JP2013058314A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. プロ−ブとなる電子線を発生させる電子源と、
    前記電子線の径を制限するアパ−チャと、
    前記電子線が照射される試料が搭載される試料台と、
    前記電子線を前記試料表面に収束するための対物レンズと、
    前記電子線を照射する試料上で前記電子線を走査するための偏向手段と、
    前記試料からの二次電子を検出する二次電子検出器と、
    前記試料からの反射電子または反射電子に由来する変換電子を検出する反射電子検出器と、
    前記電子源と前記試料台に搭載される試料の間となる位置に筒状の電子輸送手段を備え、
    前記反射電子検出器の感受面は前記電子輸送手段の内部であって、前記二次電子検出器及び前記偏向手段よりも前記電子源に対して遠方側に設置され、
    前記反射電子検出器の前記感受面は前記電子輸送手段と同電位となるように電気的に配線されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  2. 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記対物レンズは電界レンズと磁界レンズとを含み、
    前記磁界レンズは、セミインレンズ型であることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  3. 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記対物レンズは電界レンズと磁界レンズとを含み、
    前記磁界レンズは、アウトレンズ型であることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  4. 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記反射電子検出器は、半導体検出器、アバランシェダイオ−ド、または、構成要素としてシンチレ−タ材料を用いる検出器であることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  5. 請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記シンチレ−タ材料を用いる検出器は、シンチレ−タ、ライトガイド、光電子増倍管で構成される、Everhart−Thornley型の検出器であることを特徴する走査電子顕微鏡。
  6. 請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記ライトガイドは、光ファイバであることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  7. 請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記ライトガイドおよび前記シンチレ−タは、シンチレ−ティングファイバを具備していることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  8. 請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記試料と前記電子輸送手段の間隙に、反射電子を変換電子に変換するための電極を備えていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  9. 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記反射電子検出器は、前記二次電子を通過させるための開口部を有することを特徴とする走査電子顕微鏡。
  10. 請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記シンチレータは、その表面に導電体の膜が設けられていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  11. 請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
    記反射電子検出器は光軸に対して線対称な配置となるように2つ設置され、
    2つの前記反射電子検出器は、前記磁界レンズの主面が2つ前記反射電子検出器の試料側下端よりも前記電子側に形成されるように配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  12. 電子源と、試料台と、加速管と対物レンズを含み前記電子源から放出された電子を加速後、減速して前記試料台に載置される試料に電子線として照射する電子光学系と、前記電子線の照射により生じる前記試料からの二次電子を検出するための二次電子検出器と反射電子または反射電子に由来する変換電子を検出するための反射電子検出器とを備えた走査電子顕微鏡において、
    前記反射電子検出器はその中央部に開口部を有すると共に、その感受面は前記加速管の内部に設置され、
    前記反射電子検出器の前記感受面は前記加速管と同電位となるように電気的に配線されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  13. 請求項12に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記二次電子検出器は、前記反射電子検出器の前記開口部を通過した二次電子を検出するものであることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  14. 請求項12に記載の走査電子顕微鏡において、
    前記反射電子検出器の感受面は、前記感受面に設けた導電体を介して前記加速管と電気的に接続されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7519455B2 (ja) 2020-03-11 2024-07-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 信号電子検出のためのシステム及び方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2013783B1 (en) * 2014-11-12 2016-10-07 Phenom-World Holding B V Sample stage.
CN105006416B (zh) * 2015-05-19 2017-09-19 北京中科科仪股份有限公司 一种扫描电镜探针电流检测装置和一种扫描电镜
IL293358B2 (en) * 2015-11-30 2023-11-01 Asml Netherlands Bv A device with charged multi-particle beams
CN107342205B (zh) * 2016-05-03 2019-07-23 睿励科学仪器(上海)有限公司 一种带电粒子探测装置
WO2018020626A1 (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP6718782B2 (ja) * 2016-09-21 2020-07-08 日本電子株式会社 対物レンズおよび透過電子顕微鏡
CN106645250B (zh) * 2016-11-21 2024-04-26 宁波聚瑞精密仪器有限公司 一种具备光学成像功能的扫描透射电子显微镜
CN106770405A (zh) * 2016-12-09 2017-05-31 清华大学 一种完全大气压下超光学衍射成像装置
CN110199374B (zh) * 2016-12-29 2021-10-29 不列颠哥伦比亚大学 光学寻址的、热电子电子束装置
JP6857511B2 (ja) 2017-02-23 2021-04-14 日本電子株式会社 走査電子顕微鏡
CN106920723A (zh) * 2017-03-06 2017-07-04 聚束科技(北京)有限公司 一种扫描聚焦系统及电子束控制方法
DE112017008344B4 (de) 2017-03-24 2024-05-29 Hitachi High-Tech Corporation Ladungsteilchenstrahl-vorrichtung
US11139144B2 (en) 2017-03-24 2021-10-05 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam apparatus
CZ309855B6 (cs) 2017-09-20 2023-12-20 Tescan Group, A.S. Zařízení s iontovým tubusem a rastrovacím elektronovým mikroskopem
WO2019100600A1 (en) 2017-11-21 2019-05-31 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation
DE102018202428B3 (de) * 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
JP6605080B2 (ja) * 2018-06-25 2019-11-13 株式会社ホロン 超高速電子検出器および該検出器を組み込んだ走査型電子ビーム検査装置
JP6843913B2 (ja) * 2019-03-28 2021-03-17 日本電子株式会社 透過電子顕微鏡の制御方法および透過電子顕微鏡
CN110133836B (zh) * 2019-05-31 2024-04-19 宁波大学 一种微结构固定荧光粉末的方法及装置
US20220359149A1 (en) * 2019-07-02 2022-11-10 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device
US11183361B1 (en) * 2020-05-19 2021-11-23 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device and method for inspecting and/or imaging a sample
US11239043B2 (en) * 2020-05-19 2022-02-01 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device and method for inspecting and/or imaging a sample
CN113758955A (zh) * 2020-06-01 2021-12-07 宸鸿科技(厦门)有限公司 利用扫描式电子显微镜观测表面不含导电层的样品的方法
JP7004776B2 (ja) * 2020-07-27 2022-01-21 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置
CN114171361B (zh) * 2020-09-11 2024-09-06 聚束科技(北京)有限公司 一种电子显微镜
CN114256043B (zh) * 2020-12-02 2024-04-05 聚束科技(北京)有限公司 一种电子束系统
CN114220725B (zh) * 2020-12-02 2024-05-07 聚束科技(北京)有限公司 一种电子显微镜
CN112652510B (zh) * 2020-12-16 2022-05-10 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种大视场、低像差电子光学成像系统及成像方法
JP7614351B2 (ja) * 2021-06-29 2025-01-15 株式会社日立ハイテク プローブ装置
CN113539769B (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 苏州矽视科技有限公司 一种实现共轴的电子束成像设备及实现方法
US11749495B2 (en) * 2021-10-05 2023-09-05 KLA Corp. Bandpass charged particle energy filtering detector for charged particle tools
WO2023237277A1 (en) * 2022-06-10 2023-12-14 Asml Netherlands B.V. Charged-particle beam apparatus with fast focus correction and methods thereof
US20240194440A1 (en) * 2022-12-09 2024-06-13 Kla Corporation System and method for multi-beam electron microscopy using a detector array
WO2024152501A1 (zh) * 2023-01-18 2024-07-25 纳克微束(北京)有限公司 一种双内置复合结构的探测系统
DE102023106025A1 (de) 2023-03-10 2024-09-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlmikroskop
DE102023106030A1 (de) 2023-03-10 2024-09-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Elektronenstrahlmikroskop
CN116646228B (zh) * 2023-07-20 2023-10-27 北京惠然肯来科技中心(有限合伙) 快速聚焦扫描偏转装置、扫描电子显微镜

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2919170B2 (ja) * 1992-03-19 1999-07-12 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
DE69638126D1 (de) * 1995-10-19 2010-04-01 Hitachi Ltd Rasterelektronenmikroskop
JP3432091B2 (ja) * 1996-11-05 2003-07-28 日本電子株式会社 走査電子顕微鏡
JP3434165B2 (ja) * 1997-04-18 2003-08-04 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
DE19828476A1 (de) 1998-06-26 1999-12-30 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenstrahlgerät
US6642520B2 (en) 1999-04-13 2003-11-04 Kabushiki Kaisha Topcon Scanning electron microscope
JP2000299078A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Topcon Corp 走査型電子顕微鏡
JP2003172781A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線測定装置
JP2003331770A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Seiko Instruments Inc 電子線装置
JP2004047341A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Jeol Ltd 観察方法及び観察装置
JP2006114225A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
DE602005010969D1 (de) 2005-03-17 2008-12-24 Integrated Circuit Testing Teilchenstrahlgerät für hohe räumliche Auflösung und verschiedene für perspektivische Abbildungsmethoden
JP4721821B2 (ja) * 2005-08-23 2011-07-13 日本電子株式会社 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡における信号検出方法
US7872236B2 (en) * 2007-01-30 2011-01-18 Hermes Microvision, Inc. Charged particle detection devices
JP5227643B2 (ja) * 2008-04-14 2013-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置
JP5280238B2 (ja) * 2009-02-09 2013-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP5529573B2 (ja) * 2009-02-10 2014-06-25 国立大学法人 東京大学 透過型電子顕微鏡

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7519455B2 (ja) 2020-03-11 2024-07-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 信号電子検出のためのシステム及び方法

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