CN111025850A - 涂布显影装置和涂布显影方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在多个基板之间进行均匀性高的处理的涂布显影装置和涂布显影方法。该涂布显影装置构成为具备：处理块，其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域；处理模块，其分别设置于多个基板搬送区域；搬送机构，其分别设置于多个基板搬送区域，在搬送块与处理模块之间搬送基板；温度调整模块，其为了调整多个处理模块中的至少一个处理模块中的基板的温度，而调整向该一个处理模块搬送前的该基板的温度，被搬送机构进行温度调整后的该基板的搬出；温度传感器，其检测多个基板搬送区域中的至少一个基板搬送区域的气氛温度；以及温度变更机构，其基于由温度传感器检测出的所述气氛温度来变更温度调整模块中的基板的温度。

Description

涂布显影装置和涂布显影方法
技术领域
本公开涉及一种涂布显影装置和涂布显影方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中对作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)进行各种处理。作为处理，例如举出有在光刻工序中利用抗蚀剂的涂布和显影进行的抗蚀图案的形成。例如在专利文献1中记载了一种进行该抗蚀剂涂布和显影的基板处理装置。在该基板处理装置中，设置有对各处理部搬入搬出基板的基板搬送机构、以及向基板搬送机构的搬送区域供给被调整了温湿度的空气来形成下降流的空气调整单元。
专利文献1：日本特开2000-164670号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种在对基板进行处理时能够在多个基板间进行均匀性高的处理的技术。
用于解决问题的方案
本公开的涂布显影装置包括在基板上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成模块以及使曝光完毕的所述抗蚀膜显影的显影模块来作为对所述基板进行处理的处理模块，在该涂布显影装置中，具备：处理块，其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域；搬送块，其用于在保存所述基板的搬送容器与各所述基板搬送区域之间搬送该基板；所述处理模块，其分别设置于所述多个基板搬送区域；搬送机构，其分别设置于所述多个基板搬送区域，在所述搬送块与所述处理模块之间搬送所述基板；温度调整模块，其为了调整多个所述处理模块中的至少一个处理模块中的所述基板的温度，调整向该一个处理模块搬送前的基板的温度，被所述搬送机构进行温度调整后的该基板的搬出；温度传感器，其检测多个所述基板搬送区域中的至少一个基板搬送区域的气氛温度；以及温度变更机构，其基于由所述温度传感器检测出的所述气氛温度来变更所述温度调整模块中的所述基板的温度。
发明的效果
根据本公开，在对基板进行处理时能够在多个基板间进行均匀性高的处理。
附图说明
图1是作为本公开的一个实施方式的涂布显影装置的俯视图。
图2是所述涂布显影装置的立体图。
图3是所述涂布显影装置的纵剖侧视图。
图4是构成所述涂布显影装置的单位块的纵剖主视图。
图5是构成所述涂布显影装置的交接模块和温度调整模块的侧视图。
图6是表示所述单位块中的晶圆的搬送路径的说明图。
图7是表示在所述单位块中被搬送的晶圆的温度的经时变化的曲线图。
图8是表示在所述单位块中被搬送的晶圆的温度的经时变化的曲线图。
图9是用于表示晶圆的搬送控制的流程图。
图10是表示晶圆的搬送状态的说明图。
图11是表示晶圆的搬送状态的说明图。
图12是表示涂布显影装置的其它结构例的纵剖侧视图。
图13是表示评价试验的结果的曲线图。
图14是表示评价试验的结果的曲线图。
图15是表示评价试验的结果的曲线图。
图16是表示评价试验的结果的曲线图。
图17是表示评价试验的结果的曲线图。
具体实施方式
使用图1～图3来说明本公开的一个实施方式的作为基板处理装置之一的涂布显影装置1。图1、图2、图3分别为涂布显影装置1的俯视图、概要立体图、纵剖侧视图。涂布显影装置1设置于大气气氛的清洁室中，该涂布显影装置1通过将承载件块D1、上下搬送块D2、处理块D3、接口块D4按照这样的顺序以直线状连接而构成。将承载件块D1侧设为前方侧、将接口块D4侧设为后方侧。另外，在以后的说明中，在没有特别记载的情况下，左侧、右侧为从前方朝向后方观察时的左侧、右侧。接口块D4的后方与曝光机D5连接。承载件块D1和上下搬送块D2为前方块，接口块D4为后方块。而且，这些承载件块D1、上下搬送块D2和接口块D4构成为以被后述的各单位块共用的方式设置的、用于在承载件C与各单位块之间交接晶圆W的搬送块。
从涂布显影装置1的外部向承载件块D1搬送保存晶圆W的承载件C，该承载件块D1具备承载件C的载置台11、开闭部12、以及用于经由开闭部12从承载件C搬送晶圆W的搬送机构13。
在说明上下搬送块D2之前，对处理块D3进行说明。如图2、图3所示，处理块D3通过对晶圆W进行液处理和加热处理的单位块E1～E6从下起依次层叠而构成，单位块E1～E6被彼此划分开。单位块E1～E3构成为彼此相同，并且通过抗蚀剂的涂布处理形成抗蚀膜来作为液处理。单位块E4～E6构成为彼此相同，并且通过显影处理形成抗蚀图案来作为液处理。在各单位块E(E1～E6)中，彼此并行地进行晶圆W的搬送和处理。
还参照纵剖主视图的图4来说明单位块E1～E6中的代表性的单位块E3。单位块E3为在内部具备构成基板搬送区域的空间的扁平的矩形体，在左右的中央部形成有前后地呈直线状延伸的晶圆W的搬送路21来作为该基板搬送区域。图中22为搬送路21的顶部，形成为中空且下表面由ULPA过滤器构成。该顶部22经由未图示的管道与设置于处理块D3的上部的风机过滤单元(FFU)23连接(参照图2、图3)。FFU 23取得设置涂布显影装置1的清洁室内的空气并且供给至顶部22，将该空气从顶部22的下表面喷出而形成下降流，并且供给至与搬送路21相面对的后述的各处理模块。图中24为形成搬送路21的底部的底壁。
在单位块E3的右侧设置有抗蚀膜形成模块3，在单位块E3的左侧设置有加热模块4和对搬送路21的气氛进行排气的排气部40。抗蚀膜形成模块3和加热模块4为对晶圆W进行处理的处理模块。抗蚀膜形成模块3例如前后地设置有两个。加热模块4上下地层叠两个而构成层叠体，该加热模块4的层叠体前后地排列有六个。在该前后地并列的层叠体的下方设置有前后地呈细长的排气部40。
通过这些抗蚀膜形成模块3、加热模块4和排气部40来划分出搬送路21的左右的侧部。因而，抗蚀膜形成模块3和加热模块4设置为从搬送路21的左右方向与该搬送路21相面对。另外，通过像这样配置各处理模块、排气部40、顶部22和底壁24，将单位块E3的气氛与其它单位块的气氛划分开。单位块E3的气氛更具体地说为单位块E3的搬送路21和设置于单位块E3中的各处理模块中的气氛。
简单地对作为液处理模块的抗蚀膜形成模块3进行说明，图中31为壳体，该壳体具备向搬送路21开口的搬送口32。在壳体31内设置有分别对晶圆W进行处理的两个处理部33、被各处理部33共有的喷嘴34。处理部33具备吸附保持晶圆W的中央部的旋转卡盘35、包围被保持于旋转卡盘35的晶圆W的侧周的杯36、以及使旋转卡盘35旋转的旋转机构37。利用设置于杯36内的未图示的升降销在后述的搬送机构F3与旋转卡盘35之间交接晶圆W。上述的喷嘴34构成为移动自如，以能够向在各处理部33中旋转的晶圆W的中心部喷出抗蚀剂作为药液，在各处理部33中通过旋涂进行抗蚀膜的形成。
简单地对加热模块4进行说明，图中41为壳体，该壳体具备向搬送路21开口的搬送口42。在壳体41内设置有热板44以及冷却板43，该冷却板43具备被供给制冷剂的流路，并且通过该制冷剂的作用冷却所载置的晶圆W。通过搬送机构F3的升降动作来相对于冷却板43进行晶圆W的交接。图中45为冷却板43的移动机构，使冷却板43在壳体41内的靠前侧(搬送口42侧)与配置于壳体41内的里侧的上述的热板44的上方区域之间移动。热板44具备用于与移动至其上方区域的冷却板43之间交接晶圆W的未图示的升降销，并且对所载置的晶圆W进行加热。因而，在加热模块4内按照冷却板43、热板44、冷却板43的顺序交接晶圆W，在热处理的前后调整晶圆W的温度。设置于该单位块E3中的加热模块4为用于对抗蚀膜进行PAB(Pre Applied Bake：预烘烤)的模块。
在单位块E3的上述的搬送路21中设置有搬送机构F3。该搬送机构F3具备在搬送路21中前后移动自如、升降自如、且绕垂直轴转动自如的基台25、以及在该基台25上能够彼此独立且进退自如地分别支承晶圆W的两个基板支承部20。利用该两个基板支承部20在设置于单位块E3中的模块与设置于后述的塔T1、T2中的模块之间顺序地进行晶圆W的搬送。具体地说，利用没有保持晶圆W的一个基板支承部20相对于一个模块接收晶圆W。而且，将其它基板支承部20所保持的晶圆W搬送至晶圆W被接收而能够被搬送晶圆W的一个模块。也就是说，以在各模块中更换晶圆W的方式进行搬送。基台25在各模块间、准确地说是在各模块的正面的用于交接晶圆W的交接位置间移动，以能够利用基板支承部20进行这样的更换。
另外，在搬送路21中，在顶部22的正下方的不妨碍晶圆W的搬送的位置设置有用于检测该搬送路21的温度的温度传感器26。该温度传感器26例如在搬送路21中前后隔开间隔地例如设置有两个。温度传感器26将与检测温度对应的检测信号发送至后述的控制部50。
以下对E3以外的单位块进行说明。关于单位块E1、E2，在该例中没有设置温度传感器26。除了这样的差异以外，单位块E1、E2与单位块E3同样地构成。也就是说，各单位块E1～E3具备抗蚀膜形成模块3作为一个处理模块，作为相同种类的处理进行抗蚀膜的形成。另外，单位块E1～E3中的一个单位块相当于第一基板搬送区域，另一个单位块相当于第二基板搬送区域。
另外，关于单位块E4～E6，以与单位块E3之间的差异点为中心进行说明，例如作为液处理模块，设置有显影模块来代替抗蚀膜形成模块3。关于该显影模块，除了代替抗蚀剂从喷嘴34供给显影液来作为药液以外，是与抗蚀膜形成模块3相同的结构。另外，单位块E4～E6的加热模块4为用于在曝光后对显影前的晶圆W进行加热(PEB：Post Exposure Bake：曝光后烘烤)的模块。关于单位块E4～E6，在该例中没有设置温度传感器26。
像这样，各单位块E1、E2、E4～E6为与单位块E3大概相同的结构，因而，各单位块E的气氛被彼此划分开。此外，将设置于单位块E1、E2、E4、E5、E6中的、相当于搬送机构F3的搬送机构分别设为F1、F2、F4、F5、F6(参照图3)。
接着，对上下搬送块D2进行说明。该上下搬送块D2具备以跨单位块E1～E6的方式上下地延伸的塔T1。塔T1位于上述的各单位块E(E1～E6)的搬送路21的前方，该塔T1通过层叠多个模块而构成。另外，在塔T1的左侧设置有构成为升降自如以能够在设置于塔T1中的各模块间交接晶圆W的搬送机构27(参照图1)。
作为设置于上述的塔T1中的模块，包括交接模块TRS和温度调整模块SCPL。交接模块TRS设置在与单位块E1～E6对应的各高度。即，在设置于单位块E1～E6中的搬送机构F1～F6分别能够进行晶圆W的交接的高度设置有交接模块TRS，将像这样分别与单位块E1～E6对应的高度的交接模块表示为TRS1～TRS6(参照图3)。另外，作为设置于塔T1中的交接模块TRS，存在设置于承载件块D1的搬送机构13能够访问的高度以用于相对于该承载件块D1进行交接的交接模块TRS，表示为TRS0。而且，上述的温度调整模块SCPL设置于与单位块E1～E3对应的各高度，即设置于搬送机构F1～F3分别能够进行晶圆W的交接的高度，将与这些单位块E1～E3的各单位块对应的高度处的温度调整模块表示为SCPL1～SCPL3(参照图3)。在彼此对应的高度处的交接模块、温度调整模块与单位块之间进行晶圆W的搬送。
图5示出与单位块E3对应的交接模块TRS3和温度调整模块SCPL3。在图3中只显示了一个交接模块TRS3，但如该图5所示的那样，上下地设置有多个交接模块TRS3。此外，关于TRS1等其它交接模块也与该TRS3同样地设置有多个。交接模块TRS3具备横向分散配置于水平板51上的多个垂直的销52，在该销52上载置晶圆W。
温度调整模块SCPL3具备载置晶圆W的板53，该板53被设为通过搬送机构F3的升降动作进行晶圆W的交接的形状。该板53与流通水等制冷剂的配管54连接。该配管54的一端和另一端例如被向上下搬送块D2的外侧引出后与冷却器55连接，通过该冷却器55和配管54形成制冷剂的循环路。冷却器55具备向配管54的一端侧送出制冷剂以使该制冷剂在上述的循环路中循环的泵，并且该冷却器55构成为能够调整像这样被送出的制冷剂的温度。该被送出的制冷剂的温度能够变更为期望的温度，将板53和载置于该板53的晶圆W的温度调整为像这样从冷却器55送出的制冷剂的温度。在该例中，冷却器55被温度调整模块SCPL1～SCPL3共用。因而，通过温度调整模块SCPL1～SCPL3将晶圆W调整为相同的温度。
接着，对接口块D4进行说明。该接口块D4具备以跨单位块E1～E6的方式上下地延伸的塔T2～T4。塔T2位于上述的各单位块E(E1～E6)的搬送路21的后方，该塔T2通过层叠多个模块而构成。作为构成该塔T2的模块，与塔T1同样地在与单位块E1～E6对应的高度包括交接模块TRS，表示为TRS11～TRS16。该交接模块TRS11～TRS16也与交接模块TRS1～TRS6同样地构成，各设置有多个，但在图3中，与交接模块TRS1～TRS6同样地分别各只示出一个。
塔T3、T4分别设置于塔T2的右侧、左侧。在塔T3、T4中例如包括在曝光后清洗晶圆W的清洗模块、使晶圆W待机的缓冲模块等，但省略图示。另外，在接口块D4中具备相对于各塔T2～T4搬送晶圆W的搬送机构14～16。搬送机构14为用于相对于塔T2和塔T3进行晶圆W的交接的升降自如的搬送机构，搬送机构15为用于相对于塔T2和塔T4进行晶圆W的交接的升降自如的搬送机构。搬送机构16为用于在塔T2与曝光机D5之间进行晶圆W的交接的搬送机构。
接着，对图1所示的控制部50进行说明。该控制部50为计算机，被安装保存于光盘、硬盘、存储卡和DVD等存储介质中的程序。在程序中编入有命令(各步骤)，以通过所安装的程序向涂布显影装置1的各部输出控制信号。而且，通过该控制信号，控制由各搬送机构进行的晶圆W的搬送、由各处理模块进行的晶圆W的处理、由温度调整模块SCPL1～SCPL3调整的晶圆W的温度。另外，在控制部50中设置有用于存储后述的由温度调整模块SCPL1～SCPL3进行温度控制所需的数据的存储部。
图6是表示上述的涂布显影装置1的作用的概要的说明图，通过白底的箭头表示向单位块E3搬送的晶圆W的搬送路径。从承载件C搬出的晶圆W被搬送至交接模块TRS3，之后通过搬送机构F3被搬送至温度调整模块SCPL3中进行温度调整。之后，利用搬送机构F3将该晶圆W经由单位块E3的搬送路21直接搬送至抗蚀膜形成模块3中。也就是说，不用载置于其它模块地搬送至抗蚀膜形成模块3。此处所说的模块为搬送机构以外的载置晶圆W的场所。
在抗蚀膜形成模块3中，如已述的那样通过旋涂形成抗蚀膜，但根据晶圆W的温度不同而抗蚀剂的流动性变动，导致形成的抗蚀膜的膜厚度也变动。也就是说，进行由上述的温度调整模块SCPL3进行的温度调整，以形成期望的膜厚度的抗蚀膜。对代表性的单位块E3进行了说明，但单位块E1、E2也与单位块E3同样地将通过温度调整模块SCPL1、SCPL2分别进行了温度调整后的晶圆W直接搬送至抗蚀膜形成模块3。
但是，有时由于工厂电源的变动等原因，设置涂布显影装置1的清洁室的温度变动。如上述的那样向各单位块E中供给清洁室的大气，因此有可能由于清洁室的温度像这样变动而单位块E1～E3中的气氛温度发生变动。图7的曲线图表示清洁室的温度像这样变动的情况下的、从温度调整模块SCPL3搬送至抗蚀膜形成模块3的多个晶圆W的各晶圆W的温度推移的概要。此外，该图7是设为不进行后述的基于由温度传感器26得到的检测温度的温度调整模块SCPL3的温度调整的曲线图，并且分别在横轴设定时间、在纵轴设定晶圆W的温度。如上述的那样，单位块E3的温度变动，在该图7的曲线图中，由实线表示单位块E3的气氛温度为设定温度时的晶圆W的温度推移。而且，分别由一点划线表示该气氛温度比设定温度高的情况下的晶圆W的温度推移，由两点划线表示该气氛温度比设定温度低的情况下的晶圆W的温度推移。
在曲线图中的时刻t1至时刻t2的期间中，将晶圆W载置于温度调整模块SCPL3中，在时刻t2之后且时刻t3之前在搬送路21中搬送该晶圆W，在时刻t3将该晶圆W搬入抗蚀膜形成模块3。在时刻t3之后，在该抗蚀膜形成模块3中接收处理。在时刻t2之前，各晶圆W的温度被调节为温度调整模块SCPL3的温度，因此与单位块E3的气氛温度无关而如曲线图所示的那样，彼此相等。但是，在时刻t2以后即在晶圆W的搬送过程中，受到单位块E3的气氛温度的影响，各晶圆W的温度产生差异，随着时间的经过，晶圆W间的温度差变大。结果是，每个晶圆W的、向抗蚀膜形成模块3搬入的时刻t3的温度出现偏差，在该温度的偏差未被消除的状态下对各晶圆W进行处理。因而，有可能导致抗蚀膜的膜厚度在晶圆W间出现偏差。
此外，作为单位块E1～E3的温度变动的原因，不限于已述的清洁室的温度变动。例如还考虑由于工厂电源的变动导致的单位块E1～E3内的构成加热模块4的热板44的温度变动、设置于涂布显影装置1的外部的装置的发热的影响等。
上述的涂布显影装置1构成为能够应对这样的问题。在涂布显影装置1中如上述的那样基于从设置于单位块E3中的温度传感器26输出至控制部50的检测信号来控制从冷却器55供给的制冷剂(在图6中由实线的箭头表示)的冷却温度。此外，在图6中，分别由一点划线的箭头表示该检测信号，由两点划线表示从控制部50输出至冷却器55的用于温度控制的控制信号。即，在涂布显影装置1中，基于温度传感器26的检测温度来对温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度(＝温度调整模块SCPL1～SCPL3中的晶圆W的温度)进行反馈控制。冷却器55和控制部50构成为对温度调整模块SCPL1～SCPL3的晶圆W的温度进行变更的温度变更机构。
具体地说，控制为由温度传感器26得到的检测温度越高则使温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度越低，反之，由温度传感器26得到的检测温度越低则使温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度越高。为了能够进行这样的温度控制，在控制部50的存储部中存储有由温度传感器26得到的检测温度与温度调整模块SCPL之间的对应关系的数据，基于该对应关系进行控制。此外，关于温度传感器26，在上述的例子中在单位块E3设置有多个，因此例如将由这些温度传感器26检测的温度的平均值作为检测温度来进行处置。
在图8的曲线图中，与图7的曲线图同样地示出像这样基于检测温度控制温度调整模块SCPL3的温度的情况下的晶圆W的温度推移。因而，曲线图中实线、一点划线、两点划线分别表示单位块E3的气氛为设定温度时、比设定温度高时、比设定温度低时的晶圆W的温度推移。通过如上述的那样根据单位块E3的气氛温度将温度调整模块SCPL3调整为不同的温度，每个晶圆W的从时刻t1至时刻t2为止的温度不同。因而，在从温度调整模块SCPL3搬出的时刻t2，晶圆W的温度按照气氛温度比设定温度低的情况、气氛温度为设定温度的情况、气氛温度比设定温度高的情况的顺序依次变低。
而且，在气氛温度比设定温度高的情况下，相比于气氛温度为设定温度的情况，从上述的时刻t2至时刻t3(向抗蚀膜形成模块3搬入时)为止的晶圆W的温度的上升量大。另一方面，在气氛温度比设定温度低的情况下，相比于气氛温度为设定温度的情况，从时刻t2至时刻t3为止的晶圆W的温度的上升量小。因而，能够抑制时刻t3的各晶圆W的温度的偏差，结果是，能够抑制形成于各晶圆W的抗蚀膜的膜厚度的偏差。此外，不论是上述的清洁室的温度变动为在一日内变动数℃这样的短期间中的变动，还是在数月中变动数℃这样的长期间的变动，通过这样的控制均能够抑制该时刻t3的晶圆W的温度的偏差。
如上述的那样单位块E1～E3以同样的结构对晶圆W进行相同的处理。因此，在该例中，视为各单位块E1～E3的各气氛温度相同或大致相同，只在单位块E1～E3中的E3中设置温度传感器26，将温度调整模块SCPL1～SCPL3控制为相同的温度。
并且，在涂布显影装置1中，以使晶圆W间的从温度调整模块SCPL1～SCPL3向抗蚀膜形成模块3搬送的时间彼此一致的方式来控制搬送机构F1～F3的动作。通过进行这样的搬送控制，更可靠地抑制向抗蚀膜形成模块3搬入时的温度的偏差。对搬送机构F1～F3进行同样的搬送控制，作为代表，参照图9来说明利用搬送机构F3的搬送控制。另外，还适当地参照表示晶圆W的搬送状态的图10、图11。
在该图9的时序图中，分别示出温度调整模块SCPL3、搬送机构F3、抗蚀膜形成模块3的状态。更详细地说，分别由横长的柱来表示温度调整模块SCPL3的载置晶圆W的期间、搬送机构F3中进行动作的期间(非待机状态的期间)、抗蚀膜形成模块3的进行处理的期间。在该搬送控制中，晶圆W在温度调整完成后也载置于温度调整模块SCPL3。关于温度调整模块SCPL3的柱，对相当于温度调整完成且载置有晶圆W的期间的部位标注阴影，与相当于温度调整未完成的期间的部位进行区别。另外，关于搬送机构F3的柱，对相当于构成该搬送机构F3的基台25在模块间移动的期间的部位标注阴影，与相当于该基台25的移动完成且相对于已述的模块进行晶圆W更换的期间的部位进行区别。另外，在说明该搬送控制时，对于从温度调整模块SCPL3连续搬送至单位块E3的两个抗蚀膜形成模块3中的一个抗蚀膜形成模块3的三个晶圆W，从先搬送的晶圆W起依次设为晶圆W1、W2、W3来进行说明。
在图中的时刻s1，通过抗蚀膜形成模块3进行晶圆W1(先行的基板)的处理，并且在温度调整模块SCPL3中进行晶圆W2(后续的基板)的温度调整。如图8所说明的那样，晶圆W2在完成调整为与单位块E3的气氛温度对应的温度(时刻s2)后接着在该温度调整模块SCPL3中进行待机。另一方面，关于搬送机构F3，呈从交接模块TRS3接收晶圆W3并在单位块E3的搬送路21中的规定的位置处待机的状态。
接下来，当从将晶圆W1搬送至抗蚀膜形成模块3起经过规定的时间时，搬送机构F3的基台25开始向相对于温度调整模块SCPL3的交接位置移动(时刻s3)。此时，通过该抗蚀膜形成模块3进行的晶圆W1的处理没有完成，不可搬出晶圆W1。然后，当基台25向上述的交接位置的移动完成时(时刻s4、图10)，通过基台25的升降动作和基板支承部20的进退动作的协作，搬送机构F3进行从温度调整模块SCPL3接收晶圆W2并将晶圆W3载置于温度调整模块SCPL3的更换。
当完成该更换时，基台25开始向相对于抗蚀膜形成模块3的交接位置移动(时刻s5)。基台25到达该交接位置，并且抗蚀膜形成模块3中的晶圆W1的处理完成，能够搬出该晶圆W1。像这样，与能够搬出晶圆W1同时地开始利用搬送机构F3进行晶圆W1、W2的更换(时刻s6、图11)，搬送机构F3接收晶圆W1，将晶圆W2搬出至抗蚀膜形成模块3中(时刻s7)。然后，通过抗蚀膜形成模块3开始晶圆W2的处理。关于晶圆W2以外的晶圆W，也与该晶圆W2同样地被从温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块3搬送。
像这样，在上述的搬送控制中，基于抗蚀膜形成模块3中的晶圆W处理的经过时间来决定从温度调整模块SCPL3搬出晶圆W的定时。而且，与在抗蚀膜形成模块3中结束晶圆W处理同时地利用搬送机构F3进行相对于抗蚀膜形成模块3的交接。因而，关于保持由温度调整模块SCPL3进行温度调整后的晶圆W的搬送机构F3，无需使其在将该晶圆W搬入抗蚀膜形成模块3之前的期间，由于抗蚀膜形成模块3正在处理其它晶圆W而待机。即，在图9的图中，各晶圆W间的、从相对于温度调整模块SCPL3进行晶圆W的交接的时刻s4起至相对于抗蚀膜形成模块3进行晶圆W的交接的时刻s6为止的时间一致。因而，如已述的那样，晶圆W间的从温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块3搬送的时间彼此一致。
此外，从温度调整模块SCPL3搬出晶圆W2的定时不限于通过该图9所说明的例子。例如，也可以是，在通过抗蚀膜形成模块完成晶圆W1的处理后从温度调整模块SCPL3搬出晶圆W2。即使这样，在将晶圆W2搬送至抗蚀膜形成模块3时，也无需因为抗蚀膜形成模块3正在处理晶圆W1而待机。因而，能够使晶圆W间的从温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块3的搬送时间一致。但是，为了得到更高的生产率，优选如图9所说明的那样，与通过抗蚀膜形成模块3进行的晶圆W1的处理并行地进行从温度调整模块SCPL3接收晶圆W以及向抗蚀膜形成模块3搬送该晶圆W。此外，也可以是，使搬送机构F3访问温度调整模块SCPL3的定时相比于图9的例子稍微延迟，搬送机构F3在晶圆W1的处理完成的定时稍后进行访问，以将晶圆W2搬入抗蚀膜形成模块3。
接着，对涂布显影装置1整体的晶圆W的搬送路径进行说明。利用搬送机构13将晶圆W从承载件C搬送至处理块D3中的塔T1的交接模块TRS0。利用搬送机构13将晶圆W从该交接模块TRS0分配至交接模块TRS1～TRS3。然后，利用搬送机构F1～F3将该晶圆W从交接模块TRS1～TRS3搬送至交接模块SCPL1～SCPL3中进行温度调整。之后，如图6所说明的那样，利用搬送机构F1～F3将晶圆W搬送至抗蚀膜形成模块3中形成抗蚀膜，进一步搬送至各单位块E1～E3的加热模块4中进行加热处理(PAB)。将加热处理后的晶圆W搬送至接口块D4的塔T2的交接模块TRS11～TRS13。之后，利用搬送机构14、16将这些交接模块TRS11～TRS13的晶圆W经由塔T3的模块向曝光机D5搬送，按规定的图案曝光抗蚀膜。
利用搬送机构15、16将曝光后的晶圆W经由塔T4的模块搬送至塔T2的交接模块TRS14～TRS16。然后，利用搬送机构F4～F6将该晶圆W从交接模块TRS14～TRS16搬送至单位块E4～E6的加热模块4中进行加热处理(PEB)。之后，将该晶圆W搬送至显影模块，接受显影处理来形成抗蚀图案。将抗蚀图案形成后的晶圆W搬送至塔T1的交接模块TRS4～TRS6，之后经由搬送机构13返回承载件C。
根据该涂布显影装置1，如上述的那样基于单位块E3的气氛温度来变更与单位块E1～E3对应地设置的温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度。由此，抑制搬入抗蚀膜形成模块3时的各晶圆W的温度相对于期望的温度发生变动。因而，能够在各晶圆W中以均匀性高的膜厚度形成抗蚀膜。
另外，为了避免说明的复杂化，在上述的涂布显影装置1中，比较少地示出了设置于各单位块E1～E6的处理模块的种类，但在涂布显影装置1中除了已述的处理模块以外还能够设置各种处理模块。例如，也可以设置在抗蚀膜形成后且向曝光机D5搬入前使晶圆W的周缘部曝光的周缘部曝光模块、在向曝光机D5搬入前向晶圆W的背面供给清洗液以及利用刷子进行擦拭来进行清洗的背面清洗模块。另外，也可以设置通过旋转涂布药液来在抗蚀膜的下层或上层形成防反射膜的防反射膜模块，还可以设置获取用于进行形成有抗蚀图案的晶圆W的表面异常判定的图像的检查模块。
关于上述的周缘部曝光模块，例如能够代替已述的那样在各单位块E1～E3中设置多个的PAB用的加热模块4中的一个来进行设置。关于上述的背面清洗模块和防反射膜形成模块，例如能够代替在各单位块E1～E3中设置多个的抗蚀膜形成模块3中的一个来进行设置。关于检查模块，例如能够代替在各单位块E4～E6中设置多个的PEB用的加热模块4中的一个来进行设置。
而且，关于向已述的抗蚀膜形成模块3以外的各处理模块搬入时的晶圆W的温度，能够与向抗蚀膜形成模块3搬入晶圆W的情况同样地进行控制。也就是说，将晶圆W载置于基于由温度传感器26得到的检测温度来控制温度的温度调整模块SCPL来进行温度调整，将温度调整完毕的晶圆W直接搬送至与该温度调整模块SCPL对应的单位块的处理模块中。由此，能够控制向处理模块搬入时的晶圆W的温度。
因而，不限于设置与单位块E1～E3的高度对应的温度调整模块SCPL，能够设置与单位块E4～E6的高度对应的温度调整模块SCPL。而且，能够控制向单位块E4～E6的各处理模块搬入时的晶圆W的温度。在图12所示的涂布显影装置1中，除了上述的温度调整模块SCPL1～SCPL3以外，在塔T2中设置分别与单位块E4～E6对应的温度调整模块，将这些温度调整模块表示为SCPL4～SCPL6。因而，在该例中，针对每个单位块E设置有温度调整模块。如后述的那样被从该单位块E4～E6直接搬送晶圆W的显影模块、PEB用的加热模块4等相当于单位块E4～E6的一个处理模块。
在该图12的涂布显影装置1中，与温度调整模块SCPL1～SCPL3连接的冷却器55相独立地设置有与温度调整模块SCPL4～SCPL6连接的冷却器56。另外，在单位块E6中与单位块E3同样地设置有温度传感器26，基于该单位块E6的温度传感器26的检测温度来控制冷却器56。因而，在图12的涂布显影装置1中，构成为彼此独立地控制温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度和温度调整模块SCPL4～SCPL6的温度。
在此，对从温度调整模块向抗蚀膜形成模块3以外的各处理模块直接搬送晶圆W并控制向该处理模块搬入时的温度时的效果进行说明。首先，对从温度调整模块SCPL1～SCPL3向单位块E1～E3的PAB用的加热模块4直接搬送晶圆W的情况进行叙述。在该情况下，预计在晶圆W间搬入该加热模块4的各晶圆W的温度一致，各晶圆W同样地被加热处理，能够提高各晶圆W间的膜厚度的均匀性。
另外，对从温度调整模块SCPL1～SCPL3向单位块E1～E3的周缘曝光模块直接搬送晶圆W的情况进行说明。在通过周缘部曝光模块对晶圆W的周缘部进行曝光时，当该晶圆W的温度偏离设定值时，有可能成为该周缘曝光模块中的曝光不正常地进行而在显影时在晶圆W附着有抗蚀剂的残渣的状态。但是，预计通过将各晶圆W在进行了温度控制的状态下向周缘曝光模块搬入能够抑制各晶圆W中的该残渣的附着。
另外，在从温度调整模块SCPL1～SCPL3向单位块E1～E3的背面清洗模块直接搬送晶圆W的情况下，预计能够抑制供给至各晶圆W的清洗液的作用的下降。因而，可靠地去除各晶圆W的背面的异物，能够期待减少由于异物引起的缺陷。而且，在从温度调整模块SCPL1～SCPL3向单位块E1～E3的防反射膜形成模块直接搬送晶圆W的情况下，与形成抗蚀膜的情况同样地能够提高晶圆W间的膜厚度的均匀性。
并且，在从温度调整模块SCPL4～SCPL6向单位块E4～E6的显影模块直接搬送晶圆W的情况下，显影液与抗蚀膜的反应在晶圆W间一致。因而，能够提高晶圆W间的抗蚀图案的CD(Critical Dimension：关键尺寸)的均匀性，并且能够减少显影缺陷的产生。另外，在将由温度调整模块SCPL4～SCPL6进行了温度调整后的晶圆W直接搬送至单位块E4～E6的PEB用的加热模块4的情况下，在晶圆W间均匀性高地进行加热处理，加热引起的抗蚀膜的反应一致。因而，能够提高晶圆W间的抗蚀图案的CD的均匀性。
另外，在从温度调整模块SCPL4～SCPL6向单位块E4～E6的检查模块直接搬送晶圆W的情况下，能够使各晶圆W间的摄像时的温度一致。通过像这样使摄像时的晶圆W的温度一致，抑制由于该温度的偏差引起的、由该检查模块获取的图像的色调变化。因而，能够实现对各晶圆W的异常检测灵敏度的提高。此外，作为晶圆W的处理，也包括像这样对晶圆W进行检查，该检查模块包括在处理模块中。
另外，在一个单位块中，被从温度调整模块SCPL直接搬送晶圆W的处理模块可以为一种，也可以为多种。即，关于单位块E3，示出了从温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块3搬送晶圆W的例子，但也可以从温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块3和PAB用的加热模块4的各模块搬送晶圆W。在该情况下，利用搬送机构F3从温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块3搬送晶圆W，利用搬送机构F3将该晶圆W再次向温度调整模块SCPL3搬送。之后，利用搬送机构F3将该晶圆W从温度调整模块SCPL3向PAB用的加热模块4搬送即可。在像这样进行搬送的情况下，对要向抗蚀膜形成模块3搬送的晶圆W进行温度调整的温度调整模块SCPL3可以与对要向加热模块4搬送的晶圆W进行温度调整的温度调整模块SCPL3相同，也可以单独地进行设置。
此外，说明了对向单位块E搬送的晶圆W进行温度调整，但例如也可以从温度调整模块SCPL1～SCPL6直接向曝光机D5搬送晶圆W，使各晶圆W间的向曝光机D5搬入时的温度一致。认为通过像这样使温度一致，基于曝光的抗蚀剂的反应在晶圆W间一致，曝光精度变高。因而，认为在对晶圆W反复进行光刻和蚀刻时，覆盖即各曝光时的曝光区域重叠的精度提高。
另外，在单位块E1～E6中，例如由于分别从处理模块放出的热的影响而而有时气氛的温度互不相同。如上述的那样，单位块E1～E3和单位块E4～E6为对晶圆W进行彼此不同的处理的单位块，因此认为像那样成为彼此不同的温度。因此，如图12的涂布显影装置1所示那样在单位块E3、E6分别设置温度传感器26，基于由各温度传感器26得到的检测温度来分别独立地控制温度调整模块SCPL1～SCPL3、SCPL4～SCPL6。由此，能够分别高精度地控制向设置于单位块E1～E3中的规定的处理模块搬入时的晶圆W的温度、向设置于单位块E4～E6中的规定的处理模块搬入时的晶圆W的温度，能够更可靠地抑制晶圆W间的处理状态的偏差。
但是，在像这样设置温度调整模块SCPL1～SCPL6时，不限于上述那样按与处理种类不同的单位块对应的SCPL进行温度控制。也就是说，也可以利用冷却器55对温度调整模块SCPL1～SCPL6统一地进行温度控制，将温度调整模块SCPL1～SCPL6控制为相同的温度。在该情况下，例如能够计算单位块E3、E6的温度传感器26的检测温度的平均值，基于该平均值控制温度调整模块SCPL1～SCPL6的温度。在这样的情况下，也能够抑制由于气氛温度使得处理模块搬入时的晶圆W的温度相比于设定温度大幅度变动，能够抑制晶圆W间的处理状态的偏差。
另外，在上述的例子中，也可以在各个单位块E1～E6中设置温度传感器26，基于各温度传感器26的检测温度来控制温度调整模块SCPL1～SCPL6的温度。在该情况下，可以利用一个冷却器将温度调整模块SCPL1～SCPL6的各温度控制为相同的温度，也可以利用多个冷却器独立地进行控制而控制为不同的温度。
并且，在如上述的那样设置冷却器55、56来分别独立地控制温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度、SCPL4～SCPL6的温度的情况下，在单位块E1～E6中的一个例如单位块E3中配置温度传感器26。基于该温度传感器26的检测温度来控制温度调整模块SCPL1～SCPL3的温度。而且，可以基于温度传感器26的检测温度对温度调整模块SCPL4～SCPL6的温度也进行控制，使其成为例如相比于CPL1～SCPL3的温度偏离了规定的量的温度。例如，在单位块E4～E6(E1～E3)的气氛的温度也根据单位块E1～E3(E4～E6)的气氛的温度变动的情况下，像这样控制各温度调整模块SCPL的温度是有效的。
关于设置温度传感器26的位置，为能够检测单位块E的气氛温度并且不妨碍晶圆W的搬送的位置即可。但是，考虑在相同的单位块内也会由于各加热模块4的布局而使得气氛的温度出现偏差。虽然像这样温度出现偏差，但是如上述的那样晶圆W通过搬送路21而被搬送至处理模块中，因此认为该晶圆W的温度受搬送路21的温度的影响大。因此，认为优选如已述的各例那样在该搬送路21中设置温度传感器26，以更可靠地使向处理模块搬入时的各晶圆W的温度一致。但是，在单位块E中沿着搬送路21设置各处理模块，因此也可以在处理模块内的该搬送路21的附近设置温度传感器26。作为一例，可以在加热模块4的壳体41内的搬送口42附近设置温度传感器26。并且，例如也可以在想要控制搬入时的晶圆W的温度的处理模块内设置温度传感器26。
此外，在从上述的温度调整模块SCPL3向抗蚀膜形成模块4和PAB用的加热模块4的各模块直接搬送晶圆W且调整搬入时的温度的情况下，在向任一处理模块的搬送时，晶圆W均通过搬送路21。即，通过在被多种处理模块共用的搬送路21中配置温度传感器26，预计能够高精度地控制搬入这些各处理模块时的晶圆W的温度，因此是有利的。
另外，如已述的那样，单位块E的搬送机构F能够从温度调整模块SCPL将晶圆W搬送至想要控制搬入时的晶圆W的温度的处理模块中即可，因此不限于将温度调整模块SCPL设置于已述的位置。例如可以在单位块E中设置温度调整模块SCPL来代替多个加热模块4中的一个。另外，也可以在塔T2中设置温度调整模块SCPL1～SCPL3，在塔T1中设置温度调整模块SCPL4～SCPL6。
作为单位块，不限于如上述的那样各设置三个相同的单位块的结构，例如也可以是各设置两个相同的单位块的结构。另外，也可以设为如下的装置结构：像这样基于温度传感器26的检测温度来进行温度调整模块SCPL1～SCPL6的温度控制，并且控制如后述的评价试验所述的那样的供给至各单位块E1～E6的气体的温度和湿度。
此外，作为本公开的基板处理装置，不限于涂布显影装置1，例如在向晶圆W供给清洗液来进行清洗的清洗装置这样的涂布显影装置以外的基板处理装置中也能够应用本公开的技术。另外，在设为在上述的涂布显影装置1中没有设置接口块D3、并且不进行显影处理而通过各单位块E进行涂布膜的形成的结构的涂布装置中也可以应用本公开的技术。并且，关于基板处理装置，也可以是以下结构：作为设置处理模块的处理块，不分割为各单位块，即没有进行上下分割。关于处理模块也同样，已述的处理是一个例子，例如也可以设置涂布用于形成绝缘膜的药液的处理模块、涂布贴合晶圆W的粘接剂的处理模块。另外，关于温度调整模块SCPL，不限于利用冷却器进行冷却的结构，例如也可以设为在构成该温度调整模块SCPL的板53设置帕尔贴元件由此控制该板53的温度的结构。
此外，应该认为本次公开的实施方式的全部的点均是例示性的，而非限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
(评价试验)
以下对与本公开的技术有关的评价试验进行说明。在该评价试验中使用彼此不同的结构的涂布显影装置对晶圆W进行处理。该装置之一为已述的涂布显影装置1，基于温度传感器26的检测温度来控制温度调整模块SCPL1～SCPL6的温度。另外，作为其它装置，使用除了不设置温度传感器26且不进行基于单位块E的气氛温度的温度调整模块SCPL的温度控制以外与涂布显影装置1同样地构成的装置，将该装置记载为第一比较例的装置。并且，作为其它装置，使用单位块E1～E6、上下搬送块D2和接口块D4分别经由管道与气体供给机构连接的装置，将该装置记载为第二比较例的装置。该第二比较例的装置也与第一比较例的装置同样地不设置温度传感器26，不进行基于单位块E的气氛温度的温度调整模块SCPL的温度控制。该第二比较例的装置中的气体供给机构构成为能够取得清洁室的大气，将该大气的温度、湿度分别调整为规定的温度、规定的湿度并经由上述的管道供给至各块。
评价试验1
在评价试验1中，在已述的各涂布显影装置内，在被从温度调整模块SCPL直接搬送晶圆W的特定的处理模块中，测量搬入该处理模块时的多张晶圆W的温度。而且，对测量出的多张晶圆W的温度计算最大值-最小值作为偏差。另外，关于测量了该温度的晶圆W，在形成抗蚀图案后，计算该抗蚀图案的CD的最大值-最小值作为CD的偏差。
将使用第一比较例的涂布显影装置并且在设置该涂布显影装置的清洁室的温度固定的环境下进行的上述的评价试验1设为评价试验1-1。将使用第一比较例的涂布显影装置并且在上述的清洁室的温度变动2℃的环境、即该清洁室的温度的最大值-最小值＝2℃的环境下进行的评价试验1设为评价试验1-2。将使用第二比较例的涂布显影装置并且在上述的清洁室的温度变动2℃的环境下进行的评价试验1设为评价试验1-3。将使用涂布显影装置1并且在上述的清洁室的温度变动2℃的环境下进行的上述的评价试验1设为评价试验1-4。
图13、图14示出评价试验1-1～1-4的结果。图13的柱状图示出向上述的处理模块搬入时的晶圆W温度的偏差(单位：℃)，图14的柱状图示出上述的CD的偏差(单位：nm)。关于晶圆W的温度的偏差，在评价试验1-1、评价试验1-2、评价试验1-3、评价试验1-4中分别为0.56℃、1.52℃、0.35℃、0.29℃。关于CD的偏差，在评价试验1-1、评价试验1-2、评价试验1-3、评价试验1-4中分别为0.800nm、0.8666nm、0.786nm、0.782nm。
根据评价试验1-1、1-2的结果可知：受到清洁室的温度变动的影响，处理模块搬入时的晶圆W的温度的变动大，抗蚀图案的CD也变动。而且，关于晶圆W的温度的偏差、CD的偏差，在评价试验1-1～1-4中均是利用涂布显影装置1的评价试验1-4中的偏差最小。因而，确认出：通过使用上述的涂布显影装置1，消除了清洁室的温度变动的影响，并且相比于该温度不变动的情况，更能够减少晶圆W的温度的偏差和CD的偏差。
另外，当比较评价试验1-3、1-4的结果时，可知：CD的偏差同等，但评价试验1-4大幅度抑制了晶圆W的温度的偏差。认为：如已述的那样由于各种原因使得单位块的气氛温度变动，只通过控制供给至单位块的大气的温度和湿度不能够完全应对这样的变动，本例的结构能够更可靠地应对这样的变动。因而，根据该评价试验1确认出涂布显影装置1抑制已述的晶圆W间处理状态的偏差的效果，并且关于这些效果，确认出相比于调整供给至装置的气氛的温度和湿度的方法，得到更高的效果。
评价试验2
作为评价试验2-1，在清洁室的温度固定的环境下，使用通过评价试验1所说明的第一比较例的涂布显影装置，对多个晶圆W分别进行抗蚀膜的形成、被称作SiARC的防反射膜的形成、基于负显影的抗蚀图案的形成。而且，关于抗蚀膜、防反射膜，分别计算多个晶圆W间的膜厚度的平均值。另外，关于抗蚀图案的CD，计算多个晶圆W间的平均值。
作为评价试验2-2，在清洁室的温度变动3℃的环境下，使用第一比较例的涂布显影装置进行与评价试验2-1相同的试验。并且，作为评价试验2-3，在清洁室的温度变动3℃的环境下，使用涂布显影装置1进行与评价试验1-1相同的试验。在该涂布显影装置1中，分别在向抗蚀膜形成模块搬入前、向防反射膜形成模块搬入前利用已述的温度调整模块SCPL基于气氛温度进行晶圆W的温度控制。
图15、图16、图17分别为示出抗蚀膜的膜厚度的平均值、防反射膜的膜厚度的平均值、CD的平均值的结果的柱状图。关于抗蚀膜的膜厚度的平均值，在评价试验2-1中为431.25nm、在评价试验2-2中为4320.1nm、在评价试验2-3中为4311.9nm。关于防反射膜的膜厚度的平均值，在评价试验2-1中为34.18nm、在评价试验2-2中为34.26nm、在评价试验2-3中为34.19nm。关于CD的平均值，在评价试验2-1中为61.73nm、在评价试验2-2中为61.25nm、在评价试验2-3中为61.6nm。
像这样，关于抗蚀膜的膜厚度的平均值、防反射膜的膜厚度的平均值、CD的平均值的各平均值，评价试验2-1的结果与评价试验2-2的结果的差异比较大，但评价试验2-1的结果与评价试验2-3的结果的差异比较小。因而，根据该评价试验2的结果确认出：通过使用涂布显影装置1，能够抑制由于清洁室的温度的变动引起的各膜的膜厚度的变动和CD的变动。因而，根据该评价试验2也能够确认出涂布显影装置1的效果。

Claims (13)

1.一种涂布显影装置，包括在基板上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成模块以及使曝光完毕的所述抗蚀膜显影的显影模块来作为对所述基板进行处理的处理模块，在该涂布显影装置中，具备：
处理块，其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域；
搬送块，其用于在保存所述基板的搬送容器与各所述基板搬送区域之间搬送该基板；
所述处理模块，其分别设置于所述多个基板搬送区域；
搬送机构，其分别设置于所述多个基板搬送区域，在所述搬送块与所述处理模块之间搬送所述基板；
温度调整模块，其为了调整多个所述处理模块中的至少一个处理模块中的所述基板的温度，调整向该一个处理模块搬送前的该基板的温度，被所述搬送机构进行温度调整后的该基板的搬出；
温度传感器，其检测多个所述基板搬送区域中的至少一个基板搬送区域的气氛温度；以及
温度变更机构，其基于由所述温度传感器检测出的所述气氛温度来变更所述温度调整模块中的所述基板的温度。
2.根据权利要求1所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述多个基板搬送区域包括第一基板搬送区域和第二基板搬送区域，
所述一个处理模块被分别设置于所述第一基板搬送区域和第二基板搬送区域，
所述温度调整模块包括第一温度调整模块和第二温度调整模块，其中，所述第一温度调整模块用于调整要搬出至所述第一基板搬送区域的基板的温度，所述第二温度调整模块用于调整要搬出至第二基板搬送区域的基板的温度。
3.根据权利要求2所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述第一基板搬送区域的一个处理模块和所述第二基板搬送区域的一个处理模块相互对所述基板进行相同种类的处理。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的涂布显影装置，其特征在于，
针对所述多个基板搬送区域的每个基板搬送区域设置所述一个处理模块和所述温度调整模块。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述温度传感器设置于多个所述基板搬送区域中的至少设置有所述一个处理模块的基板搬送区域。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述一个处理模块为向所述基板供给药液来进行成膜的处理模块。
7.根据权利要求6所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述药液为抗蚀剂，所述处理模块在所述基板上形成抗蚀膜。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述搬送块具备前方块和后方块，其中，所述前方块载置所述搬送容器并且设置于各所述基板搬送区域的前方侧，所述后方块设置于各所述处理块的后方侧，并与对所述抗蚀膜进行曝光的曝光机连接，
所述温度调整模块在所述前方块和所述后方块中的至少任一方中设置于与设置有所述一个处理模块的所述基板搬送区域对应的高度。
9.根据权利要求8所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述基板搬送区域具备从所述前方块朝向后方块沿前后方向延伸的所述基板的搬送路，
以从该搬送路的左右方向面对该搬送路的方式设置包括所述一个处理模块在内的多个所述处理模块。
10.根据权利要求9所述的涂布显影装置，其特征在于，
所述温度传感器设置于所述搬送路。
11.根据权利要求1至3中的任一项所述的涂布显影装置，其特征在于，
在向所述一个处理模块依次搬送先行的基板和后续的基板时，
控制所述搬送机构的动作，使得支承后续的基板的搬送机构到达向所述一个处理模块交接该基板的位置的定时与能够在所述一个处理模块中搬出先行的基板的定时同时或在该定时之后。
12.根据权利要求11所述的涂布显影装置，其特征在于，
在向所述一个处理模块依次搬送先行的基板和后续的基板时，
控制所述搬送机构的动作，使得在能够在所述一个处理模块中搬出所述先行的基板的定时之前，该搬送机构从所述温度调整模块接收后续的基板并朝向该一个处理模块搬出。
13.一种涂布显影方法，具备以下工序：
从保存基板的搬送容器搬出该基板；
利用搬送机构向设置于基板搬送区域的多个处理模块分别搬送基板，来进行包括抗蚀膜的形成和曝光完毕的所述抗蚀膜的显影的处理；
为了调整所述多个处理模块中的至少一个处理模块中的所述基板的温度，利用温度调整模块来调整向该一个处理模块搬送前的所述基板的温度；
利用所述搬送机构将在所述温度调整模块中温度被调整后的所述基板搬送至所述一个处理模块；
利用温度传感器来检测所述基板搬送区域的气氛温度；以及
基于由所述温度传感器检测出的所述气氛温度来变更由所述温度调整模块调整的所述基板的温度。
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