JP2013128118A - 印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】平坦化された絶縁層を形成することができ、絶縁層の厚さを調節してクロストーク現象を減少させることができるとともに、回路パターンのインピーダンス値を調節することができる印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】印刷回路基板１００は、ベース基板１１０と、ベース基板の上部に形成される一つ以上の回路パターン１２０と、ダミーパターン１３０と、回路パターン及びダミーパターンの上部に形成される絶縁層１４０と、を含み、回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターンの間隔Ｄが以下の式１を満たす。

（ここで、Ｔ１は、回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は絶縁層の最大厚さである。）
【選択図】図１

Description

本発明は、印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法に関する。

印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）は、フェノール樹脂絶縁板またはエポキシ樹脂絶縁板など絶縁材に形成された配線パターンによって実装された部品を互いに電気的に連結し、電源などを供給するとともに、部品を機械的に固定する機能を行うものである。このような印刷回路基板としては、絶縁基板の片面にのみ配線を形成した片面ＰＣＢ、両面に配線を形成した両面ＰＣＢ及び多層に配線した多層印刷回路基板（ＭＬＢ；Ｍｕｌｔｉ Ｌａｙｅｒｅｄ Ｂｏａｒｄ）がある。ここで、印刷回路基板を形成する際、信頼性のある配線パターンを形成するためには、絶縁層の平坦化を確保するのが重要である。絶縁層を均一に分布して形成するために、スピンオンガラス（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方法が用いられる。しかし、スピンオンガラス方法によって絶縁層を形成しても配線パターンと配線パターンが形成されていない空間との段差のため、絶縁層の平坦化を確保するのが難しい。

また、絶縁層の平坦化を確保するために、配線パターンが形成されていない空間にダミーパターンを形成する方法が用いられる（特許文献１参照）。しかし、ダミーパターンを形成する方法もまた絶縁層の平坦化を確保するには限界がある。

韓国登録特許第１０−０２９０４７７号公報

本発明は、平坦化された絶縁層を有する印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、クロストーク（Ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）現象を減少させることができる印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、回路パターンのインピーダンス値を調節することができる印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の実施例によると、ベース基板と、前記ベース基板の上部に形成される一つ以上の回路パターンと、前記ベース基板の上部に形成される一つ以上のダミーパターンと、前記回路パターン及び前記ダミーパターンの上部に形成される絶縁層と、を含み、前記回路パターン及び前記ダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式１］を満たす印刷回路基板が提供される。

（ここで、Ｄは、前記回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔であり、Ｔ１は、前記回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）

前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下であることができる。

前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下であることができる。

前記ベース基板は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

前記ベース基板の上部または下部に形成された一つ以上の回路パターン及び絶縁層を有するビルドアップ層をさらに含むことができる。

本発明の他の実施例によると、第１領域及び第２領域を含むベース基板と、前記ベース基板の上部に形成される一つ以上の第１回路パターンと、前記ベース基板の上部に形成される一つ以上のダミーパターンと、前記第１回路パターン及び前記ダミーパターンの上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に形成される一つ以上の第２回路パターンと、を含み、前記第１領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式２］を満し、前記第２領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式３］を満し、前記第１領域に形成された絶縁層の最小高さが、前記第２領域に形成された絶縁層の最大高さより高く形成される印刷回路基板が提供される。

（ここで、Ｄ１は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｄ２は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｔ１は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）

前記第１領域において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下であることができる。

前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下であることができる。

前記ベース基板は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

本発明の他の実施例によると、ベース基板を準備する段階と、前記ベース基板の上部に一つ以上の回路パターン及び一つ以上のダミーパターンを形成する段階と、前記回路パターン及びダミーパターンの上部に、スリットダイコーティング（Ｓｌｉｔ Ｄｉｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）方法により絶縁層を形成する段階と、を含み、前記回路パターン及び前記ダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式１］を満す印刷回路基板の製造方法が提供される。

（ここで、Ｄは、前記回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔であり、Ｔ１は、前記回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）

前記絶縁層を形成する段階において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下であることができる。

前記絶縁層を形成する段階において、前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下であることができる。

前記ベース基板は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

前記印刷回路基板の製造方法において、前記絶縁層を形成する段階の後に、前記ベース基板の下部及び前記絶縁層の上部のうち少なくとも一つに、一つ以上の回路パターン及び絶縁層を有するビルドアップ層を形成する段階をさらに含むことができる。

本発明のさらに他の実施例によると、第１領域及び第２領域を含むベース基板を準備する段階と、前記ベース基板の上部に一つ以上の第１回路パターン及び一つ以上のダミーパターンを形成する段階と、前記第１回路パターン及びダミーパターンの上部に、スリットダイコーティング（Ｓｌｉｔ Ｄｉｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）方法により絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層の上部に一つ以上の第２回路パターンを形成する段階と、を含み、前記第１領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式２］を満し、前記第２領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式３］を満し、前記第１領域に形成された絶縁層の最小高さが、前記第２領域に形成された絶縁層の最大高さより高く形成される印刷回路基板の製造方法が提供される。

（ここで、Ｄ１は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｄ２は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｔ１は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）

前記絶縁層を形成する段階において、前記第１領域において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下であることができる。

前記絶縁層を形成する段階において、前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下であることができる。

前記ベース基板は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法によると、ダミーパターン及びスリットダイコーティング方法を用いて平坦化された絶縁層を形成することができる。

本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法によると、絶縁層の厚さを調節してクロストーク現象を減少させることができる。

本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法によると、絶縁層の厚さを調節して回路パターンのインピーダンス値を調節することができる。

本発明の実施例による印刷回路基板を示す例示図である。 本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。 本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。 本発明の実施例による印刷回路基板の回路パターンとダミーパターンとの間の間隔と、絶縁層を示す例示図である。 本発明の他の実施例による印刷回路基板を示す例示図である。 本発明のさらに他の実施例による印刷回路基板を示す例示図である。 本発明のさらに他の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。 本発明のさらに他の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。 本発明のさらに他の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。

本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係わる以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。

また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第１、第２などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、前記構成要素は、前記用語によって限定されない。

以下、図面を参照して、本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法ついて詳細に説明する。

図１は、本発明の実施例による印刷回路基板を示す例示図である。

図１を参照すると、印刷回路基板１００は、ベース基板１１０、回路パターン１２０、ダミーパターン１３０及び絶縁層１４０を含むものである。

印刷回路基板１００は、電子機器の部品実装及び配線に用いられるものであることができる。印刷回路基板１００は、ベース基板１１０の片面に回路パターン１２０を含む回路層を形成した片面ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）または両面に回路層を形成した両面ＰＣＢであることができる。または印刷回路基板１００は、多層に回路層を形成した多層印刷回路基板（ＭＬＢ；Ｍｕｌｔｉ Ｌａｙｅｒ Ｂｏａｒｄ）であることができる。

ベース基板１１０は、ビルドアップされる印刷回路基板を支持できる硬質の素材からなることができる。例えば、ベース基板１１０は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

また、ベース基板１１０には図示されてはいないが、ビア（不図示）が形成されることができる。ビア（不図示）は、印刷回路基板１００の両面に回路層が形成される場合、両面の回路層間の電気信号を連結するために形成されることができる。

回路パターン１２０は、設計パターンに従って電気信号を伝達するベース基板１１０上に形成された伝導性ラインである。即ち、回路パターン１２０は、ベース基板１１０上の回路領域に形成されることができる。回路パターン１２０は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。

ダミーパターン１３０は、ベース基板１１０上のダミー領域に形成される金属パターンである。本発明の実施例におけるダミー領域は、印刷回路基板１００で回路パターン１２０が形成されていない領域を意味する。即ち、ダミー領域は、回路パターン１２０と回路パターン１２０との間の領域であることができる。

ダミーパターン１３０は、回路パターン１２０の上部に絶縁層１４０が形成される場合、回路パターン１２０と回路パターン１２０との間の空間に絶縁層１４０の段差が形成されることを防止するための補完材と言える。ダミーパターン１３０は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの金属からなることができる。本発明の実施例におけるダミーパターン１３０は、回路パターン１２０と同様な金属で形成されることができる。また、ダミーパターン１３０は、回路パターン１２０が形成される際に、同時に形成されることができる。このように形成されたダミーパターン１３０によって回路パターン１２０の上部に平坦な絶縁層１４０を形成することができる。

絶縁層１４０は、回路パターン１２０及びダミーパターン１３０の上部に形成されることができる。即ち、絶縁層１４０は、回路パターン１２０及びダミーパターン１３０を含浸しながら、ベース基板１１０の上部に形成されることができる。絶縁層１４０は、エポキシ樹脂で形成されることができる。ここで、絶縁層１４０は、スリットダイコーティング（Ｓｌｉｔ Ｄｉｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）方法によって形成されることができる。スリットダイコーティング方法は、スリットダイ装置を用いて回路パターン１２０及びダミーパターン１３０が含浸されるように、ベース基板１１０の上部に絶縁材を塗布して絶縁層を形成する方法である。ここで、スリットダイ装置は、基板上に一定量のコーティング液を吐出し、塗布させてコーティング膜を形成することに使用する装置である。このようなスリットダイコーティングによって絶縁層を形成することにより、平坦な絶縁層を形成することができる。また、スリットダイコーティングによって、回路パターン１２０とダミーパターン１３０との間に絶縁層を形成する際に、ボイド（Ｖｏｉｄ）が生じることを防止することができる。本発明の実施例によると、絶縁層１４０の厚さが１００μｍ以下になることができる。スリットダイ装置を用いたスリットダイコーティング方法により形成できる絶縁層１４０の厚さが１００μｍであることができる。

また、絶縁層１４０の最大高さと最小高さとの段差が３μｍ以下になることができる。ここで、３μｍの段差は絶縁層１４０の平坦度の基準になることができる。即ち、絶縁層１４０の段差が３μｍ以下になると、マルチレイヤー（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ）を容易に形成することができる。また、絶縁層１４０の段差が３μｍを超えると、高い段差によって後工程の後に不良が生じ得る。例えば、後工程で絶縁層１４０の上部に形成されるバンプのアラインメント（Ａｌｉｇｎ）不良が生じ得る。または、上部に形成された絶縁層１４０と下部に形成された絶縁層１４０との間にボイド（Ｖｏｉｄ）が形成され得る。
一方、本実施例では、ベース基板１１０の片面にのみ回路パターン１２０、ダミーパターン１３０及び絶縁層１４０を形成すると説明しているが、これは例示に過ぎず、ベース基板１１０の両面に回路パターン１２０、ダミーパターン１３０及び絶縁層１４０を形成することも可能である。

図２及び図３は、本発明の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。

図２を参照すると、先ず、ベース基板１１０の上部に回路パターン１２０及びダミーパターン１３０を形成することができる。

ベース基板１１０は、ビルドアップされる印刷回路基板を支持できる硬質の素材からなることができる。例えば、ベース基板１１０は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

また、ベース基板１１０には図示されてはいないが、ビア（不図示）が形成されることができる。ビア（不図示）は、印刷回路基板１００の両面に回路層が形成される場合、両面の回路層間の電気信号を連結するために形成されることができる。

回路パターン１２０及びダミーパターン１３０は、同時に形成されることができる。回路パターン１２０は、設計パターンに従って電気信号を伝達するベース基板１１０上に形成された伝導性ラインである。回路パターン１２０は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。ダミーパターン１３０は、回路パターン１２０と回路パターン１２０との間の空間に形成されることができる。本発明の実施例では、ダミーパターン１３０が回路パターン１２０と回路パターン１２０との間の空間に形成されるが、ダミーパターン１３０が形成される位置はこれに限定されない。即ち、ダミーパターン１３０は、回路パターン１２０を含む何れの構成部も形成されていないどの部分にも形成されることができる。

回路パターン１２０は、公知の方法により形成されることができ、ダミーパターン１３０は、回路パターン１２０を形成する際に、同時に形成されることができる。例えば、回路パターン１２０及びダミーパターン１３０を形成するために、パターニングされたメッキレジストをベース基板１１０の上部に形成することができる。その後、電解メッキ方法を用いて伝導性金属でメッキを施し、メッキレジストを除去することにより、ベース基板１１０の上部に回路パターン１２０及びダミーパターン１３０を同時に形成することができる。

図３を参照すると、回路パターン１２０及びダミーパターン１３０の上部に絶縁層１４０を形成することができる。

回路パターン１２０及びダミーパターン１３０が形成されたベース基板１１０の上部に、スリットダイコーティング方法により絶縁層１４０が形成されることができる。即ち、スリットダイ装置２００によって絶縁材が回路パターン１２０及びダミーパターン１３０の上部に塗布されることができる。スリットダイ装置２００は、絶縁層１４０が形成される区間を一定速度で一定方向に移動しながら、回路パターン１２０及びダミーパターン１３０の上部に一定量の絶縁材を吐出することにより、絶縁層１４０を形成することができる。

この際、絶縁材は、エポキシ樹脂であることができる。また、絶縁材は、液体状でスリットダイ装置２００から吐出されることができる。

このようにスリットダイ装置２００から液体状の絶縁材が吐出されることにより、回路パターン１２０及びダミーパターン１３０のようなパターン間の狭い空間にも絶縁材が塗布されることができる。従って、スリットダイ方法により絶縁層１４０を形成する際、パターン間の狭い空間にボイド（Ｖｏｉｄ）が形成されることを防止することができる。本発明の実施例によると、絶縁層１４０の最大厚さは１００μｍになることができる。スリットダイ装置を用いたスリットダイコーティング方法により形成できる絶縁層１４０の厚さが１００μｍであることができる。

また、絶縁層１４０の最大高さと最小高さとの段差が３μｍ以下になることができる。ここで、３μｍの段差は絶縁層１４０の平坦度の基準になることができる。即ち、絶縁層１４０の段差が３μｍ以下になると、マルチレイヤー（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ）を容易に形成することができる。また、絶縁層１４０の段差が３μｍを超えると、高い段差によって後工程の後に不良が生じ得る。例えば、後工程で絶縁層１４０の上部に形成されるバンプのアラインメント（Ａｌｉｇｎ）不良が生じ得る。または、上部に形成された絶縁層１４０と下部に形成された絶縁層１４０との間にボイド（Ｖｏｉｄ）が形成され得る。

また、回路パターン１２０間の広い空間にダミーパターン１３０を形成することにより、回路パターン１２０の上部に形成された絶縁層１４０と空間に形成された絶縁層１４０との間に段差が発生することを防止することができる。

一方、本実施例では、ベース基板１１０の片面にのみ回路パターン１２０、ダミーパターン１３０及び絶縁層１４０を形成すると説明しているが、これは例示に過ぎず、ベース基板１１０の両面に回路パターン１２０、ダミーパターン１３０及び絶縁層１４０を形成することも可能である。

図４は、本発明の実施例による印刷回路基板の回路パターンとダミーパターンとの間の間隔と、絶縁層を示す例示図である。

本発明の実施例によると、回路パターン１２０とダミーパターン１３０との距離は、以下の［式１］のように示すことができる。

ここで、Ｄは、回路パターン１２０とダミーパターン１３０との距離である。Ｄは、回路パターン１２０の下部とダミーパターン１３０の下部との距離であることができる。

Ｔ１は、回路パターン１２０の厚さである。また、Ｔ２は、回路パターン１２０またはダミーパターン１３０の上部に形成された絶縁層１４０の最大厚さである。

回路パターン１２０とダミーパターン１３０との間の間隔と、絶縁層１４０の段差の関係に対する実験結果を以下の［表１］より確認することができる。

［表１］で確認することができるように、［式１］を満す場合、絶縁層１４０の段差が３μｍ以下になることが分かる。即ち、回路パターン１２０とダミーパターン１３０との間の距離、回路パターン１２０またはダミーパターン１３０の厚さ及び絶縁層１４０の厚さが［式１］を満す場合、平坦化された絶縁層１４０を形成することができる。

図５は、本発明の他の実施例による印刷回路基板を示す例示図である。

図５を参照すると、印刷回路基板は、多層の回路層がビルドアップされた印刷回路基板である。印刷回路基板は、ベース基板１１０、ビルドアップ層１６０、バンプ１５３、及びソルダレジスト１５２を含むものである。

ベース基板１１０は、ビルドアップされる回路層を支持することができる硬質の素材からなることができる。例えば、ベース基板１１０は、金属板または絶縁材になることができる。ここで、金属板は、銅箔になることができ、絶縁材は、複合高分子樹脂からなることができる。またはベース基板１１０は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）を使用して微細回路を容易に具現したり、プリプレグを使用して印刷回路基板を薄く製作することができる。但し、これに限定されず、エポキシ樹脂または改質されたエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ樹脂、エポキシ−ノボラック樹脂、アラミド強化、ガラス繊維強化、または紙強化されたエポキシ樹脂を含む硬質の絶縁材で形成されることができる。

また、ベース基板１１０には図示されてはいないが、ビア（不図示）が形成されることができる。ビア（不図示）は、印刷回路基板１００の両面に回路層が形成される場合、両面の回路層間の電気信号を連結するために形成されることができる。

ビルドアップ層１６０は、ベース基板１１０の上部に形成されることができる。本発明の実施例によると、ビルドアップ層１６０は、多数個の回路パターン、多数個のダミーパターン及び多数個の絶縁層が積層された構造に形成されることができる。本発明の実施例によると、回路パターンは、第１回路パターン１２１乃至第３回路パターン１２３を含むことができる。ここで、回路パターンは、設計パターンに従って電気信号を伝達するベース基板１１０上に形成された伝導性ラインである。回路パターンは、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。また、ダミーパターンは、回路パターンが形成されていない領域に形成されるものであって、回路パターンの上部に形成される絶縁層１４０が均一に塗布されるようにするための補完材と言える。本発明の実施例によると、ダミーパターンは、第１ダミーパターン１３１乃至第３ダミーパターン１３３を含むことができる。このようなダミーパターンは、金、銀、銅、ニッケルなどの金属からなることができる。本発明の実施例では、回路パターンとダミーパターンが同時に形成され、同一の物質で形成されることができる。また、絶縁層は、エポキシ樹脂で形成されることができる。本発明の実施例によると、絶縁層は、第１絶縁層１４１乃至第３絶縁層１４３を含むことができる。本発明の実施例によると、絶縁層は、スリットダイ装置を用いたスリットダイコーティング方法により形成されることができる。

ビルドアップ層１６０は、ベース基板１１０の上部に形成された第１回路パターン１２１及び第１ダミーパターン１３１を含むことができる。第１回路パターン１２１及び第１ダミーパターン１３１の上部には、第１絶縁層１４１が形成されることができる。この際、第１絶縁層１４１と、第１回路パターン１２１が形成されていない空間に形成された第１ダミーパターン１３１とか、スリットダイコーティング方法によって平坦に形成されることができる。

また、ビルドアップ層１６０は、第１絶縁層１４１の上部に形成された第２回路パターン１２２及び第２ダミーパターン１３２を含むことができる。第２回路パターン１２２及び第２ダミーパターン１３２の上部には、第２絶縁層１４２が形成されることができる。この際、第２絶縁層１４２と、第２回路パターン１２２が形成されていない空間に形成された第２ダミーパターン１３２とが、スリットダイコーティング方法によって平坦に形成されることができる。

また、ビルドアップ層１６０は、第２絶縁層１４２の上部に形成された第３回路パターン１２３及び第３ダミーパターン１３３を含むことができる。第３回路パターン１２３及び第３ダミーパターン１３３の上部に第３絶縁層１４３が形成されることができる。この際、第３絶縁層１４３と、第３回路パターン１２３が形成されていない空間に形成された第３ダミーパターン１３３とが、スリットダイコーティング方法によって平坦に形成されることができる。

このように、ビルドアップ層１６０は、各層ごとに形成されたダミーパターンとスリットダイコーティング方法により、各層の絶縁層がそれぞれ平坦化されるように形成されることができる。即ち、本発明の実施例によるダミーパターンとスリットダイコーティング方法を利用して形成されたビルドアップ層１６０は、積層される絶縁層の層数と関係なく、最上位の絶縁層もまた平坦化されるように形成されることができる。

実装パッド１５１は、ビルドアップ層１６０の上部に形成されることができる。実装パッド１５１は、印刷回路基板１００の上部に実装される半導体チップ３００のような外部装置に連結されるための端子と言える。図５には、実装パッド１５１が第３絶縁層１４３の上部に形成され、他の第１回路パターン１２１〜第３回路パターン１２３のいずれとも連結されていないと図示されている。しかし、実装パッド１５１は、当業者の設計によってビア（不図示）を介して第１回路パターン１２１〜第３回路パターン１２３と電気的に連結されることができる。

バンプ１５３は、実装パッド１５１の上部に形成されることができる。バンプ１５３は、実装パッド１５１を介して印刷回路基板１００と半導体チップ３００とを電気的に接続するためのものである。バンプ１５３は、通常、ソルダ（Ｓｏｌｄｅｒ）で形成されることができる。

ソルダレジスト１５２は、ビルドアップ層１６０の上部に形成されることができる。また、ソルダレジスト１５２は、実装パッド１５１及びバンプ１５３を包むように形成されることができる。ソルダレジスト１５２は、印刷回路基板１００の最外側に形成され、回路パターン１２０などをソルダリング及びその他外部環境から保護することができる。

一方、本実施例では、ベース基板１１０の片面にのみビルドアップ層１６０を形成すると説明しているが、これは例示に過ぎず、ベース基板１１０の両面にビルドアップ層１６０を形成することも可能である。

このようにビルドアップ層１６０を形成する際に、第１絶縁層１４１乃至第３絶縁層１４３をそれぞれ平坦に形成することにより、以降バンプ１５３を形成する際にバンプ１５３のアラインメント（Ａｌｉｇｎ）不良が生じることを防止することができる。また、ビルドアップ層１６０を形成する際に第１絶縁層１４１乃至第３絶縁層１４３の間にボイド（Ｖｏｉｄ）が形成されることを防止することができる。

本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法は、回路パターンが形成されていない空間に形成され、［式１］を満たすように形成されたダミーパターンと絶縁層を形成するために用いられるスリットダイコーティング方法を同時に適用することにより、段差の少ない平坦な絶縁層を形成することができる。また、本発明の実施例による印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法は、平坦な絶縁層を形成することにより、印刷回路基板の信頼性を向上することができる。

図６は、本発明のさらに他の実施例による印刷回路基板を示す例示図である。

図６を参照すると、印刷回路基板５００は、ベース基板５１０、第１回路パターン５２１、第２回路パターン５２２、ダミーパターン５３０、及び絶縁層５４０を含むものである。

印刷回路基板５００は、電子機器の部品実装及び配線に用いられるものであることができる。印刷回路基板５００は、ベース基板５１０の一面に第１回路パターン５２１を含む回路層を形成した片面ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）または両面に回路層を形成した両面ＰＣＢであってもよい。または、印刷回路基板５００は、多層で回路層を形成したＭＬＢ（多層印刷回路基板；Ｍｕｌｔｉ Ｌａｙｅｒ Ｂｏａｒｄ）であってもよい。

ベース基板５１０は、ビルドアップされる印刷回路基板を支持できる硬質の素材からなることができる。例えば、ベース基板５１０は有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

また、ベース基板５１０には、図示されてはいないが、ビア（不図示）が形成されることができる。ビア（不図示）は、印刷回路基板５００の両面に回路層が形成される場合、両面の回路層間の電気信号を連結するために形成されることができる。

ベース基板５１０は、第１領域５１１と、第２領域５１２とに分けることができる。第１領域５１１は、多数個の回路パターンが密集して形成される領域であることができる。例えば、第１領域５１１は、以降、入出力バンプ（Ｉ／Ｏ Ｂｕｍｐ）が密集して形成される領域になることができる。第２領域５１２は、配線のための回路パターンが形成される領域になることができる。

第１領域５１１は、平坦な絶縁層５４０が形成される領域であることができる。第１領域５１１は、以降形成される入出力バンプのアラインメント不良を防止するために平坦な絶縁層１４０が形成される領域であることができる。第１領域５１１において多数個のパターンが狭い間隔を有するように形成されることができる。ここで、パターンは、第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０のうち少なくとも一つであることができる。

第２領域５１２は、段差を有する絶縁層５４０が形成される領域であることができる。第２領域５１２は、多数個のパターンが広い間隔を有するように形成されることができる。

第１回路パターン５２１は、設計パターンに従って電気信号を伝達するベース基板５１０上に形成された伝導性ラインである。即ち、第１回路パターン５２１は、ベース基板５１０上の回路領域に形成されることができる。第１回路パターン５２１は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。

ダミーパターン５３０は、ベース基板５１０上のダミー領域に形成される金属パターンである。本発明の実施例におけるダミー領域とは、印刷回路基板５００において第１回路パターン５２１が形成されていない領域を称する。即ち、ダミー領域は、第１回路パターン５２１と他の第１回路パターン５２１との間の領域であってもよい。ダミーパターン５３０は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの金属からなることができる。本発明の実施例では、ダミーパターン５３０は、第１回路パターン５２１と同一の金属で形成されることができる。また、ダミーパターン５３０は、第１回路パターン５２１が形成される際に同時に形成されることができる。このように形成されたダミーパターン５３０によって第１回路パターン５２１の上部に平坦な絶縁層５４０を形成することができる。

絶縁層５４０は、第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０の上部に形成されることができる。即ち、絶縁層５４０は、第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０を含浸するとともに、ベース基板５１０の上部に形成されることができる。絶縁層５４０はエポキシ樹脂で形成されることができる。ここで、絶縁層５４０は、スリットダイコーティング（Ｓｌｉｔ Ｄｉｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）方法によって形成されることができる。スリットダイコーティング方法は、スリットダイ装置を用いて第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０が含浸されるようにベース基板５１０の上部に絶縁材を塗布して絶縁層を形成する方法である。ここで、スリットダイ装置は、基板上に一定量のコーティング液を吐出して塗布することでコーティング膜を形成するために使用する装置である。このようなスリットダイコーティングによって絶縁層を形成することで、平坦な絶縁層を形成することができる。また、スリットダイコーティングにより、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間に絶縁層を形成する際にボイド（Ｖｏｉｄ）が生じることを防止することができる。本発明の実施例によると、絶縁層１４０の厚さが１００μｍ以下になることができる。スリットダイ装置を用いたスリットダイコーティング方法により形成できる絶縁層１４０の厚さが１００μｍであることができる。

本発明の実施例によると、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間隔により、第１領域５１１と第２領域５１２の絶縁層５４０は、それぞれ異なる厚さまたは高さを有するように形成される。

第２回路パターン５２２は、絶縁層５４０の上部に形成されることができる。第２回路パターン５２２は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。

本発明の実施例によると、第１領域５１１において、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔は［式２］を満すように形成されることができる。

ここで、Ｄ１は、第１領域５１１における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の距離である。Ｄ１は、第１領域５１１の第１回路パターン５２１の下部と、ダミーパターン５３０下部との間の距離であることができる。

Ｔ１は、第１回路パターン５２１の厚さである。また、Ｔ２は、第１回路パターン５２１またはダミーパターン５３０の上部に形成された絶縁層５４０の最大厚さである。

第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔が狭いほど、第１回路パターン５２１の上部、ダミーパターン５３０の上部、または第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間に形成された絶縁層５４０の段差が小くなることができる。また、スリットダイコーティングにより、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間に絶縁層を形成する際にボイド（Ｖｏｉｄ）が生じることを防止することができる。

第１領域５１１において、絶縁層５４０の最大高さと最小高さとの段差は３μｍ以下になることができる。ここで、３μｍの段差は絶縁層５４０の平坦度の基準になることができる。

第１領域５１１における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔と、絶縁層５４０の段差の関係は、前記［表１］より確認することができる。

また、本発明の実施例によると、第２領域５１２には段差を有する絶縁層５４０が形成されることができる。第２領域５１２に形成された多数個のパターンは広い間隔で形成されることができる。第２領域５１２における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔は［式３］を満すように形成されることができる。

ここで、Ｄ２は、第２領域５１２における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の距離である。Ｄ２は、第２領域５１２の第１回路パターン５２１の下部と、ダミーパターン５３０下部との間の距離であることができる。第２領域５１２における絶縁層５４０の高さは、第１回路パターン５２１またはダミーパターン５３０の上部に形成された絶縁層５４０の高さより低く形成されることができる。また、第２領域５１２における絶縁層５４０の高さは、第１回路パターン５２１またはダミーパターン５３０の上部に形成された絶縁層５４０の最小厚さ以上になるように形成されることができる。

本発明の実施例による印刷回路基板５００は、第１領域５１１と第２領域５１２の絶縁層５４０の高さまたは厚さが相違するため、第１領域５１１と第２領域５１２に形成される第２回路パターン５２２もまたそれぞれ異なる高さに形成される。即ち、第２領域５１２に形成された第２回路パターン５２２が、第１領域５１１に形成された第２回路パターン５２２より低い位置に形成されることができる。このように第２回路パターン５２２が異なる位置にそれぞれ形成されることにより、水平に形成された時に比べて相互の離隔距離が増加することができる。離隔距離が増加することにより、クロストーク（Ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）による不良発生を減少させることができる。また、第１領域５１１と第２領域５１２の絶縁層５４０の厚さは、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔を調節することにより調節されることができる。絶縁層５４０の厚さを調節することにより、第２回路パターン５２２のインピーダンス値も調節されることができる。第２回路パターン５２２のインピーダンス値は、以下の［式４］のとおりである。

ここで、Ｚ_０は、第２回路パターン５２２のインピーダンス値であり、ε_ｒは絶縁層５４０の誘電率であり、Ｗは、第２回路パターン５２２の幅であり、Ｔは、第２回路パターン５２２の厚さであり、Ｈは絶縁層５４０の厚さである。このように、第２回路パターン５２２のインピーダンス値は、絶縁層５４０の厚さ、絶縁層５４０の誘電率、第２回路パターン５２２の幅及び第２回路パターン５２２の厚さによって変更されることができる。即ち、絶縁層５４０の厚さを調節することにより、第２回路パターン５２２のインピーダンス値を調節することができる。

このような印刷回路基板５００は、ダミーパターン５３０及びスリットダイコーティング方法を用いて絶縁層５４０を形成することにより、絶縁層５４０の平坦化、段差及び厚さを調節することができる。これにより、必要に応じて、絶縁層５４０の平坦化が必要な部分と段差が必要な部分に全て適用することができ、設計自由度が増加することができる。また、クロストーク発生を防止してインピーダンス値を調節することができる。

図７から図９は、本発明のさらに他の実施例による印刷回路基板の製造方法を順に示す図面である。

図７を参照すると、まず、ベース基板５１０の上部に第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０を形成することができる。

ベース基板５１０は、ビルドアップされる印刷回路基板を支持できる硬質の素材からなることができる。例えば、ベース基板５１０は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができる。

また、ベース基板５１０には、図示されてはいないが、ビア（不図示）が形成されることができる。ビア（不図示）は、印刷回路基板５００が両面に回路層が形成される場合、両面の回路層の間の電気信号連結のために形成されることができる。

また、ベース基板５１０は、第１領域５１１と、第２領域５１２とに分けることができる。第１領域５１１は、多数個のパターンが狭い間隔で配置され、平坦な絶縁層５４０が形成される領域である。また、第２領域５１２は、多数個のパターンが広い間隔で配置され、第１領域５１１に形成された絶縁層５４０と高さの段差を有するように形成されることができる。

第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０は同時に形成されることができる。第１回路パターン５２１は、設計パターンに従って電気信号を伝達するベース基板５１０上に形成された伝導性ラインである。第１回路パターン５２１は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。ダミーパターン５３０は、第１回路パターン５２１と第１回路パターン５２１との間の空間に形成されることができる。本発明の実施例では、ダミーパターン５３０が第１回路パターン５２１と第１回路パターン５２１との間の空間に形成されるが、ダミーパターン５３０が形成される位置はこれに限定されない。即ち、ダミーパターン５３０は、第１回路パターン５２１を含む何れの構成部も形成されていない何れのところにも形成されることができる。

本発明の実施例によると、第１領域５１１では、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０が狭い間隔で形成されることができる。第１領域５１１において、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔は［式２］を満すように形成されることができる。

ここで、Ｄ１は、第１領域５１１における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の距離である。Ｄ１は、第１領域５１１の第１回路パターン５２１の下部と、ダミーパターン５３０下部との間の距離であることができる。

Ｔ１は、第１回路パターン５２１の厚さである。また、Ｔ２は、第１回路パターン５２１またはダミーパターン５３０の上部に以降に形成される絶縁層（図８の５４０）の最大厚さである。

第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔が狭いほど、第１回路パターン５２１の上部、ダミーパターン５３０の上部、または第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間に形成された絶縁層（図８の５４０）の段差が小さくなることができる。また、スリットダイコーティングによって第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間に絶縁層を形成する際にボイド（Ｖｏｉｄ）が生じることを防止することができる。

第１領域５１１において、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔と、絶縁層（図８の５４０）の段差の関係は、前記［表１］より確認することができる。

また、第２領域５１２において、第２回路パターン５２２とダミーパターン５３０が広い間隔で形成されることができる。第２領域５１２における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔は［式３］を満すように形成されることができる。

ここで、Ｄ２は、第２領域５１２における第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の距離である。Ｄ２は、第２領域５１２の第１回路パターン５２１の下部と、ダミーパターン５３０下部との間の距離であることができる。

第１回路パターン５２１は、公知の方法により形成されることができ、ダミーパターン５３０は、第１回路パターン５２１を形成する際に同時に形成されることができる。例えば、第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０を形成するためにパターニングされたメッキレジストをベース基板５１０の上部に形成することができる。その後、電解メッキ方法を用いて伝導性金属でメッキを行い、メッキレジストを除去することで、ベース基板５１０の上部に第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０を同時に形成することができる。

図８を参照すると、第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０の上部に絶縁層５４０を形成することができる。

第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０が形成されたベース基板５１０の上部にスリットダイコーティング方法により絶縁層５４０を形成することができる。即ち、スリットダイ装置２００によって絶縁材が第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０の上部に塗布されることができる。スリットダイ装置２００が絶縁層５４０が形成される区間を所定速度で所定方向に移動しながら、第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０の上部に一定量の絶縁材を吐出することで絶縁層５４０を形成することができる。この際、絶縁材はエポキシ樹脂であることができる。また、絶縁材は液体状でスリットダイ装置２００から吐出されることができる。

このように、スリットダイ装置２００から液体状の絶縁材が吐出されることにより第１領域５１１の第１回路パターン５２１及びダミーパターン５３０のようなパターン間の狭い空間にも絶縁材が塗布されることができる。従って、スリットダイ方法により絶縁層５４０を形成する際に、パターン間の狭い空間にボイド（Ｖｏｉｄ）が形成されることを防止することができる。

本発明の実施例によると、絶縁層５４０の厚さは１００μｍ以下になることができる。スリットダイ装置を用いたスリットダイコーティング方法により形成できる絶縁層５４０の厚さが１００μｍであることができる。

第１領域５１１における絶縁層５４０の最大高さと最小高さとの段差は３μｍ以下になることができる。ここで、３μｍの段差は絶縁層５４０の平坦度の基準になることができる。

また、第２領域５１２における絶縁層５４０の高さは、第１回路パターン５２１またはダミーパターン５３０の上部に形成された絶縁層５４０の高さより低く形成されることができる。また、第２領域５１２における絶縁層５４０の高さは、第１回路パターン５２１またはダミーパターン５３０の上部に形成された絶縁層５４０の最小厚さ以上になるように形成されることができる。

このように、スリットダイ装置２００から液体状の絶縁材が吐出されることにより、第２領域５１２の絶縁層５４０が第１領域５１１より薄く形成されることができる。即ち、絶縁層５４０が段差を有するように形成されることができる。

図９を参照すると、絶縁層５４０の上部に第２回路パターン５２２を形成することができる。この際、第２回路パターン５２２は、第１領域５１１と第２領域５１２の両方に形成されることができる。第２回路パターン５２２は、例えば、金、銀、銅、ニッケルなどの伝導性金属で構成されることができる。第１領域５１１と第２領域５１２の絶縁層５４０の高さまたは厚さが相違するため、第１領域５１１と第２領域５１２に形成される第２回路パターン５２２もまたそれぞれ異なる高さに形成されることができる。即ち、第２領域５１２に形成された第２回路パターン５２２が第１領域５１１に形成された第２回路パターン５２２より低い位置に形成されることができる。このように第２回路パターン５２２が異なる位置にそれぞれ形成されることにより、水平に形成された時に比べて相互の離隔距離が増加することができる。離隔距離が増加することにより、クロストーク（Ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）による不良発生を減少させることができる。また、第１領域５１１と第２領域５１２の絶縁層５４０の厚さは、第１回路パターン５２１とダミーパターン５３０との間の間隔を調節することにより調節されることができる。また、第２回路パターン５２２のインピーダンス値は絶縁層５４０の厚さによって調節されることができる。第２回路パターン５２２のインピーダンス値は、以下の［式４］のとおりである。

ここで、Ｚ_０は、第２回路パターン５２２のインピーダンス値であり、ε_ｒは絶縁層５４０の誘電率であり、Ｗは、第２回路パターン５２２の幅であり、Ｔは、第２回路パターン５２２の厚さであり、Ｈは絶縁層５４０の厚さである。このように、第２回路パターン５２２のインピーダンス値は、絶縁層５４０の厚さ、絶縁層５４０の誘電率、第２回路パターン５２２の幅及び第２回路パターン５２２の厚さによって変更されることができる。即ち、絶縁層５４０の厚さを調節することにより、第２回路パターン５２２のインピーダンス値を調節することができる。

本発明の実施例において、Ｄ、Ｄ１、Ｄ２を回路パターンとダミーパターンとの間隔と例示しているが、これは説明の便宜上のものであってこれに限定されない。即ち、Ｄ、Ｄ１及びＤ２は、回路パターンとダミーパターンのうち互いに近接したパターン間の距離であることができる。

また、本実施例では、ベース基板の一面にのみ回路パターン、ダミーパターン及び絶縁層を形成すると説明しているが、これは例示にすぎず、ベース基板の両面に回路パターン、ダミーパターン及び絶縁層を形成することも可能である。

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに制限されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。

本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。

本発明は、印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法に適用可能である。

１００、５００ 印刷回路基板
１１０、５１０ ベース基板
１２０ 回路パターン
１２１、５２１ 第１回路パターン
１２２、５２２ 第２回路パターン
１２３ 第３回路パターン
１３０、５３０ ダミーパターン
１３１ 第１ダミーパターン
１３２ 第２ダミーパターン
１３３ 第３ダミーパターン
１４０、５４０ 絶縁層
１４１ 第１絶縁層
１４２ 第２絶縁層
１４３ 第３絶縁層
１５１ 実装パッド
１５２ ソルダレジスト
１５３ バンプ
１６０ ビルドアップ層
２００ スリットダイ装置
３００ 半導体チップ
５１１ 第１領域
５１２ 第２領域

Claims (18)

1. ベース基板と、
   前記ベース基板の上部に形成される一つ以上の回路パターンと、
   前記ベース基板の上部に形成される一つ以上のダミーパターンと、
   前記回路パターン及び前記ダミーパターンの上部に形成される絶縁層と、を含み、
   前記回路パターン及び前記ダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式１］を満たす、印刷回路基板。
   

   

   （ここで、Ｄは、前記回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔であり、Ｔ１は、前記回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）
2. 前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下である、請求項１に記載の印刷回路基板。
3. 前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下である、請求項１に記載の印刷回路基板。
4. 前記ベース基板は、有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）である、請求項１に記載の印刷回路基板。
5. 前記ベース基板の上部または下部に形成された一つ以上の回路パターン及び絶縁層を有するビルドアップ層をさらに含む、請求項１に記載の印刷回路基板。
6. 第１領域及び第２領域を含むベース基板と、
   前記ベース基板の上部に形成される一つ以上の第１回路パターンと、
   前記ベース基板の上部に形成される一つ以上のダミーパターンと、
   前記第１回路パターン及び前記ダミーパターンの上部に形成される絶縁層と、
   前記絶縁層の上部に形成される一つ以上の第２回路パターンと、を含み、
   前記第１領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式２］を満し、
   前記第２領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式３］を満し、
   前記第１領域に形成された絶縁層の最小高さが、前記第２領域に形成された絶縁層の最大高さより高く形成される、印刷回路基板。
   

   

   

   （ここで、Ｄ１は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｄ２は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｔ１は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）
7. 前記第１領域において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下である、請求項６に記載の印刷回路基板。
8. 前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下である、請求項６に記載の印刷回路基板。
9. 前記ベース基板は有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）である、請求項６に記載の印刷回路基板。
10. ベース基板を準備する段階と、
    前記ベース基板の上部に一つ以上の回路パターン及び一つ以上のダミーパターンを形成する段階と、
    前記回路パターン及びダミーパターンの上部に、スリットダイコーティング（Ｓｌｉｔ Ｄｉｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）方法により絶縁層を形成する段階と、を含み、
    前記回路パターン及び前記ダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式１］を満す、印刷回路基板の製造方法。
    

    

    （ここで、Ｄは、前記回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔であり、Ｔ１は、前記回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）
11. 前記絶縁層を形成する段階において、
    前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下である、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
12. 前記絶縁層を形成する段階において、
    前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下である、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
13. 前記ベース基板は有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）である、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
14. 前記絶縁層を形成する段階の後に、
    前記ベース基板の下部及び前記絶縁層の上部のうち少なくとも一つに、一つ以上の回路パターン及び絶縁層を有するビルドアップ層を形成する段階をさらに含む、請求項１０に記載の印刷回路基板の製造方法。
15. 第１領域及び第２領域を含むベース基板を準備する段階と、
    前記ベース基板の上部に一つ以上の第１回路パターン及び一つ以上のダミーパターンを形成する段階と、
    前記第１回路パターン及びダミーパターンの上部に、スリットダイコーティング（Ｓｌｉｔ Ｄｉｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）方法により絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層の上部に一つ以上の第２回路パターンを形成する段階と、を含み、
    前記第１領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式２］を満し、
    前記第２領域において、第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の［式３］を満し、
    前記第１領域に形成された絶縁層の最小高さが、前記第２領域に形成された絶縁層の最大高さより高く形成される印刷回路基板の製造方法。
    

    

    

    （ここで、Ｄ１は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｄ２は、第１領域において、前記第１回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の距離であり、Ｔ１は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、Ｔ２は、前記第１回路パターンまたはダミーパターンの上部に形成された絶縁層の最大厚さである。）
16. 前記絶縁層を形成する段階において、
    前記第１領域において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が３μｍ以下である、請求項１５に記載の印刷回路基板の製造方法。
17. 前記絶縁層を形成する段階において、
    前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下である、請求項１５に記載の印刷回路基板の製造方法。
18. 前記ベース基板は有機物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または有機複合物基板（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）である、請求項１５に記載の印刷回路基板の製造方法。

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