JP2013058314A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
電子銃29と、アパ−チャ26と、試料台3と、電子線31を試料2上に収束するための電子光学系4−1と、偏向手段10と、二次電子検出器8、反射電子検出器9と、電子銃29と試料2の間となる位置に筒状の電子輸送手段5を備え、反射電子検出器9は電子輸送手段5の内部であって、二次電子検出器8及び偏向手段10よりも電子銃29に対して遠方側に設置され、反射電子検出器9の感受面9−1は電子輸送手段5と同電位となるように電気的に配線されている。
【選択図】図1(a)
Description
前記電子線を前記試料表面に収束するための対物レンズと、前記電子線を照射する試料上で前記電子線を走査するための偏向手段と、前記試料からの二次電子を検出する二次電子検出器と、前記試料からの反射電子または反射電子に由来する変換電子を検出する反射電子検出器と、前記電子源と前記試料台に搭載される試料の間となる位置に筒状の電子輸送手段を備え、前記反射電子検出器の感受面は前記電子輸送手段の内部であって、前記二次電子検出器及び前記偏向手段よりも前記電子源に対して遠方側に設置され、前記反射電子検出器の前記感受面は前記電子輸送手段と同電位となるように電気的に配線されていることを特徴とする走査電子顕微鏡とする。
以下、実施例により詳細を説明する。
以上、本実施例によれば、発生量の多い中角度帯に含まれる信号電子を用いることにより、低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供することができる。
以上、本実施例によれば、発生量の多い中角度帯に含まれる信号電子を用いることにより、低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供することができる。また、対物レンズとしてアウトレンズ型磁界レンズを用いることにより、磁性体の観察が可能となる。
図9は、同心円状に配置したリング状の変換板44を支柱50で固定した形状である。光軸1に最も近い電極は、一次電子線31および二次電子32−1の通過孔45となるため、軸対称な形状が好ましい。各変換板44の間の距離で決まる変換電極43の開口率は、反射電子32−2の変換効率を考慮して決定される。変換電極43の形状の例として、図9の変換電極43の断面が図10〜図12に示すような形状となっているものが考えられる。図10は、光軸1に平行な方向の厚みが同じ3枚のリング状の変換板44を同心円状に並べたものである。図11は、図10の3枚のリング状の変換板44を、光軸1に近い変換板44ほど、試料2に近い位置に設置したものである。電極配置43を図10のような形状にすることで、試料2を傾斜して観察する場合でも、変換電極43の先端が対物レンズ4−2の先端から試料側に伸びているため、短いWDを維持することができる。また、図10や図11のような形状の場合、あるWD、特に長いWDに設定した場合、一部の反射電子32−2が変換板にぶつからずに、走査電子顕微鏡の加速管5内に直接進行する可能性が生じる。これを回避するには、図12のような断面形状が望ましく、WDを変更した場合でも反射電子32−2が変換板44にぶつかり、変換電子32−3が発生しやすい構成とすることができる。
以上、本実施例によれば、発生量の多い中角度帯に含まれる信号電子を用いることにより、低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供することができる。また、変換電極を用いることにより反射電子に由来する信号を高い増倍率で検出することができる。
以上、本実施例によれば、発生量の多い中角度帯に含まれる信号電子を用いることにより、低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供することができる。また、光ファイバを用いることで、ライトガイドの設置自由度を向上することができる。
以上、本実施例によれば、発生量の多い中角度帯に含まれる信号電子を用いることにより、低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供することができる。また、反射電子検出器として、プレ−ト型の検出器、半導体検出器、又はアバランシェダイオ−ド検出器を用いることで、検出器の設置自由度を向上することができる。
以上、本実施例によれば、発生量の多い中角度帯に含まれる信号電子を用いることにより、低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供することができる。また、光軸に対して線対称な配置となるように2つの反射電子検出器を設置し、反射電子検出器の試料側下端よりも電子銃側に磁界レンズの主面を持つ構成とすることにより、反射電子に由来する検出情報を強調することができる。
Claims (14)
- プロ−ブとなる電子線を発生させる電子源と、
前記電子線の径を制限するアパ−チャと、
前記電子線が照射される試料が搭載される試料台と、
前記電子線を前記試料表面に収束するための対物レンズと、
前記電子線を照射する試料上で前記電子線を走査するための偏向手段と、
前記試料からの二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記試料からの反射電子または反射電子に由来する変換電子を検出する反射電子検出器と、
前記電子源と前記試料台に搭載される試料の間となる位置に筒状の電子輸送手段を備え、
前記反射電子検出器の感受面は前記電子輸送手段の内部であって、前記二次電子検出器及び前記偏向手段よりも前記電子源に対して遠方側に設置され、
前記反射電子検出器の前記感受面は前記電子輸送手段と同電位となるように電気的に配線されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記対物レンズは電界レンズと磁界レンズとを含み、
前記磁界レンズは、セミインレンズ型であることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記対物レンズは電界レンズと磁界レンズとを含み、
前記磁界レンズは、アウトレンズ型であることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記反射電子検出器は、半導体検出器、アバランシェダイオ−ド、または、構成要素としてシンチレ−タ材料を用いる検出器であることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、
前記シンチレ−タ材料を用いる検出器は、シンチレ−タ、ライトガイド、光電子増倍管で構成される、Everhart−Thornley型の検出器であることを特徴する走査電子顕微鏡。 - 請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
前記ライトガイドは、光ファイバであることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
前記ライトガイドおよび前記シンチレ−タは、シンチレ−ティングファイバを具備していることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料と前記電子輸送手段の間隙に、反射電子を変換電子に変換するための電極を備えていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記反射電子検出器は、前記二次電子を通過させるための開口部を有することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
前記シンチレータは、その表面に導電体の膜が設けられていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記前記反射電子検出器は光軸に対して線対称な配置となるように2つ設置され、
2つの前記反射電子検出器は、前記磁界レンズの主面が2つ前記反射電子検出器の試料側下端よりも前記電子銃側に形成されるように配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 電子源と、試料台と、加速管と対物レンズを含み前記電子源から放出された電子を加速後、減速して前記試料台に載置される試料に電子線として照射する電子光学系と、前記電子線の照射により生じる前記試料からの二次電子を検出するための二次電子検出器と反射電子または反射電子に由来する変換電子を検出するための反射電子検出器とを備えた走査電子顕微鏡において、
前記反射電子検出器はその中央部に開口部を有すると共に、その感受面は前記加速管の内部に設置され、
前記反射電子検出器の前記感受面は前記加速管と同電位となるように電気的に配線されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項12に記載の走査電子顕微鏡において、
前記二次電子検出器は、前記反射電子検出器の前記開口部を通過した二次電子を検出するものであることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項12に記載の走査電子顕微鏡において、
前記反射電子検出器の感受面は、前記感受面に設けた導電体を介して前記加速管と電気的に接続されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3367418A2 (en) | 2017-02-23 | 2018-08-29 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope |
JP2018142559A (ja) * | 2018-06-25 | 2018-09-13 | 株式会社ホロン | 超高速電子検出器および該検出器を組み込んだ走査型電子ビーム検査装置 |
JP2020177925A (ja) * | 2020-07-27 | 2020-10-29 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子ビーム装置 |
JPWO2021001919A1 (ja) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | ||
US11139144B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-10-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
JP2021528833A (ja) * | 2017-11-21 | 2021-10-21 | フォーカス−イービーム テクノロジー (ベイジン) カンパニー, リミテッド | 低エネルギー走査型電子顕微鏡システム、走査型電子顕微鏡システム及び試料検知方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2013783B1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-10-07 | Phenom-World Holding B V | Sample stage. |
CN105006416B (zh) * | 2015-05-19 | 2017-09-19 | 北京中科科仪股份有限公司 | 一种扫描电镜探针电流检测装置和一种扫描电镜 |
CN108738343B (zh) | 2015-11-30 | 2022-02-01 | Asml荷兰有限公司 | 多个带电粒子束的设备 |
CN107342205B (zh) * | 2016-05-03 | 2019-07-23 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 一种带电粒子探测装置 |
US11282671B2 (en) * | 2016-07-28 | 2022-03-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged-particle beam apparatus |
JP6718782B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-07-08 | 日本電子株式会社 | 対物レンズおよび透過電子顕微鏡 |
CN106645250B (zh) * | 2016-11-21 | 2024-04-26 | 宁波聚瑞精密仪器有限公司 | 一种具备光学成像功能的扫描透射电子显微镜 |
CN106770405A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-05-31 | 清华大学 | 一种完全大气压下超光学衍射成像装置 |
US10741352B2 (en) * | 2016-12-29 | 2020-08-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Optically addressed, thermionic electron beam device |
CN106920723A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-07-04 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种扫描聚焦系统及电子束控制方法 |
CZ309855B6 (cs) | 2017-09-20 | 2023-12-20 | Tescan Group, A.S. | Zařízení s iontovým tubusem a rastrovacím elektronovým mikroskopem |
DE102018202428B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
JP6843913B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2021-03-17 | 日本電子株式会社 | 透過電子顕微鏡の制御方法および透過電子顕微鏡 |
CN110133836B (zh) * | 2019-05-31 | 2024-04-19 | 宁波大学 | 一种微结构固定荧光粉末的方法及装置 |
US11183361B1 (en) * | 2020-05-19 | 2021-11-23 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting and/or imaging a sample |
US11239043B2 (en) * | 2020-05-19 | 2022-02-01 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting and/or imaging a sample |
CN113758955A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 利用扫描式电子显微镜观测表面不含导电层的样品的方法 |
CN114171361A (zh) * | 2020-09-11 | 2022-03-11 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种电子显微镜 |
CN114220725B (zh) * | 2020-12-02 | 2024-05-07 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种电子显微镜 |
CN114256043B (zh) * | 2020-12-02 | 2024-04-05 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种电子束系统 |
CN112652510B (zh) * | 2020-12-16 | 2022-05-10 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种大视场、低像差电子光学成像系统及成像方法 |
WO2023276002A1 (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-05 | 株式会社日立ハイテク | プローブ装置 |
CN113539769B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 苏州矽视科技有限公司 | 一种实现共轴的电子束成像设备及实现方法 |
US11749495B2 (en) * | 2021-10-05 | 2023-09-05 | KLA Corp. | Bandpass charged particle energy filtering detector for charged particle tools |
WO2023237277A1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Charged-particle beam apparatus with fast focus correction and methods thereof |
CN116646228B (zh) * | 2023-07-20 | 2023-10-27 | 北京惠然肯来科技中心(有限合伙) | 快速聚焦扫描偏转装置、扫描电子显微镜 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266855A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH10134754A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH10294074A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2000299078A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Topcon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JP2003172781A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線測定装置 |
JP2004047341A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Jeol Ltd | 観察方法及び観察装置 |
JP2007059111A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2009259444A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
JP2010182596A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2010212233A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Univ Of Tokyo | 透過型電子顕微鏡 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0769799B1 (en) * | 1995-10-19 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
DE19828476A1 (de) | 1998-06-26 | 1999-12-30 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät |
US6642520B2 (en) | 1999-04-13 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Topcon | Scanning electron microscope |
JP2003331770A (ja) | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Seiko Instruments Inc | 電子線装置 |
JP2006114225A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
DE602005010969D1 (de) | 2005-03-17 | 2008-12-24 | Integrated Circuit Testing | Teilchenstrahlgerät für hohe räumliche Auflösung und verschiedene für perspektivische Abbildungsmethoden |
US7872236B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-01-18 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle detection devices |
-
2011
- 2011-09-07 JP JP2011194563A patent/JP5860642B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-28 US US14/241,121 patent/US9029766B2/en active Active
- 2012-05-28 DE DE112012003413.9T patent/DE112012003413B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-28 WO PCT/JP2012/063632 patent/WO2013035389A1/ja active Application Filing
- 2012-05-28 CN CN201280039396.XA patent/CN103733299B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266855A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH10134754A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH10294074A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2000299078A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Topcon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
JP2003172781A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線測定装置 |
JP2004047341A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Jeol Ltd | 観察方法及び観察装置 |
JP2007059111A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2009259444A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
JP2010182596A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2010212233A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Univ Of Tokyo | 透過型電子顕微鏡 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3367418A2 (en) | 2017-02-23 | 2018-08-29 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope |
JP2018137180A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡 |
US10361062B2 (en) | 2017-02-23 | 2019-07-23 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope |
US11139144B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-10-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
US11749497B2 (en) | 2017-03-24 | 2023-09-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
JP2021528833A (ja) * | 2017-11-21 | 2021-10-21 | フォーカス−イービーム テクノロジー (ベイジン) カンパニー, リミテッド | 低エネルギー走査型電子顕微鏡システム、走査型電子顕微鏡システム及び試料検知方法 |
JP2018142559A (ja) * | 2018-06-25 | 2018-09-13 | 株式会社ホロン | 超高速電子検出器および該検出器を組み込んだ走査型電子ビーム検査装置 |
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