JP2013038435A - シリコン単結晶ウェーハの製造方法並びにシリコン単結晶ウェーハの評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、該複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも1つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、該複数枚の基板から少なくとも1枚を抜き取る工程と、該抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをAFMで測定し、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)を求めて合否を判定する工程と、前記判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【選択図】なし
Description
例えば、10nm以下の酸化膜で測定されるウェーハのGOIは表面ラフネスに依存し、AFM(原子間力顕微鏡)で測定されるRa値が0.1nm以下であると、GOIの劣化のないウェーハであると見なせた。
ここで、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)法とは、絶縁膜に一定の電圧または電流を連続的に印加し続け、所定の時間間隔で電流または電圧を検出して経時的な変化を求め、絶縁破壊に至るまでの時間、その経過等を詳細に評価する方法である。
縦型熱処理炉でアニールされたウェーハは、熱処理炉から取り出される際に表面に形成される酸化膜の厚さが薄く、また不均一となることが多い。そしてこのような不均一な酸化膜を有するウェーハは、アニール後洗浄において酸化膜がエッチングされる際に部分的に薄いところがシリコンまでエッチングされるため表面ラフネスが悪化してしまう。そしてこの表面ラフネスの悪化がゲート酸化膜が薄くなった場合に大きな影響を与える。しかし本発明のシリコン単結晶ウェーハは、ゲート酸化膜が薄くなった場合であってもGOIの劣化が強く抑制されたものであり、縦型熱処理炉で表面に不均一な酸化膜が形成され易いものであっても、GOIの劣化を抑制することができるものとなっている。
表面粗さをAFMで測定した時の測定値の波形をフーリエ変換して、周波数をX、振幅(強度)をyとしたとき、振幅yがy<0.00096e−15Xの関係を満たすようなシリコン単結晶ウェーハは、ゲート酸化膜が数nmと薄くてもGOIの劣化のないものであるため、この関係式を満たすか満たさないかで合否の判定を行うことによって、製造されたシリコン単結晶ウェーハがGOIの劣化がないものであるかどうかを工程中により容易に判断することができる。そのため製造されたシリコン単結晶ウェーハはGOI劣化が抑制されたものとすることができる。
このように、犠牲酸化膜を形成してHF溶液で除去することによって、例えばアニールされた加工基板表面の不均一な酸化膜を完全かつ容易に除去することができる。また犠牲酸化膜を形成することによって、表面形状を緩和させることができる。このため、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)を改善することができ、1回目の判定で不合格であっても破棄することなく、再加工によってGOI劣化を抑制されたシリコン単結晶ウェーハとすることができる。
通常、縦型熱処理炉でアニールされた基板は、熱処理炉から取り出される際に表面に形成される酸化膜の厚さが薄く、また不均一になりやすい。そしてこのような不均一な酸化膜を有する基板をアニール後に洗浄すると、この不均一な酸化膜がエッチングされる際に部分的に薄いところがシリコンまでエッチングされるため表面ラフネスが悪化して、GOIに影響する。
しかし、このように縦型熱処理炉でアニールされたシリコン単結晶ウェーハであっても、本発明の製造方法によれば、GOIの劣化が抑制されたものだけを次工程送りとすることができる。また縦型熱処理炉でのアニールによって、近年の大口径ウェーハに対応することができるとともに表層近傍の結晶欠陥を消滅させることができる。
表面粗さをAFMで測定して波形をフーリエ変換した時の波長20〜50nmに対応する周波数帯の振幅yが、周波数をXとした場合に、y<0.00096e−15Xの関係を満たす場合、そのシリコン単結晶ウェーハは、ゲート酸化膜が薄い場合でもGOIの劣化が抑制されたものである。逆に先の関係を満たさないシリコン単結晶ウェーハは、GOIの劣化が発生してしまう。従って、この関係式を満たすか満たさないかでシリコン単結晶ウェーハのGOIの劣化の有無をより容易に評価できる。
前述のように、近年、Ra値が小さいウェーハであっても、ゲート酸化膜の厚さが薄い場合GOIの劣化が見受けられるようになり、この問題の解決策が待たれていた。
しかし、本発明者らは、縦型熱処理炉でArアニールを行った条件Aのウェーハを5nmのゲート酸化膜の条件でGOIを評価したところ、Ra値が0.1と良好であるにもかかわらず劣化が発生することを発見した。また、同じように縦型熱処理炉でArアニール処理を行った条件Cのウェーハは、Ra値が0.1以下ではないにもかかわらず、GOIの劣化が発生しないことも発見した。なお、条件Bウェーハは、従来通り、Raが良好で、且つGOIの劣化が抑制されたものであることも判った。
そして、図2に示すように、Qbd値が小さい条件Aウェーハは、波長20nmに対応する振幅が条件B、Cのウェーハに比べて大きいことが判った。同様に図3、図4に示すように、波長30nm、波長50nmに対応する周波数の振幅強度が条件B、CのウェーハはQbdが小さくならず、GOIの劣化が抑制されたものと見なせることが判った。
本発明のシリコン単結晶ウェーハは、シリコン単結晶ウェーハの表面をAFMで表面粗さを測定した時、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)が、波形をフーリエ変換して、周波数をX、振幅(強度)をyとしたとき、y<0.00096e−15Xの関係を満たすものである。
このように、熱処理炉から取り出される際に表面に薄く不均一な酸化膜が形成されやすい縦型熱処理炉によってアニールしたものは、洗浄で表面ラフネスが悪化しやすいアニールウェーハであるが、本発明で規定する先の関係を満たすようなものであれば、ゲート酸化膜が薄い場合であっても、GOIの劣化のないシリコン単結晶ウェーハとすることができる。
次に、準備したシリコン単結晶インゴットをスライスして、複数枚のスライス基板とする。このスライスも、一般的なものとすれば良く、例えば内周刃スライサあるいはワイヤソー等の切断装置によってスライスすることができる。
縦型熱処理炉でアニール熱処理を行うことによって、熱処理炉から取り出す際に基板表面に膜厚が不均一で薄い酸化膜が形成されやすい。このようなアニール後の基板に対してRCA洗浄を行うと、酸化膜のエッチングのみならず基板のシリコンまでエッチングされ、表面ラフネスが悪化してしまう。従来はゲート酸化膜が25nm前後と厚かったのでこの表面ラフネスは問題とならなかったが、数nmと薄くなった場合にこの表面ラフネスの悪化によってGOIの劣化が発生する。しかしアニールを行っても、本発明の製造方法ではGOIの劣化についての判定を行うため、GOIの劣化が抑制されたシリコン単結晶ウェーハを製造することができる。なお、シリコンウェーハをアルゴン雰囲気下で熱処理することによって、ウェーハ表面の結晶欠陥の除去等の改質をすることができる。
そしてその評価値から波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)を求め、基板の合否の判定を行う。
ゲート酸化膜が数nmと薄い場合のGOIの劣化は、表面粗さをAFMで測定した時の測定値の波形をフーリエ変換して、周波数をX、前記振幅(強度)をyとしたとき、y<0.00096e−15Xの関係を満たすかどうかで評価することができる。このため、シリコン単結晶ウェーハが完成した際にGOIの劣化があるものかどうかを製造過程で容易に且つ短時間で評価することができる。また、製造されたシリコン単結晶ウェーハは、ゲート酸化膜が数nmと薄い場合でもGOIの劣化が抑制されたものとすることができる。
ここで、再加工を行った後に、少なくとも1枚以上抜き取って表面粗さを評価し、合格と判断した後に次工程に送ることが望ましい。
このように、犠牲酸化膜を形成し、HF溶液によって除去することによって、表面形状を緩和させることができ、ゲート酸化膜が薄い場合のGOIの劣化に影響する表面粗さを低減することができる。
そして、準備したシリコン単結晶ウェーハの表面粗さをAFMを用いて測定する。そして、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)を計算し、酸化膜耐圧の劣化の有無を評価する。
前述のように、表面粗さをAFMで測定して波形をフーリエ変換した時の波長20〜50nmに対応する周波数帯の振幅yが、周波数をXとした場合に、y<0.00096e−15Xの関係を満たすシリコン単結晶ウェーハは、ゲート酸化膜が薄くてもGOIの劣化のないシリコン単結晶ウェーハである。このため、この関係式を用いてGOIの劣化の有無を評価することで、容易に、且つ高精度にGOIの劣化の有無を評価することができる。
(実施例)
まず、チョクラルスキー法によって、直径200mmの窒素ドープシリコン単結晶インゴットと、引上げ速度を調整して全面N領域の無欠陥シリコン単結晶インゴットを準備した。そして各々のインゴットをワイヤソーを用いて切断し、スライス基板を複数枚作製した。その後、スライス基板に対してエッチング及び研磨を行った。
次に窒素ドープシリコン単結晶インゴットから作製した基板のみに対してAr雰囲気下1200℃で1時間縦型炉で熱処理を行った。
そして再び基板を1枚抜き取り、AFMにて表面粗さの測定を行い同様の計算を行った結果を表1に示す。
その結果、犠牲酸化膜除去後の基板は、波長20〜50nmの周波数帯の振幅はすべてy<0.00096e−15Xの関係を満たしていることが判った。
この作製したシリコン単結晶ウェーハが、GOIの劣化があるかどうか判断するため、アニールウェーハ(犠牲酸化なし)、無欠陥シリコン単結晶ウェーハ、犠牲酸化膜除去ウェーハに対して、5nmの厚さのゲート酸化膜を形成し、その酸化膜耐圧を評価するためにTDDB特性の評価を行った。このとき、GOIの評価は100℃で1mA/cm2の電流を加えた時のTDDB特性評価を行い、累積故障率90%でのQbd値が0.18C/cm2以上を合格とした。
Claims (6)
- シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、
シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、
該シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、
該複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも1つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、
該複数枚の基板から少なくとも1枚を抜き取る工程と、
該抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをAFMで測定し、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)を求めて合否を判定する工程と、
前記判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 - 前記合否の判定を、前記表面粗さをAFMで測定した時の測定値の波形をフーリエ変換して、周波数をX、前記振幅(強度)をyとしたとき、y<0.00096e−15Xの関係を満たす場合を合格、満たさない場合を不合格と判定することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
- 前記再加工は、前記複数枚の加工基板に犠牲酸化膜を形成した後に、該犠牲酸化膜をHF溶液にて除去する処理とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
- 前記加工工程と、前記抜き取り工程の間に、アニール熱処理を縦型熱処理炉で行うことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
- シリコン単結晶ウェーハの評価方法であって、
該シリコン単結晶ウェーハの表面粗さをAFMで測定し、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)を計算し、酸化膜耐圧の劣化の有無を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法。 - 前記評価を、前記表面粗さをAFMで測定した時の測定値の波形をフーリエ変換して、周波数をX、前記振幅(強度)をyとしたとき、y<0.00096e−15Xの関係を満たす時を劣化無し、満たさない時を劣化有りとすることを特徴とする請求項5に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018061337A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
CN114883187A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645301A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体素子用シリコンウェハ及びその製造方法 |
JPH08288351A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体基板の酸化膜耐圧特性の選別方法 |
JP2006278513A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの評価方法及び製造方法 |
JP2006278515A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの評価方法及び製造方法 |
JP2006278972A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの評価方法及び評価装置 |
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2012
- 2012-09-13 JP JP2012201813A patent/JP5561332B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645301A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体素子用シリコンウェハ及びその製造方法 |
JPH08288351A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体基板の酸化膜耐圧特性の選別方法 |
JP2006278513A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの評価方法及び製造方法 |
JP2006278515A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの評価方法及び製造方法 |
JP2006278972A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの評価方法及び評価装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018061337A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
JP2018056351A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
KR20190027915A (ko) * | 2016-09-29 | 2019-03-15 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법, 실리콘 웨이퍼 제조 공정의 평가 방법, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 |
KR102297269B1 (ko) | 2016-09-29 | 2021-09-01 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법, 실리콘 웨이퍼 제조 공정의 평가 방법, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 |
US11948819B2 (en) | 2016-09-29 | 2024-04-02 | Sumco Corporation | Method of evaluating silicon wafer, method of evaluating silicon wafer manufacturing process, method of manufacturing silicon wafer, and silicon wafer |
CN114883187A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺 |
CN114883187B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-09-06 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺 |
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