JP2011134935A - シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011134935A JP2011134935A JP2009294010A JP2009294010A JP2011134935A JP 2011134935 A JP2011134935 A JP 2011134935A JP 2009294010 A JP2009294010 A JP 2009294010A JP 2009294010 A JP2009294010 A JP 2009294010A JP 2011134935 A JP2011134935 A JP 2011134935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon wafer
- oxide film
- epitaxial
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
【課題】シリコンウェーハにおける微細ダメージの直接的な抑制によって、ミリセックアニールによる熱応力にも耐えうる機械的強度を有するシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ(10)の端面を含む表面全体に、膜厚が10nm以上の酸化膜(20)を形成する工程と、該酸化膜(20)を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程とを含む。また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ(10)の端面を含む表面全体に、膜厚が8nm以上の酸化膜(20)を形成する工程と、該酸化膜(20)を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、酸化膜(20)を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層(30)を形成する工程とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ(10)の端面を含む表面全体に、膜厚が10nm以上の酸化膜(20)を形成する工程と、該酸化膜(20)を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程とを含む。また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ(10)の端面を含む表面全体に、膜厚が8nm以上の酸化膜(20)を形成する工程と、該酸化膜(20)を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、酸化膜(20)を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層(30)を形成する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコンウェーハの機械的強度を増大させる技術に関し、特に、半導体デバイスの製造プロセスで高温且つ極短時間の熱処理が要求されるシリコンウェーハに対して、予め機械的強度を増大させたシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法に関する。
従来から直径300mm未満のシリコンウェーハに対する半導体デバイス製造の熱プロセスでは、RTA(急速加熱アニール)が多用されてきた。
近年では、半導体デバイスの高集積化及びシリコンウェーハの大口径化(直径300mm以上)により、半導体デバイスの製造プロセスにて、極めて高い熱応力が負荷されるようになってきている。
例えば、RTAに代わって、半導体デバイスの高集積化のために極浅接合の実現を目指した、フラッシュランプアニール(FLA)、レーザスパイクアニール(LSA)等の様々な極短時間の熱処理が行われる。ここで、RTAはハロゲンランプの光照射によるアニールで、その処理時間は数sec(秒)であったが、極短時間の熱処理は数msecであり、「ミリセックアニール」とも称される。
フラッシュランプアニール(FLA)は、キセノンランプで、短時間(msecオーダー)で照射して、シリコンウェーハの表層だけ1200〜1300℃に上昇させ、msecオーダーで所定温度に下げるという熱処理である。
LSA(レーザスパイクアニール)は、レーザの幅を細くして、シリコンウェーハに対して斜めからほぼ全反射する角度で照射させることで、シリコンウェーハの表層(レーザ照射した部分の表層)のみを高温にして、msecオーダーで所定温度に下げるという熱処理である。
これらの極短時間の熱処理(ミリセックアニール)では、ウェーハ表面にフラッシュランプあるいはレーザ光の照射が施され、熱が与えられて急速な昇降温がなされるために、熱応力(又は熱衝撃)に起因した結晶欠陥、特にスリップ転位が発生してウェーハ割れが生じ易くなってくる。極短時間の熱処理(ミリセックアニール)では、ウェーハの厚さ方向において温度差が生じ、この温度差による熱応力が発生し易くなるためである。また、ウェーハ面内での温度差による熱応力の発生も起こる。特に、ウェーハが例えば直径300mm(12インチ)以上と大口径化すると、この熱応力に起因した結晶欠陥が顕著に発生する傾向がある。
このような短時間でも表裏面の温度差が大きくなるとウェーハ表層近傍に存在する酸素析出物からスリップ転位が発生し、ウェーハ表層(デバイス活性層側)に伝播して表面に貫通する場合がある。スリップ転位とは、熱処理工程中の熱応力により結晶がすべり変形することによりウェーハ表面に段差を生ずる欠陥であり、このようなスリップ転位がウェーハ表面に発生すると、ウェーハの機械的強度が低下するだけでなく、接合リーク等、デバイス特性に悪影響を及ぼす。
従って、これらの熱応力によるシリコンウェーハのスリップ転位等の結晶欠陥に起因したウェーハ割れは、半導体デバイスの製造歩留まりを低下させるため極力低減することが望ましい。
従来から、熱応力に起因したスリップ転位を低減させる方法として、半導体基板としてのシリコンウェーハに高濃度の不純物(例えばボロン、リンなどのドーパント)を添加する方法などがあるが、ミリセックアニールによって生じる熱応力に起因したシリコンウェーハのスリップ転位の発生に対しては十分な対策とはなっていないことが分かっている。
尚、シリコンウェーハの最外周のエッジ部分に、シリコンウェーハのスリップ転位が発生するのを抑制するアルゴンアニールの昇温工程として、所定の昇温停止温度で10秒以上昇温を停止し、転位の運動を抑制するとともに、その昇温停止時間の間にシリコンウェーハに生じた転位をアニールして、この転位にシリコンウェーハ内の酸素原子を集積させる技術がある(例えば、特許文献1参照)。
また、ミリセックアニールの熱応力に起因したエピタキシャルウェーハのスリップ転位あるいはウェーハ割れに対する抑制方法として、下地シリコンウェーハの内部からその表面および裏面に向かって高くなる抵抗率の分布をもつ下地シリコンウェーハと、この下地シリコンウェーハの表面に形成されたエピタキシャル層と、を有する構成にする技術がある(例えば、特許文献2参照)。
上記の特許文献1,2の技術は、主に、RTAを含む熱処理の熱応力に起因するスリップ転位の直接的な抑制によって、シリコンウェーハの機械的強度を向上させる技術と云える。即ち、下地のシリコンウェーハにおけるスリップ転位によって生じたズレによって上層にもズレを発生させて、シリコンウェーハの割れへとつながるのを防止する技術である。
しかしながら、近年における半導体デバイスの高集積化及びシリコンウェーハの大口径化(直径300mm以上)では、極短時間の熱処理(ミリセックアニール)による熱応力にも耐えうる機械的強度の向上が要求されている。
本発明者らは、ミリセックアニールによる熱応力によって生じるシリコンウェーハの割れの発生原因について検討した結果、シリコンウェーハの表面・裏面・端面(シリコンの外面)の傷をきっかけにして割れることを見出し、さらに、シリコンウェーハの表面等の傷を低減するために、シリコンウェーハを研磨、特に、シリコンウェーハの両面を鏡面研磨することで傷の数や規模を低減させたとしても、研磨後においても、微細な傷や加工歪み等の傷(以下、「微細ダメージ」と称する)が残存しており、この微細ダメージを有効に除去することが、シリコンウェーハの割れを抑制できることを見出した。
本発明の目的は、ウェーハにおける微細ダメージを有効に除去することによって、ミリセックアニールによる熱応力にも耐えうる機械的強度を有するシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、微細ダメージの有効な除去によって、シリコンウェーハの機械的強度を向上させるものであり、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、膜厚が10nm以上の酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、を含むことを特徴とする。また、酸化膜の形成にあたって、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧1.0×107で表される形成条件に従って酸化膜を形成することで、所望の機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができる。特に、前記酸化膜は、酸素含有雰囲気中にて900℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱することによって形成するのが好適である。
これにより、ウェーハの表面・裏面・端面(シリコンの外面)の微細ダメージをきっかけにして割れることを低減させることができる。
また、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、ミリセックアニールの耐性用にシリコンウェーハを製造するのに適している。
また、本発明のシリコンウェーハの製造方法において、前記酸化膜の膜厚を10nm以上100nm以下とするのが好適である。より好適には、前記酸化膜の膜厚を20nm以上とする。
これにより、酸化膜厚を規定して所望の強度を得ることができるようになる。
また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、膜厚が8nm以上の酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。また、酸化膜の形成にあたって、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧5.0×106で表される形成条件に従って酸化膜を形成することで、所望の機械的強度を有するエピタキシャルウェーハを得ることができる。
これにより、エピタキシャル成長を施す際の熱処理の効果で、より薄い酸化膜厚で強度を高めることができ、酸化膜の除去工程に要する時間を削減することができる。
また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、前記酸化膜の形成工程にて形成する酸化膜の膜厚は、下限値を上記シリコンウェーハの製造方法のときよりも薄い8nm以上とすることが可能であり、前記酸化膜の膜厚の上限値を100nmとするのが好適である。より好適には、前記酸化膜の膜厚を16nm以上とする。
これにより、エピタキシャル層を形成する際の昇温の効果で、より薄い酸化膜厚で強度を高めることができる。
また、本発明の方法に従って製造されたウェーハは、ウェーハの3点曲げ強度による破壊応力として、930MPa以上となり、特に、直径300mm以上のウェーハに対しても十分な機械的強度が得られている。
本発明の方法により製造したシリコンウェーハによれば、ミリセックアニールの耐性に優れた強度を有することができる。
本発明によれば、ウェーハにおける微細ダメージの有効な除去によって、ミリセックアニールによる熱応力にも耐えうる機械的強度を有するシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法、並びにシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハを提供することができるようになる。
以下、本発明の実施形態について具体的に説明する。
図1は、本発明に係る第1の実施形態のシリコンウェーハの製造方法を示す図である。図示の方法は、シリコンウェーハ10の両面を鏡面研磨する工程(図1(A))と、該鏡面研磨後に、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、酸素含有雰囲気中にて900℃以上1100℃以下の熱処理を施して、所定の膜厚の酸化膜20を形成する工程(図1(B))と、ウェーハ表面全体に形成した酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程(図1(C))とを含む。このようにして、両面を鏡面研磨した後で微細ダメージDが残存していたとしても、所定の膜厚の酸化膜20の形成によって微細ダメージDが酸化膜20内に収まり、その後除去することで、微細ダメージを低減又は治癒させる。
図2は、本発明に係る第2の実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法を示す図である。図示の方法は、シリコンウェーハ10の両面を鏡面研磨する工程(図2(A))と、該鏡面研磨後に、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、酸素含有雰囲気中にて900℃以上1100℃以下の熱処理を施して、所定の膜厚の酸化膜20を形成する工程(図2(B))と、ウェーハ表面全体に形成した酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程(図2(C))と、シリコンウェーハ10の表面にエピタキシャル層を形成してエピタキシャル層を形成する工程(図2(D))と、を含む。このようにして、第1の実施形態の場合と同様に、両面を鏡面研磨した後で微細ダメージDが残存していたとしても、所定の膜厚の酸化膜20の形成によって微細ダメージDが酸化膜20内に収まり、その後除去することで、微細ダメージを低減又は治癒させる。
尚、図1及び図2では、説明の便宜上、酸化膜20やエピタキシャル層30の膜厚を誇張して厚く示している。
本発明に係る第1の実施形態のシリコンウェーハの製造方法及び第2の実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、シリコンウェーハ10の表面・裏面・端面(シリコンの外面)の微小ダメージを酸化膜20の形成及び除去によって治癒ないし低減させることができ、微小ダメージに起因にして生じるウェーハ割れによる歩留りの悪化を防止することができる。
特に、ミリセックアニールの耐性用として、シリコンウェーハ10を製造するのが好適である。これは、ミリセックアニールによる熱応力によってシリコンウェーハの割れを検討した結果、シリコンウェーハ10の両面を鏡面研磨し、更に、表面全体に所定の膜厚以上の酸化膜20を形成し、その後、この酸化膜20を除去することで、極めて高い機械的強度を有するシリコンウェーハを製造することができたことによる。酸化膜の形成及び除去が機械的強度を高めることのメカニズムとして次のように考えられる。鏡面研磨後のウェーハであっても生じるウェーハの破壊(割れ)は、極めて微細な表面欠陥(微細ダメージ)を起点に発生することが分かったが、この微細ダメージはウェーハ表面上の微細な凹形状であることが想定される。このような微細ダメージの微細凹形状が残ったウェーハに対して外的な応力が負荷されると、この微細凹形状に応力が集中してウェーハの破壊の起点となりうる。そこで、そのウェーハ表面上に酸化膜20を形成すると、これら微細ダメージ(微細凹形状)は、この凹部先端の曲率半径が変化し、ウェーハの破壊(割れ)に対して鈍感になるものと考えられる。特に、酸素を包含するウェーハ中の格子間酸素は、酸化膜成長時の酸素供給源となるために、格子間酸素濃度が高いほど、凹部部分の局所的な酸化の加速に寄与するものと考えられる。また、エピタキシャル工程は、高温(700℃以上1100℃以下)であり、この凹部部分の残留応力の開放効果に寄与すると見込まれる。従って、エピタキシャル工程前の酸化による上記凹部先端の曲率半径の変化が十分でなく、このままでは破壊荷重の増大が望めない膜厚であっても、エピタキシャル工程における高温工程による残留応力の低減効果と相乗して破壊荷重が増大するものと考えられる。
また、後述する実施例から明らかとなるが、本発明に係る第1の実施形態のシリコンウェーハの製造方法では、酸化膜20の膜厚を10nm以上とするのが好適である。更には、酸化膜20の膜厚を10nm以上100nm以下とするのが好適である。より好適には、酸化膜20の膜厚を20nm以上とするのが好適である。また、本発明に係る第1の実施形態のシリコンウェーハの製造方法において、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧1.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、更に高い機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができる。特に、第1の実施形態のシリコンウェーハの製造方法では、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧3.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することが望ましい。
更に、本発明に係る第2の実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法では、酸化膜20の膜厚を8nm以上とするのが好適である。更には、酸化膜20の膜厚を8nm以上100nm以下とするのが好適である。より好適には、酸化膜20の膜厚を16nm以上とする。また、本発明に係る第2の実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法において、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧5.0×106で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、更に高い機械的強度を有するエピタキシャルウェーハを得ることができる。特に、第2の実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法では、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧2.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することが望ましい。尚、格子間酸素濃度は、old‐ASTM値である。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例及び比較例をあげて更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下、本発明の実施例及び比較例をあげて更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、本実施例のウェーハの3点曲げ試験による強度を試験する装置について概略的に説明する。図3は、ウェーハの3点曲げ試験装置を概略示したものであり、図示(A)が平面図、同図(B)が側面図である。この3点曲げ試験装置は、支持部材1a,1b及び押圧部材2を備える。支持部材1a,1b及び押圧部材2は互いに平行に配置される。また、支持部材1a,1b及び押圧部材2はそれぞれライン状(棒状)の形状を有し、これらの長手方向の寸法はウェーハwの直径よりも長く設計されている。支持部材1a,1bの少なくとも一方は水平方向に移動可能に構成され、支持部材1a,1bの間隔がウェーハwの直径に応じて変更可能な構成とされている。尚、本実施例における3点曲げ試験では、支持部材1a,1b及び押圧部材2の長手方向の寸法をウェーハwの直径の約1.1倍に設定し、支持部材1a,1bの間隔をウェーハwの直径の約0.7倍、支持部材1a,1bと押圧部材2の間隔をウェーハwの直径の約0.35倍に設定した。また、ウェーハを、代表的には直径300mm、且つ厚さ0.775mmのものを作製した。尚、破壊時の荷重(破壊荷重)[N]は、押圧部材2によってウェーハwの表面に対して垂直に与える荷重であり、後述する表1に示すように応力値[MPa]に換算することもできる。尚、ここで云う実施例及び比較例の破壊荷重は、図3に示す3点曲げ試験装置で測定した25枚のウェーハの平均値である。また、各実施例及び比較例における300mmウェーハ厚は、0.775mmである。また、450mmウェーハ厚は、0.925mmである。
以下、本発明に係るシリコンウェーハの各実施例及び比較例を説明する。
[実施例1]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.25時間施して、膜厚11.5nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、388.9Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.25時間施して、膜厚11.5nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、388.9Nであった。
[実施例2]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.5時間施して、膜厚21.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、404.7Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.5時間施して、膜厚21.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、404.7Nであった。
[実施例3]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を1.5時間施して、膜厚68.8nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、403.3Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を1.5時間施して、膜厚68.8nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、403.3Nであった。
[実施例4]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて1100℃の熱処理を0.05時間施して、膜厚10nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、391.5Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて1100℃の熱処理を0.05時間施して、膜厚10nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、391.5Nであった。
(比較例1)
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)され、その後、酸化膜の形成及び除去工程を省略したシリコンウェーハについても強度試験を行っている。この場合の破壊荷重は、361.5Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)され、その後、酸化膜の形成及び除去工程を省略したシリコンウェーハについても強度試験を行っている。この場合の破壊荷重は、361.5Nであった。
(比較例2)
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、10体積%の酸素と90体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.1時間施して、膜厚5.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、365.3Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、10体積%の酸素と90体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.1時間施して、膜厚5.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、365.3Nであった。
(比較例3)
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、10体積%の酸素と90体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.2時間施して、膜厚8.7nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、362.3Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、10体積%の酸素と90体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.2時間施して、膜厚8.7nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、362.3Nであった。
上記実施例及び比較例から、酸化膜の形成及び除去工程を省略時の破壊荷重(約360N)を基準にして、膜厚10nm以上の酸化膜を形成させた後、除去することで、破壊荷重が明確に増大する(380N以上となる)ことが確認され、特に、膜厚20nm以上の酸化膜を形成させた後、除去することで、高い値で飽和傾向を示す破壊荷重の値が得られることを確認した。
後述する実施例からも明らかとなるが、酸化膜を形成することなく1100℃の熱処理で作製したエピタキシャルウェーハよりも、膜厚8nm以上の酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハのほうが、破壊荷重が増大することから、酸化膜を形成する熱処理条件として、1100℃以下とするのが好適であることが分かる。また、900℃から1100℃まで、ほとんど破壊荷重に差がなく、膜厚に依存した破壊荷重となることが分かる。
酸化膜除去後のラフネスへの影響を低減するには、均一な酸化膜を得ることができる低い熱処理温度が好ましく、900℃で形成するのが好ましい。従って、安定した酸化膜を形成するには、900℃以上とするのが好ましく、熱処理時のスリップ転位の発生をも抑圧するには1100℃以下とするのが好適である。そこで、以下では、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を施したエピタキシャルウェーハの実施例について説明する。
[実施例5]
直径450mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.5時間施して、膜厚20nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、576.3Nであった。
直径450mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.5時間施して、膜厚20nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を溶剤で除去したシリコンウェーハを作製した。この場合の破壊荷重は、576.3Nであった。
以下、エピタキシャルウェーハの実施例及び比較例について説明する。
[実施例6]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.2時間施して、膜厚8.5nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、398.1Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.2時間施して、膜厚8.5nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、398.1Nであった。
[実施例7]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.25時間施して、膜厚10.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、394.7Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.25時間施して、膜厚10.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、394.7Nであった。
[実施例8]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.5時間施して、膜厚20.5nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、421.6Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.5時間施して、膜厚20.5nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、421.6Nであった。
[実施例9]
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を1.25時間施して、膜厚56.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、422.4Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を1.25時間施して、膜厚56.2nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、422.4Nであった。
(比較例4)
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハに、エピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、371.1Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハに、エピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、371.1Nであった。
(比較例5)
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、10体積%の酸素と90体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.1時間施して、膜厚4.9nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、369.3Nであった。
直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、10体積%の酸素と90体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃の熱処理を0.1時間施して、膜厚4.9nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。この場合の破壊荷重は、369.3Nであった。
以上のように、鏡面研磨後に、ウェーハ端面を含むウェーハ表面全面に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて900℃以上1100℃以下の熱処理を施して、10nm以上の膜厚(エピタキシャル成長の工程が予定されている場合には8nm以上の膜厚)の酸化膜を形成して除去することで、3点曲げ強度として、930MPa以上のシリコンウェーハを提供することができるようになる。
上述の実施例から、「シリコンウェーハ」及び「エピタキシャルウェーハ」の場合について、酸化膜形成時の温度900℃における酸化膜厚と破壊時の応力との関係を、それぞれ図4及び図5に示す。エピタキシャルウェーハの場合においても、酸化膜の形成及び除去工程について省略時の破壊荷重(約370N)を基準にして、膜厚8nm以上の酸化膜を形成させた後、除去することで、破壊荷重が明確に増大する(380N以上となる)ことが確認された。上述の実施例から、「シリコンウェーハ」に対して酸化膜を形成する場合は、10nm以上の膜厚が必要であるが、「エピタキシャルウェーハ」の例では、膜厚の下限値を8nmまで小さくできることが分かる。また、エピタキシャル層形成時の高温処理でも強度増大に対して一定の効果があることが分かる。尚、自然酸化膜は、通常、1nm以下である。また、後の除去工程の工程時間と強度を考慮して、酸化膜厚20nmが最も好適であり、最大でも100nmの酸化膜厚とすることが実施コストの観点から好ましい。また、上記の実施例は、主に、直径300mmのウェーハについて確認しているが直径450mmのウェーハについても同様の結果が得られる。
以下、上記実施例及び比較例をまとめた結果を表1に示す。
更に、本願発明による製造方法で製作したシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハに関して、酸化膜と格子間酸素濃度の関係でウェーハの破壊強度をプロットした特性例をそれぞれ図6及び図7に示す。
[実施例10]
図6では、直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたシリコンウェーハを準備した。シリコンウェーハの格子間酸素濃度は、4×1017〜16×1017atoms/cm3であり、このウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、或いは90体積%の酸素と10体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、900℃の熱処理を0.1〜0.75時間施して、膜厚3〜25nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去したシリコンウェーハを作製した。酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧1.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として380(N)以上(応力として930MPa以上)の機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができた。また、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧3.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として400(N)(応力として980MPa以上)を安定的に越える機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができた。
図6では、直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたシリコンウェーハを準備した。シリコンウェーハの格子間酸素濃度は、4×1017〜16×1017atoms/cm3であり、このウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、或いは90体積%の酸素と10体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、900℃の熱処理を0.1〜0.75時間施して、膜厚3〜25nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去したシリコンウェーハを作製した。酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧1.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として380(N)以上(応力として930MPa以上)の機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができた。また、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧3.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として400(N)(応力として980MPa以上)を安定的に越える機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができた。
[実施例11]
図7では、直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたシリコンウェーハを準備した。シリコンウェーハの格子間酸素濃度は、4×1017〜16×1017atoms/cm3であり、このウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、或いは90体積%の酸素と10体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、900℃の熱処理を0.1〜0.75時間施して、膜厚3〜25nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧5.0×106で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として380(N)以上(応力として930MPa以上)の機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができた。また、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧2.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として400(N)(応力として980MPa以上)を安定的に越える機械的強度を有するエピタキシャルウェーハを得ることができた。
図7では、直径300mmのシリコン単結晶インゴットからスライスし、両面研磨(DSP)されたシリコンウェーハを準備した。シリコンウェーハの格子間酸素濃度は、4×1017〜16×1017atoms/cm3であり、このウェーハ表面全体(ウェーハの表面・裏面・端面を含む)に、80体積%の酸素と20体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、或いは90体積%の酸素と10体積%のアルゴンからなる雰囲気中にて、900℃の熱処理を0.1〜0.75時間施して、膜厚3〜25nmの酸化膜を形成し、その後、酸化膜を除去し、次いでエピタキシャル装置にてモノシランガスを用いて膜厚4μmのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製した。成長温度は、1050℃である。酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧5.0×106で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として380(N)以上(応力として930MPa以上)の機械的強度を有するシリコンウェーハを得ることができた。また、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧2.0×107で表される形成条件に従って酸化膜20を形成することで、破壊荷重として400(N)(応力として980MPa以上)を安定的に越える機械的強度を有するエピタキシャルウェーハを得ることができた。
尚、両面研磨後の自然酸化膜のレベルは、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3の範囲は、1×106〜2×106程度であり、自然酸化膜では上記の所望される機械的強度は得られない。また、上記の実施例は、主に、直径300mmのウェーハについて確認しているが直径450mmのウェーハについても同様の結果が得られる。上述の実施例12及び13においても、「シリコンウェーハ」に対して酸化膜を形成するよりも、酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3で規定される下限値を小さくすることができ、これは一定の格子間酸素濃度に対して、膜厚の下限値をより小さくできることを意味する。このように、エピタキシャル層形成時の高温処理でも強度増大に対して一定の効果があることが分かる。
以上、具体例を挙げて本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明の特許請求の範囲から逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能であることは当業者に明らかである。従って、本発明は上記の実施例に限定されるものではない。
本発明によれば、ウェーハにおける微細ダメージを有効に除去する用途に有用である。
10 シリコンウェーハ
20 酸化膜
30 エピタキシャル層
20 酸化膜
30 エピタキシャル層
Claims (9)
- 両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、膜厚が10nm以上の酸化膜を形成する工程と、
該酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、酸素膜厚と格子間酸素濃度で規定される形成条件に従って酸化膜を形成する工程と、
該酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、
酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層を形成する工程とを含み、
前記形成条件が、
酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧1.0×107
で表されることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記酸化膜は、酸素含有雰囲気中にて900℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱することによって形成することを特徴とする、請求項1または2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 当該シリコンウェーハは、ミリセックアニールの耐性用のシリコンウェーハであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコンウェーハの直径が300mm以上であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、膜厚が8nm以上の酸化膜を形成する工程と、
該酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、
酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、エピタキシャルウェーハの製造方法。 - 両面を鏡面研磨したシリコンウェーハの端面を含む表面全体に、酸素膜厚と格子間酸素濃度で規定される形成条件に従って酸化膜を形成する工程と、
該酸化膜を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、
酸化膜を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層を形成する工程とを含み、
前記形成条件が、
酸素膜厚(nm)×格子間酸素濃度(atoms/cm3)1/3≧5.0×106
で表されることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法によって製造されたシリコンウェーハであって、
前記シリコンウェーハの3点曲げ強度による破壊応力が、930MPa以上であることを特徴とする、シリコンウェーハ。 - 請求項7に記載の方法によって製造されたエピタキシャルウェーハであって、
前記エピタキシャルウェーハの3点曲げ強度による破壊応力が、930MPa以上であることを特徴とする、エピタキシャルウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294010A JP2011134935A (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294010A JP2011134935A (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011134935A true JP2011134935A (ja) | 2011-07-07 |
Family
ID=44347343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009294010A Withdrawn JP2011134935A (ja) | 2009-12-25 | 2009-12-25 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011134935A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7351273B2 (ja) | 2020-08-25 | 2023-09-27 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの割れの発生率低減方法 |
-
2009
- 2009-12-25 JP JP2009294010A patent/JP2011134935A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7351273B2 (ja) | 2020-08-25 | 2023-09-27 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの割れの発生率低減方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5256195B2 (ja) | シリコンウエハ及びその製造方法 | |
EP1806769A1 (en) | Soi wafer manufacturing method and soi wafer | |
US9093497B2 (en) | Method for manufacturing bonded SOI wafer | |
KR20110036010A (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼, 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 평가방법 | |
JP5251137B2 (ja) | 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP5504664B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | |
JP5567259B2 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP2011171377A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP6282512B2 (ja) | SiC基板の潜傷深さ推定方法 | |
JP5239183B2 (ja) | Soiウェーハ及びその製造方法 | |
JP2011134935A (ja) | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 | |
JP2006040980A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP5597378B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP5572091B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6822375B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | |
JP4617751B2 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP5703853B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
KR20090051756A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 | |
JP2000169293A (ja) | シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ | |
JP2014232806A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP2012049397A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2012104651A (ja) | シリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法 | |
JP2012169449A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP4442090B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP2008294397A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130305 |