JP5227643B2 - 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 - Google Patents
高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5227643B2 JP5227643B2 JP2008104232A JP2008104232A JP5227643B2 JP 5227643 B2 JP5227643 B2 JP 5227643B2 JP 2008104232 A JP2008104232 A JP 2008104232A JP 2008104232 A JP2008104232 A JP 2008104232A JP 5227643 B2 JP5227643 B2 JP 5227643B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- sample
- magnetic pole
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/145—Combinations of electrostatic and magnetic lenses
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
電子ビーム利用による欠陥検査手法は、コンタクト孔、ゲートおよび配線などの微小な形状特徴と微小欠陥の形状特徴を画像化するのに十分な解像度を備え、さらに、欠陥形状の陰影像コントラストに基づく重度の欠陥の分類検出に利用できる。したがって、微小回路の計測・検査に対しては、荷電粒子線を応用した計測・検査手法は光学式検査手法に比べてはるかに有利である。
(1)電子源<試料電位<制御磁路部材<ヨーク部材≒0V<ブースタ磁路部材
(2)電子源<加速電極≒0V<ブースタ磁路
従って、加速電極131とブースタ磁路部材116への印加電位を電子源111に対して正に設定することにより、電子ビーム110は電子光学系102を高速に通過させることができ、試料上での電子ビーム110のプローブサイズを小さくすることができる。
左検出器120と右検出器121と中央検出器122の配置位置は図4に示される位置に限らず変更が可能である。例えば、上段側反射部材118の二次粒子反射面に軸上検出器を配置すれば中央検出器122とほぼ同じ機能を実現可能である。また、左衝突面124と右衝突面に軸上検出器を配置すれば、左検出120と右検出器121とほぼ同じ機能を実現可能である。また、電磁重畳型偏向器(E×B偏向器)を一次電子線の光軸上に配置すれば、一次電子ビーム110は偏向せずに二次粒子反射面から放出された三次粒子を中央検出器122に誘導することもできる。
(1)所望のウェハを装置内にロードする。
(2)ウェハのアライメントを行う。
(3)欠陥座標に移動し、合焦点を見つける。
(4)欠陥観察像を取得する。
(5)手順(3)の状態よりも電子光学系の光学倍率を下げる。
(6)同じ位置で合焦点を見つける。必要であればステージ位置調整やイメージシフトなどにより、電子ビームの照射領域を微調整する。
(7)低倍観察像を取得し、画像処理で欠陥位置を特定する。
(8)手順(5)の状態よりも電子光学系の光学倍率を上げる。
(9)欠陥観察像を取得する。
(10)欠陥に隣接するダイの座標に移動し、合焦点を見つける。
(11)低倍観察像を取得する。
(12)欠陥座標に移動し、合焦点を見つける。
(13)低倍観察像を取得し、手順(11)で取得した観察像と比較して欠陥位置を特定する。
(14)電子光学系の光学倍率を上げて、特定された欠陥位置の像を取得する。
(1)所望のウェハを装置内にロードする。
(2)ウェハのアライメントを行う。
(3)観察座標に移動し、合焦点を見つける。
(4)作製パターンの観察像を取得する。
(5)ウェハの再アライメントを行う。
(6)アライメント座標に移動し、合焦点を見つける。
(7)アライメント観察像を取得し、画像処理で観察座標のアライメントを行う。
(8)観察座標に移動し、合焦点を見つける。
(9)作製パターンの観察像を取得する。
ウェハ内の複数箇所の観察像を取得する際は工程(6)から(9)を繰り返す。
(10)行程(9)での画像取得位置に隣接するダイの観察座標に移動し、合焦点を見つける。
(11)参照観察像を取得する。
(12)観察座標に移動し、合焦点を見つける。
(13)観察像を取得し、(11)の参照観察像と比較する。
(14)ウェハの再アライメントを行う。
(15)隣接するダイのアライメント座標に移動し、合焦点を見つける。
(16)アライメント観察像を取得し、画像処理で観察座標のアライメントを行う。
(17)隣接するダイの参照観察座標に移動し、合焦点を見つける。
(18)作製パターンの参照観察像を取得する。
(19)アライメント座標に移動し、合焦点を見つける。
(20)アライメント観察像を取得し、画像処理で観察座標のアライメントを行う。
(21)観察座標に移動し、合焦点を見つける。
(22)作製パターンの観察像を取得し、(18)の参照観察像と比較する。
(1)ステージ固定時にウェハの面内のそりを減らすために静電チャックを用いる、
(2)試料の厚さにあわせてステージの高さを制御する、
(3)電磁重畳型対物レンズのコイルの励磁電流を変更する、
(4)ブースタ磁路部材への印加電圧を変更する、
以上説明した構成により、反射電子を弁別検出し、陰影コントラストの強調された像を取得することが可能となり、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することが可能となる。
以上、本実施例のレビューSEMにより、制御磁路部材とブースタ磁路とウェハのギャップを従来よりも狭く設定することが可能となった。さらに本発明の電磁重畳型対物レンズの性能も向上し、より高分解能なトップビュー像と陰影像を取得することが可能となった。
Claims (13)
- 試料を載置するステージと、
前記試料に一次荷電粒子線を照射し、前記試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、
前記一次荷電粒子線を前記試料上に集束させる、前記一次荷電粒子線を通過させる開口を備えた対物レンズと、
前記ステージに負電圧を印加する電源とを備え、
前記対物レンズは、前記一次荷電粒子線が前記開口の周囲に配置され、前記試料側の末端部が前記対物レンズの上部磁極となる第1の磁極部材と、
前記第1の磁極部材に磁束を供給する、内部が中空の第2の磁極部材と、
前記第2の磁極部材の内部に配置された、前記第2の磁束部材に磁束を供給するコイルと、
前記ステージと前記第2の磁極部材との間に配置され、前記開口を備えた、前記対物レンズの下部磁極となる第3の磁極部材を有し、
前記第3の磁極部材に、前記第2の磁極部材の電位よりも低い電位が供給されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記試料に対してリターディング電位を印加する手段を備え、
前記第3の磁極部材に、前記リターディング電位以上の電位が供給されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の磁極部材に、前記試料の電位との電位差が100V以内になる電位が供給されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の磁極部材に、前記試料の電位と同電位になる電位が供給されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置において、
前記第1の磁極部材に対して前記一次荷電粒子線を加速するための加速電位が印加されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記第2の磁極部材と前記第3の磁極部材を電気的に絶縁する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記第2の磁極部材が接地電位にあることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記第2の磁極部材の底面は、前記開口を有する円錐形状であり、
前記第3の磁極部材は、当該円錐形状の円錐面から所定のギャップを介して当該円錐面に対して平行に配置された磁性板であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記試料を保持する静電吸着装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置において、
前記静電吸着装置は、
前記試料に対して誘電体を介して配置される内部電極と、前記試料にリターディング電位を印加するコンタクト電極とを備え、
更に前記荷電粒子線装置は、
前記コンタクト電極の電位と前記第3の磁極部材の電位との電位差を±100V以内に保つ手段とを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の磁極部材の冷却手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記一次荷電粒子線の照射位置の陰影像を取得する手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の磁極部材は、上側磁性板と下側磁性板の2つの磁性板を備え、
当該下側磁性板が前記試料と同電位に設定されることを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008104232A JP5227643B2 (ja) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
US12/385,612 US8389935B2 (en) | 2008-04-14 | 2009-04-14 | Charged particle beam apparatus permitting high-resolution and high-contrast observation |
US13/551,452 US8431915B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-07-17 | Charged particle beam apparatus permitting high resolution and high-contrast observation |
US13/871,624 US8785890B2 (en) | 2008-04-14 | 2013-04-26 | Charged particle beam apparatus permitting high-resolution and high-contrast observation |
US14/334,837 US9159533B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-07-18 | Charged particle beam apparatus permitting high-resolution and high-contrast observation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008104232A JP5227643B2 (ja) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013049867A Division JP5544439B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 荷電粒子線装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009259444A JP2009259444A (ja) | 2009-11-05 |
JP2009259444A5 JP2009259444A5 (ja) | 2011-06-23 |
JP5227643B2 true JP5227643B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=41163203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008104232A Active JP5227643B2 (ja) | 2008-04-14 | 2008-04-14 | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8389935B2 (ja) |
JP (1) | JP5227643B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5227643B2 (ja) | 2008-04-14 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
JP5417428B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡および試料保持方法 |
WO2011055520A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
WO2012023354A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線装置 |
JP5860642B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
EP2682978B1 (en) * | 2012-07-05 | 2016-10-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Contamination reduction electrode for particle detector |
JP5851352B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP6138454B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-05-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP6064032B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR101456794B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2014-11-03 | (주)오로스 테크놀로지 | 빔 스폿 조절이 가능한 주사전자현미경 및 이를 이용한 측정방법 |
CN104037044B (zh) * | 2014-07-09 | 2016-09-28 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种离子束垂直聚焦装置 |
US20160093465A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus and defect inspection method |
DE102016208689B4 (de) * | 2016-05-20 | 2018-07-26 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt sowie Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
US10128083B2 (en) * | 2016-06-01 | 2018-11-13 | Vebco Instruments Inc. | Ion sources and methods for generating ion beams with controllable ion current density distributions over large treatment areas |
CN106920723A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-07-04 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种扫描聚焦系统及电子束控制方法 |
WO2018173242A1 (ja) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
DE112017007063T5 (de) * | 2017-03-29 | 2019-10-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ladungsträgerstrahlvorrichtung |
CN113056806A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-29 | Asml荷兰有限公司 | 电磁复合透镜和具有这样的透镜的带电粒子光学系统 |
US11823861B2 (en) * | 2019-07-02 | 2023-11-21 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
JP2022112137A (ja) * | 2021-01-21 | 2022-08-02 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子ビーム装置 |
CN115714080B (zh) * | 2023-01-10 | 2023-04-28 | 苏州矽视科技有限公司 | 一种扫描电子束成像设备及成像方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05225936A (ja) | 1992-02-07 | 1993-09-03 | Elionix Kk | 走査電子顕微鏡の対物レンズ |
JP2927627B2 (ja) | 1992-10-20 | 1999-07-28 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JPH06260127A (ja) | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置 |
US5644132A (en) * | 1994-06-20 | 1997-07-01 | Opan Technologies Ltd. | System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen |
US5466940A (en) * | 1994-06-20 | 1995-11-14 | Opal Technologies Ltd. | Electron detector with high backscattered electron acceptance for particle beam apparatus |
JPH08250058A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JPH09147775A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡用対物レンズ |
JPH10106466A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Eiko Eng:Kk | 磁界形対物電子レンズ |
JPH10125271A (ja) | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Hitachi Ltd | 走査型電子顕微鏡 |
JP3474082B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2003-12-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電子線装置 |
US6037589A (en) | 1997-01-16 | 2000-03-14 | Seiko Instruments Inc. | Electron beam device |
US6509564B1 (en) * | 1998-04-20 | 2003-01-21 | Hitachi, Ltd. | Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method |
JP3517596B2 (ja) * | 1998-12-15 | 2004-04-12 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡 |
JP4162343B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2008-10-08 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 電子線装置 |
TWI294632B (en) * | 2000-06-27 | 2008-03-11 | Ebara Corp | Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device |
JP2002056794A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | National Institute For Materials Science | 電子顕微鏡用対物レンズ |
JP4613405B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2011-01-19 | 株式会社日立製作所 | 走査型電子顕微鏡 |
JP2002134051A (ja) | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Seiko Instruments Inc | 電磁界重畳型レンズ及びこれを用いた電子線装置 |
JP2003187733A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Ebara Corp | 電子線装置及びこの装置を用いたデバイス製造方法 |
JP4005411B2 (ja) | 2002-05-15 | 2007-11-07 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 電子線装置 |
KR100889866B1 (ko) * | 2004-06-14 | 2009-03-24 | 엘지전자 주식회사 | 무선 프로토콜 계층의 데이터 송수신 시스템에서 전송데이터 유닛 처리 방법 |
US7385197B2 (en) * | 2004-07-08 | 2008-06-10 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and a device manufacturing method using the same apparatus |
DE602006013707D1 (de) * | 2005-11-28 | 2010-05-27 | Applied Materials Israel Ltd | Teilchenoptische komponente |
JP4795847B2 (ja) | 2006-05-17 | 2011-10-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子レンズ及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
JP4878501B2 (ja) | 2006-05-25 | 2012-02-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
US7705301B2 (en) * | 2006-07-07 | 2010-04-27 | Hermes Microvision, Inc. | Electron beam apparatus to collect side-view and/or plane-view image with in-lens sectional detector |
JP5227643B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
US20120119087A1 (en) * | 2009-08-03 | 2012-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged-particle microscope |
-
2008
- 2008-04-14 JP JP2008104232A patent/JP5227643B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-14 US US12/385,612 patent/US8389935B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-17 US US13/551,452 patent/US8431915B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-26 US US13/871,624 patent/US8785890B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-18 US US14/334,837 patent/US9159533B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130228701A1 (en) | 2013-09-05 |
US20120280126A1 (en) | 2012-11-08 |
US9159533B2 (en) | 2015-10-13 |
US8785890B2 (en) | 2014-07-22 |
US20140326879A1 (en) | 2014-11-06 |
US20090256076A1 (en) | 2009-10-15 |
JP2009259444A (ja) | 2009-11-05 |
US8431915B2 (en) | 2013-04-30 |
US8389935B2 (en) | 2013-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5227643B2 (ja) | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 | |
US10522327B2 (en) | Method of operating a charged particle beam specimen inspection system | |
TWI650550B (zh) | 用於高產量電子束檢測(ebi)的多射束裝置 | |
TWI794782B (zh) | 具有多個偵測器之帶電粒子束裝置及用於成像之方法 | |
US7875849B2 (en) | Electron beam apparatus and electron beam inspection method | |
JP2005276819A (ja) | 帯電粒子ビームデバイスのための対物レンズ | |
JP2008215969A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
US6646261B2 (en) | SEM provided with a secondary electron detector having a central electrode | |
JP2007280614A (ja) | 反射結像型電子顕微鏡、及びそれを用いた欠陥検査装置 | |
US11626267B2 (en) | Back-scatter electrons (BSE) imaging with a SEM in tilted mode using cap bias voltage | |
JP2004513477A (ja) | 静電対物に調整可能な最終電極を設けたsem | |
JP5544439B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2004132956A (ja) | Semを利用するアンダカットの測定方法 | |
JP2012186177A (ja) | 電子線応用装置 | |
JP2014160678A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2006156134A (ja) | 反射結像型電子顕微鏡 | |
KR20080090118A (ko) | 반도체 검사 장치의 제어 방법 | |
TW202338889A (zh) | 使用帽偏壓以傾斜模式的掃描式電子顯微鏡(sem)作反散射電子(bse)成像 | |
KR20230002742A (ko) | 3d 디바이스들의 검사 및 검토를 위한 전자 빔 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5227643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |