモータＭの回転により昇降台３４が昇降自在に構成されるようになっている。

この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、これらカバー体３５は例えば上部側にて接続されて一体となっている。また、前記カバー体３５は、図４に示すように、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
なお、後述する図９には図示の便宜上、昇降台３４を省略して基台３１の下方側に昇降機構３７を描いている。この例の昇降機構３７は前記Ｚ軸ガイドレールの内部に設けられた図示しない昇降軸をモータＭより回転させることによって、基台３１をＺ軸ガイドレールに沿って昇降させるように構成されている。

前記フォーク３Ａ，３Ｂは円弧状に形成され、図５、図６及び図８に示すように、このフォーク３Ａ，３Ｂの内縁から各々内側に突出すると共に、当該内縁に沿って互いに間隔を開けて設けられ、前記ウエハＷの裏面側周縁部を載置するための３個以上の保持部をなす保持爪３０が設けられている。この例では、ウエハＷの周縁部の４か所を保持するために４個の保持爪３０Ａ、３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄが設けられている。

この例の搬送アームＡ３は、ウエハＷを真空吸着するように構成されており、図８に示すように、各保持爪３０Ａ〜３０Ｄの各々には、吸着孔４１Ａ〜４１Ｄが設けられている。これら吸着孔４１Ａ〜４１Ｄは、例えばフォーク３Ａ，３Ｂの内部、上面又は下面に形成された真空配管４２Ａ，４２Ｂ（図６参照）を介して、図示しない真空排気部に接続されている。こうして、ウエハＷの裏面側周縁部が、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに吸着保持されることになる。

また、搬送アームＡ３は検出部５を備えている。検出部５は、例えば夫々のフォーク３Ａ，３Ｂが、ウエハＷを保持した状態で、前記待機位置にあるときに、フォーク３Ａ，３Ｂが保持しているウエハＷの周縁部（輪郭）の位置を周方向の３か所以上の個所において光学的に検出するためのものである。この例では、３個以上例えば４個の検出部５Ａ〜５Ｄが設けられており、これら４個の検出部５Ａ〜５Ｄは、フォーク３Ａ，３Ｂが前記待機位置にあるときに、フォーク３Ａ，３Ｂに保持されているウエハＷの外周に沿って互いに間隔を隔てて設けられている。

検出部５（５Ａ〜５Ｄ）は、例えば一対の光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）と、受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）より構成されている。光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）としては、複数のＬＥＤを直線状に配列させた光源や、直線状に伸びる単一のＬＥＤ等が用いられる。また、受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）としては、受光素子を直線状に配列したリニアイメージセンサを用いることができる。このリニアイメージセンサとしては、例えばＣＣＤラインセンサ、ファイバーラインセンサ、光電センサ等の各種のセンサが用いられる。以下では、ＣＣＤラインセンサを用いる場合を例にして説明する。

前記光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）と受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）とは、対応する一対の光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）と受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）同士が、待機位置にあるウエハＷの周縁部を介して互いに対向するように設けられている。具体的には、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）と受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）とは、一方が２枚のフォーク３Ａ，３Ｂの下方側に設けられ、他方が２枚のフォーク３Ａ，３Ｂの上方側に設けられる。図５〜図７には、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）が基台３１に取り付けられており、受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）が支持部材５３を介して基台３１に取り付けられている例を示す。

そして、図５及び図８に示すように、受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）は、ウエハＷの径方向に受光素子が直線状に配列されており、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）は、対応する受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）の長さ方向全体に光を照射できるように構成されている。こうして、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）と受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）との間には、受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）の受光素子の配列領域に対応する光軸４０が形成されることになる。

また、待機位置にあるフォーク３Ａ，３Ｂ上にウエハＷがない場合には、前記光軸４０は遮られないが、前記フォーク３Ａ，３Ｂ上にウエハＷがある場合には、このウエハＷの周縁部により光軸４０が遮られるように、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）及び受光部５２（５２Ａ〜５２Ｄ）が配置されている。そして、フォーク３Ａ，３Ｂ上のウエハＷの位置によって、光軸４０を遮断する程度が異なり、受光部５２に入射する光量が変化するため、ウエハＷの周縁部の位置が検出できることになる。既述のように、受光素子はウエハＷの径方向に沿って例えば１００個並んでおり、受光した受光素子の数に対応する大きさだけ電圧降下が起こり、その電圧降下分の電圧値が、図９に示すＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル変換部）６０を介して制御部６に送られるように構成されている。

こうして、例えば各画素である各ＣＣＤの検出値に基づいて、受光した画素と受光しない画素との境界の位置を決定することにより、ウエハＷの周縁部の４カ所の位置を求めることができる。フォーク３Ａ及びフォーク３Ｂは同様に構成されているので、以下ではフォーク３Ａを例にして説明すると、例えば図１０に示すように、フォーク３Ａ上の基準位置にウエハＷが保持されているときのウエハＷの中心Ｏを原点としてＸ軸及びＹ軸を設定する。この基準位置とは、例えばフォーク３Ａの載置領域の中心とウエハＷの中心とが揃う位置である。これにより、例えば検出部５Ａ〜５Ｄに対応するウエハＷの周縁部の４カ所の位置をＰ１〜Ｐ４としたときに、各位置Ｐ１〜Ｐ４の位置座標をＸＹ座標として求めることができる。

説明をＣＯＴ層Ｂ３に戻すと、ＣＯＴ層Ｂ３内には、搬送アームＡ３がアクセスできる個所例えば棚ユニットＵ３の一つに、ウエハＷを仮置きするための第１の仮置きモジュール７１が設けられている。この仮置きモジュール７１は、例えば図１１に示すように、支持部７２の上部に、ウエハＷが載置されるステージ部７３を備えて構成されている。前記ステージ部７３は、前記基準位置からずれた状態でフォーク３Ａ上にウエハＷが保持されているときであっても、当該フォーク３ＡやウエハＷがステージ部７３に衝突せずに、当該ステージ部７３にウエハＷを受け渡すことができる形状に構成されている。前記ステージ部７３は、例えば先端が円弧状に構成された板状体よりなり、当該ステージ部７３とフォーク３Ａとの間でウエハＷの受け渡しを行うときには、フォーク３Ａがステージ部７３を所定の空間を介して囲むように、その形状及び大きさが決定されている。

さらに、当該実施の形態では、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ及びインターフェイスアームＦについても、既述の検出部５が設けられると共に、これら受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ及びインターフェイスアームＦ毎に、ウエハＷを仮置きするための第２〜第４の仮置きモジュール７４〜７６が設けられている。

前記インターフェイスアームＦは、例えば図１２に示すように、ウエハＷを保持する保持部材８１が基台８２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台８２が昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、かつ図１中Ｘ方向に移動自在に構成されている。そして、保持部材８１が基台８２の基端側に後退した待機位置にて、検出部５Ａ〜５ＤによりウエハＷの周縁部の複数個所例えば４カ所の位置が計測されるようになっている。前記保持部材８１は、例えばウエハＷの裏面側中央部を保持する板状体より構成されており、図１２では、検出部５は図示を省略している。

前記受け渡しアームＤは、保持部材８０ａが基台８０ｂに沿って進退自在に構成されると共に、前記基台８０ｂが昇降自在に構成され、例えば保持部材８０ａはインターフェイスアームＦの保持部材８１とほぼ同様の形状に構成されている。また、受け渡し手段Ｃは、保持部材８３の平面形状が多少異なる以外については、インターフェイスアームＦとほぼ同様に構成されている。受け渡し手段Ｃの保持部材８３は、例えば図１に示すように、例えばウエハＷの裏面側中央部を保持する平面視フォーク状の板状体より構成されている。

この例においては、前記第２〜第４の仮置きモジュール７４〜７６は同様に構成されており、例えば図１２にて第４の仮置きモジュール７６を代表して示すように、支持部７７の上部に、ウエハＷが載置されるステージ部７８を備えて構成されている。前記ステージ部７８は、基準位置からずれた状態で、保持部材８１上にウエハＷが保持されているときであっても、当該保持部材８１やウエハＷがステージ部７８に衝突せずに、当該ステージ部７８にウエハＷを受け渡すことができる形状に構成されている。この例では、ステージ部７８は、平面視コ字状に構成された板状体よりなり、当該ステージ部７８と保持部材８１との間でウエハＷの受け渡しを行うときには、ステージ部７８により保持部材８１を所定の空間を介して囲むように、その形状及び大きさが決定されている。

前記第２の仮置きモジュール７４は、受け渡し手段Ｃがアクセスできる位置例えば棚ユニットＵ１に組み込まれている（図３参照）。また、第３の仮置きモジュール７５は、受け渡しアームＤがアクセスできる位置例えば棚ユニットＵ１に組み込まれている。さらに、第４の仮置きモジュール７６は、インターフェイスアームＦがアクセスできる位置例えば棚ユニットＵ２に組み込まれている。

続いて、前記レジストパターン形成装置に設けられる制御部６について、図９を参照して説明する。この制御部６は、例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部を備えていて、前記プログラムには制御部６からレジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理や、後述のウエハＷの位置検出を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等の記憶部に格納されて制御部６にインストールされる。

前記プログラムには、ずれ量検出プログラム６１や、判定プログラム６２、補正プログラム６３、搬送制御プログラム６４等が含まれている。また制御部６には基準データ記憶部６５が含まれており、表示部６６、アラーム発生部６７、搬送アームＡ１〜Ａ４や、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＦの駆動機構に対しても所定の制御信号が送られるように構成されている。以下、保持部材としてフォーク３Ａを例にして説明する。

前記ずれ量検出プログラム６１は演算部をなすものであり、ウエハＷをフォーク３Ａが受け取ったときに、前記検出部５の検出結果に基づいて、フォーク３Ａ上のウエハＷの基準位置に対するずれ量を求めるように構成されている。具体的には、例えば検出部５Ａ〜５Ｄにて検出されたフォーク３Ａ上のウエハＷの４カ所の周縁位置データに基づいて、ウエハＷの中心位置を演算により取得すると共に、この取得中心位置と、基準中心位置とのずれ量を演算により求めるように構成されている。前記取得中心位置とは、ウエハＷの位置の検出結果により演算により求められたウエハＷの中心位置であり、基準中心位置とは、ウエハＷがフォーク３Ａ上の前記基準位置にあるときのウエハＷの中心位置である。

ここで、検出部５では、図１０に示すように、ウエハＷの周縁部の４カ所の位置Ｐ１〜Ｐ４の位置を夫々座標（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、（ｘ３、ｙ３）、（ｘ４、ｙ４）として検出しており、この４カ所の位置データから、ウエハＷの中心Ｐ０の位置座標（ｘ０、ｙ０）が演算により求められる（図１０参照）。この際、例えば位置Ｐ１〜Ｐ４のいずれか一つがウエハＷの切欠部（ノッチ）に該当するときには、残りの３か所の位置データからウエハＷの中心Ｐ０の位置座標（ｘ０、ｙ０）が求められる。

この例では、基準中心位置の位置座標は、既述のように原点（０、０）であるため、基準中心位置に対する取得中心位置のずれ量は、（ｘ０、ｙ０）に相当する。こうして、基準中心位置に対する取得中心位置のずれ量が、Ｘ方向、Ｙ方向に求められることになる。

判定プログラム６２は、後述するように、モジュール毎に設定されたずれ量の許容範囲と、位置検出プログラム６１にて取得されたずれ量の検出値とを比較し、ウエハＷを次モジュールに搬送するか仮置きモジュール７１に搬送するかを判定するプログラムである。

前記搬送アームＡ３は、フォーク３Ａの基準位置にて保持されているウエハＷを、次モジュールの基準位置に受け渡すように構成されている。次モジュールの基準位置とは、次モジュールのウエハＷの載置領域の基準位置であり、例えば載置領域の中心とウエハＷの中心とが揃う位置である。つまり、フォーク３Ａの中心とウエハＷの中心とが揃うようにフォーク３Ａにて保持されたウエハＷは、次モジュールの載置領域の中心とウエハＷの中心とが揃うようにフォーク３Ａから前記載置領域に受け渡されるようになっている。そして、基準位置からずれた状態でフォーク３Ａ上にウエハＷが保持されているときには、後述するように、次モジュールにウエハＷを受け渡す際に、このずれ量が小さくなるように、搬送アームＡ３側が受け渡し位置を補正するように構成されている。ずれ量が小さくなるとは、次モジュールの基準位置にウエハＷを受け渡す場合の他、基準位置に近い状態でウエハＷを受け渡す場合も含まれる。

ここで、図１３中、Ｘ軸とＹ軸の交点Ｏは、フォーク３Ａ上の基準位置にウエハＷがあるときのウエハＷの中心を示し、実線Ｌ１はモジュール毎に設定されたずれ量の許容範囲を示す。この許容範囲は、ウエハＷの中心がこの範囲内にあれば、次モジュールにウエハＷを搬送したときに、フォーク３Ａが次モジュールの載置領域と衝突しないでウエハＷの受け渡しを行うことができる範囲を示したものである。また、点線Ｌ２は、検出部５にて検出可能な範囲であり、ウエハＷの中心がこの範囲内にあれば、ウエハＷの周縁部を検出できる範囲を示したものである。

前記許容範囲は、既述のようにモジュール毎に設定されている。例えば搬送アームＡ３を例にして説明すると、この搬送アームＡ３によりウエハＷの受け渡しを行うときにウエハＷを載置する載置領域としては、ウエハＷに対して加熱処理を行う加熱モジュール９に設けられる加熱プレート９０の突出ピン機構９１（図９参照）や、液処理モジュールに設けられるスピンチャック９２（図１４参照）、ウエハＷに対して温度調整処理を行う温調モジュール９３に設けられる冷却プレート等がある（図１５及び図１６参照）。

続いて、簡単に加熱モジュール９及び温調モジュール９３について説明する。加熱モジュールは、図９に示すように、処理容器９ａ内にウエハＷを載置して加熱する加熱プレート９０を備えて構成されている。この加熱プレート９０には、搬送アームＡ３との間のウエハＷの受け渡し時に、加熱プレート９０から突出して、ウエハＷの裏面側の例えば３か所の位置を保持する突出ピン機構９１が設けられている。

また、温調モジュール９３は、図１５及び図１６に示すように、処理容器９３aの内部に冷却プレート９４と加熱プレート９５とを備えて構成されている。前記冷却プレート９４は、搬送アームＡ３との間でウエハＷの受け渡しを行う位置と、加熱プレート９５にウエハＷを受け渡す位置との間で、進退機構９４ａにより移動自在に構成されている。図１６中９４ｂは、冷却プレート９４の温度上昇を抑えるためのファン機構である。加熱プレート９５には、冷却プレート９４との間でウエハＷの受け渡しを行うための突出ピン機構９５ｂが設けられると共に、冷却プレート９４には、この突出ピンに対応する位置に切欠部９４ｃが形成されている。また、冷却プレート９４の周縁部には、搬送アームＡ３の保持爪３０ａ〜３０ｄに対応する切欠部９６が形成されている。こうして、温調モジュール９３では、搬送アームＡ３から冷却プレート９４に受け渡されたウエハＷが、冷却プレート９４により加熱プレート９５に受け渡され、加熱プレート９５により加熱されたウエハＷが再び冷却プレート９４を介して搬送アームＡ３に受け渡されるようになっている。

前記突出ピン機構９１やスピンチャック９２では、受け渡しの際のフォーク３Ａのクリアランス量（可動用のスペース）を大きくとっている。このため、前記ずれ量が大きくて、受け渡しの際の搬送アームＡ３の補正量が大きい場合であっても、フォーク３Ａと加熱プレート９等との衝突を防ぐことができるため、許容範囲が大きい。

一方、温調モジュール９３の冷却プレート９４（切欠部９４ｃは図示せず）は、図１７に示すように、切欠部９６に、フォーク３Ａの保持爪３０Ａ〜３０Ｄが入り込んだ状態でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。この場合、図１７に示すように、フォーク３Ａの基準位置にウエハＷがある場合には、冷却プレート９４の基準位置にウエハＷを受け渡すことができる。しかしながら、図１８に示すように、前記ずれ量が大きく、フォーク３Ａ側の受け渡し時の補正量が大きいと、受け渡しの際に、保持爪３０Ａ〜３０Ｄが切欠部９６に入り込めず、フォーク３Ａが冷却プレート９４に衝突してしまうため、許容範囲が小さい。図１８では、一点鎖線により加熱プレート９４を示し、保持爪３０ｃが切欠部９６と衝突する様子を表している。このように、許容範囲はモジュール毎に異なっているので、モジュール毎に、前記許容範囲をウエハＷの基準中心位置からの中心位置Ｐ０のずれ量として求めておく。

そして、判定プログラム６２は、ずれ量の検出値に基づいて、次モジュールに搬送するか、仮置きモジュール７１に搬送するか、またはアラーム表示を出力するかを判定する機能を備えている。この例では、図１３に示すように、ずれ量がＬ２の範囲を超えていて、検出部５により周縁部の位置が検出できない場合にはアラーム表示を出力するように判定する。既述のように、検出部５では周縁部による境界の位置を検出するが、例えば４つの検出部５Ａ〜５Ｄの少なくとも１個の検出部５Ａ〜５Ｄにて、前記境界の位置が検出できない場合には、ウエハＷがＬ２の範囲を超えていると判定する。

また、検出部５Ａ〜５Ｄの検出結果に基づいて、ずれ量検出プログラム６１によりずれ量を取得したときには、このずれ量の検出値が次モジュールの許容範囲に収まっているときには、次モジュールに搬送可能と判定する。一方、前記検出値が次モジュールの許容範囲から外れているときには、次モジュールに搬送せず、仮置きモジュール７１に搬送すると判定する。この判定は、前モジュールからフォーク３ＡがウエハＷを受け取り、ウエハＷの周縁部の位置検出を行った後、次モジュールに搬送するまでのタイミングで行う。この際、フォーク３Ａを待機位置に移動させてウエハＷの周縁部の位置検出を行った後、搬送アームＡ３の移動を開始した後のタイミングであってもよい。

補正プログラム６３は、搬送アームＡ３がウエハＷを次モジュールに搬送するときに、搬送アームＡ３が次モジュールにウエハＷを受け渡す際に、ずれ量が小さくなるように、ウエハＷを次モジュールに受け渡すように搬送アームＡ３側の受け渡し位置を補正する機能を備えている。

例えば、次モジュールの載置領域の中心の座標を（０，０）とし、取得されたウエハＷの中心の座標が（ｘ０、ｙ０）であれば、補正前の受け渡し位置に対して、搬送アームＡ３の受け渡し位置をＸ方向に−ｘ０、Ｙ方向に−ｙ０分移動させるように補正する。こうして、フォーク３Ａ上のウエハＷは、次モジュールの載置領域の基準位置に受け渡される。

また、補正プログラム６３は、仮置きモジュール７１上のウエハＷをフォーク３Ａが受け取ったときに、前記検出値が許容範囲に収まるように、フォーク３Ａの受け渡し位置を補正する機能を備えている。この場合、搬送アームＡ３が受け渡し位置を補正できるＸ方向及びＹ方向の移動量には制限があり、この制限値を超えている場合には、制限値分補正を行うようになっている。

前記基準データ記憶部６５には、前記モジュール毎に設定された許容範囲のデータが、次モジュールと対応付けて格納されている。前記表示部６６は例えばコンピュータの画面よりなり、所定の基板処理の選択や、各処理におけるパラメータの入力操作を行うことができるように構成されるようになっている。さらに、アラーム発生部６７はアラーム表示を行う際に、例えばランプの点灯やアラーム音の発生、表示部６６へのアラーム表示等を行う機能を備えている。

搬送制御プログラム６４は、予め決められたモジュールの搬送順序に従って、ウエハＷが一のモジュール（前モジュール）から他のモジュール（次モジュール）に順番に搬送されるように、搬送アームＡ１〜Ａ４、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ及びインターフェイスアームＦ等を制御する手段であり、例えば判定プログラム６２により判定された搬送先へウエハＷを搬送するように、搬送アームＡ１〜Ａ４等の駆動を制御する機能を備えている。また、仮置きモジュール７１にウエハＷを搬送するときには、ウエハＷを次モジュールに搬送するときよりも搬送アームＡ１〜Ａ４の動作速度を遅く（小さく）するように制御する機能を備えている。動作速度とは、フォーク３Ａ，３Ｂの進退動作や搬送アームＡ３の移動動作等、搬送アームＡ３を動作させるときの速度をいう。

こうして、制御部６は、ずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲に収まっているときには、搬送アームＡ３によりウエハＷを次のモジュールに搬送し、検出値が許容範囲から外れているときには、前記検出値が許容範囲に収まるように、搬送アームＡ３が当該ウエハＷを仮置きモジュール７１に受け渡し、次いで受け取るための制御信号を出力するように構成されている。この際、「前記検出値が許容範囲に収まるように、搬送アームＡ３が当該ウエハＷを仮置きモジュール７１に受け渡し、次いで受け取る」には、後述するように、仮置きモジュール７１に対するウエハＷの受け渡しを１回行って、前記検出値が許容範囲に収まる場合と、仮置きモジュール７１に対するウエハＷの受け渡しを複数回行って、前記検出値が許容範囲に収まる場合が含まれる。

続いて、加熱モジュールを前モジュールとし、温調モジュール９３を次モジュールとする場合を例にして、本発明の作用について説明する。これら加熱モジュール及び温調モジュール９３は、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の夫々において、既述のように棚ユニットＵ３に組み込まれている。

加熱モジュールでは、例えば図１９に示すように、突き上げピン機構９１によりウエハＷを突き上げ、ウエハＷを加熱プレート９の上方位置まで浮上させる。次いで図２０に示すように、ウエハＷの下方側にフォーク３Ａを前進させてから、フォーク３Ａを上昇させ、ウエハＷを下方側から掬い上げるようにして、保持爪３０Ａ〜３０Ｄに保持させる。そして、図２１に示すように、フォーク３ＡをウエハＷの下方側から突き上げピン９１の上方側まで上昇させることにより、突き上げピン９１からウエハＷを受け取って、保持爪３０Ａ〜３０Ｄにより吸着保持し、その後後退する動作が行われる。

続いて、図２２に示すように、フォーク３Ａが待機位置に移動したときに、既述のように、検出部５Ａ〜５ＤにてウエハＷの周縁部の位置データが取得され、搬送先を次モジュールである温調モジュールとするか、仮置きモジュール７１とするかが判定される。この際、前モジュール（加熱モジュール）からフォーク３ＡがウエハＷを受け取った後（図２３中、ステップＳ１）、例えばウエハＷの周縁部が検出部５Ａ〜５Ｄにより検出可能かを判定し（ステップＳ２）、ウエハＷの周縁部が検出可能な範囲Ｌ２を超えているときには検出不能として、アラームを出力し（ステップＳ３）、例えば搬送を停止する（ステップＳ４）。

一方、前記範囲Ｌ２を超えていないときには検出可能として、取得された位置データに基づき、既述のように、ウエハＷの中心の位置座標（ｘ０、ｙ０）を演算により求め、こうして、基準位置に対するＸ方向及びＹ方向のずれ量の検出値を取得する（ステップＳ５）。

次いで、次モジュール（温調モジュール９３）の許容範囲を読み出して、ずれ量の検出値が許容範囲に収まっているか否かを判断する（ステップＳ６）。許容範囲に収まっているときには、図２４に示すように、搬送先を次モジュールと判定して、次モジュールに搬送する（ステップＳ７）。そして、既述のように、搬送アームＡ３側の受け渡し位置をＸ方向及びＹ方向に補正して、ウエハＷを次モジュールの基準位置に受け渡す（ステップＳ８）。この際、次モジュールの載置領域にウエハＷを受け渡す直前で、保持爪３０Ａ〜３０Ｄによる吸着を解除する。

一方、ずれ量が許容範囲から外れているときには、搬送先を仮置きモジュール７１と判定して、図２５に示すように、仮置きモジュール７１に搬送する（ステップＳ９）。この際、ウエハＷを次モジュールに搬送するときよりも搬送アームＡ３の動作速度を小さくした状態で搬送する。そして、図２６（ｂ）に示すように、仮置きモジュール７１の基準位置にウエハＷが受け渡されるように、つまりウエハＷの中心を仮置きモジュール７１の載置領域（ステージ部７３）の中心に揃えるように、フォーク３Ａの受け渡し位置をＸ方向及びＹ方向に補正して、ウエハＷを仮置きモジュール７１に受け渡す（ステップＳ１０）。

そして、再び仮置きモジュール７１からフォーク３ＡによりウエハＷを受け取るが、この際、図２６（ｃ）に示すように、ずれ量が許容範囲内に収まるように、例えばフォーク３Ａの基準位置にウエハＷが保持されるように、フォーク３Ａの受け取り位置をＸ方向及びＹ方向に補正して、ウエハＷをフォーク３Ａに受け取る（図２６（ｄ）、ステップＳ１１）。そして、フォーク３Ａが待機位置に移動したときに、検出部５Ａ〜５ＤにてウエハＷの周縁部の位置データを取得し、既述のようにずれ量を求める（図２６（ｅ）、ステップＳ２）。こうして、ずれ量が温調モジュール９３の許容範囲に収まり、ウエハＷを温調モジュール９３に搬送するまで、ステップＳ２〜ステップＳ１１の動作を繰り返す。

以上において、上述の実施の形態では、前モジュールからフォーク３ＡがウエハＷを受け取ったときに、ウエハＷの周縁部の３か所以上の位置を検出し、この検出値に基づいて、フォーク３Ａ上の基準位置からのずれ量を求めている。そして、ずれ量の検出値とずれ量の許容範囲とを比較し、ウエハＷの搬送先を次モジュールとするか仮置きモジュール７１とするかを判定している。これにより、ずれ量が許容範囲に収まっているときにのみ次モジュールに搬送しているので、次モジュールにウエハＷを受け渡す際に、フォーク３Ａと次モジュールとの衝突を抑えて、次モジュールへのウエハＷの受け渡しを確実に行うことができる。

従って、モジュール毎に搬送アームＡ３等の受け渡しの際のクリアランスが異なり、このクリアランスが小さい場合にも、既述のように、フォーク３Ａとモジュールとの衝突を抑えることができるため、搬送アーＡ３の搬送停止の機会が大幅に少なくなり、稼働率が向上する。

また、次モジュールとの衝突が起こるほどずれ量が大きい場合には、ウエハＷを仮置きモジュール７１に搬送して、ずれ量が許容範囲に収まるように、フォーク３Ａの受け渡し位置を補正している。従って、ずれ量が大きい場合でも、自動で補正作業が実施できるので、作業者の負担が大幅に軽減される。

この際、ずれ量が大きい場合には、仮置きモジュール７１に対して複数回ウエハＷの受け渡しと受け取りを行うことにより、フォーク３Ａの受け渡し位置の補正を複数回実施することができる。このため、受け渡し位置の補正をするときに一度の補正範囲に制限があっても、補正を繰り返すことによって、大きなずれ量を徐々に小さくすることができる。

こうして、ずれ量が大きい場合でも、複数回の補正によって、最終的にはずれ量が許容範囲に収まる状態で、次モジュールにウエハＷを受け渡すことができる。従って、地震が発生した場合や、モジュールからウエハＷを受け取るときにウエハＷが跳ねる現象が発生した場合等に、フォーク３Ａの基準位置から大きくずれた状態でウエハＷを受け取った場合でも、次モジュールに確実に搬送することができる。

また、ウエハＷを仮置きモジュール７１に搬送するときには、ウエハＷを次モジュールに搬送するときよりも搬送アームＡ３の動作速度を遅くしているので、ウエハＷがフォーク３Ａの基準位置から大きくずれて保持されている場合でも、ウエハＷの落下を抑えた状態で搬送することができる。

以上において、図２７に示すように、仮置きモジュール７１にウエハＷを受け渡す際に、ウエハＷを仮置きモジュール７１の基準位置に受け渡すための補正を行わずにそのまま受け渡し（図２７（ｂ））、仮置きモジュール７１からウエハＷを受け取るときのみに、ずれ量が許容範囲に収まるように、フォーク３Ａの受け渡し位置を補正してもよい。仮置きモジュール７１の基準位置からのずれ量は、フォーク３Ａの基準位置からのずれ量と同じである。このため、仮置きモジュール７１からウエハＷを受け取るときに、フォーク３Ａの受け渡し位置をＸ方向及びＹ方向に補正することにより（図２７（ｃ）、（ｄ））、ずれ量が許容範囲に収まる状態で、フォーク３Ａ上にウエハＷを受け取ることができる。

続いて、検出部の他の例について、図２８〜図３０を参照して簡単に説明する。図２８に示す例は、検出部５Ａ〜５Ｄを搬送アームＡ３に取り付けず、前モジュールのウエハＷの搬送口近傍に設けた例である。この例では、前モジュールからフォーク３ＡがウエハＷを受け取って、前モジュールの外側にウエハＷが搬出されたときに、ウエハＷの周縁部の４カ所の位置が検出部５Ａ〜５Ｄにて検出されるように構成されている。検出部５Ａ〜５Ｄは、既述の実施の形態と同様に構成されている。

図２９は、検出部としてＣＣＤカメラ５００を用いる例である。例えばＣＣＤカメラ５００は、保持部材５０１により、搬送アームＡ３の基台３１に取り付けられており、フォーク３Ａ，３Ｂが受け渡し位置にあるときに、フォーク３Ａ，３Ｂ上のウエハＷを光学的に撮像して、フォーク３Ａ，３Ｂ上のウエハＷの位置を検出するように構成されている。

さらにまた、図３０は、検出部として、例えばレーザ光を利用する距離センサ５１０を用いる例である。距離センサ５１０は、例えばウエハＷの上方側及び下方側の一方から、ウエハＷの周縁部に向けて径方向に多数のレーザ光を出力するように配置され、例えば図８に示す受光部５２Ａ〜５２Ｄと同様の位置に設けられている。この場合、レーザ光の一部がウエハＷの周縁部にて遮られ、ウエハＷの周縁部に対応する位置にて距離センサ５１０による測定距離が異なって来るため、フォーク３Ａ，３Ｂ上のウエハＷの位置が検出できる。

以上において、フォーク３Ａ，３Ｂ上のウエハＷが検出部５により検出可能な範囲Ｌ２を超えている場合にも、ウエハＷを仮置きステージ７１に搬送し、ずれ量が許容範囲に収まるように、フォーク３Ａ，３Ｂの受け渡し位置を補正するようにしてもよい。また、仮置きモジュール７１にて、ウエハＷを受け取った後、フォーク３Ａ，３Ｂ上のウエハＷの位置の検出を行わずに、次モジュールにウエハＷを搬送するようにしてもよい。

さらに、次モジュールに搬送するときに、次モジュールの基準位置にウエハＷを受け渡すためのフォーク３Ａ，３Ｂの受け渡し位置の補正は必ずしも必要ではない。例えば許容範囲を小さく設定しておけば、フォーク３Ａ，３Ｂの受け渡し位置を補正しなくても、次モジュールの基準位置に近い位置にウエハＷを受け渡しできるからである。

このようにフォーク３Ａ，３Ｂの受け渡し位置の補正を行わない場合には、冷却プレート９４を例にして説明すると、ずれ量が許容範囲から外れたときには、図３１に示すように、ウエハＷが冷却プレート９４の基準位置から大きくずれて受け渡されることになる。このため、既述のように、ずれ量が許容範囲に収まるように、搬送アームＡ３が当該ウエハＷを仮置きモジュール７１に受け渡し、次いで受け取ることが行われる。この例では、ずれ量の許容範囲は、例えばモジュールの基板処理を良好に行うために許容される、当該モジュールの基準位置からのずれ量等を考慮して設定される。

以上において、ずれ量の許容範囲は全てのモジュールで共通としてもよいし、基板搬送機構で許容されているずれ量の許容範囲を基準にして設定してもよい。基板搬送機構の許容範囲は、例えば搬送中の基板の落下防止や、壁部等の部材への基板の衝突防止を考慮して設定されるものである。

さらに、保持部材にて基板を吸着保持する機構は静電容量を利用するものであってもよいし、このように保持部材に基板を吸着させて搬送させる構成であれば、吸着により保持部材からの基板の落下が抑えられるので、仮置きモジュールに搬送する際に、必ずしも基板搬送機構の動作速度を小さくする必要はない。さらにまた、仮置きモジュールに搬送するときに基板搬送機構の動作速度を小さくすることにより、基板の落下を抑える場合には、保持部材にて基板を吸着保持しなくてもよい。

以上において、仮置きモジュールの形状は上述の例に限らず、基準位置からずれた状態で、保持部材上にウエハＷが保持されているときであっても、当該保持部材やウエハＷが衝突せずに、当該仮置きモジュールに受け渡すことができる形状であればよい。また、この条件を満たす場合には、仮置きモジュールとして、スピンチャックや、アライメントガイド、受け渡しステージ、バッファ等を用いるようにしてもよい。

本発明の基板搬送機構は、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、搬送アームＡ１〜Ａ４、インターフェイスアームＦ及びシャトルアームＥの少なくとも一つに相当し、これらの基板搬送機構の全てに本発明を適用してもよいし、一部の基板搬送機構のみに本発明を適用するようにしてもよい。さらに、受け渡し手段Ｃと受け渡しアームＤ、搬送アームＡ１〜Ａ４とインターフェイスアームＦの組合わせのように、複数の基板搬送機構により共通の仮置きモジュールに基板を仮置きするようにしてもよい。

Ｗ 半導体ウエハ
Ｃ 受け渡し手段
Ａ１〜Ａ４ 搬送アーム
Ｄ 受け渡しアーム
Ｅ シャトルアーム
Ｆ インターフェイスアーム
３Ａ，３Ｂ フォーク
３０Ａ〜３０Ｄ 保持爪
５ 検出部
６ 制御部
６１ ずれ量検出プログラム
６２ 判定プログラム
６３ 補正プログラム
７１、７４〜７６ 仮置きモジュール

Claims (12)

1. 基板を保持し、水平方向に移動自在な保持部材を備え、基板を一のモジュールから他のモジュールに受け渡す基板搬送機構と、
   保持部材が一のモジュールから基板を受け取った後、他のモジュールに搬送する前に、保持部材上の基板の位置を検出する検出部と、
   前記検出部の検出結果に基づいて、保持部材上の基板の基準位置に対するずれ量を求める演算部と、
   前記基板搬送機構が、前記一のモジュールから受け取った基板を仮置きするための仮置きモジュールと、
   前記演算部にて得られたずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲に収まっているときには、基板搬送機構により基板を他のモジュールに搬送し、検出値が許容範囲から外れているときには、前記検出値が許容範囲に収まるように、基板搬送機構が当該基板を仮置きモジュールに受け渡し、次いで受け取るための制御信号を出力する制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記ずれ量の許容範囲は他のモジュール毎に設定されており、前記許容範囲を他のモジュールと対応付けて記憶する記憶部を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記検出部は基板搬送機構に設けられることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記検出部は、保持部材上の基板の周縁部の位置を、周方向に沿って互いに間隔を開けた３か所以上の位置で光学的に検出することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、少なくとも基板搬送機構が基板を仮置きモジュールから受け取るときに、前記ずれ量の検出値が前記ずれ量の許容範囲に収まるように、保持部材の受け渡し位置を補正することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記検出部は、保持部材が仮置きモジュールから基板を受け取った後、他のモジュールに搬送する前に再び保持部材上の基板の位置を検出し、
   前記制御部は、この検出結果に基づいて前記演算部にて得られたずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲に収まっているときには、基板搬送機構により基板を他のモジュールに搬送し、検出値が許容範囲から外れているときには、前記検出値が許容範囲に収まるように、基板搬送機構が当該基板を再び仮置きモジュールに受け渡し、次いで受け取るための制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記ずれ量は、保持部材上の基準位置にある基板の中心と、検出部の検出結果に基づいて取得した保持部材上の基板の中心とのずれ量であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 基板搬送機構により基板を仮置きモジュールに搬送するときには、基板を他のモジュールに搬送するときよりも基板搬送機構の動作速度を遅くすることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
9. 基板を保持し、水平方向に移動自在な保持部材を備えた基板搬送機構により、基板を一のモジュールから他のモジュールに搬送して処理を行う基板処理方法において、
   前記保持部材が一のモジュールから基板を受け取った後、他のモジュールに搬送する前に、保持部材上の基板の位置を検出する工程と、
   前記検出結果に基づいて、保持部材上の基板の基準位置に対するずれ量を求める工程と、
   前記ずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲に収まっているときには、基板搬送機構により基板を他のモジュールに搬送する工程と、
   前記ずれ量の検出値と、ずれ量の許容範囲とを比較し、検出値が許容範囲から外れているときには、前記検出値が許容範囲に収まるように、基板搬送機構が当該基板を仮置きモジュールに受け渡し、次いで受け取る工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
10. 前記ずれ量の許容範囲は他のモジュール毎に設定されており、前記許容範囲は他のモジュールと対応付けて記憶されていることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
11. 前記保持部材上の基板の位置を検出する検出部は基板搬送機構に設けられることを特徴とする請求項９又は１０記載の基板処理方法。
12. 基板搬送機構により基板を仮置きモジュールに搬送するときには、基板を他のモジュールに搬送するときよりも基板搬送機構の動作速度を遅くすることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理方法。

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