JP7324351B2 - フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ - Google Patents
フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7324351B2 JP7324351B2 JP2022130072A JP2022130072A JP7324351B2 JP 7324351 B2 JP7324351 B2 JP 7324351B2 JP 2022130072 A JP2022130072 A JP 2022130072A JP 2022130072 A JP2022130072 A JP 2022130072A JP 7324351 B2 JP7324351 B2 JP 7324351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern portion
- substrate
- layer
- conductive pattern
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 451
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 253
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 187
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 92
- 230000008569 process Effects 0.000 description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- IYZWUWBAFUBNCH-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1C1=CC=CC=C1 IYZWUWBAFUBNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 28
- SXHLTVKPNQVZGL-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-3-(3-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C(=C(Cl)C=CC=2)Cl)=C1 SXHLTVKPNQVZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- MTLMVEWEYZFYTH-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trichloro-2-phenylbenzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1C1=CC=CC=C1 MTLMVEWEYZFYTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000010019 resist printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,4,4,4-hexachlorobutane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)CCC(Cl)(Cl)Cl MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMWSKOLWZZWHPL-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 NMWSKOLWZZWHPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018471 Cu6Sn5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150049492 DVR gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006040 Prunus persica var persica Nutrition 0.000 description 1
- 240000006413 Prunus persica var. persica Species 0.000 description 1
- 101001082832 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) Pyruvate carboxylase 2 Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000009791 electrochemical migration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000597 tin-copper alloy Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5387—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1656—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
- G06F1/1658—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories related to the mounting of internal components, e.g. disc drive or any other functional module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
- H05K1/0281—Reinforcement details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13012—Shape in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13012—Shape in top view
- H01L2224/13013—Shape in top view being rectangular or square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13012—Shape in top view
- H01L2224/13014—Shape in top view being circular or elliptic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81399—Material
- H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/81401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/81411—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer or layered thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Geometry (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
ージに関するものである。
ブル回路基板及びこれを含むチップパッケージである。
の狭い領域に高密度に半導体チップを実装するための多様な研究が行われている。
トパネルディスプレイ及びフレキシブルディスプレイの両方共に適用することができる。
即ち、COF方式は、多様なウェアラブル電子機器に適用できるという点で注目されてい
る。また、COF方式は、微細なピーチを具現できるので、画素数の増加による高解像度
(QHD)のディスプレイの具現に用いることができる。
装着する方式である。例えば、半導体チップは、集積回路(Integrated Circuit;IC)チッ
プまたは大規模集積回路(Large Scale Integrated circuit;LSI)チップからなることが
できる。
導体チップの実装技術として、フレキシブル基板を利用した多様なCOFパッケージ技術が
提案されている。
ル回路基板及びこれを含むチップパッケージ、及びこれを含む電子デバイスを提供しよう
とする。
ンCOF用フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ、及びこれを含む電子
デバイスを提供しようとする。
インワンCOF用フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ、及びこれを含
む電子デバイスを提供しようとする。
限されるものではなく、言及されていない他の技術的課題は、以下の記載で提案される実
施例が属する技術分野で通常の知識を有した者には明確に理解されるはずである。
される第1配線パターン層と、前記基板の前記第1面と反対となる第2面の上に配置され
る第2配線パターン層と、前記第2配線パターン層が配置されていない前記基板の前記第
2面の上に配置される第1ダミーパターン部と、前記第1配線パターン層の上に配置され
る第1保護層と、前記第2配線パターン層及び前記第1ダミーパターン部の上に配置され
る第2保護層と、を含み、前記第1ダミーパターン部の少なくとも一部は、前記第1配線
パターン層と垂直方向に重なる。
れ、少なくとも一部が前記第2配線パターン層と垂直方向に重なる第2ダミーパターン部
をさらに含む。
前記第1配線パターン層の一端と同一垂直線上に配置される。
が前記第1配線パターン層の一端より前記基板の端部から近い。
前記第1ダミーパターン部は、前記第1配線パターン層のうち一番左側に配置された第1
配線パターン層よりも左側に配置される。
れた第2配線パターン層よりも右側に配置される。
2配線パターン層の上に配置される錫(Sn)を含む第2めっき層とをさらに含み、前記第1
ダミーパターン部は、前記第2配線パターン層に対応する第1ダミーパターン層と、前記
第2めっき層に対応する第2ダミーパターン層とを含み、前記第2ダミーパターン部は、
前記第1配線パターン層に対応する第3ダミーパターン層と、前記第1めっき層に対応す
る第4ダミーパターン層とを含む。
基板と、前記基板の上に配置される伝導性パターン部と、前記基板の上に配置されるダミ
ーパターン部と、前記伝導性パターン部の上の一領域及び前記のダミーパターン部の上に
配置される保護部と、を含み、前記伝導性パターン部は、前記基板の第1面の上に配置さ
れる第1配線パターン層と、前記第1配線パターン層の上に配置される第1めっき層と、
前記基板の前記第1面と反対となる第2面の上に配置される第2配線パターン層と、前記
第2配線パターン層の上に配置される第2めっき層とを含み、前記保護層の第1オープン
領域における前記めっき層の錫(Sn)の含有量は、前記保護層の第2オープン領域における
前記めっき層の錫(Sn)の含有量より多く、前記第1オープン領域に配置される第1チップ
と、前記第2オープン領域に配置される第2チップを含み、前記のダミーパターン部は、
前記第2配線パターン層が配置されていない前記基板の前記第2面の上に配置され、少な
くとも一部が前記第1配線パターン層と垂直方向に重なる第1ダミーパターン部と、前記
第1配線パターン層が配置されていない前記基板の前記第1面の上に配置され、少なくと
も一部が前記第2配線パターン層と垂直方向に重なる第2ダミーパターン部とを含む。
前記第1ダミーパターン部は、前記第1配線パターン層のうち一番左側に配置された第1
配線パターン層よりも左側に配置され、前記第2ダミーパターン部は、前記第2配線パタ
ーン層のうち一番右側に配置された第2配線パターン層よりも右側に配置される。
、ダイオードチップ、電源ICチップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、B
GAチップ、チップコンデンサのうち少なくとも1つであるものを含むオールインワンC
OF用フレキシブル回路基板を含む。
性パターン部と、前記基板の上に配置されるダミーパターン部と、前記伝導性パターン部
の上の一領域に部分的に配置される保護部と、を含み、前記伝導性パターン部は、前記基
板の第1面の上に配置される第1配線パターン層と、前記第1配線パターン層の上に配置
される第1めっき層と、前記基板の前記第1面と反対となる第2面の上に配置される第2
配線パターン層と、前記第2配線パターン層の上に配置される第2めっき層とを含み、前
記保護層の第1オープン領域における前記めっき層の錫(Sn)の含有量は、前記保護層の第
2オープン領域における前記めっき層の錫(Sn)の含有量より多いものを含むオールインワ
ンCOF用フレキシブル回路基板と、前記オールインワンフレキシブル回路基板の一端と
連結されるディスプレイパネルと、前記オールインワンフレキシブル回路基板の前記一端
と反対となる他端と連結されるメインボードと、を含み、前記のダミーパターン部は、前
記第2配線パターン層が配置されていない前記基板の前記第2面の上に配置され、少なく
とも一部が前記第1配線パターン層と垂直方向に重なる第1ダミーパターン部と、前記第
1配線パターン層が配置されていない前記基板の前記第1面の上に配置され、少なくとも
一部が前記第2配線パターン層と垂直方向に重なる第2ダミーパターン部とを含む。
第2接続部が配置され、前記第1接続部の上に第1チップが配置され、前記第2接続部の
上に第2チップが配置される。
記オールインワンフレキシブル回路基板は、前記ディスプレイパネルと前記メインボード
の間で折り曲げられて配置される。
レキシブル回路基板に実装することができ、向上した信頼性を有するオールインワンCO
F用フレキシブル回路基板チップパッケージを提供することができる。
基板でディスプレイパネルとメインボードを直接連結して、ディスプレイパネルから発生
する信号をメインボードまで伝達するためのフレキシブル回路基板のサイズ及び厚さを減
らすことができ、これによって、他の部品の空間及び/またはバッテリー空間を拡張させ
ることができる。
必要とされないので、工程の便宜性及び電気的連結の信頼性が向上し、これによって、高
解像度のディスプレイ部を有する電子デバイスに適合したオールインワンCOF用フレキ
シブル回路基板を提供することができる。
るように前記基板の第2面にダミーパターンを配置し、前記基板の第2面に配置された回
路パターンに対応するように前記基板の第1面にダミーパターンを配置することで、前記
基板の前記第1面または前記第2面のソルダーレジストの印刷時に発生するソルダーレジ
ストが塗布されない問題やピンホール(pinhole)問題を解決することができる。
ドまたはパターンの「上(on)」にまたは「下(under)」に形成されるという記載は、直接(
directly)または他の層を介して形成されるものも含む。各層の上または下に対する基準
は、図面を基準として説明する。
されている場合だけではなく、その間に他の部材を置いて「間接的に連結」されている場
合も含む。また、ある部分がある構成要素を「含む」とする場合、これは、特に反対とな
る記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに備えることが
できるということを意味する。
び便宜を図り、変形されることがあるので、実際のサイズを反映したものではない。
。
で伝達するために、少なくとも2つのPCBが要求される。
らなることができる。
0を含むことができる。
きる。具体的に、前記第1PCB10は、COF(Chip On Film)用FPCBからなること
ができる。前記第1PCB10は、第1チップC1が実装されるCOF用FPCBからな
ることができる。より具体的に、前記第1PCB10は、駆動ICチップ(Drive IC chip
)を配置するためのCOF用FPCBからなることができる。
0は、前記第1チップC1と異なる種類の第2チップC2を配置するためのFPCBから
なることができる。ここで、前記第2チップC2は、駆動ICチップ(Drive IC chip)以
外のものとして、駆動ICチップ(Drive IC chip)を除いた他のチップ、半導体素子、ソ
ケットなどFPCBの上に電気的連結のために配置される多様なチップを意味することが
できる。前記第2PCB20は、複数の第2チップC2を配置するためのFPCBからな
ることができる。例えば、前記第2PCB20は、相互異なる種類の複数の第2チップC
2a、C2bを配置するためのFPCBからなることができる。
。前記第2PCB20の厚さは、前記第1PCB10の厚さより小さい厚さを有すること
ができる。例えば、前記第1PCB10は、約20μm~100μmの厚さを有すること
ができる。前記第2PCB20は、約100μm~200μmの厚さを有することができ
る。例えば、前記第1PCB10及び前記第2PCBの厚さの和t1は、200μm~2
50μmを有することができる。
ードの間に第1及び第2PCBが要求されるので、電子デバイスの全体的な厚さが増加す
ることになる。具体的に、比較例に係るディスプレイ部を備えた電子デバイスは、上下に
積層される第1及び第2PCBが要求されるので、電子デバイスの全体的な厚さが増加す
ることになる。
る。例えば、前記第1PCB10は、ROLL to ROLL工程によって製造されてもよい。前記
第2PCB20は、シート(sheet)方式で製造されてもよい。
プが配置され、それぞれのチップと連結されるための伝導性パターン部の間隔(pitch)は
相互異なってもよい。例えば、前記第2PCB20の上に配置される伝導性パターン部の
間隔(pitch)は、前記第1PCB10の上に配置される伝導性パターン部の間隔(pitch)よ
り大きい間隔を有することができる。例えば、前記第2PCB20の上に配置される伝導
性パターン部の間隔(pitch)は100μm以上であり、前記第1PCB10の上に配置さ
れる伝導性パターン部の間隔(pitch)は100μm未満であってもよい。
CB10は、ROLL to ROLL工程を通じて製造することで工程が効率的で工程コストを低減
させることができる。一方、100μm以上の間隔で配置される伝導性パターン部を有す
る前記第2PCB20は、ROLL to ROLL工程で扱うことが難しいので、シート工程を用い
ることが一般的であった。
低下する。
のチップを1つの基板の上に配置する工程の難易性があるので、別途の第1及び第2PC
Bが要求される。
のチップを1つの基板の上で接続させ難い問題点がある。
、それぞれの信号伝達特性のみを考慮してデザインされる。即ち、前記比較例に係るフレ
キシブル回路基板は、基板の一番外側層に配置される保護層(例えば、ソルダーレジスト)
の印刷工程に対する信頼性を考慮していない状態で、前記上部回路パターンや下部回路パ
ターンをデザインする。よって、比較例に係るフレキシブル回路基板は、前記保護層は、
印刷工程で前記上部回路パターンと前記下部回路パターンの間の位置差によるピンホール
が発生する問題点がある。
される。
に、第1PCB10はディスプレイパネル30と連結され、第1PCB10は、再び第2
PCB20と連結され、第2PCB20はメインボード40に連結される。
ネル30は、接着層50によって前記第1PCB10と連結される。
記第1PCB10は、前記接着層50によって前記第2PCB20と連結される。
前記一端と反対となる他端は、メインボード40と連結される。前記第2PCB20は、
前記接着層50によってメインボード40と連結される。
前記第1PCB10の間、前記第1PCB10と前記第2PCB20の間、前記第2PC
B20と前記メインボード40の間に、それぞれ別途の接着層50が要求される。即ち、
比較例に係るディスプレイ部を備えた電子デバイスは、多数の接着層が要求されるので、
接着層の連結不良によって電子デバイスの信頼性が低下する問題点がある。また、上下に
連結される前記第1PCB10及び前記第2PCB20の間に配置される接着層は、電子
デバイスの厚さを増加させる。
CB10、第2PCB20、ディスプレイパネル30、及びメインボード40を説明する
。
、図1bの下面における平面図である。
して配置される前記ディスプレイパネル30及び前記メインボード40の間には、折り曲
げ(bending)領域を含む第1PCB10が配置される。
プC1が配置される。
記第2PCB20の折り曲げられない領域に前記第2チップC2が配置される。
1は、それぞれの前記第1PCB10及び前記第2PCB20の長さの和である。前記第
1PCB10及び前記第2PCB20の一方向における長さL1は、前記第1PCB10
の短辺の長さ及び前記第2PCB20の短辺の長さの和である。一例として、前記第1P
CB10及び前記第2PCB20の一方向における長さL1は、30mm~40mmを有する
ことができる。ただし、実装するためのチップの種類、電子デバイスの種類によって、前
記第1PCB10及び前記第2PCB20の一方向における長さL1は、多様な大きさを
有することができる。
めの空間またはバッテリー60を配置するための空間が縮小される。
を強化するために、多様な機能を有する部品が追加されている。例えば、スマートフォン
、スマートウォッチなどの電子デバイスには、複数のカメラモジュール(デュアルカメラ
モジュール)が搭載されたり、虹彩認識、VR(Virtual Reality)のような多様な機能を有す
る部品が追加されている。よって、追加される部品を実装するための空間の確保が重要で
ある。
向上させるために、バッテリー空間の拡大が要求される。
で、新たな部品を実装するための空間確保またはバッテリーの大きさを拡大させるための
空間確保の重要性が浮上している。
別途の第1PCB10及び第2PCB30に配置される。よって、第1PCB10及び第
2PCB30の間の接着層50の厚さ及び前記第2PCB30の厚さは、電子デバイスの
厚さを増加させる問題点があった。
の空間が減る問題点があった。
あった。
る新しい構造のオールインワンCOF用フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッ
ケージ、及びこれを含む電子デバイスを提供することができる。実施例と比較例の同じ図
面符号は同じ構成要素を表し、先述した比較例と重なる説明は省略する。
板を含む電子デバイスを説明する。
ために1つのPCBを使用することができる。実施例に係るディスプレイ部を含む電子デ
バイスに含まれるPCBは、1つのFPCBからなることができる。よって、実施例に係
るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100は、
相互対向するディスプレイ部とメインボードの間で折り曲げられて(bending)ディスプレ
イ部及びメインボードを連結することができる。
ブル回路基板100は、相互異なる種類の複数のチップを配置するための1つの基板から
なることができる。
板100は、相互異なる種類の第1チップC1及び第2チップC2を配置するための基板
からなることができる。
板100の厚さt2は20μm~100μmを有することができる。例えば、実施例に係
るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100の厚
さt2は30μm~80μmを有することができる。例えば、実施例に係るオールインワ
ンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100の厚さt2は50μ
m~75μmを有することができる。ただし、実装するためのチップの種類、電子デバイ
スの種類によって、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フ
レキシブル回路基板100の厚さは、多様な大きさに設計することができる。
ブル回路基板100が曲げられる際に(またはベンディングされる際に)切れる問題が発生
する可能性があり、実装されるチップ(Chip)で発生する熱等による破損が発生する可能性
がある。
板100の厚さt2は、比較例に係る複数の第1及び第2PCBの厚さt1の1/5~1
/2程度の厚さを有することができる。即ち、実施例に係るオールインワンCOF(All i
n one chip on film)用フレキシブル回路基板100の厚さt2は、比較例に係る複数の
第1及び第2PCBの厚さt1の20%~50%の程度の厚さを有することができる。例
えば、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回
路基板100の厚さt2は、比較例に係る複数の第1及び第2PCBの厚さt1の25%
~40%の程度の厚さを有することができる。例えば、実施例に係るオールインワンCO
F(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100の厚さt2は、比較例に係
る複数の第1及び第2PCBの厚さt1の25%~35%の程度の厚さを有することがで
きる。
ードの間にただ1つのオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル
回路基板100が要求されるので、電子デバイスの全体的な厚さを減らすことができる。
具体的に、実施例に係るディスプレイ部を備えた電子デバイスは、単層のPCBが要求さ
れるので、電子デバイスの全体的な厚さが減少する。
することができ、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板を含むチップパッケージ
及びこれを含む電子デバイスの全体的な厚さを減らすことができる。
着不良による問題点を解消することができるので、電子デバイスの信頼性を向上させるこ
とができる。
が低減する。
収率を向上させることができる。
板100は、折曲領域及び非折曲領域を含むことができる。実施例に係るオールインワン
COF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100は、折曲領域を含むこ
とで、対向して配置される前記ディスプレイパネル30及び前記メインボード40を連結
することができる。
板100の非折曲(non-bending)領域は、ディスプレイパネル30と対向して配置される
。実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基
板100の非折曲領域上には、第1チップC1及び第2チップC2が配置される。よって
、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基
板100は、前記第1チップC1及び前記第2チップC2の安定した実装が可能となる。
2は、1つの基板の長さである。実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip o
n film)用フレキシブル回路基板100の一方向における長さL2は、実施例に係るオー
ルインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100の短辺の長
さである。一例として、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)
用フレキシブル回路基板100の一方向における長さL2は、10mm~50mmを有するこ
とができる。例えば、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用
フレキシブル回路基板100の一方向における長さL2は、10mm~30mmを有すること
ができる。例えば、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フ
レキシブル回路基板100の一方向における長さL2は、15mm~25mmを有することが
できる。ただし、実施例はこれに限定されるものではなく、配置するためのチップの種類
及び/または個数、電子デバイスの種類によって多様な大きさに設計できることはもちろ
んである。実施例のように、1つの基板に多数のチップを実装することで、フレキシブル
回路基板の長さを50mm以下に減らすことができる。フレキシブル回路基板の長さを10
mm以下にする場合、実装される多数のチップのデザイン自由度が落ち、チップの間の間隔
が狭いので相互電気的特性に影響を与えることがある。
板100の一方向における長さL2は、比較例に係る複数の第1及び第2PCBの一方向
における長さL1の50%~70%程度の長さを有することができる。例えば、実施例に
係るオールインワンCOF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100の
一方向における長さL2は、比較例に係る複数の第1及び第2PCBの一方向における長
さL1の55%~70%程度の長さを有することができる。実施例に係るオールインワン
COF(All in one chip on film)用フレキシブル回路基板100の一方向における長さ
L2は、比較例に係る複数の第1及び第2PCBの一方向における長さL1の60%~7
0%程度の長さを有することができる。
)用フレキシブル回路基板100を含むチップパッケージの大きさが減少し、バッテリー
60を配置するための空間が拡大する。また、実施例に係るオールインワンCOF(All i
n one chip on film)用フレキシブル回路基板100を含むチップパッケージは平面積が
減少し、他の部品を搭載するための空間確保が可能となる。
lm)用フレキシブル回路基板100及びこれのチップパッケージを説明する。
3aのフレキシブル回路基板の変形例であり、図4aは比較例に係るダミーパターン部を
含まないフレキシブル回路基板の断面図であり、図4bは本発明の実施例に係る下部ダミ
ーパターン部DP1を含むフレキシブル回路基板の断面図であり、図5a~図5dは図4
bに示された下部ダミーパターン部DP1の多様な変形例を示した図面であり、図6は本
発明の実施例に係る上部ダミーパターン部DP2を示した図面であり、図7aは実施例に
係る両面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板の他の断面図であり、図7bは図
7aに係る両面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板を含むチップパッケージの
断面図であり、図8は実施例に係る両面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板を
含むチップパッケージの別の断面図である。
図7b、図8を参照すると、実施例に係るオールインワンCOF(All in one chip on fi
lm)用フレキシブル回路基板100は、両面の上に電極パターン部を有する両面オールイ
ンワンCOF用フレキシブル回路基板からなることができる。
板100は、基板110、前記基板110の上に配置される配線パターン層120、めっ
き層130、上部ダミーパターン部DP2、下部ダミーパターン部DP1及び保護層14
0を含むことができる。
ミーパターン部DP2及び保護層140を配置した後、前記一面と反対となる他面の上に
配線パターン層120、めっき層130、下部ダミーパターン部DP1及び保護層140
を配置することができる。
ダミーパターン部DP2及び上部保護層が配置され、前記一面と反対となる他面の上に下
部配線パターン層、下部めっき層、下部ダミーパターン部DP1及び下部保護層が配置さ
れる。
よって、工程効率が向上する。ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、他の
伝導性物質を含むことができるのはもちろんである。
工程効率が向上する。
効率が向上する。ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、他の伝導性物質を
含むことができるのはもちろんである。
上する。
配置された下部配線パターン層に対応する位置に配置され、下部ダミーパターン部DP1
は、前記基板の下面のうち前記基板110の上面に配置された上部配線パターン層に対応
する位置に配置される。よって、本発明では、上部保護層または下部保護層の印刷工程で
、前記基板110の上下部の高さの差によって発生するピンホール問題を解決することが
でき、これによるPCBの信頼性を向上させることができる。
持する支持基板からなることができる。
基板110は、折り曲げられる折曲領域及び折曲領域以外の非折曲領域を含むことができ
る。
は、部分的な折り曲げが可能となる。即ち、前記基板110は、フレキシブルプラスチッ
クを含むことができる。例えば、前記基板110は、ポリイミド(polyimide)基板からな
ることができる。ただし、実施例は、これに限定されるものではなく、ポリエチレンテレ
フタラート(polyethylene terephthalate)、ポリエチレンナフタレート(polyethylene na
phthalate)のような高分子物質で構成された基板からなることができる。よって、前記基
板110を含むフレキシブル回路基板は、曲線のディスプレイ装置が備えられた多様な電
子デバイスに用いることができる。例えば、前記基板110を含むフレキシブル回路基板
は、フレキシブル特性が優れるので、ウェアラブル電子デバイスの半導体チップを実装す
ることに適合する。具体的に、実施例は、曲面ディスプレイを含む電子デバイスに適合す
る。
配線パターンを支持する絶縁基板からなることができる。
板110は25μm~50μmの厚さを有することができる。例えば、前記基板100は
30μm~40μmの厚さを有することができる。前記基板100の厚さが100μmを
超える場合には、全体的なフレキシブル回路基板の厚さが増加することになる。前記基板
100の厚さが20μm未満である場合には、第1チップC1及び第2チップC2を同時
に配置することが困難となる。前記基板110の厚さが20um未満の場合には、多数のチ
ップを実装する工程で、前記基板110が熱/圧力などに弱く、多数のチップを同時に配
置することが困難となる。前記基板110の上には配線が配置される。前記配線はパター
ン化された複数の配線であってもよい。例えば、前記基板110の上で、前記複数の配線
は離隔して配置される。即ち、前記基板110の一面の上には配線パターン層120が配
置される。
とができる。具体的に、前記基板110の平面積は、前記配線パターン層120の平面積
より大きい平面積を有することができる。即ち、前記基板110の上には、前記配線パタ
ーン層120が部分的に配置される。例えば、前記配線パターン層120の下面は、前記
基板110と接触し、前記複数の配線の間には、前記基板110が露出する。前記配線パ
ターン層120は、伝導性物質を含むことができる。
ールを含むことができる。前記基板110の複数の貫通ホールは、機械的工程または化学
的工程によって、それぞれまたは同時に形成される。例えば、前記基板110の複数の貫
通ホールは、ドリル工程またはエッチング工程によって形成される。一例として、前記基
板の貫通ホールは、レーザーによるパンチング及びデスミア工程を通じて形成される。前
記デスミア工程は、前記貫通ホールの内側面に付着したポリイミドスミアを除去する工程
であってもよい。前記デスミア工程によって、前記ポリイミド基板の内側面は、直線と類
似する傾斜面を有することができる。
P1、DP2及び保護層140が配置される。具体的に、前記基板110の両面の上には
配線パターン層120、めっき層130、ダミーパターン部DP1、DP2及び保護層1
40がそれぞれ順に配置される。この時、前記のダミーパターン部DP1、DP2は、前
記配線パターン層120及び前記めっき層130に対応する高さを有する。好ましくは、
本発明の第1実施例における前記のダミーパターン部DP1、DP2は、前記配線パター
ン層120と同じ金属物質で形成され、前記配線パターン層120より大きい厚さを有す
ることができる。好ましくは、前記のダミーパターン部DP1、DP2は、前記配線パタ
ーン層120の厚さと前記めっき層130の厚さを合わせた厚さを有することができる。
(sputtering)のうちの少なくとも1つの方法で形成される。
形成される。一例として、回路を形成するための配線層は、無電解めっきによって形成さ
れた銅めっき層からなることができる。または、前記配線層は、無電解めっきに及び電解
めっきによって形成された銅めっき層からなることができる。
ング工程を通じて、フレキシブル回路基板の両面、即ち上面と下面にパターン化された配
線層を形成することができる。よって、前記配線パターン層120を形成することができ
る。
る。より具体的に、前記配線パターン層120は、銅(Cu)を含むことができる。ただし、
実施例はこれに限定されるものではなく、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、ニッ
ケル(Ni)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、金(Au)、チタン(Ti)及びこれらの合金のうち少なく
とも1つの金属を含むことができるのはもちろんである。
パターン層120は1μm~10μmの厚さで配置される。例えば、前記配線パターン層
120は2μm~10μmの厚さで配置される。
抵抗が増加する。前記配線パターン層120の厚さが10μmを超える場合には微細パタ
ーンを具現することが困難となる。
れる。ビアホールの内部に満たされる伝導性物質は、前記配線パターン層120と対応す
る物質または異なる伝導性物質からなることができる。例えば、ビアホールの内部に満た
される伝導性物質は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、銀(Ag)、
モリブデン(Mo)、金(Au)、チタン(Ti)及びこれらの合金のうち少なくとも1つの金属を含
むことができる。前記基板110の上面の伝導性パターン部CPの電気的信号は、前記ビ
アホールに満たされた伝導性物質を通じて前記基板110の下面の伝導性パターン部CP
に伝達される。
っき層130は、第1めっき層131及び第2めっき層132を含むことができる。
層131の上には前記第2めっき層132が配置される。前記第1めっき層131及び前
記第2めっき層132は、ウィスカー(whisker-kr00000374075b1)の形成を防止するため
に、前記配線パターン層120の上に2層で形成される。よって、前記配線パターン層1
20のパターンの間の短絡を防止することができる。また、前記配線パターン層120の
上には2層のめっき層が配置されるので、チップとのボンディング特性が向上する。前記
配線パターン層が銅(Cu)を含む場合には、前記配線パターン層が第1チップC1と直接ボ
ンディングすることができず、別途に接着するための処理が要求される。反面、前記配線
パターン層の上に配置される前記めっき層が錫(Sn)を含む場合には、前記めっき層の表面
が純粋な錫層であるので、第1チップC1とボンディングが容易となる。この時、第1チ
ップC1と連結されるワイヤーは、純粋な錫層と熱と圧力だけで簡単に連結され、チップ
ワイヤーボンディングの正確性及び製造工程の便宜性を向上させることができる。
域と対応してもよい。即ち、前記第1めっき層131が配置される面積は、前記第2めっ
き層132が配置される面積と対応してもよい。
及び前記第2めっき層132は、錫(Sn)を含むことができる。
び前記第2めっき層132を錫(Sn)で配置することができる。前記めっき層130が錫を
含む場合には、錫(Sn)の耐食性が優れるので、前記配線パターン層120の酸化を防止す
ることができる。
い。前記めっき層130は、前記配線電極層120と電気的接続が可能となる。
別途の工程で形成される。
る場合には、前記配線パターン層120の銅(Cu)または前記めっき層130の錫(Sn)の拡
散作用が起きる。具体的に、前記保護層140の硬化を通じて、前記配線パターン層12
0の銅(Cu)または前記めっき層130の錫(Sn)の拡散作用が起きる。
くほど銅(Cu)の拡散濃度が低くなることで、銅(Cu)の含有量が連続的に小さくなる。一方
、前記第1めっき層131において、前記第2めっき層132の表面に行くほど錫(Sn)の
含有量は連続的に大きくなる。よって、前記めっき層130の最上部は、純粋な錫を含む
ことができる。
用によって、前記めっき層130の少なくとも一部は、錫及び銅の合金からなることがで
きる。前記配線パターン層120の上に前記めっき層130を形成した後の錫及び銅の合
金の厚さより、前記めっき層130の上に前記保護層140を硬化させた後の錫及び銅の
合金の厚さは増加する。
学式を有し、0<x+y<12である。例えば、前記化学式において、xとyの和は4≦x
+y≦11である。例えば、前記めっき層130に含まれた錫及び銅の合金は、Cu3S
n及びCu6Sn5のうち少なくとも1つを含むことができる。具体的に、前記第1めっ
き層131は、錫及び銅の合金層からなることができる。
互異なってもよい。前記銅配線パターン層と直接接触する前記第1めっき層131は、前
記第2めっき層132より銅の含有量が大きい。
2めっき層132は、純粋な錫を含むことができる。ここで、純粋な錫とは、錫(Sn)の含
有量が50原子%以上であるもの、70原子%以上であるもの、90原子%以上であるも
のを意味することができる。この時、錫以外の元素は、銅からなることができる。例えば
、前記第2めっき層132は、錫(Sn)の含有量が50原子%以上であってもよい。例えば
、前記第2めっき層132は、錫(Sn)の含有量が70原子%以上であってもよい。例えば
、前記第2めっき層132は、錫(Sn)の含有量が90原子%以上であってもよい。例えば
、前記第2めっき層132は、錫(Sn)の含有量が95原子%以上であってもよい。例えば
、前記第2めっき層132は、錫(Sn)の含有量が98原子%以上であってもよい。
(Electrochemical Migration Resistance)を防止し、金属成長によるショート不良を遮断
することができる。
u合金、金(Au)、無電解ニッケル金めっき(electroless nickel immersion gold;ENIG)
、Ni/Pd合金、有機化合物めっき(Organic Solderability Preservative、OSP)のい
ずれか1つを含むことができるのはもちろんである。
することができる。前記第1めっき層131及び前記第2めっき層132の全体厚さは0
.3μm~1μmを有することができる。前記第1めっき層131及び前記第2めっき層
132の全体厚さは0.3μm~0.7μmを有することができる。前記第1めっき層1
31及び前記第2めっき層132の全体厚さは0.3μm~0.5μmを有することがで
きる。前記第1めっき層131及び前記第2めっき層132のいずれか1つのめっき層は
0.05μm~0.15μm以下の厚さを有することができる。例えば、前記第1めっき
層131及び前記第2めっき層132のいずれか1つのめっき層は0.07μm~0.1
3μm以下の厚さを有することができる。
る。
前記保護層140は、前記配線パターン層120の上の前記めっき層130の上に配置さ
れる。前記保護層140は、前記めっき層130を覆うことができ、前記配線パターン層
120及び前記めっき層130の酸化による損傷または脱膜を防止することができる。
ィスプレイパネル30、メインボード40、第1チップC1または第2チップC2と電気
的に連結されるための領域を除いた領域に部分的に配置される。
き層130と部分的に重なってもよい。
前記保護層140は、基板の終端を除いた領域に配置され、複数のオープン領域を含むこ
とができる。
る。前記第1オープン領域OA1は、前記配線パターン層120及び/または前記めっき
層130が第1チップC1と電気的に連結されるための前記保護層140の非配置領域で
あってもよい。
る。前記第2オープン領域OA2は、前記配線パターン層120及び/または前記めっき
層130が第2チップC2と電気的に連結されるための前記保護層140の非配置領域で
あってもよい。よって、前記第2オープン領域OA2において、前記めっき層130は外
部に露出される。
%以上であってもよい。例えば、前記めっき層130における銅の含有量は60原子%以
上であってもよい。例えば、前記めっき層130における銅の含有量は60原子%~80
原子%であってもよい。具体的に、前記第2オープン領域OA2で測定された前記第1め
っき層131の銅の含有量は60原子%~80原子%であってもよい。
的に連結されるための伝導性パターン部の上に配置されなくてもよい。実施例は、前記メ
インボード40または前記ディスプレイパネル30と電気的に連結されるための伝導性パ
ターン部の上の前記保護層140の非配置領域である第3オープン領域OA3を含むこと
ができる。よって、前記第3オープン領域OA3で、前記めっき層130は外部に露出さ
れる。
%以上であってもよい。または、前記第3オープン領域OA3において、前記めっき層1
30の銅の含有量は、50原子%未満であってもよい。前記第3オープン領域OA3は、
前記第1オープン領域OA1より基板の外縁に位置することができる。また、前記第3オ
ープン領域OA3は、前記第2オープン領域OA2より基板の外縁に位置することができ
る。
域OA3より基板の中央領域に位置することができる。
る時に発生し得る応力を分散させることができる。よって、実施例に係るオールインワン
COF用フレキシブル回路基板の信頼性を向上させることができる。
ターン部の表面を保護するために、塗布された後加熱して硬化される多様な物質を含むこ
とができる。前記保護層140は、レジスト(resist)層からなることができる。例えば、
前記保護層140は、有機高分子物質を含むソルダーレジスト層からなることができる。
一例として、前記保護層140は、エポキシアクリレート系の樹脂を含むことができる。
具体的に、前記保護層140は、樹脂、硬化剤、光開始剤、顔料、溶媒、フィラー、添加
剤、アクリル系のモノマーなどを含むことができる。ただし、実施例は、これに限定され
るものではなく、前記保護層140は、フォトソルダーレジスト層、カバーレイ(cover-l
ay)及び高分子物質のうちいずれか1つであってもよいことはもちろんである。
の厚さは1μm~15μmを有することができる。例えば、前記保護層140の厚さは5
μm~20μmを有することができる。前記保護層140の厚さが20μmを超える場合
には、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板の厚さが増加することになる。前記
保護層140の厚さが1μm未満である場合には、オールインワンCOF用フレキシブル
回路基板に含まれた伝導性パターン部の信頼性が低下する。
110、基板の一面の上に配置される伝導性パターン部CP、ダミーパターン部DP1、
DP2及び前記のダミーパターン部DP1、DP2と前記伝導性パターン部CPの上の一
領域に部分的に保護層140が配置されて形成される保護部PPを含むことができる。
むことができる。
なくてもよい。
る。
パターン部CP及び離隔した前記伝導性パターン部CPの間の基板110が露出する。前
記伝導性パターン部CPの上の一領域と他の領域上には、第1接続部70及び第2接続部
80がそれぞれ配置される。具体的に、前記保護部PPが配置されない前記伝導性パター
ン部CPの上面には、第1接続部70及び第2接続部80がそれぞれ配置される。
。例えば、前記第1接続部70は、六面体形状を有することができる。具体的に、前記第
1接続部70の断面は、四角形形状を含むことができる。より具体的に、前記第1接続部
70の断面は、長方形または正方形形状を含むことができる。例えば、前記第2接続部8
0は、球形状を含むことができる。前記第2接続部80の断面は、円形状を含むことがで
きる。または、前記第2接続部80は、部分的にまたは全体的にラウンド状を含むことが
できる。一例として、前記第2接続部80の断面形状は、一側面において平面であり、前
記一側面と反対となる他側面において曲面であるものを含むことができる。
る。前記第1接続部70は、前記第2接続部80より小さい大きさを有することができる
。
る。例えば、1つの第1接続部70の両側面の間の幅D1は、1つの第2接続部80の両
側面の間の幅D2より小さい幅を有することができる。
は、伝導性物質を含むことができる。よって、前記第1接続部70は、前記第1接続部7
0の上面に配置される前記第1チップC1及び前記第1接続部70の下面に配置される前
記伝導性パターン部CPを電気的に連結することができる。
は、伝導性物質を含むことができる。よって、前記第2接続部80は、前記第2接続部8
0の上面に配置される前記第2チップC2及び前記第2接続部80の下面に配置される前
記伝導性パターン部CPを電気的に連結することができる。
には、相互異なる種類の第1チップC1及び第2チップC2が配置される。具体的に、実
施例に係る単面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の同じ一面の上には
、1つの前記第1チップC1及び複数の第2チップC2が配置されてもよい。よって、チ
ップパッケージング工程の効率を向上させることができる。
ができる。前記第2チップC2は、駆動ICチップ(Drive IC chip)以外のソケットまた
は素子を含む多様なチップを意味することができる。例えば、前記第2チップC2は、ダ
イオードチップ、電源ICチップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、BGA
チップ、チップコンデンサのうち少なくとも1つであるものを含むことができる。
プC2は、ダイオードチップ、電源ICチップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチ
ップ、BGAチップ、チップコンデンサのうち少なくとも1つが複数配置されることを意
味することができる。一例として、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100
の上には、複数のMLCCチップが配置される。
Cチップ、MLCCチップ、BGAチップ、チップコンデンサのうち少なくとも2つを含
むことができる。即ち、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の上には、
相互異なる種類の複数の第2チップC2a、C2bが配置される。例えば、オールインワ
ンCOF用フレキシブル回路基板100の上には、ダイオードチップ、電源ICチップ、
タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、BGAチップ、チップコンデンサのうちい
ずれか1つの第2チップC2a及びダイオードチップ、電源ICチップ、タッチセンサー
ICチップ、MLCCチップ、BGAチップ、チップコンデンサのうち前記いずれか1つ
と異なる1つの第2チップC2bを含むことができる。
チップ、電源ICチップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、BGAチップ、
チップコンデンサのうちいずれか1つの第2チップC2aが複数配置され、ダイオードチ
ップ、電源ICチップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、BGAチップ、チ
ップコンデンサのうち前記いずれか1つと異なる1つの第2チップC2bが複数配置され
るものを含むことができる。一例として、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板
100の上には、複数のMLCCチップC2a及び複数の電源ICチップC2bを含むこ
とができる。一例として、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の上には
、複数のMLCCチップC2a及び複数のダイオードチップC2bを含むことができる。
一例として、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の上には、複数のML
CCチップC2a及び複数のBGAチップC2bを含むことができる。
ップを除いた多様なチップが全て第2チップに含まれ得ることはもちろんである。
ル30と連結される。前記オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の一端は
、ディスプレイパネル30と接着層50によって連結される。具体的に、前記接着層50
の上面には、前記ディスプレイパネル30が配置され、前記接着層50の下面には、前記
オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100が配置される。よって、前記ディス
プレイパネル30及び前記オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100は、前記
接着層50を挟んで上下に合着される。
は、メインボード40と連結される。前記オールインワンCOF用フレキシブル回路基板
100の前記一端と反対となる他端は、メインボード40と接着層50によって連結され
る。具体的に、前記接着層50の上面にはメインボード40が配置され、前記接着層50
の下面には前記オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100が配置される。よっ
て、前記メインボード40及び前記オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100
は、前記接着層50を挟んで上下に合着される。
接着物質内に分散したものであってもよい。例えば、前記接着層50は、異方性導電フィ
ルム(ACF)からなることができる。
F用フレキシブル回路基板100及び前記メインボード40の間の電気的信号を伝達する
とともに、別途の構成要素を安定的に連結することができる。
置される。即ち、上部ダミーパターン部DP2は、前記基板110の上面に配置され、前
記下部ダミーパターン部DP1は、前記基板110の下面に配置される。
ン層が配置されていない領域に配置される。好ましくは、上部ダミーパターン部DP2は
、前記基板110の下面に配置された下部配線パターン層と垂直に重なった前記基板の上
面のうち前記上部配線パターン層が配置されていない領域上に配置される。
ン層が配置されていない領域に配置される。好ましくは、下部ダミーパターン部DP1は
、前記基板110の上面に配置された上部配線パターン層と垂直に重なった前記基板の下
面のうち前記上部配線パターン層が配置されていない領域上に配置される。
の位置は対応するものではなく、それぞれが有する機能及び信号配線ラインの数に応じて
デザインされ、前記基板110のそれぞれの表面の上に配置される。
った前記基板110の下面には、前記下部配線パターン層と下部めっき層が配置されなく
てもよい。また、前記下部配線パターン層及び前記下部めっき層が配置された領域と垂直
に重なった前記基板110の上面には、前記上部配線パターン層及び前記上部めっき層が
配置されなくてもよい。
前記保護層140は、基板110の一面に対して優先的に印刷され、前記一面に対する印
刷工程が終了した後に、前記基板110の他面に対する印刷工程が行われる。
は、その反対面に配線パターン層/めっき層が配置されていない領域と、配線パターン層
/めっき層が配置された領域が共存することで段差が発生することになる。この時、前記
保護層140が印刷される面と反対となる反対面に前記段差が存在すると、前記保護層1
40の印刷工程で、保護層140が配置されない問題やピンホール問題が発生することに
なり、これはPCBの信頼性に大きな影響を与える。
に、前記保護層140が印刷される面の反対面に、上記のようなダミーパターン部DP1
、DP2を形成する。
程が行われる場合、前記のダミーパターン部DP1、DP2は、下部ダミーパターン部D
P1のみを含んでもよい。即ち、前記基板110の上面で前記保護層140が印刷される
場合、前記基板110の下面に配置された前記下部ダミーパターン部DP1によってパタ
ーン段差が解決され、これによって前記基板110の上面には、均一な高さを有する保護
層140が配置される。
基板110の下面に対する保護層140の印刷工程が行われる場合、前記基板110の上
面に形成された前記保護層140が前記上部配線パターン層/上部めっき層の間の段差が
解決され、これによって前記基板110の下面に対しては均一な保護層140が形成され
る。
、前記PCBの製造環境によって随時変化することになる。よって、本発明では、上記の
ようなPCBの製造環境を考慮して、前記基板110の上面には、前記下部配線パターン
層と前記下部めっき層に対応する位置に上部ダミーパターン部DP2を形成し、前記基板
110の下面には、前記上部配線パターン層と前記上部めっき層に対応する位置に下部ダ
ミーパターン部DP1を形成する。ここで、前記対応する位置は、基板110の一面の上
に配置された配線パターン層及びめっき層と垂直に重なる基板の他面上の位置を意味する
。
記のダミーパターン部DP1、DP2は、ダミーパターン層のみを含んでもよい。前記の
ダミーパターン層は、前記配線パターン層と同じ金属物質を含むことができる。ただし、
本発明はこれに限定されるものではなく、前記のダミーパターン層は、前記配線パターン
層と異なる物質を含むことができる。例えば、前記のダミーパターン層は、非金属物質を
含むことができる。
は、第1ダミーパターン層151、第2ダミーパターン層152及び第3ダミーパターン
層153を含むことができる。
ダミーパターン層151は、前記配線パターン層120と同じ金属物質を含む。前記第1
ダミーパターン層151は、前記配線パターン層120の一部であってもよい。即ち、前
記基板110の表面には、チップと電気的に連結され、信号を伝達するための配線パター
ン層120が配置される。この時、前記配線パターン層120と一緒に前記第1ダミーパ
ターン層151を形成することができる。即ち、前記基板110の上にはパターン層が形
成され、これは、前記電気的信号を伝達するための配線パターン層120と前記第1ダミ
ーパターン層151を含むことになる。前記第1ダミーパターン層151は、前記配線パ
ターン層120とは違って、電気的信号を伝達せず、これによって前記配線パターン層1
20と電気的に連結されない。即ち、前記第1ダミーパターン層151は、前記基板11
0の表面のうち前記配線パターン層120が配置されていない領域上に、前記配線パター
ン層120と連結されることなく独立的に配置される。
る。前記第2ダミーパターン層152は、前記第1めっき層131の一部であってもよい
。前記第3ダミーパターン層152は、前記第2ダミーパターン層152の上に配置され
る。前記第3ダミーパターン層153は、前記第2めっき層132の一部であってもよい
。
が有する層構造とは違って単一層からなることができる。また、前記のダミーパターン部
DP1、DP2は、前記伝導性パターン部CPが有する層構造と同様に3層構造を有する
ことができる。
る。即ち、前記保護層140は、オープンされるべき前記伝導性パターン部CPの一部表
面を露出する。そして、前記のダミーパターン部DP1、DP2は、外部に露出しなくて
もよく、これによって前記のダミーパターン部DP1、DP2の上には、前記保護層14
0が配置される。
と対応してもよい。前記第1めっき層131の面積は、前記第2めっき層132の面積と
対応してもよい。
てもよい。前記配線パターン層120の面積は、前記第1めっき層131の面積と対応し
てもよい。前記第1めっき層131の面積は、前記第2めっき層132の面積と異なって
もよい。例えば、前記第1めっき層131の面積は、前記第2めっき層132の面積より
大きい面積を有することができる。
てもよい。
は、前記めっき層130と異なり、前記基板110の他面において、前記配線パターン層
120の面積は、前記めっき層130と対応してもよい。
ーン層120の上に直接接触して配置されるか、前記第1めっき層131の上に直接接触
して配置されるか、前記第2めっき層132の上に直接接触して配置される。また、前記
保護層140は、前記のダミーパターン部DP1、DP2と直接接触して配置される。
31が配置され、前記第1めっき層131の上に前記第2めっき層132が形成され、前
記第2めっき層132の上に部分的に前記保護層140が配置される。また、前記のダミ
ーパターン部DP1、DP2の上に全体的に前記保護層140が配置される。
1が配置され、前記第1めっき層131の上に部分的に前記保護層140が配置される。
前記第2めっき層132は、前記めっき層131の上の前記保護層140が配置された領
域以外の領域に配置される。
なることができる。前記保護層140の側面と接触する前記第2めっき層132は、純粋
な錫を含むことができる。よって、前記保護層140と前記第1めっき層131の間に共
同部が形成されることによる保護層の脱膜を防止でき、ウィスカーの形成を防止でき、保
護層の密着力を高めることができる。よって、実施例は、2層のめっき層を含むことがで
き、信頼性が高い電子デバイスを提供することができる。
つの錫めっき層131の上に保護層140を配置する場合には、保護層140の熱硬化時
に前記錫めっき層131が加熱されることで、前記錫めっき層131内に銅が拡散される
。よって、前記錫めっき層131は、錫及び銅の合金層となり、Auバンプを有する第1
チップの実装が弱くなる題点がある。よって、実施例に係るめっき層130は、基板から
離れるほど錫の濃度が連続的に増加する第1めっき層131及び第2めっき層132が要
求される。
ン層120と前記第1めっき層131に対応する単一層のダミーパターン層を含むことが
できる。
層120に対応する第1ダミーパターン層151、前記第1めっき層131に対応する第
2ダミーパターン層152、そして前記第2めっき層132に対応する第3ダミーパター
ン層153を含むことができる。
れ、前記第1めっき層131の上に部分的に前記保護層140が配置される。前記第2め
っき層132は、前記めっき層131の上の前記保護層140が配置された領域以外の領
域に配置される。
ン層122を含むことができる。即ち、前記基板の上には、複数の配線パターン層が配置
される。
、前記基板110と前記第1配線パターン層121の密着力を向上するための金属シード
層をさらに含むことができる。この時、金属シード層は、スパッタリングによって形成す
ることができる。金属シード層は、銅を含むことができる。
程または相互異なる工程で形成することができる。
グして形成される。前記第1配線パターン層121は、基板の上部、下部及び貫通ホール
の内側面に配置される。この時、前記第1配線パターン層121の厚さが薄いので、貫通
ホールの内側面は相互離隔される。
れる。また、前記第2配線パターン層122は、めっきによって貫通ホールの内部に全体
的に満たされる。
110または前記金属シード層との密着力が優れる利点を有するが、製造コストが高いの
で、前記第1配線パターン層121の上に再び、めっきによる前記第2配線パターン層1
22を形成することで、製造コストを低減させることができる。また、別途に基板の貫通
ホールに伝導性物質を満たすことなく、前記第1配線パターン層121の上に前記第2配
線パターン層122を配置すると同時にビアホール内に銅が充填されるので、工程効率が
向上する。また、ビアホール内にボイドが形成されることを防止でき、信頼性が高いオー
ルインワンCOF用フレキシブル回路基板及びこれを含む電子デバイスを提供することが
できる。
る第1ダミーパターン層151と、前記第2配線パターン層122に対応する第2ダミー
パターン層152と、前記第1めっき層131に対応する第3ダミーパターン層153と
、前記第2めっき層132に対応する第4ダミーパターン層154を含むことができる。
層は、第1保護層141及び第2保護層142を含むことができる。
1が配置される領域以外の領域上に前記配線パターン層120が配置される。
2は、前記第1保護層141及び前記配線パターン層120を覆い、前記第1保護層14
1より大きい領域に配置される。
応する領域上に配置される。前記第2保護層142の幅は、前記保護層141より大きい
幅を有することができる。よって、前記第2保護層142の下面は、前記配線パターン層
120及び前記第1保護層141と接触することができる。よって、前記第2保護層14
2は、前記第1保護層141と前記配線パターン層120の界面で応力が集中することを
緩和することができる。よって、実施例に係るオールインワンCOF用フレキシブル回路
基板の折り曲げ時に発生し得る脱膜またはクラックの発生を低下させることができる。
れる。具体的に、前記第2保護層142が配置される領域以外の領域で、前記配線パター
ン層120の上に前記第1めっき層131が配置され、前記第1めっき層131の上に前
記第2めっき層132が順に配置される。
線パターン層120の上には、前記めっき層130が配置される。前記めっき層130の
上には、部分的に保護層140が配置される。
対応してもよく相互異なってもよい。
これに限定されるものではなく、前記基板の両面にそれぞれ複数の保護層を含むことがで
きるのはもちろんである。また、基板の一面にのみ複数または1つの保護層が配置されて
もよいのはもちろんである。
図9の少なくとも1つに係る伝導性パターン部、保護部の構造を組合せて多様に配置でき
ることはもちろんである。
上面に上部伝導性パターン部CPが配置され、前記基板110の下面に下部伝導性パター
ン部CPが配置される。この時、前記上部伝導性パターン部CP及び前記下部伝導性パタ
ーン部CPは、保護層140の印刷工程が考慮されていない状態で設計される。よって、
前記基板110の上面には、前記上部伝導性パターン部CPが存在するが、前記基板11
0の下面には、下部伝導性パターン部CPが存在しない領域を含むことができる。即ち、
前記上部伝導性パターン部CPが配置された面と垂直に重なった基板110の下面には、
前記下部伝導性パターン部CPが配置されない領域が存在する。
部CPが存在する領域では、前記下部伝導性パターン部CPの下面となり、前記下部伝導
性パターン部CPが存在しない領域では、前記基板110の下面となる。
ーン部CPが配置されない領域と垂直に重なる領域に対しては、前記最下面が前記基板1
10の下面と同一であり、これによるピンホール現像が発生しない。この時、前記下部伝
導性パターン部CPが存在しない領域に対して前記保護層140を印刷する状態で、前記
下部伝導性パターン部CPが突然現れると、前記下部伝導性パターン部CPの端部と垂直
に重なった前記基板110の上部領域で急な段差発生により跳ね上がる現像が発生するこ
とになる。よって、従来では、前記下部ダミーパターン部DP1が最初に配置される端部
領域で前記跳ね上がる現像が発生することになり、これによって前記保護層140が配置
されないピンホール問題が発生することになる。
れた領域と垂直に重なった前記基板110の下面に、前記下部ダミーパターン部DP1を
配置することで、前記段差発生を除去し、これによる均一な保護層140を形成すること
ができる。
れに対応するように配置される。即ち、図4bのように、前記下部伝導性パターン部CP
が配置されていない領域と垂直に重なる前記基板110の上面には、3つの上部伝導性パ
ターン部CPが配置されていることを確認することができる。よって、前記基板110の
下面には、前記3つの上部伝導性パターン部CPのそれぞれに対応するように、第1下部
ダミーパターン部DP1、第2下部ダミーパターン部DP1及び第3下部ダミーパターン
部DP1がそれぞれ配置される。
110の上面の上で最初の上部伝導性パターン部CPが始まる位置と、前記基板の下面の
上で最初の下部伝導性パターン部CPが始まる位置が相互異なるからである。好ましくは
、基板の左側端を基準に、前記最初の上部伝導性パターン部CPが始まる位置より前記下
部伝導性パターン部CPが始まる位置が遠いからである。
下部伝導性パターン部CPが始まる位置を同一にして解決することもできる。
には、左側端を中心に4つの上部伝導性パターン部CPが配置されていることを確認する
ことができる。そして、前記基板110の下面には、左側端を中心に2つの下部伝導性パ
ターン部CPが配置されていることを確認することができる。即ち、前記4つの上部伝導
性パターン部CPのうち三番目に位置した上部伝導性パターン部CPの位置で前記下部伝
導性パターン部CPが最初に始まることを確認することができる。
CPと垂直に重なる領域上に下部ダミーパターン部DP1を配置する。この時、前記一番
目の上部伝導性パターン部の左側端と、前記下部ダミーパターン部DP1の左側端は、相
互同一垂直線上に位置することができる。即ち、前記基板110の上面及び下面の上で、
前記一番目の上部伝導性パターン部CPの開始位置と前記下部ダミーパターン部DP1の
開始位置を同一にした。そして、二番目の上部伝導性パターン部CPと垂直に重なる領域
上には、前記下部伝導性パターン部CPや前記下部ダミーパターン部DP1が配置されな
くてもよい。
面の上に下部伝導性パターン部CPが配置されていない場合、前記一番目の上部伝導性パ
ターン部CPの開始位置と重なる前記基板110の下面の上にのみ前記下部ダミーパター
ン部DP1を配置して、前記ピンホール現像を解決することができる。
に解決するために、前記下部ダミーパターン部DP1の幅を前記一番目の上部伝導性パタ
ーン部CPの幅より大きくすることが好ましい。
パターン部CPと垂直に重なる領域上に、下部ダミーパターン部DP1を配置する。この
時、前記一番目の上部伝導性パターン部の左側端と、前記下部ダミーパターン部DP1の
左側端は、相互同一垂直線上に位置しない。即ち、前記基板110の上面及び下面の上で
、前記一番目の上部伝導性パターン部CPの開始位置と前記下部ダミーパターン部DP1
の開始位置が同一ではない。この時、上記のような条件において、前記ピンホール現像を
解決するためには、前記保護層140が印刷される面で最初に配置されたパターン(伝導
性パターン部CP及びダミーパターン部DP1、DP2含む)の開始位置より、前記印刷
される面の反対面に最初に配置されたパターンの開始位置がはやい必要がある。
110の下面の上に配置された下部ダミーパターン部DP1の開始位置がはやいように、
前記一番目の上部伝導性パターン部CPと垂直に重なる前記基板110の下面の上に前記
下部ダミーパターン部DP1を形成する。
離が、前記基板110の左側端から前記一番目の上部伝導性パターン部CPの左側端まで
の距離より近いようにする。
ン部DP1の左側端までは、第1間隔aだけ差が生じる。そして、前記一番目の上部伝導
性パターン部CPの幅は第1幅bを有し、前記下部ダミーパターン部DP1の幅は、前記
第1幅bより広い第2幅cを有するようにする。
ール現像を解決することができる。
できる。この時、前記第3幅dは、前記一番目の上部伝導性パターン部CPの幅、前記二
番目の上部伝導性パターン部CPの幅、そして前記一番目の上部伝導性パターン部CPと
前記二番目の上部伝導性パターン部CPの間の離隔幅を全部合わせた幅に対応する。
部伝導性パターン部CPと同じ幅を有する第1下部ダミーパターン部DP1を形成し、二
番目の上部伝導性パターン部CPの下部に、前記二番目の上部伝導性パターン部CPと同
じ幅を有する第2下部ダミーパターン部DP1を形成した。
ら前記二番目の上部伝導性パターン部CPの終了位置に対応する基板110の下面に、1
つの伝導性パターン部CPのみを形成することができる。
ことができる。即ち、前記のダミーパターン部DP1、DP2は、前記保護層140の印
刷面の下部で段差をなくすために配置されるものであるので、パターン部の厚さを伝導性
パターン部CPの厚さと同一に維持しさえすればよい。よって、前記のダミーパターン部
DP1、DP2は、図5dの(a)のように、水平に延長されるバー形状を有することがで
き、(b)のように垂直に延長されるバー形状を有することができ、(c)のように円形状を
有することができ、(d)のように中央が開放された円形状(リング状)を有することができ
、(e)のように中央が開放された四角形状(はしご形状)を有することができる。また、本
発明におけるダミーパターン部DP1、DP2の形状は、これに限定されるものではなく
、楕円形状、扇形状、多角形状、三角形状のように多様な形状に変形可能である。
ミーパターン部DP2が配置される。前記上部ダミーパターン部DP2の形成位置及び条
件は、前記下部ダミーパターン部DP1の形成位置及び条件と同一である。即ち、前記基
板110の右側端を中心に、最初に位置した下部伝導性パターン部CPの開始位置より前
記上部伝導性パターン部CPの開始位置が遅れる場合、前記最初に位置した下部伝導性パ
ターン部CPの開始と垂直に重なる前記基板110の上面に上部ダミーパターン部DP2
を形成する。この時、前記上部ダミーパターン部DP2は、それぞれの下部伝導性パター
ン部CPに対応するように複数個配置され、これと違って、最初に始める下部伝導性パタ
ーン部CPに対応するように一つ形成されてもよい。
両面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の上に実装される第1チップC
1、ディスプレイパネル30及びメインボード40との連結関係を説明する。
を含む基板100と、前記貫通ホールを含む基板の両面の上にそれぞれ配置される配線パ
ターン層120と、前記配線パターン層120の上に配置される第1めっき層131と、
前記第1めっき層131の上に配置される第2めっき層132と、前記配線パターン層の
上に部分的に配置される保護層140を含むことができる。
てもよい。前記保護層が形成されない前記保護部PP以外の領域で前記伝導性パターン部
CPは外部に露出される。即ち、保護層のオープン領域ないし伝導性パターン部の上に保
護部が配置されない領域で、前記伝導性パターン部CPは、前記第1チップC1、前記デ
ィスプレイパネル30及び前記メインボード40と電気的に連結される。
ストパターン部は、保護部と重ならなくてもよい。即ち、前記リードパターン部及び前記
テストパターン部は、保護層によって覆われていないオープン領域に位置した伝導性パタ
ーン部を意味することができ、機能に応じてリードパターン部及びテストパターン部に区
別することができる。
または前記メインボードと連結されるための伝導性パターン部を意味することができる。
及びこれを含むチップパッケージの製品の不良の有無を確認するための伝導性パターン部
を意味することができる。
ターン部に区別することができる。前記第1チップC1と相対的に近く置かれており、保
護層によって重ならない伝導性パターン部の一領域は、インナーリードパターン部と表現
することができる。前記第1チップC1と相対的に遠く置かれており、保護層によって重
ならない伝導性パターン部の一領域は、アウターリードパターン部と表現することができ
る。
るオールインワンCOF用フレキシブル回路基板100は、第1インナーリードパターン
部I1、第2インナーリードパターン部I2、第3インナーリードパターン部I3及び第
4インナーリードパターン部I4を含むことができる。
ードパターン部O1、第2アウターリードパターン部O2、第3アウターリードパターン
部O3及び第4アウターリードパターン部O4を含むことができる。
ーン部T1及び第2テストパターン部T2を含むことができる。
記第1インナーリードパターン部I1、前記第2インナーリードパターン部I2、前記第
3インナーリードパターン部I3、前記第1アウターリードパターン部O1、及び前記第
2アウターリードパターン部O2が配置される。
なる他面の上には、前記第4インナーリードパターン部I4、前記第3アウターリードパ
ターン部O3、前記第4アウターリードパターン部O4、前記第1テストパターン部T1
及び前記第2テストパターン部T2を含むことができる。
れる前記第1チップC1は、第1接続部70を通じて前記第1インナーリードパターン部
I1、前記第2インナーリードパターン部I2または前記第3インナーリードパターン部
I3と連結される。
ブ第1接続部72及び第3サブ第1接続部73を含むことができる。
れる前記第1チップC1は、前記第1サブ第1接続部71を通じて前記第1インナーリー
ドパターン部I1と電気的に連結される。
ールV2と隣接した第1アウターリードパターン部O1まで電気的信号を伝達することが
できる。前記第2ビアホールV2及び前記第1アウターリードパターン部O1は、電気的
に連結される。即ち、前記第1インナーリードパターン部I1及び前記第1アウターリー
ドパターン部O1は、一方向に延長される伝導性パターン部の一端及び他端であってもよ
い。
着層50を通じて連結される。よって、前記第1チップから伝達される信号は、前記第1
インナーリードパターン部I1及び前記第1アウターリードパターン部O1を経て前記メ
インボード40にまで伝達される。
ビアホールV2まで電気的に連結され、前記第2ビアホールV2に充填された伝導性物質
を通じて前記基板110の下面に沿って前記第2ビアホールV2に隣接した第3アウター
リードパターン部O3まで電気的信号を伝達することができる。前記第2ビアホールV2
は、前記第3アウターリードパターン部O3と電気的に連結される。よって、図示されて
いないが、前記第3アウターリードパターン部O3の上に前記メインボード40が接着層
50を通じて電気的に連結され得るのはもちろんである。
れる前記第1チップC1は、前記第2サブ第1接続部72を通じて前記第2インナーリー
ドパターン部I2と電気的に連結される。
2インナーリードパターン部I2の下部に位置した第1ビアホールV1に充填された伝導
性物質を通じて前記基板110の下面に沿って前記第1ビアホールV1と隣接した第4イ
ンナーリードパターン部I4及び前記第1テストパターン部T1に電気的信号を伝達する
ことができる。前記第1ビアホールV1、前記第1テストパターン部T1及び前記第4イ
ンナーリードパターン部I4は基板の下面で電気的に連結される。
ィスプレイパネル30が付着される。
信号の不良を確認することができる。例えば、前記第1テストパターン部T1を通じて、
前記第4インナーリードパターン部I4に伝達される信号の正確性を確認することができ
る。具体的に、前記第1テストパターン部T1で電圧または電流を測定することで、前記
第1チップと前記ディスプレイパネルの間に位置する伝導性パターン部の短絡やショート
の発生の有無ないし発生位置を確認でき、製品の信頼性を向上させることができる。
れる前記第1チップC1は、前記第3サブ第1接続部73を通じて前記第3インナーリー
ドパターン部I3と電気的に連結される。
ールV3と隣接した第2アウターリードパターン部O2まで電気的信号を伝達することが
できる。前記第3ビアホールV3及び前記第2アウターリードパターン部O2は、電気的
に連結される。即ち、前記第3インナーリードパターン部I3及び前記第2アウターリー
ドパターン部O2は、一方向に延長される伝導性パターン部の一端及び他端であってもよ
い。
ビアホールV3まで電気的に連結され、前記第3ビアホールV3に充填された伝導性物質
を通じて前記基板110の下面に沿って前記第3ビアホールV3に隣接した第4アウター
リードパターン部O4及び前記第2テストパターン部T2に電気的信号を伝達することが
できる。
パターン部T2は、基板の下面で電気的に連結される。
ーン部O4の上には、前記ディスプレイパネル30が接着層50を通じて付着される。
信号の不良を確認することができる。例えば、前記第2テストパターン部T2を通じて、
前記第4アウターリードパターン部O4に伝達される信号の正確性を確認することができ
る。具体的に、前記第2テストパターン部T2で電圧または電流を測定することで、前記
第1チップと前記ディスプレイパネルの間に位置する伝導性パターン部の短絡やショート
の発生の有無ないし発生位置を確認でき、製品の信頼性を向上させることができる。
配置される一面と反対となる他面に前記ディスプレイパネル30を配置でき、設計の自由
度を向上させることができる。また、複数のチップが実装される一面と反対となる他面に
ディスプレイパネルを配置することで、効果的な放熱が可能となる。よって、実施例に係
るオールインワンCOF用フレキシブル回路基板の信頼性が向上する。
板100は、製作または加工の便宜性のために、長さ方向の両側外部にスプロケットホー
ルを備えることができる。よって、オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100
は、ROLL to ROLL(ROLL to ROLL)方式でスプロケットホールによって巻かれたり、ほどか
れたりされる。
に内部領域IR及び外部領域ORに定義することができる。
、第2チップ、ディスプレイパネル及びメインボードをそれぞれ連結するための伝導性パ
ターン部が配置される。
た部分を切断し、基板の上にチップを配置することで、オールインワンCOF用フレキシ
ブル回路基板100を含むチップパッケージ及びこれを含む電子デバイスとして加工する
ことができる。
では、前記保護層140の第1オープン領域OA1を通じて伝導性パターン部CPの一領
域である前記第1インナーリードパターン部I1、前記第2インナーリードパターン部I
2及び前記第3インナーリードパターン部I3が外部に露出される。
層140の第3オープン領域OA3を通じて伝導性パターン部CPの一領域である前記第
1アウターリードパターン部O1が外部に露出される。
、第1接続部を通じてチップと連結されるための伝導性パターン部であってもよい。
I3の端部は、一列に配置される。例えば、基板の横方向(x軸方向)において複数の前記
第1インナーリードパターン部I1は相互離隔し、前記第1インナーリードパターン部I
1の端部は一列に配置される。例えば、基板の横方向(x軸方向)において複数の前記第3
インナーリードパターン部I3は相互離隔し、前記第3インナーリードパターン部I3の
端部は一列に配置される。よって、前記第1インナーリードパターン部I1及び前記第3
インナーリードパターン部I3は、第1接続部、第1チップとのボンディングが優れる。
配置される。基板の横方向(x軸方向)において複数の前記第3ビアホールV3は相互離隔
し、一列に配置される。
I2の端部と相互離隔する。
パターンであってもよい。前記第2インナーリードパターン部I2の一端及び他端のうち
少なくとも1つの端部は一列に配置されなくてもよい。
2は相互離隔してもよい。また、前記第2インナーリードパターン部I2の一端及び他端
のうち少なくとも1つの端部は、基板の横方向(x軸方向)にいくほど前記第1インナーリ
ードパターン部I1の端部との離隔距離が減少する。前記第2インナーリードパターン部
I2の一端及び他端のうち少なくとも1つの端部は、基板の横方向(x軸方向)にいくほど
前記第1インナーリードパターン部I1の端部との離隔距離が増加する。
列に配置される。
x軸方向)にいくほど漸減する前記第2インナーリードパターン部I2の第1セット部を
含むことができる。具体的に、前記第2インナーリードパターン部I2の一端及び他端の
間の長さは、第1長さから基板の横方向(x軸方向)にいくほど漸減して第2長さとなる前
記第2インナーリードパターン部I2の第1セット部を含むことができる。この時、第1
長さは、第2長さより大きい長さを有することができる。前記基板110の上には、複数
の第1セットが配置される。よって、前記基板110の上には、第1長さから第2長さま
で長さが漸減する前記第2インナーリードパターン部I2を含むことができる。前記第2
長さを有する前記第2インナーリードパターン部I2と隣接した第2インナーリードパタ
ーン部I2は、再び第1長さを有することができる。よって、基板の横方向(x軸方向)に
いくほど第1長さから第2長さまで長さが漸減する前記第2インナーリードパターン部I
2の第1セット部と、第1長さから第2長さまで長さが漸減する前記第2インナーリード
パターン部I2の第1セット部が繰り返し配置される。
、基板の横方向(x軸方向)にいくほど前記第1インナーリードパターン部I1の端部との
離隔距離が減少する。
隣接した2つの前記第1インナーリードパターン部I1の間の領域には、前記第2インナ
ーリードパターン部I2の一端が位置することができる。
インナーリードパターン部I2の一端は交互に配置される。
では、前記保護層140の第3オープン領域OA3を通じて伝導性パターン部CPの一領
域である前記第4インナーリードパターン部I4、第4アウターリードパターン部O4が
外部に露出される。
シブル回路基板100の上に第1チップC1及び第2チップC2を含むチップパッケージ
を詳しく説明する。
むチップパッケージの概略平面図である。
路基板100は、同じ一面の上に第1チップC1及び第2チップC2が配置されるものを
含むことができる。
軸方向)の長さが縦方向(y軸方向)の長さより大きい長さを有することができる。即ち、
実施例に係る両面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100は、横方向の2つ
の長辺と、縦方向の2つの短辺を含むことができる。
方向(y軸方向)の長さより大きい長さを有することができる。即ち、前記第1チップC1
及び前記第2チップC2は、横方向の2つの長辺と、縦方向の2つの短辺を含むことがで
きる。
第1チップC1の長辺及び前記第2チップC2の長辺とそれぞれ平行に配置されるので、
複数のチップを1つの両面オールインワンCOF用フレキシブル回路基板100の上に効
率的に配置することができる。
辺)より大きい長さを有することができる。前記第1チップC1の縦方向の長さ(短辺)は
、前記第2チップC2の縦方向の長さ(短辺)より小さい長さを有することができる。図1
3aを参照すると、前記第1チップC1の下部に前記第2チップC2が配置される。前記
第1チップC1の長辺と前記第2チップC2の長辺は、上下に重なってもよい。
。前記第1チップC1の長辺と前記第2チップC2の長辺は、上下に重ならなくてもよい
。
ップ、電源ICチップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、BGAチップ、チ
ップコンデンサのうちいずれか1つの第2チップC2a及びダイオードチップ、電源IC
チップ、タッチセンサーICチップ、MLCCチップ、BGAチップ、チップコンデンサ
のうち前記いずれか1つと異なる1つの第2チップC2bを含むことができる。
路基板を含むチップパッケージの製造段階を説明する。
面図である。
シブル回路基板100の一面に位置した前記保護層140は、複数のホールを含むことが
できる。即ち、前記保護層140は、複数のオープン領域を含むことができる。
領域であってもよい。前記保護層の第1オープン領域OA1で露出する伝導性パターン部
CPは、第1接続部に向かった表面が純粋めっきを含むことができる。即ち、前記保護層
の第1オープン領域OA1で前記伝導性パターン部CPに含まれる前記第2めっき層の錫
の含有量は、50原子%以上であってもよい。
領域であってもよい。前記保護層の第2オープン領域OA2で露出する伝導性パターン部
CPは、第2接続部に向かった表面が銅及び錫の合金層を含むことができる。即ち、前記
保護層の第2オープン領域OA2で前記伝導性パターン部CPに含まれる前記第2めっき
層の錫の含有量は、50原子%未満であってもよい。
記第3オープン領域OA3に位置した第1アウターリードパターン部O1から延長されて
前記第1オープン領域OA1の内部に向かう前記第1インナーリードパターン部I1は、
相互対応または異なる幅を有することができる。例えば、前記第1アウターリードパター
ン部O1の幅W1は、前記第1インナーリードパターン部I1の幅W2と対応してもよい
。例えば、前記第1アウターリードパターン部O1の幅W1は、前記第1インナーリード
パターン部I1の幅W2より大きい幅を有することができる。具体的に、前記第1アウタ
ーリードパターン部O1の幅W1は、前記第1インナーリードパターン部I1の幅W2の
差は、20%以内であってもよい。
ーン部I1及び前記第3インナーリードパターン部I3は、相互対応する幅を有すること
ができる。
ードパターン部O1及び前記第2アウターリードパターン部O2は、相互対応する幅を有
することができる。よって、微細な線幅を有し、多数の第1接続部が要求される第1チッ
プと、大きい線幅を有し、少数の第2接続部が要求される第2チップを1つのオールイン
ワンCOF用フレキシブル回路基板100の上に全て実装できる。この時、微細な線幅は
、前記第1アウターリードパターン部O1及び前記第2アウターリードパターン部O2の
いずれか1つの線幅が第5アウターリードパターン部O5及び第6アウターリードパター
ン部O6のいずれか1つの線幅より小さいことを意味することができる。一方、大きい線
幅は、アウターリードパターン部O5及び第6アウターリードパターン部O6のいずれか
1つの線幅が前記第1アウターリードパターン部O1及び前記第2アウターリードパター
ン部O2のいずれか1つの線幅が第5アウターリードパターン部O5及び第6アウターリ
ードパターン部O6のいずれか1つの線幅より相対的に大きいことを意味することができ
る。
2チップC2a、C2bをそれぞれ連結するための複数の前記第2オープン領域OA2を
含むことができる。
であってもよい。前記第2オープン領域OA2内に位置した第5インナーリードパターン
部I5から基板の外縁に向かって延長される第5アウターリードパターン部O5は、相互
異なる幅を有することができる。例えば、前記第5インナーリードパターン部I5の幅W
3は、前記第5アウターリードパターン部O5の幅W4より大きい幅を有することができ
る。具体的に、前記第5インナーリードパターン部I5の幅W3は、前記第5アウターリ
ードパターン部O5の幅W4より1.5倍以上大きくてもよい。
めの領域であってもよい。前記第2オープン領域OA2内に位置した第6インナーリード
パターン部I6から基板の外縁に向かって延長される第6アウターリードパターン部O6
は、相互異なる幅を有することができる。例えば、前記第6インナーリードパターン部I
6の幅W5は、前記第6アウターリードパターン部O6の幅W6より大きい幅を有するこ
とができる。具体的に、前記第6インナーリードパターン部I6の幅W5は、前記第6ア
ウターリードパターン部O6の幅W6より1.5倍以上大きくてもよい。
び前記第6インナーリードパターン部I6の幅W5のいずれか1つの幅は、前記第1オー
プン領域を通じて露出する前記第1インナーリードパターン部I1の幅W2より大きい幅
を有することができる。よって、多様な大きさ/形状の第1、第2接続部に対応するリー
ドパターン部を形成できるので、デザイン自由度を向上させることができる。即ち、実施
例は、相互異なる種類の第1チップ、第2チップに適合した多様な大きさのインナーリー
ドパターン部、多様な形状のインナーリードパターン部を含むことができるので、最適の
チップパッケージが可能となる。
位置したインナーリードパターン部の形状と異なってもよい。よって、実施例は、相互異
なる種類の第1チップ、第2チップとそれぞれ優れる密着特性を有することができる相互
異なる形状のインナーリードパターン部を含むことができる。よって、実施例に係るオー
ルインワンCOF用フレキシブル回路基板は、第1チップ及び第2チップのボンディング
特性が優れる。
類の第1チップ、第2チップが実装され、一定の接合強度を確保するための最適のパター
ン設計である。
パターンであってもよい。具体的に、前記第1インナーリードパターン部I1の平面にお
ける形状は、均一な幅を有し、一方向に延長される四角形状のストライプパターンであっ
てもよい。一例として、前記第1インナーリードパターン部I1の一端及び他端の幅は、
同一であってもよい。
ン部I6の平面における形状は、多角形、円形、楕円形、槌形状、T字状、ランダム形状
などの多様な形状の突出パターンであってもよい。具体的に、前記第5インナーリードパ
ターン部I5または前記第6インナーリードパターン部I6の平面における形状は、変動
する幅を有し、前記一方向と異なる方向に延長される多角形、円形、楕円形、槌形状、T
字状、ランダム形状などの突出パターンであってもよい。一例として、前記第5インナー
リードパターン部I5及び前記第6インナーリードパターン部I6のうち少なくとも1つ
のインナーリードパターン部は、一端と他端の幅が異なってもよい。前記第5インナーリ
ードパターン部I5及び前記第6インナーリードパターン部I6の保護層と近い一端にお
ける幅より保護層と遠く離れた端部である他端の幅が大きくてもよい。ただし、実施例は
、これに限定されるものではなく、前記第5インナーリードパターン部I5及び前記第6
インナーリードパターン部I6の保護層と近い一端における幅より保護層と遠く離れた端
部である他端の幅が小さくてもよいことはもちろんである。
、図13bの第5インナーリードパターン部I5のようなT字状を有することができる。
図13aの第6インナーリードパターン部I6のような円形状を有することができる。ま
たは第2チップがBGAチップである場合に、インナーリードパターン部は、図13bの
第6インナーリードパターン部I6のような半円形状または終端がラウンド状を有する形
状を有することができる。
例えば、前記第1インナーリードパターン部及び前記第1接続部の平面形状(top view)は
、四角形形状を有することができる。ここで、前記第1インナーリードパターン部と前記
第1接続部の形状が同一であるということは、平面形状が同じ多角形であることを意味し
、大きさが異なるものを含むことができる。
てもよい。前記第6インナーリードパターン部と前記第2接続部の形状は、相互同一また
は異なってもよい。
状は、多角形形状であり、前記第2接続部の平面形状は、円形状を有することができる。
前記第6インナーリードパターン部I6の平面形状は、円形状であり、前記第2接続部は
、円形状を有することができる。
状は、多角形形状であり、前記第2接続部は、丸い角を有する四角形形状または楕円形状
を有することができる。前記第6インナーリードパターン部I6の平面形状は、長い半円
形状であり、前記第2接続部は、円形状を有することができる。
ってもよい。例えば、前記第1接続部70の平面形状は、横の長さと縦の長さ(縦横比)が
相互対応する正方形形状または横の長さと縦の長さ(縦横比)が異なる長方形形状を有する
ことができる。
ってもよい。例えば、前記第2接続部80の平面形状は、横の長さと縦の長さ(縦横比)が
相互対応する円形状または横の長さと縦の長さ(縦横比)が異なる楕円形状を有することが
できる。
隣接した前記第5アウターリードパターン部O5及び前記第6アウターリードパターン部
O6のうち少なくとも1つのアウターリードパターン部の間の間隔である第2間隔(pitch
)より小さくてもよい。この時、前記第1間隔、第2間隔は、隣接した2つの伝導性パタ
ーン部の間の平均離隔間隔を意味することができる。
未満であってもよい。例えば、前記第1間隔は1μm~25μmを有することができる。
m~500μmを有することができる。例えば、前記第2間隔は100μm~300μm
を有することができる。
信号の干渉を防止でき、信号の正確性を向上させることができる。
積は、第1接続部70と相互対応または異なってもよい。
あるか、20%以内の差を有することができる。よって、前記第1インナーリードパター
ン部I1及び前記第1接続部70は、安定した実装が可能となる。また、前記第1インナ
ーリードパターン部I1及び前記第1接続部70の間の密着特性が向上する。
記第6インナーリードパターン部I6のいずれか1つのインナーリードパターン部の平面
積は、第2接続部80と対応または異なってもよい。
前記第6インナーリードパターン部I6のいずれか1つのインナーリードパターン部の幅
より1.5倍以上大きくてもよい。よって、前記第2接続部80の幅は、前記第5インナ
ーリードパターン部I5及び前記第6インナーリードパターン部I6のいずれか1つと前
記第2接続部80は、密着特性が向上する。
0の上に第1接続部70及び第2接続部80を配置する段階を説明する。
及び前記第3インナーリードパターン部I3の上には、それぞれ第1接続部70が配置さ
れる。例えば、前記第1接続部70は、前記第1インナーリードパターン部I1及び前記
第3インナーリードパターン部I3の上面を全体的にまたは部分的に覆うことができる。
て配置される複数の前記第3インナーリードパターン部I3の総数は、前記第1接続部7
0の数と対応してもよい。
インナーリードパターン部I1の数は9個であり、相互離隔して配置される複数の前記第
3インナーリードパターン部I3の数は9個であり、前記第1接続部70の数は、前記第
1インナーリードパターン部I1の数9及び相互離隔して配置される複数の前記第3イン
ナーリードパターン部I3の数9の和である18個である。
及び前記第6インナーリードパターン部I6の上には、それぞれ第2接続部80が配置さ
れる。例えば、前記第2接続部80は、前記第5インナーリードパターン部I5及び前記
第6インナーリードパターン部I6の上面を全体的にまたは部分的に覆うことができる。
5インナーリードパターン部I5の上に配置される前記第2接続部80の数と対応しても
よい。
インナーリードパターン部I5の数は2つであり、前記第5インナーリードパターン部I
5の上に配置される前記第2接続部80の数は2つである。
6インナーリードパターン部I6の上に配置される前記第2接続部80の数と対応しても
よい。
ンナーリードパターン部I6の数は3つであり、前記第6インナーリードパターン部I6
の上に配置される前記第2接続部80の数は3つである。
域を通じて露出する第5インナーリードパターン部I5または前記第6インナーリードパ
ターン部I6の幅が、前記第1オープン領域を通じて露出する前記第1インナーリードパ
ターン部I1の幅より大きいので、前記第2接続部80は、前記第1接続部70より大き
い。
板100の上に第1チップC1、第2チップC2a、C2bを配置する段階を説明する。
による不良などの問題を防止するために、一定距離離隔して配置される。
板を含むチップパッケージの断面図である。
置される。例えば、前記第2チップC2は、前記第1チップC1より大きい。
、前記第1オープン領域OA1及び前記第2オープン領域OA2と対応する領域の基板1
10は、ビアホールを含むことができる。
じて基板の上面から下面に伝達される。よって、実施例は、多数の伝導性パターン部を1
つの基板の上に含むことができる。
ーチの伝導性パターン部を具現することができ、高解像度のディスプレイ部を有する電子
デバイスに適合する。
ブルであり、サイズが小さく、厚さが薄いので、多様な電子デバイスに用いることができ
る。
基板100は、ベゼルを縮小することがあるので、エッジディスプレイに用いることがで
きる。
基板100は、曲がるフレキシブル(Flexible)電子デバイスに含まれることができる。よ
って、これを含むタッチデバイス装置は、フレキシブルタッチデバイス装置となることが
できる。よって、ユーザが手で歪めたり曲げることができる。このようなフレキシブルタ
ッチウィンドウは、ウェアラブルタッチなどに適用することができる。
基板100は、フォルダブルディスプレイ装置が適用される多様な電子デバイスに適用す
ることができる。図19a~図19cを参照すると、フォルダブルディスプレイ装置は、
フォルダブルカバーウィンドウを折り曲げることができる。フォルダブルディスプレイ装
置は、多様な携帯用電子製品に含まれることができる。具体的に、フォルダブルディスプ
レイ装置は、移動式端末機(携帯電話)、ノートブック(携帯用コンピュータ)等に含まれる
ことができる。よって、携帯用電子製品のディスプレイ領域は大きくしながらも、保管や
移動時には装置の大きさを減らすことができ、携帯性を高めることができる。よって、携
帯用電子製品ユーザの便宜を向上させることができる。ただし、実施例はこれに限定され
るものではなく、フォルダブルディスプレイ装置は、多様な電子製品に用いることができ
ることはもちろんである。
領域を含むことができる。例えば、フォルダブルディスプレイ装置は、折り曲げられた形
態でC形状を有することができる。即ち、フォルダブルディスプレイ装置は、一端及び前
記一端と反対となる他端を重ねることができる。この時、前記一端と前記他端は相互近く
配置される。例えば、前記一端と前記他端は対向するように配置される。
領域を含むことができる。例えば、フォルダブルディスプレイ装置は折り曲げられた形態
でG形状を有することができる。即ち、フォルダブルディスプレイ装置は、一端及び前記
一端と反対となる他端が相互対応する方向に折り曲げられることで、相互重ねられる。こ
の時、前記一端と前記他端は、相互離隔して配置される。例えば、前記一端と前記他端は
相互平行に配置される。
領域を含むことができる。例えば、フォルダブルディスプレイ装置は、折り曲げられた形
態でS形状を有することができる。即ち、フォルダブルディスプレイ装置は、一端及び前
記一端と反対となる他端が相互異なる方向に折り曲げられる。この時、前記一端と前記他
端は、相互離隔して配置される。例えば、前記一端と前記他端は相互平行に配置される。
板100は、ローラブル(Rollable)ディスプレイに適用できることはもちろんである。
0は、曲面ディスプレイを含む多様なウェアラブルタッチデバイスに含まれることができ
る。よって、実施例に係るオールインワンCOF用フレキシブル回路基板100を含む電
子デバイスは、スリム化、小型化または軽量化することができる。
0は、TV、モニター、ノートブックのようなディスプレイ部分を有する多様な電子デバ
イスに用いることができる。
フレキシブル回路基板100は、フラットまたは曲線形状のディスプレイ部分を有する多
様な電子デバイスに用いることができることはもちろんである。
レキシブル回路基板に実装することができ、向上した信頼性を有するオールインワンCO
F用フレキシブル回路基板チップパッケージを提供することができる。
基板でディスプレイパネルとメインボードを直接連結して、ディスプレイパネルから発生
する信号をメインボードまで伝達するためのフレキシブル回路基板のサイズ及び厚さを減
らすことができ、これによって、他の部品の空間及び/またはバッテリー空間を拡張させ
ることができる。
便宜性及び電気的連結の信頼性が向上し、これによって、高解像度のディスプレイ部を有
する電子デバイスに適合したオールインワンCOF用フレキシブル回路基板を提供するこ
とができる。
るように前記基板の第2面にダミーパターンを配置し、前記基板の第2面に配置された回
路パターンに対応するように前記基板の第1面にダミーパターンを配置することで、前記
基板の前記第1面または前記第2面のソルダーレジストの印刷時に発生するソルダーレジ
ストが塗布されない問題やピンホール(pinhole)問題を解決することができる。
例に含まれ、必ず1つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示された
特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実
施例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に
係る内容は、本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。
るものではなく、本発明が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質
的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能である
。例えば、実施例に具体的に提示された各構成要素は、変形して実施することができる。
そして、そのような変形と応用に係る差異点は、添付される請求の範囲で規定する本発明
の範囲に含まれると解釈されるべきである。
Claims (19)
- 基板と、
前記基板の第1面の上に配置された第1伝導性パターン部と、
前記基板の前記第1面と反対となる前記基板の第2面の下に配置された第2伝導性パターン部と、
前記基板の前記第2面のうち前記第2伝導性パターン部が配置されていない領域に配置された第1ダミーパターン部と、
前記第1伝導性パターン部の上に配置された第1保護層と、
前記第2伝導性パターン部及び前記第1ダミーパターン部の下に配置された第2保護層と、を含み、
前記基板の一番外側における前記第1伝導性パターン部は、前記第1保護層で覆われ、
前記第1ダミーパターン部は、第1配線パターン層と、前記第1配線パターン層の下に配置され、錫(Sn)を含む第1めっき層とを含む、フレキシブル回路基板。 - 前記第1ダミーパターン部は、前記基板の一番外側に配置された前記第1伝導性パターン部及び前記第1保護層と垂直に重なる、請求項1に記載のフレキシブル回路基板。
- 前記基板の前記第1面のうち前記第1伝導性パターン部が配置されていない領域に配置され、少なくとも一部が前記第2伝導性パターン部と垂直に重なる第2ダミーパターン部をさらに含む、請求項1又は2に記載のフレキシブル回路基板。
- 前記第1面は、前記基板の上面であり、
前記第2面は、前記基板の下面であり、
前記第1ダミーパターン部の左側は、前記第2伝導性パターン部のうち一番左側に配置された第2伝導性パターン部の左側よりも前記基板の左側端に近く位置した、請求項3に記載のフレキシブル回路基板。 - 前記第2ダミーパターン部の右側は、前記第1伝導性パターン部のうち一番右側に配置された第1伝導性パターン部の右側よりも前記基板の右側端に近く位置した、請求項4に記載のフレキシブル回路基板。
- 前記第2ダミーパターン部は、第2配線パターン層と、前記第2配線パターン層の上に配置され、錫(Sn)を含む第2めっき層と、を含む、請求項3乃至5のいずれか一項に記載のフレキシブル回路基板。
- 前記第1及び第2ダミーパターン部は、前記第1及び第2伝導性パターン部と同じ層構造を有する、請求項6に記載のフレキシブル回路基板。
- 前記第1ダミーパターン部の前記第1めっき層は、前記第1配線パターン層の下に配置された第1-1めっき層と、前記第1-1めっき層の下に配置された第1-2めっき層と、を含み、
前記第2ダミーパターン部の前記第2めっき層は、前記第2配線パターン層の上に配置された第2-1めっき層と、前記第2-1めっき層の上に配置された第2-2めっき層と、を含む、請求項7に記載のフレキシブル回路基板。 - 前記基板の前記第1面において前記基板の左側端から前記第1伝導性パターン部の最初の開始位置までの距離は、前記基板の前記第2面において前記基板の左側端から前記第1ダミーパターン部の最初の開始位置までの距離より大きい、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のフレキシブル回路基板。
- 前記基板の前記第2面において前記基板の右側端から前記第2伝導性パターン部の最初の開始位置までの距離は、前記基板の前記第1面において前記基板の右側端から前記第2ダミーパターン部の最初の開始位置までの距離と同一である、請求項3乃至8のいずれか一項に記載のフレキシブル回路基板。
- フレキシブル回路基板を含み、
前記フレキシブル回路基板は、
基板と、
前記基板の第1面の上に配置された第1伝導性パターン部と、
前記基板の前記第1面と反対となる第2面の下に配置された第2伝導性パターン部と、
前記基板の前記第2面のうち前記第2伝導性パターン部が配置されていない領域に配置された第1ダミーパターン部と、
前記第1伝導性パターン部の上に配置された第1保護層と、
前記第2伝導性パターン部及び前記第1ダミーパターン部の下に配置された第2保護層と、を含み、
前記第1伝導性パターン部または前記第2伝導性パターン部の上に配置されたチップをさらに含み、
前記基板の一番外側における前記第1伝導性パターン部は、前記第1保護層で覆われ、
前記第1ダミーパターン部は、第1配線パターン層と、前記第1配線パターン層の下に配置され、錫(Sn)を含む第1めっき層と、を含む、チップパッケージ。 - 前記フレキシブル回路基板は、
前記基板の前記第1面のうち前記第1伝導性パターン部が配置されていない領域に配置され、少なくとも一部が前記第2伝導性パターン部と垂直に重なる第2ダミーパターン部をさらに含み、
前記第2ダミーパターン部は、第2配線パターン層と、前記第2配線パターン層の上に配置され、錫(Sn)を含む第2めっき層と、を含み、
前記第1伝導性パターン部は、前記第2ダミーパターン部と同じ層構造を有し、
前記第2伝導性パターン部は、前記第1ダミーパターン部と同じ層構造を有する、請求項11に記載のチップパッケージ。 - 前記第1面は、前記基板の上面であり、
前記第2面は、前記基板の下面であり、
前記第1ダミーパターン部は、前記第2伝導性パターン部のうち一番左側に配置された第2伝導性パターン部よりも左側に配置され、
前記第2ダミーパターン部は、前記第1伝導性パターン部のうち一番右側に配置された第1伝導性パターン部よりも右側に配置される、請求項12に記載のチップパッケージ。 - 前記第1ダミーパターン部は、前記第1伝導性パターン部のうち一番左側に配置された第1伝導性パターン部よりも左側に配置され、
前記第2ダミーパターン部は、前記第2伝導性パターン部のうち一番右側に配置された第2伝導性パターン部よりも右側に配置される、請求項13に記載のチップパッケージ。 - 前記第1ダミーパターン部のうち一番左側に配置された第1ダミーパターン部の端部は、前記第1伝導性パターン部のうち一番左側に配置された第1伝導性パターン部の端部と垂直線の上で整列し、
前記第2ダミーパターン部のうち一番右側に配置された第2ダミーパターン部の端部は、前記第2伝導性パターン部のうち一番右側に配置された第2伝導性パターン部の端部と垂直線の上で整列する、請求項12乃至14のいずれか一項に記載のチップパッケージ。 - 前記基板の前記第1面における前記第1伝導性パターン部の最初の開始位置と、前記基板の前記第2面における前記第1ダミーパターン部の最初の開始位置は同一である、請求項12乃至15のいずれか一項に記載のチップパッケージ。
- 前記基板の前記第1面における前記第1伝導性パターン部の最初の開始位置は、前記基板の前記第2面における前記第1ダミーパターン部の最初の開始位置より遠い、請求項12乃至15のいずれか一項に記載のチップパッケージ。
- 前記基板の前記第2面における前記第2伝導性パターン部の最初の開始位置と、前記基板の前記第1面における前記第2ダミーパターン部の最初の開始位置は同一である、請求項12乃至15のいずれか一項に記載のチップパッケージ。
- 前記基板の前記第2面における前記第2伝導性パターン部の最初の開始位置は、前記基板の前記第1面における前記第2ダミーパターン部の最初の開始位置より遠い、請求項12乃至15のいずれか一項に記載のチップパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023123001A JP2023139254A (ja) | 2017-11-02 | 2023-07-28 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0145443 | 2017-11-02 | ||
KR1020170145443A KR102375126B1 (ko) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 |
JP2020522381A JP6888171B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-25 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
JP2021084607A JP7127190B2 (ja) | 2017-11-02 | 2021-05-19 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021084607A Division JP7127190B2 (ja) | 2017-11-02 | 2021-05-19 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023123001A Division JP2023139254A (ja) | 2017-11-02 | 2023-07-28 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022169655A JP2022169655A (ja) | 2022-11-09 |
JP7324351B2 true JP7324351B2 (ja) | 2023-08-09 |
Family
ID=66332153
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020522381A Active JP6888171B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-25 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
JP2021084607A Active JP7127190B2 (ja) | 2017-11-02 | 2021-05-19 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
JP2022130072A Active JP7324351B2 (ja) | 2017-11-02 | 2022-08-17 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
JP2023123001A Pending JP2023139254A (ja) | 2017-11-02 | 2023-07-28 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020522381A Active JP6888171B2 (ja) | 2017-11-02 | 2018-10-25 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
JP2021084607A Active JP7127190B2 (ja) | 2017-11-02 | 2021-05-19 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023123001A Pending JP2023139254A (ja) | 2017-11-02 | 2023-07-28 | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11239172B2 (ja) |
JP (4) | JP6888171B2 (ja) |
KR (4) | KR102375126B1 (ja) |
CN (3) | CN116685045A (ja) |
WO (1) | WO2019088563A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10321562B2 (en) | 2016-07-22 | 2019-06-11 | Lg Innotek Co., Ltd | Flexible circuit board, COF module and electronic device comprising the same |
CN107037647B (zh) * | 2017-05-27 | 2022-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
KR102375126B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-03-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 |
US11259406B2 (en) * | 2018-11-21 | 2022-02-22 | Synaptics Incorporated | Flexible connector for a display device |
TWI724807B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式裝置 |
KR102319514B1 (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-28 | 주식회사 테라닉스 | 인쇄 회로 기판, 그 인쇄 회로 기판을 이용한 센서 모듈 및 그 인쇄 회로 기판의 제조 방법 |
CN114980478A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种柔性线路板、柔性线路板的制备方法及显示装置 |
TWI776631B (zh) * | 2021-08-09 | 2022-09-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 雙面銅之軟性電路板 |
CN114286510B (zh) | 2021-12-28 | 2024-01-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 线路板、显示模组及显示装置 |
WO2023171979A1 (ko) * | 2022-03-11 | 2023-09-14 | 삼성전자 주식회사 | 부품 배치 공간을 고려한 슬라이더블 전자 장치 |
TWI833444B (zh) * | 2022-11-14 | 2024-02-21 | 南茂科技股份有限公司 | 薄膜覆晶封裝結構 |
WO2024111972A1 (ko) * | 2022-11-25 | 2024-05-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성 회로기판, cof 모듈 및 이를 포함하는 전자디바이스 |
TWI845252B (zh) * | 2023-04-12 | 2024-06-11 | 頎邦科技股份有限公司 | 半導體封裝構造及其晶片 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013128118A (ja) | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法 |
KR101396433B1 (ko) | 2012-08-13 | 2014-05-19 | 스템코 주식회사 | 연성 회로 기판, 이를 포함한 반도체 패키지 및 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299786A (ja) | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
KR20000048249A (ko) | 1998-12-21 | 2000-07-25 | 야스카와 히데아키 | 회로 기판 및 그 제조 방법과, 이 회로 기판을 사용한표시 장치 및 전자 기기 |
JP2000294894A (ja) | 1998-12-21 | 2000-10-20 | Seiko Epson Corp | 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器 |
JP2003068804A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用基板 |
KR100396433B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2003-09-02 | 주식회사 미뉴타텍 | 3차원 구조의 패턴을 이용한 반도체 소자 제조 방법 |
US7916486B2 (en) * | 2004-11-30 | 2011-03-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit board, connection structure, and apparatus |
JP4806313B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2011-11-02 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | テープキャリア、液晶表示装置用テープキャリア、及び液晶表示装置 |
KR101570530B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2015-11-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 연성회로기판과 이를 이용한 유기전계발광표시장치 |
KR101369300B1 (ko) | 2012-04-27 | 2014-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열성을 향상시킨 칩 온 필름 패키지 |
KR101951956B1 (ko) | 2012-11-13 | 2019-02-26 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 패키지용 연성회로기판 |
US9349758B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-24 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same |
US9706607B2 (en) * | 2014-12-10 | 2017-07-11 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with multiple types of micro-coating layers |
US9379355B1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-28 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device having support layer with rounded edge |
KR102375126B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-03-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 |
-
2017
- 2017-11-02 KR KR1020170145443A patent/KR102375126B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-10-25 JP JP2020522381A patent/JP6888171B2/ja active Active
- 2018-10-25 CN CN202310436650.XA patent/CN116685045A/zh active Pending
- 2018-10-25 CN CN201880071839.0A patent/CN111316762B/zh active Active
- 2018-10-25 CN CN202310437501.5A patent/CN116685046A/zh active Pending
- 2018-10-25 US US16/756,552 patent/US11239172B2/en active Active
- 2018-10-25 WO PCT/KR2018/012687 patent/WO2019088563A1/ko active Application Filing
-
2021
- 2021-05-19 JP JP2021084607A patent/JP7127190B2/ja active Active
- 2021-12-22 US US17/559,125 patent/US11694964B2/en active Active
-
2022
- 2022-03-10 KR KR1020220030263A patent/KR102475251B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-08-17 JP JP2022130072A patent/JP7324351B2/ja active Active
- 2022-12-01 KR KR1020220165742A patent/KR102641104B1/ko active Application Filing
-
2023
- 2023-05-15 US US18/197,245 patent/US12080654B2/en active Active
- 2023-07-28 JP JP2023123001A patent/JP2023139254A/ja active Pending
-
2024
- 2024-02-20 KR KR1020240024530A patent/KR20240028393A/ko active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013128118A (ja) | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 印刷回路基板及び印刷回路基板の製造方法 |
KR101396433B1 (ko) | 2012-08-13 | 2014-05-19 | 스템코 주식회사 | 연성 회로 기판, 이를 포함한 반도체 패키지 및 디스플레이 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230282590A1 (en) | 2023-09-07 |
US11694964B2 (en) | 2023-07-04 |
CN116685045A (zh) | 2023-09-01 |
JP2021500750A (ja) | 2021-01-07 |
KR102475251B1 (ko) | 2022-12-07 |
KR102641104B1 (ko) | 2024-02-28 |
KR20240028393A (ko) | 2024-03-05 |
KR20220166250A (ko) | 2022-12-16 |
JP2023139254A (ja) | 2023-10-03 |
JP7127190B2 (ja) | 2022-08-29 |
CN116685046A (zh) | 2023-09-01 |
US20220148976A1 (en) | 2022-05-12 |
US11239172B2 (en) | 2022-02-01 |
JP2022169655A (ja) | 2022-11-09 |
US20200243452A1 (en) | 2020-07-30 |
KR102375126B1 (ko) | 2022-03-17 |
KR20190050171A (ko) | 2019-05-10 |
JP2021145132A (ja) | 2021-09-24 |
CN111316762B (zh) | 2023-07-04 |
US12080654B2 (en) | 2024-09-03 |
WO2019088563A1 (ko) | 2019-05-09 |
CN111316762A (zh) | 2020-06-19 |
KR20220035895A (ko) | 2022-03-22 |
JP6888171B2 (ja) | 2021-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7324351B2 (ja) | フレキシブル回路基板及びこれを含むチップパッケージ | |
TWI815963B (zh) | 可撓性電路板、包括該可撓性電路板之晶片封裝及包括該晶片封裝之電子裝置 | |
KR102665438B1 (ko) | 연성 회로기판, cof 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스 | |
TWI444120B (zh) | 含有覆蓋直接接合於主機板的晶粒的封裝的主機板組裝件、形成主機板組裝件的方法及計算系統 | |
JP6856777B2 (ja) | オールインワンチップオンフィルム用軟性回路基板及びこれを含むチップパッケージ、及びこれを含む電子デバイス | |
KR102430863B1 (ko) | 올인원 칩 온 필름용 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 | |
KR102438205B1 (ko) | 올인원 칩 온 필름용 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 | |
KR102374299B1 (ko) | 올인원 칩 온 필름용 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 | |
KR20190054500A (ko) | 통합형 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7324351 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |