JP2013128118A - 印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】印刷回路基板100は、ベース基板110と、ベース基板の上部に形成される一つ以上の回路パターン120と、ダミーパターン130と、回路パターン及びダミーパターンの上部に形成される絶縁層140と、を含み、回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターンの間隔Dが以下の式1を満たす。
(ここで、T1は、回路パターンまたはダミーパターンの厚さであり、T2は絶縁層の最大厚さである。)
【選択図】図1
Description
一方、本実施例では、ベース基板110の片面にのみ回路パターン120、ダミーパターン130及び絶縁層140を形成すると説明しているが、これは例示に過ぎず、ベース基板110の両面に回路パターン120、ダミーパターン130及び絶縁層140を形成することも可能である。
110、510 ベース基板
120 回路パターン
121、521 第1回路パターン
122、522 第2回路パターン
123 第3回路パターン
130、530 ダミーパターン
131 第1ダミーパターン
132 第2ダミーパターン
133 第3ダミーパターン
140、540 絶縁層
141 第1絶縁層
142 第2絶縁層
143 第3絶縁層
151 実装パッド
152 ソルダレジスト
153 バンプ
160 ビルドアップ層
200 スリットダイ装置
300 半導体チップ
511 第1領域
512 第2領域
Claims (18)
- 前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が3μm以下である、請求項1に記載の印刷回路基板。
- 前記絶縁層の厚さが100μm以下である、請求項1に記載の印刷回路基板。
- 前記ベース基板は、有機物基板(Organic Substrate)または有機複合物基板(Organic Composite Substrate)である、請求項1に記載の印刷回路基板。
- 前記ベース基板の上部または下部に形成された一つ以上の回路パターン及び絶縁層を有するビルドアップ層をさらに含む、請求項1に記載の印刷回路基板。
- 第1領域及び第2領域を含むベース基板と、
前記ベース基板の上部に形成される一つ以上の第1回路パターンと、
前記ベース基板の上部に形成される一つ以上のダミーパターンと、
前記第1回路パターン及び前記ダミーパターンの上部に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上部に形成される一つ以上の第2回路パターンと、を含み、
前記第1領域において、第1回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の[式2]を満し、
前記第2領域において、第1回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の[式3]を満し、
前記第1領域に形成された絶縁層の最小高さが、前記第2領域に形成された絶縁層の最大高さより高く形成される、印刷回路基板。
- 前記第1領域において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が3μm以下である、請求項6に記載の印刷回路基板。
- 前記絶縁層の厚さが100μm以下である、請求項6に記載の印刷回路基板。
- 前記ベース基板は有機物基板(Organic Substrate)または有機複合物基板(Organic Composite Substrate)である、請求項6に記載の印刷回路基板。
- ベース基板を準備する段階と、
前記ベース基板の上部に一つ以上の回路パターン及び一つ以上のダミーパターンを形成する段階と、
前記回路パターン及びダミーパターンの上部に、スリットダイコーティング(Slit Die Coating)方法により絶縁層を形成する段階と、を含み、
前記回路パターン及び前記ダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の[式1]を満す、印刷回路基板の製造方法。
- 前記絶縁層を形成する段階において、
前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が3μm以下である、請求項10に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する段階において、
前記絶縁層の厚さが100μm以下である、請求項10に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 前記ベース基板は有機物基板(Organic Substrate)または有機複合物基板(Organic Composite Substrate)である、請求項10に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記絶縁層を形成する段階の後に、
前記ベース基板の下部及び前記絶縁層の上部のうち少なくとも一つに、一つ以上の回路パターン及び絶縁層を有するビルドアップ層を形成する段階をさらに含む、請求項10に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 第1領域及び第2領域を含むベース基板を準備する段階と、
前記ベース基板の上部に一つ以上の第1回路パターン及び一つ以上のダミーパターンを形成する段階と、
前記第1回路パターン及びダミーパターンの上部に、スリットダイコーティング(Slit Die Coating)方法により絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層の上部に一つ以上の第2回路パターンを形成する段階と、を含み、
前記第1領域において、第1回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の[式2]を満し、
前記第2領域において、第1回路パターン及びダミーパターンの互いに隣り合うパターン間の間隔が以下の[式3]を満し、
前記第1領域に形成された絶縁層の最小高さが、前記第2領域に形成された絶縁層の最大高さより高く形成される印刷回路基板の製造方法。
- 前記絶縁層を形成する段階において、
前記第1領域において、前記絶縁層の最大高さと最小高さとの差が3μm以下である、請求項15に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する段階において、
前記絶縁層の厚さが100μm以下である、請求項15に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 前記ベース基板は有機物基板(Organic Substrate)または有機複合物基板(Organic Composite Substrate)である、請求項15に記載の印刷回路基板の製造方法。
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