JP2013105165A - ネガ型パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。
【選択図】図1
Description
ポジ型レジスト膜を用いてダイポール照明によりX方向のラインパターンを形成し、レジストパターンを硬化させ、その上にもう一度レジスト組成物を塗布し、ダイポール照明でY方向のラインパターンを露光し、格子状ラインパターンの隙間よりホールパターンを形成する方法(非特許文献1:Proc. SPIE Vol. 5377, p.255(2004))が提案されている。高コントラストなダイポール照明によるX、Yラインを組み合わせることによって広いマージンでホールパターンを形成できるが、上下に組み合わされたラインパターンを寸法精度高くエッチングすることはむずかしい。X方向ラインのレベンソン型位相シフトマスクとY方向ラインのレベンソン型位相シフトマスクを組み合わせてネガ型レジスト膜を露光してホールパターンを形成する方法が提案されている(非特許文献2:IEEE IEDM Tech. Digest 61(1996))。但し、架橋型ネガ型レジスト膜は超微細ホールの限界解像度がブリッジマージンで決まるために、解像力がポジ型レジスト膜に比べて低い欠点がある。
即ち、ポジ型レジスト組成物のX、Yラインのダブルダイポールの2回露光によりドットパターンを作製し、この上にLPCVDでSiO2膜を形成し、O2−RIEでドットをホールに反転させる方法、加熱によってアルカリ可溶で溶剤不溶になる特性のレジスト組成物を用いて同じ方法でドットパターンを形成し、この上にフェノール系のオーバーコート膜を塗布してアルカリ現像によって画像反転させてホールパターンを形成する方法、ポジ型レジスト組成物を用いてダブルダイポール露光、有機溶剤現像による画像反転によってホールを形成する方法である。
有機溶剤によるネガティブトーン現像用のArFレジスト組成物としては、従来型のポジ型ArFレジスト組成物を用いることができ、特許文献1〜6(特開2008−281974号公報、特開2008−281975号公報、特開2008−281980号公報、特開2009−53657号公報、特開2009−25707号公報、特開2009−25723号公報)にパターン形成方法が示されている。
〔1〕
酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
〔2〕
高分子化合物[A]に含まれる酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)が、下記一般式(1)で表される構造であることを特徴とする〔1〕に記載のパターン形成方法。
(式中、R1はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。R2、R3は酸不安定基を示す。k1は0又は1であり、k1が0の場合、Ln1は単結合、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。k1が1の場合、Ln1はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の3価の炭化水素基を示す。)
〔3〕
上記一般式(1)中の酸不安定基R2、R3のいずれか一方又は両方が、下記一般式(2)で表される構造であることを特徴とする〔2〕に記載のパターン形成方法。
(式中、破線は結合手を示す。R4は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。nは0又は1である。)
〔4〕
高分子化合物[A]に含まれるアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)が、下記一般式(3)で表される構造であることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
(式中、R5は水素原子又はメチル基を示す。X1は単結合又は酸素原子を含んでよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基である。R6、R7はそれぞれ独立に水素原子であるか、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、1価炭化水素基上の水素原子の1つ又は複数がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R6、R7が相互に結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。また、R6、R7のどちらか一方又は両方がX1と結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。)
〔5〕
高分子化合物[A]に含まれるアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)が、下記一般式(4)で表される構造であることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
(式中、R8は水素原子又はメチル基を示す。X2は単結合又は酸素原子を含んでよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基である。R9は水素原子であるか、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、1価炭化水素基上の水素原子の1つ又は複数がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R9がX2と結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R10はヘテロ原子を含んでもよい炭素数3〜15の1価炭化水素基である。)
〔6〕
高分子化合物[A]が、更に密着性基として水酸基、カルボキシル基、シアノ基、カルボニル基、エーテル基、エステル基、炭酸エステル基、スルホン酸エステル基から選ばれる極性官能基を有する繰り返し単位を含有する〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔7〕
現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、2’−メチルアセトフェノン、4’−メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上の有機溶剤を含有し、これら有機溶剤の総濃度が現像液総量に対して60質量%以上であることを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔8〕
高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、又は波長13.5nmのEUVリソグラフィーであることを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
また、記述中の一般式において、エナンチオ異性体(enantiomer)やジアステレオ異性体(diastereomer)が存在し得る場合があるが、その場合、一つの平面式あるいは立体異性体の式で立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
上記式中、R1はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。R2、R3は酸不安定基を示す。k1は0又は1であり、k1が0の場合、Ln1は単結合、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。k1が1の場合、Ln1はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の3価の炭化水素基を示す。
(式中、R1、R2、R3の定義は上記と同様。)
Xはこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する2価の基を示す。RL21、RL22はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。RL21とRL22は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合、置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する2価の基を示す。pは1又は2を示す。
Yはこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する2価の基を示す。RL24、RL25はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。RL24とRL25は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合、置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する2価の基を示す。qは1又は2を示す。
Zはこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する2価の基を示す。RL27、RL28はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。RL27とRL28は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合、置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する2価の基を示す。
(式中、RL41は前述と同様である。)
(式中、RL41は前述と同様である。)
(式中、RL41は前述と同様である。)
上記式(L6)の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。
上記式中、破線は結合手を示す。R4は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。nは0又は1である。
上記式中、R5は水素原子又はメチル基を示す。X1は単結合又は酸素原子を含んでよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基である。R6、R7はそれぞれ独立に水素原子であるか、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、1価炭化水素基上の水素原子の1つ又は複数がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R6、R7が相互に結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。また、R6、R7のどちらか一方又は両方がX1と結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。
上記式中、R8は水素原子又はメチル基を示す。X2は単結合又は酸素原子を含んでよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基である。R9は水素原子であるか、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、1価炭化水素基上の水素原子の1つ又は複数がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R9がX2と結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R10はヘテロ原子を含んでもよい炭素数3〜15の1価炭化水素基である。
(式中、R5の定義は上記と同様。)
(式中、R8の定義は上記と同様。)
(式中、R14は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を表す。)
(式中、R15は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を表す。)
(式中、R20、R24、R28は水素原子又はメチル基、R21は単結合、フェニレン基、−O−R33−、又は−C(=O)−Y−R33−である。Yは酸素原子又はNH、R33は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又は水酸基を含んでいてもよい。R22、R23、R25、R26、R27、R29、R30、R31は同一又は異種の炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z0は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R32−、又は−C(=O)−Z1−R32−である。Z1は酸素原子又はNH、R32は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又は水酸基を含んでいてもよい。M-は非求核性対向イオンを表す。)
なお、基板10としては、シリコン基板が一般的に用いられる。被加工基板20としては、SiO2、SiN、SiON、SiOC、p−Si、α−Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が挙げられる。中間介在層30としては、SiO2、SiN、SiON、p−Si等のハードマスク、カーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜、有機反射防止膜等が挙げられる。
液浸リソグラフィーに用いられるレジスト保護膜を形成する材料としては、例えば、水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤に溶解させたものが好ましい。この場合、保護膜形成用組成物は、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する繰り返し単位等のモノマーから得られるものが挙げられる。保護膜は有機溶剤を含む現像液に溶解する必要があるが、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する繰り返し単位からなる高分子化合物は前述の有機溶剤を含む現像液に溶解する。特に、特開2007−25634号公報、特開2008−3569号公報に例示の1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する保護膜材料の有機溶剤現像液に対する溶解性は高い。
炭素数8〜12のエーテル系溶剤としては、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル等が挙げられる。
上記有機溶剤を含む現像液としては、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、2’−メチルアセトフェノン、4’−メチルアセトフェノン、等のケトン類、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチル等のエステル類などを好ましく用いることができる。
これらの有機溶剤は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。これらの有機溶剤の総量は、現像液総量の60質量%以上であり、好ましくは80〜100質量%である。なお、これらの有機溶剤の総量が現像液総量の100質量%未満である場合、その他の有機溶剤を含んでもよく、具体的にはオクタン、デカン、ドデカン等のアルカン類、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、4−メチル−2−ペンタノール等のアルコール類などが挙げられる。
また、上記現像液は、界面活性剤を含んでもよく、界面活性剤としては前述のレジスト組成物に添加してもよいものと同様の具体例が挙げられる。
(i)ドット状の遮光パターンが配置されたマスクを用い、ドット部分をネガ現像後にホールパターンとする方法。
(ii)格子状遮光パターンが配置されたマスクを用い、格子の交点をネガ現像後にホールパターンとする方法。
(iii)ライン状の遮光パターンが配置されたマスクを用いて2回の露光を行う方法であって、1回目の露光と2回目の露光のライン配列の向きを変えることでラインが交差するように重ねて露光し、ラインの交点をネガ現像後にホールパターンとする方法。
本発明のレジスト組成物を下記表1に示す組成で配合して溶剤に溶解させ、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過したレジスト溶液を調製した(Resist−1〜15)。また、同様の方法で、下記表2に示す組成の比較例のレジスト組成物を調製した(Resist−16〜18)。表1,2中のベース樹脂(Polymer1〜18)の構造、分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を下記表3〜5に示す。表3〜5中の( )内の数値は各繰り返し単位の構成比率(モル%)を示す。
また、表1,2中の高分子添加剤(PA−1〜3)は液浸露光に適するレジスト膜表面の撥水性を得るために添加した。これら高分子添加剤の構造、分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)をそれぞれ下記表6に示す。表6中の( )内の数値は各繰り返し単位の構成比率(モル%)を示す。
また、表1,2中の光酸発生剤(PAG−1〜4)の構造を下記表7に、表1,2中のクエンチャー成分(Q−1〜6)の構造を下記表8に示す。
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
CyHO:シクロヘキサノン
GBL:γ−ブチロラクトン
また、界面活性剤A(0.1質量部)を表1,2中に示したいずれのレジスト組成物にも添加した。界面活性剤Aの構造を以下に示す。
界面活性剤A:3−メチル−3−(2,2,2−トリフルオロエトキシメチル)オキセタン・テトラヒドロフラン・2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール共重合物(オムノバ社製)(下記式)
レジストの評価
[評価方法]
上記表1,2に示したレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボンの含有量が80質量%)を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB−A940(珪素の含有量が43質量%)を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベーク(PAB)し、レジスト膜の厚みを90nmにした。
これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製、NSR−610C、NA1.30、σ0.98/0.74、クロスポール開口35度)を用い、露光量とフォーカスを変化させながら露光を行い、その後任意の温度にて60秒間ベーク(PEB)し、その後任意の現像液により30秒間現像し、その後ジイソアミルエーテルでリンスした。使用した現像液DS−1〜3を下記に示す。
DS−1:酢酸ブチル
DS−2:2−ヘプタノン
DS−3:酢酸ブチル/安息香酸メチルの質量比1:1混合溶剤
良好:パターン側壁の垂直性が高い。好ましい形状。
不良:表層部が閉塞気味(T−トップ形状)又はパターン側壁が傾斜した逆テーパー形状
(表層部に近いほどライン幅大)。好ましくない形状。
上記表1中の本発明のレジスト組成物を評価した際の条件(PEB温度及び現像液)及び評価結果を下記表9に示す。また、上記表2中の比較例のレジスト組成物を評価した際の条件(PEB温度及び現像液)及び評価結果を下記表10に示す。また、比較例プロセスとしてのTMAHポジ型現像時の評価結果も表10に示す。
20 被加工基板
30 中間介在層
40 レジスト膜
Claims (8)
- 酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
- 高分子化合物[A]に含まれる酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)が、下記一般式(1)で表される構造であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
(式中、R1はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。R2、R3は酸不安定基を示す。k1は0又は1であり、k1が0の場合、Ln1は単結合、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。k1が1の場合、Ln1はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の3価の炭化水素基を示す。) - 上記一般式(1)中の酸不安定基R2、R3のいずれか一方又は両方が、下記一般式(2)で表される構造であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
(式中、破線は結合手を示す。R4は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。nは0又は1である。) - 高分子化合物[A]に含まれるアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)が、下記一般式(3)で表される構造であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
(式中、R5は水素原子又はメチル基を示す。X1は単結合又は酸素原子を含んでよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基である。R6、R7はそれぞれ独立に水素原子であるか、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、1価炭化水素基上の水素原子の1つ又は複数がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R6、R7が相互に結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。また、R6、R7のどちらか一方又は両方がX1と結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。) - 高分子化合物[A]に含まれるアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)が、下記一般式(4)で表される構造であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
(式中、R8は水素原子又はメチル基を示す。X2は単結合又は酸素原子を含んでよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価炭化水素基である。R9は水素原子であるか、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、1価炭化水素基上の水素原子の1つ又は複数がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R9がX2と結合し、これらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R10はヘテロ原子を含んでもよい炭素数3〜15の1価炭化水素基である。) - 高分子化合物[A]が、更に密着性基として水酸基、カルボキシル基、シアノ基、カルボニル基、エーテル基、エステル基、炭酸エステル基、スルホン酸エステル基から選ばれる極性官能基を有する繰り返し単位を含有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、2’−メチルアセトフェノン、4’−メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上の有機溶剤を含有し、これら有機溶剤の総濃度が現像液総量に対して60質量%以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、又は波長13.5nmのEUVリソグラフィーであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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