JP2013157831A - 水晶振動片及び水晶デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】 連結部が、ATカット水晶振動片と直交し、X軸から61°又は119°の回転角を有する水晶振動片を提供する。
【解決手段】ATカット水晶振動片(100)は、ATカット水晶振動片(31)の周囲に所定の空隙を隔てて形成された枠体(32)と、ATカット水晶振動片と枠体とを連結する連結部(35)と、ATカット水晶振動片の両主面に配置される一対の励振電極(34)と、励振電極から連結部を介して枠体まで伸びる一対の引出電極(33)と、を備える。励振部の長辺は、結晶軸Xに対して61°又は119°回転して形成されており、枠体の長辺が結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びており、連結部が結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びており、励振部の短辺及び枠体の短辺と直交している。
【選択図】 図1

Description

本発明は、厚み滑り振動を励起する水晶振動片、その水晶振動片を有する水晶デバイスに関する。
ATカット水晶振動片を使った水晶デバイスには、そのベース基板に対して直接的に応力が加えられることもあり、熱膨張等においても水晶振動片に対して応力が加えられることもある。これらの水晶振動片に付与される応力は、発振周波数に影響を与え、エージング特性や周波数温度特性等の諸特性に悪影響を与える。このため、発振周波数に影響を与える応力の伝達を解消するため、特許文献1の発明が提案されている。
特許文献1に開示されている水晶デバイスに実装されている水晶振動片は、特定の結晶軸に対して所定の回転角を持った直線上に2つの支持電極を配置している。具体的には、特許文献1のATカット水晶振動片は、その結晶軸であるX軸から60°又は120°の回転角を持った直線上に枠体と振動片とを結ぶ少なくとも一対の連結部を形成している。そしてATカット水晶振動片は、その連結部に一対の引出電極をそれぞれ配置している。この回転角を持った直線に沿って付加された応力はその感度比率が極めて小さくなり、ATカット水晶振動片の発振周波数は、応力に対して影響が極めて小さくなっている。
特開2007−243681号公報
しかしながら、特許文献1に描かれるATカット水晶振動片をウェットエッチングで形成すると、連結部のみが枠体又はATカット水晶振動片に対して傾いているため、連結部と枠体との鋭角領域又は連結部とATカット水晶振動片との鋭角領域が、実際には正確に仕上がらない。
そこで、本発明は、連結部が、枠体又はATカット水晶振動片と直交するようにするとともに、連結部がATカット水晶振動片の結晶軸であるX軸から61°又は119°の回転角を有する水晶振動片を提供する。
第1観点の水晶振動片は、結晶軸X、結晶軸Y’及び結晶軸Z’を有する矩形状の励振部を有するATカット水晶振動片である。そして水晶振動片は、励振部の周囲に所定の空隙を隔てて形成された枠体と、励振部と枠体とを連結する連結部と、励振部の両主面に配置される一対の励振電極と、励振電極から連結部を介して枠体まで伸びる一対の引出電極と、を備える。励振部の長辺は、結晶軸Xに対して61°又は119°回転して形成されており、枠体の長辺が結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びており、連結部が結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びており、励振部の短辺及び枠体の短辺と直交している。
第2観点の水晶振動片の連結部は一本のみであり、一対の引出電極が一本の連結部に主面の法線方向から見て重なり合わないように形成されている。
第3観点の水晶振動片において、一本の連結部と励振電極の中央とを結ぶ直線が、結晶軸Xに対して61°又は119°方向である。
第4観点の水晶振動片において、枠体及び連結部のY’軸方向の厚さが、励振部の厚さのY’軸方向の厚さより厚い。
第5観点の水晶振動片において、励振部の一部に段差面が形成され、段差面は前記励振部の厚さから連結部の厚さに変わる。
第6観点の水晶デバイスは、第1の観点から第5の観点のいずれかの水晶振動片を有している。そして水晶デバイスは、ガラス材で形成され枠体の主面の一方に接合する矩形状のベース部と、ガラス材で形成され枠体の主面の他方に接合する矩形状のリッド部と、を備える。
第7観点の水晶デバイスは、第1の観点から第5の観点のいずれかの水晶振動片を有している。そして水晶デバイスは、ATカット水晶材で形成され、枠体の主面の一方に接合する矩形状のベース部と、ATカット水晶材で形成され、枠体の主面の他方に接合する矩形状のリッド部と、を備える。ベース部及びリッド部の長辺は、結晶軸Xに対して61°又は119°回転して形成されている。
本発明の水晶振動片及び水晶デバイスによれば、パッケージに対して加えられた応力及び熱膨張等による励振部に与える応力による周波数特性の変動を回避することができる。
第1水晶デバイス100の分解斜視図である。 (a)は、第1水晶デバイス100の断面図である。(b)は、水晶振動片30の平面図である。 (a)は、水晶振動片30の断面図である。(b)は、変形例の水晶振動片30Aの断面図である。 水晶振動片30の製造方法が示されたフローチャートである。 水晶振動片30の製造方法が示されたフローチャートである。 水晶振動片ウエハ30Wの平面図である。 リッドウエハ10Wの平面図である。 ベースウエハ20Wの平面図である。 第2水晶デバイス200の分解斜視図である。 (a)は、第2水晶デバイス200の断面図である。(b)は、水晶振動片230の平面図である。 (a)は、変形例の水晶振動片230Aの平面図である。(b)は、変形例の水晶振動片230Bの平面図である。 水晶振動片ウエハ230Wの平面図である。
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
(第1実施形態)
<第1水晶デバイス100の構成>
図1は、第1水晶デバイス100の分解斜視図である。第1水晶デバイス100は、リッド板10と、ベース板20と、水晶振動片30と、により構成されている。水晶振動片30にはATカットの水晶振動片が用いられる。ATカットの水晶振動片の主面(YZ面)は、人工水晶の結晶軸(XYZ)のY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜している。このため、本明細書ではATカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をX軸、Y’軸及びZ’軸とする。
さらに、第1実施形態のリッド板10、ベース板20及び水晶振動片30において、それらの長辺は、Y’軸を基準にして結晶軸Xに対して61°又は119°回転している(図6〜図8を参照。)。以下、第1実施形態では、結晶軸Xに対して61°傾いた方向を、X’とする。そしてX’軸を基準として、直交する軸方向を、Y’’軸及びZ’’軸とする。すなわち、水晶デバイス100においては第1水晶デバイス100の長辺方向をX’軸方向、第1水晶デバイス100の高さ方向をY’’軸方向、X’及びY’’軸方向に垂直な方向をZ’’軸方向として説明する。
水晶振動片30は、所定の振動数で振動する励振部31と、励振部31を囲む枠部32と、励振部31と枠部32とを連結する連結部35と、により構成されている。励振部31と枠部32との間の領域は、水晶振動片30をY’’軸方向に貫通する貫通孔38となっている。励振部31の+Y’’軸側の面と−Y’’軸側の面とには励振電極34a,34bが形成されている。また、引出電極33(a,b)が、各励振電極34から連結部35を通り枠部32にまで引き出されている。枠部32の四隅の側面にはキャスタレーション36(a,b)が形成されており、キャスタレーション36(a,b)には側面電極37(a,b)が形成されている。
ベース板20は、ATカットの水晶材からなり、水晶振動片30の−Y’’軸側に配置される。ベース板20は、X’軸方向に長辺、Z’’軸方向に短辺を有する矩形形状に形成されている。一対の実装端子25が、ベース板20の−Y’’軸側の面に形成されている。この実装端子25がハンダを介してプリント基板等に固定され電気的に接続されることにより、第1水晶デバイス100がプリント基板等に実装される。また、ベース板20の四隅の側面にはキャスタレーション26(a,b)が形成されており、キャスタレーション26(a,b)には側面電極27(a,b)が形成されている。ベース板20の+Y’’軸側の面には凹んだ凹部28が形成されており、枠部32と接合する接合面M2が凹部28の周りに形成されている。また、接続電極23が接合面M2の四隅でありキャスタレーション26の周りに形成されている。この接続電極23は、キャスタレーション26に形成される側面電極27(a,b)を介して実装端子25に電気的に接続される。なお、凹部28は、水晶振動片30がベース板20に当接しない場合には、形成されなくてもよい。
リッド板10は、ATカットの水晶材からなり、水晶振動片30の+Y’’軸側に配置される。リッド板10の−Y’’軸側の面には凹部17が形成されており、凹部17の周りには接合面M5が形成されている。凹部17は、水晶振動片30がリッド板10に当接しない場合には、形成されなくてもよい。
図2(a)は、第1水晶デバイス100の断面図である。図2(a)は、図1のA−A切断の断面図である。リッド板10の接合面M5が水晶振動片30の枠部32の+Y’’軸側の接合面M4に接合材41を介して接合している。またベース板20の接合面M2が、枠部32の−Y’’軸側の接合面M3に接合材41を介して接合している。水晶振動片30の枠部32とベース板20の接合面M2とが接合される際には、枠部32の−Y’’軸側の接合面M3に形成されている引出電極33(図1を参照)とベース板20の接合面M2に形成されている接続電極23とが電気的に接続される。これにより、励振電極34(a,b)は、引出電極33、接続電極23、及び側面電極27(a,b)を介して実装端子25に電気的に接続される。接合材41として、例えばポリイミド系の非導電性の樹脂又は非導電性の低融点ガラスが使用される。
図2(b)は、水晶振動片30の平面図である。励振部31は、矩形形状に形成されている。枠部32は、励振部31を囲むように、2つの長辺と2つの短辺で形成されている。連結部35は、励振部31と枠部32とを1本で連結する。一本の連結部35は、励振部31の−X’軸側の短辺の中央に形成され、そこから−X’軸方向に伸びて枠部32の短辺に連結している。また、励振部31は、X’軸方向に、励振電極34(a,b)が形成される第1領域31aと、連結部35に直接連結される第2領域31bと、第1領域31a及び31b以外の領域である第3領域31cと、を有する。第2領域31bは、連結部35につながる段差面を形成している。なお、本実施形態では図示されていないが、第1領域31aに、エネルギー閉じ込め効果を有するY’’方向に厚くなったメサ構造を有していてもよい。
一本の連結部35は、励振部31の短辺と枠部32の短辺とに直交している。このため、後述する水晶振動片30の製造方法において、正確に連結部35が結晶軸Xに対して61°又は119°方向に形成される。
引出電極33aは、+Y’’軸側の面に形成されている励振電極34aから、第2領域31b及び連結部35を通って−X’軸側の枠部32に引き出される。引出電極33bは、−Y’’軸側の面に形成されている励振電極34bから、第2領域31b及び連結部35を通って−X’軸側の枠部32に引き出される。引出電極33aと引出電極33bとは、第2領域31b及び連結部35において、Y’’軸方向からみて、互いに重なり合っていない。
枠部32まで引き出された引出電極33aは、枠部32の+Z’’軸に伸び、さらに+X’軸方向に伸び側面電極37aまで伸びる。さらに引出電極33aは、側面電極37aによって+Y’’軸側から−Y’’軸側の面に引き出されている。また、枠部32まで引き出された引出電極33bは、−Z’’軸方向に伸びて枠部32の−Y’’軸側の面の角部にまで伸びている。
図3(a)は、水晶振動片30の断面図である。図3(a)は、図2(b)のB−B断面図が示されている。水晶振動片30は、枠部32及び連結部35のY’’軸方向への厚さが第1厚さT1、励振部31のY’’軸方向の厚さが第2厚さT2に形成されている。第2領域31b(図2(b)を参照)は、段差面が形成され、励振部31の第2厚さT2から連結部35の厚さT1に厚くなり励振部31を枠部32に連結する。水晶振動片30では、例えば、第1厚さT1が100μm、第2厚さT2は振動周波数に応じて調整される。段差面である第2領域31bは、連結部35から励振部31への応力伝達を低減し、また、引出電極33aの断線を少なくする。
図3(b)は、変形例の水晶振動片30Aの断面図である。図3(a)では、+Y’’軸側の面側にのみ、段差面が形成されていたが、水晶振動片30Aは表裏両面の第2領域31bに段差面が形成されてもよい。水晶振動片30Aは、水晶振動片30と同様の構成部分に関しては同じ記号を付してある。
水晶振動片30及び水晶振動片30Aにおいて、連結部35が枠部32と同じ厚さT1を有しているため剛性が高い。また、連結部35が、結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びているため、その応力感度が極めて小さい。さらに、連結部35の厚さT1から励振部31の厚さT2まで急激に厚さ変動がないように、段差面の第2領域31bを有している。したがって、外部からの衝撃等に対して、励振部31は周波数変動を受けにくい。
<水晶振動片30の製造方法>
水晶振動片30の製造方法について、図4及び図5に示されたフローチャートを参照して説明する。また、図4及び図5のフローチャートの右横には、図4及び図5に示される各ステップを説明するための図が示されている。これらの図は、複数の水晶振動片30が形成される水晶ウエハ30Wの水晶振動片30(図8を参照)に示された水晶振動片30のB−B断面(図2(b)を参照)に相当する断面図である。
図4は、水晶振動片30の製造方法が示されたフローチャートである。また、フローチャートの各ステップの右横には、各ステップを説明するための図である図4(a)〜図4(d)が示されている。図4(a)〜図4(d)は、水晶ウエハ30Wの部分断面図である。
ステップS101では、水晶ウエハ30Wが用意される。図4(a)は、水晶ウエハ30Wの部分断面図である。水晶材料により形成されている水晶ウエハ30Wは+Y’’軸側及び−Y’’軸側の面が平面にポリッシングされている。水晶ウエハ30WのY’’軸方向の厚さは、第1厚さT1に形成されている。
ステップS102では、水晶ウエハ30Wに金属膜81及びフォトレジスト82が形成される。ステップS102では、まず、水晶ウエハ30Wの+Y’’軸側及び−Y’’軸側の面にスパッタ又は真空蒸着で金属膜81が形成される。金属膜81は、例えば、水晶ウエハ30Wにクロム(Cr)層が形成され、クロム層の表面に金(Au)層が蒸着されることにより形成される。さらに金属膜81の表面にフォトレジスト82が形成される。
ステップS103では、フォトレジスト82の露光、現像及び金属膜81の除去が行われる。図4(c)は、フォトレジスト82の露光、現像及び金属膜81の除去が行われた水晶ウエハ30Wの部分断面図である。
ステップS103では、図6から理解されるように、水晶振動片30の外形形状を有するマスクは、水晶ウエハ30WのX軸に対して61°回転した方向に載置される(マスクは不図示)。マスクは、水晶ウエハ30Wの+Y’’軸及び−Y’’軸側の両面に配置される。+Y’’軸に配置されるマスクは、水晶振動片30の励振部31及び貫通孔38、並びにキャスタレーション用の貫通孔BHに相当する領域の開口窓を有している。−Y’’軸に配置されるマスクは、貫通孔38及び貫通孔BH(図6を参照。)に相当する領域の開口窓を有している。そしてマスクを介して、水晶振動片30の外形形状がフォトレジスト82に露光される。その後フォトレジスト82が現像され、さらに、フォトレジスト82が現像された領域に形成されている金属膜81が除去される。
ステップS104では、水晶ウエハ30Wがウェットエッチングされる。図4(d)は、ステップS104でウェットエッチングされた後の水晶ウエハ30Wの部分断面図である。水晶ウエハ30Wがウェットエッチングされる領域は、ステップS103でフォトレジスト82及び金属膜81が除去された領域である。水晶ウエハ30Wは、+Y’’軸側の面がウェットエッチングされることにより、ウェットエッチングされた領域の水晶ウエハ30Wの厚さが第2厚さT2になるように形成される。水晶ウエハ30Wのウェットエッチングされていない領域には枠部32、連結部35等が含まれており、これらの領域のY’’軸方向の厚さは、第1厚さT1のままである。図4(d)では、水晶振動片30の貫通孔38は貫通していない。しかし、第1厚さT1から第2厚さT2へのウェットエッチング量によって、ステップS104で水晶振動片30の貫通孔38が形成されることもある。
図5は、水晶振動片30の製造方法が示されたフローチャートである。図5に示されたフローチャートには図4のフローチャートの続きが示されている。また、フローチャートの各ステップの右横には、各ステップを説明するための図である図5(a)〜図5(d)が示されている。
ステップS105では、水晶ウエハ30Wにフォトレジスト82及び金属膜81が形成される。ステップS105は、図4のステップS104に引き続いて行われるステップである。また、図5(a)は、フォトレジスト82及び金属膜81が形成された水晶ウエハ30Wの部分断面図である。ステップS105では、水晶ウエハ30Wに形成されているフォトレジスト82及び金属膜81はすべて除去され、その後、水晶ウエハ30Wの+Y’’軸側及び−Y’’軸側の面に改めて金属膜81及びフォトレジスト82が形成される。
ステップS106では、フォトレジスト82が露光・現像され、その金属膜81が除去される。そして水晶ウエハ30Wがウェットエッチングされる。図5(b)は、金属膜81が除去された水晶ウエハ30Wの部分断面図である。ステップS106では、まず、水晶ウエハ30Wの+Y’’軸側は、励振部31の第2領域31bに相当する領域、及び貫通孔38及び貫通孔BH(図6を参照。)に相当する領域を露光する。水晶ウエハ30Wの−Y’’軸側は、貫通孔38及び貫通孔BHに相当する領域を露光する。
さらにフォトレジスト82が露光され取り除かれた領域の金属膜81が除去される。その後、水晶ウエハ30Wがウェットエッチングされる。これにより、水晶ウエハ30Wの励振部31の第2領域31bに段差面が形成され、貫通孔38及び貫通孔BH(図6を参照。)が貫通する。その後、水晶ウエハ30Wに残っているフォトレジスト82及び金属膜81はすべて除去される。
ステップS107では、水晶ウエハ30Wの+Y’’軸側及び−Y’’軸側の面に改めて電極形成用の金属膜81及びフォトレジスト82が形成される。図5(c)は、フォトレジスト82及び金属膜81が形成された水晶ウエハ30Wの部分断面図である。その後、水晶ウエハ30Wの貫通孔38に相当する領域の+Y’’軸側及び−Y’’軸側の領域に形成されているフォトレジスト82の露光及び現像を行い、フォトレジスト82が現像された領域に形成されている金属膜81が除去される。
ステップS108では、水晶ウエハ30Wに電極が形成される。図5(d)は、電極が形成された水晶ウエハ30Wの部分断面図である。ステップS108では、水晶ウエハ30Wに励振電極34(a,b)及び引出電極35(a,b)が形成される。
以上により、水晶ウエハ30Wに複数の水晶振動片30が形成される。また、水晶ウエハ30WはステップS108の後に、リッドウエハ10W(図7を参照)及びベースウエハ20W(図8を参照)に接合材41(図2(a)を参照)を介して接合される。各ウエハは、オリエンテーションフラットOFを使って、位置合わせされる。
リッドウエハ10Wは、ATカットの水晶材からなり、図7に示されるように、リッドウエハ10Wは、複数のリッド板10を有している。また、複数のリッド板10は、それぞれ凹部17を有しており、凹部17の周りには接合面M5が形成されている。
ベースウエハ20Wは、ATカットの水晶材からなり、図8に示されるように、ベースウエハ20Wは、複数のベース板20を有している。複数のベース板20は、それぞれ凹部28を有しており、凹部28の周りには接合面M2が形成されている。接合面M2の貫通孔BHの周辺には、接続電極23が形成されており、さらに貫通孔BHの内周には、側面電極27(a,b)が形成されている。
リッドウエハ10W、水晶ウエハ30W及びベースウエハ20Wが、接合材41で接合された後、図6〜図8に描かれているスクライブラインSLに沿ってダイシングされる。個片にダイシングされることにより、第1水晶デバイス100が形成される。貫通孔BHは4分割され、それぞれキャスタレーションとなる。リッド板10、水晶振動片30及びベース板20は、ATカットの水晶材で且つそれらの長辺方向がX軸に対して61°(又は119°)傾いている。このため、リッド板10、水晶振動片30及びベース板20の熱膨張が同じであり、大きな温度変化に対しても、第1水晶デバイス100が割れたりしない。
また、リッド板10、水晶振動片30及びベース板20がX軸に対して61°(又は119°)傾いている。第1水晶デバイス100がプリント基板等に実装された後、第1水晶デバイス100に外部から衝撃などによって生じた応力が加わった場合でも、その応力が、リッド板10又はベース板20から、連結部35を介して励振部31まで伝わりにくい。このため、励振部31における周波数変動が発生しにくい。
(第2実施形態)
<第2水晶デバイス200の構成>
図9は、第2水晶デバイス200の分解斜視図であり、図10(a)は、第2水晶デバイス200の断面図であり、(b)は、水晶振動片230の平面図である。第2水晶デバイス200は、ガラスからなるリッド板210及びベース板220と、水晶振動片230と、により構成されている。第2実施形態の水晶振動片230と第1実施形態の水晶振動片30との違いは、連結部の接続位置が異なっている点である。その他の構成は、第1実施形態と同様である。
水晶振動片230は、長辺が結晶軸Xに対して61°又は119°回転して、+X’方向に伸びている。水晶振動片230は、励振部231と、励振部231を囲む枠部232と、励振部231と枠部232とを連結する1本の連結部235と、により構成されている。連結部235は、励振部231の−X’軸側の短辺の−Z’’軸側に形成され、そこから−X’軸方向に伸びて枠部232に連結されている。また、励振部231と枠部32との間の連結部235以外の領域は、水晶振動片230をY’’軸方向に貫通する貫通孔238となっている。
励振部231の+Y’’軸側の面と−Y’’軸側の面とには励振電極234が形成されている。また、引出電極233が、各励振電極234から連結部235を通り枠部232にまで引き出されている。また、励振部231は、X’軸方向に、励振電極234が形成される第1領域231aと、連結部235に直接連結される第2領域231bと、第1領域231a及び231b以外の領域である第23領域231cと、を有する。第2領域231bは、連結部235につながる段差面を形成している。
連結部235からの応力は、連結部から+X’軸の方向に伝わる性質がある。長辺が結晶軸Xに対して61°の角度であれば応力感度係数がほぼゼロになるものの、正確に長辺が+X’軸の方向に形成されないこともあり、現実的には多少の応力がかかることがある。第1実施形態の水晶振動片30のように連結部35が、水晶振動片30の中央部にあれば応力は励振電極の中央部に伝わって周波数の変動が発生する可能性がある。第2実施形態の水晶振動片230は、連結部235が水晶振動片230の−Z’’軸端部に形成されているので、応力は励振電極の端部に伝播して励振電極の中央部には応力が伝わりにくくなり、周波数の変動が抑制される。
<水晶振動片230の製造方法>
水晶振動片230の製造方法は、図4及び図5に示されたフローチャートとほぼ同じである。水晶振動片230は、水晶ウエハ230WのX軸に対して61°回転した方向に形成される(図12を参照)。
<その他変形例>
図11(a)は、変形例1の水晶振動片230Aの平面図であり、(b)は、変形例2の水晶振動片230Bの平面図である。水晶振動片230と同じ部材には同じ符号が付してある。
水晶振動片230A及び水晶振動片230Bは、長辺が結晶軸Xに対して61°又は119°回転しており、新たな結晶軸の+X’方向に伸びている。水晶振動片230A及び水晶振動片230Bは、2本の連結部を有している。水晶振動片230Aは、―X’軸側の両端にそれぞれ連結部235と連結部236とを備える。応力は励振部231の両端部に伝播して励振電極234の中央部には伝わりにくい。また、水晶振動片230Bは、―X’軸側及び+X’軸側の両端にそれぞれ連結部235と連結部236とを備える。応力は励振部231の両端部に伝播して励振電極234の中央部には伝わりにくく、周波数の変動が抑制される。
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。たとえば、本発明は、水晶振動子以外にも、発振回路を組み込んだICなどをベース部上に配置させた水晶発振子にも適用できる。また第1及び第2実施形態では、平板上の水晶振動片を開示したが、凸形状のメサ型振動片又は凹形状の逆メサ型振動片にも適用できる。
また、本実施形態では、結晶軸Xに対して61°又は119°回転している例で説明したが、製造誤差などを考慮して61°±5°又は119°±5°の回転角で製造すれば、本実施形態の効果を得ることができる。
100,200 … 水晶デバイス
10,210 … リッド板
17、28、217、228 … 凹部
20,220 … ベース板
23、223 … 接続電極
25 … 実装端子
27(a,b)、37(a,b)、227(a,b),237(a,b) … 側面電極
16、26(a,b)、36(a,b)216,236(a,b) … キャスタレーション
30、30A、230、230A、230B … 水晶振動片
31、231 … 励振部
31a,231a … 第1領域
31b,231b … 第2領域
31c,231c … 第3領域
32,232 … 枠部
34(a,b)、234(a,b) … 励振電極
35、235 … 連結部
38,238(a、b、c) … 貫通孔
41 … 接合材
81 … 金属膜
82 … フォトレジスト
10W,20W、30W、230W … 水晶ウエハ
M2、M3,M4,M5 … 接合面

Claims (7)

  1. 結晶軸X、結晶軸Y’及び結晶軸Z’を有する矩形状の励振部を有するATカット水晶振動片において、
    前記励振部の周囲に所定の空隙を隔てて形成された枠体と、
    前記励振部と前記枠体とを連結する連結部と、
    前記励振部の両主面に配置される一対の励振電極と、
    前記励振電極から前記連結部を介して前記枠体まで伸びる一対の引出電極と、
    を備え、
    前記励振部の長辺が前記結晶軸Xに対して61°又は119°回転して形成されており、
    前記枠体の長辺が前記結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びており、
    前記連結部が前記結晶軸Xに対して61°又は119°方向に伸びており、前記励振部の短辺及び前記枠体の短辺と直交している水晶振動片。
  2. 前記連結部は一本のみであり、前記一対の引出電極が一本の連結部に、主面の法線方向から見て重なり合わないように形成されている請求項1に記載の水晶振動片。
  3. 前記一本の連結部と前記励振電極の中央とを結ぶ直線が、前記結晶軸Xに対して61°又は119°方向である請求項2に記載の水晶振動片。
  4. 前記枠体及び前記連結部のY’軸方向の厚さが、前記励振部のY’軸方向の厚さより厚い請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の水晶振動片。
  5. 前記ATカット水晶振動片の一部に段差面が形成され、前記段差面は、前記励振部の厚さから前記連結部の厚さに変わる請求項4に記載の水晶振動片。
  6. 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の水晶振動片と、
    ガラス材で形成され、前記枠体の主面の一方に接合する矩形状のベース部と、
    ガラス材で形成され、前記枠体の主面の他方に接合する矩形状のリッド部と、を備える水晶デバイス。
  7. 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の水晶振動片と、
    ATカット水晶材で形成され、前記枠体の主面の一方に接合する矩形状のベース部と、
    ATカット水晶材で形成され、前記枠体の主面の他方に接合する矩形状のリッド部と、を備え、
    前記ベース部及び前記リッド部の長辺は、前記結晶軸Xに対して61°又は119°回転して形成されている水晶デバイス。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015033035A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 日本電波工業株式会社 圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
WO2016098868A1 (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 株式会社村田製作所 圧電振動子及び圧電振動装置
WO2016136283A1 (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社大真空 圧電振動デバイス
WO2017077972A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 株式会社大真空 圧電振動デバイス
JP2017153033A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社大真空 水晶振動板、及び水晶振動デバイス
JP2018504793A (ja) * 2015-12-22 2018-02-15 成都泰美克晶体技術有限公司Chengdu Timemaker Crystal Technology Co., Ltd 円形のウェハ構造を有する水晶共振器及びその製造方法
CN108028638A (zh) * 2015-09-25 2018-05-11 株式会社村田制作所 水晶片以及水晶振子

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202535316U (zh) * 2011-03-09 2012-11-14 精工爱普生株式会社 振动元件、振子、振荡器以及电子设备
JP5708089B2 (ja) 2011-03-18 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器及び電子デバイス
WO2015162958A1 (ja) * 2014-04-24 2015-10-29 株式会社村田製作所 水晶振動装置及びその製造方法
JP6390836B2 (ja) 2014-07-31 2018-09-19 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、振動デバイス、発振器、電子機器、および移動体
WO2017006941A1 (ja) * 2015-07-09 2017-01-12 株式会社村田製作所 水晶振動片及び水晶振動子
CN105007056A (zh) * 2015-07-22 2015-10-28 成都泰美克晶体技术有限公司 一种具有单凸结构的压电石英晶片
JP2017118412A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 日本電波工業株式会社 圧電振動片、圧電デバイス、及び圧電振動片の製造方法
CN109328432B (zh) * 2016-06-23 2022-04-26 株式会社村田制作所 水晶振动片和水晶振子
CN110622416B (zh) * 2017-05-15 2023-01-17 株式会社村田制作所 水晶振动元件和水晶振子以及它们的制造方法
WO2018235582A1 (ja) * 2017-06-22 2018-12-27 株式会社大真空 水晶振動板および水晶振動デバイス

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162931U (ja) * 1989-04-20 1989-11-14
JPH0621746A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶振動子とその製造方法
JPH07111435A (ja) * 1993-10-14 1995-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶圧電デバイスの製造方法
JPH08330893A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 振動子
JP2001024469A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2002299991A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子
JP2008219827A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Epson Toyocom Corp 圧電振動片、および圧電デバイス
JP2008252859A (ja) * 2007-03-06 2008-10-16 Epson Toyocom Corp 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
JP2009065522A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Epson Toyocom Corp 圧電デバイスおよびその製造方法
JP2009164824A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Epson Toyocom Corp 水晶振動片、水晶デバイス、および水晶振動片の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2426338A1 (fr) * 1978-05-19 1979-12-14 Seiko Instr & Electronics Resonateur a quartz rectangulaire en coupe at
CH644227A5 (de) * 1979-09-14 1984-07-13 Kistler Instrumente Ag Piezoelektrisches kristallelement fuer messwandler.
US5714005A (en) * 1995-12-20 1998-02-03 Motorola Inc. ST-cut and AT-cut oriented seed bodies for quartz crystal synthesis and method for making the same
JP4305542B2 (ja) * 2006-08-09 2009-07-29 エプソントヨコム株式会社 Atカット水晶振動片及びその製造方法
US8963402B2 (en) * 2010-11-30 2015-02-24 Seiko Epson Corporation Piezoelectric vibrator element, piezoelectric module, and electronic device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162931U (ja) * 1989-04-20 1989-11-14
JPH0621746A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶振動子とその製造方法
JPH07111435A (ja) * 1993-10-14 1995-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶圧電デバイスの製造方法
JPH08330893A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 振動子
JP2001024469A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2002299991A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子
JP2008252859A (ja) * 2007-03-06 2008-10-16 Epson Toyocom Corp 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
JP2008219827A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Epson Toyocom Corp 圧電振動片、および圧電デバイス
JP2009065522A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Epson Toyocom Corp 圧電デバイスおよびその製造方法
JP2009164824A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Epson Toyocom Corp 水晶振動片、水晶デバイス、および水晶振動片の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015033035A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 日本電波工業株式会社 圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
WO2016098868A1 (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 株式会社村田製作所 圧電振動子及び圧電振動装置
US11196403B2 (en) 2014-12-17 2021-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric vibrator and piezoelectric vibration device
JP2019193304A (ja) * 2015-02-26 2019-10-31 株式会社大真空 圧電振動デバイス
WO2016136283A1 (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社大真空 圧電振動デバイス
US11515857B2 (en) 2015-02-26 2022-11-29 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator device
JPWO2016136283A1 (ja) * 2015-02-26 2017-12-07 株式会社大真空 圧電振動デバイス
CN108028638A (zh) * 2015-09-25 2018-05-11 株式会社村田制作所 水晶片以及水晶振子
CN108028638B (zh) * 2015-09-25 2021-01-05 株式会社村田制作所 水晶片以及水晶振子
WO2017077972A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 株式会社大真空 圧電振動デバイス
US10600953B2 (en) 2015-11-06 2020-03-24 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator device
JPWO2017077972A1 (ja) * 2015-11-06 2018-08-23 株式会社大真空 圧電振動デバイス
JP2018504793A (ja) * 2015-12-22 2018-02-15 成都泰美克晶体技術有限公司Chengdu Timemaker Crystal Technology Co., Ltd 円形のウェハ構造を有する水晶共振器及びその製造方法
JP2017153033A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社大真空 水晶振動板、及び水晶振動デバイス

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