JP5597378B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
このような縦型拡散炉による熱処理は、シリコンウェーハの面内温度差から生じる熱応力やボート支持位置での自重応力が複合的に加わり、シリコンウェーハの塑性変形が生じやすい。特に、縦型拡散炉において、非酸化性雰囲気下でシリコンウェーハを熱処理する場合、シリコンウェーハに含まれる転位の固着作用を有する酸素が外方拡散し、ウェーハの強度が低下するため、塑性変形がさらに加速される。
しかしながら、酸素析出物は、周辺に歪を生じながら析出しており、酸素析出物のサイズが大きい場合は、逆に、転位が高密度で導入されやすくなり、塑性変形の発生源となる問題がある。
しかしながら、1100℃〜1300℃の温度範囲において低速で昇温する手段は、サイズが大きい酸素析出物が残存する可能性があり、塑性変形の発生源となる問題がある。また、ボート形状の適正化等については、開発に要する時間やコスト等の面から、実用化が困難な場合が多い。
このような熱処理を行うことにより、サイズが大きい酸素析出物の形成を抑制すると共に、適正なサイズの酸素析出物の密度を増加させ、かつ、ウェーハの塑性変形を効果的に抑制することができる。
このような範囲内の一定温度で保持することにより、第1の昇温過程で形成された酸素析出核を、T4を超える温度における消滅臨界サイズ以上に成長させやすくすることができる。
このような昇降温速度として熱処理時間の短縮化を図ることにより、前記第2の温度T2から最高到達温度T3までの昇温時や、前記最高到達温度T3からの降温時において、前記第1の昇温過程で形成された酸素析出物の消滅を抑制することができる。
このような条件とすることにより、ウェーハ表面から深さ5μmまでの表層部における結晶欠陥の低減等の効果を効率的に得ることができる。
また、本発明に係るシリコンウェーハは、後のデバイス形成プロセスにおいて施される熱処理において塑性変形を抑制することができるため、デバイス形成プロセスにおける歩留向上に大きく寄与することができる。
図1に、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法を説明するための熱処理シーケンスの概要図を示す。
次に、第2の昇温過程S1bにおいては、前記第2の温度T2から最高到達温度T3(T2<T3)まで昇温すると共に、前記第2の温度T2と前記最高到達温度T3との間の800℃以上1100℃以下の温度範囲における一定温度T4で30分以上240分以下保持する過程を含む。
そして、最高到達温度保持過程S2においては、前記最高到達温度T3を一定時間保持する。
さらに、降温過程S3においては、前記最高到達温度T3から前記シリコンウェーハを処理室外に搬出する温度まで降温する。
前記800℃以下の温度領域での昇温速度が3.1℃/分を超える場合には、酸素析出核のサイズが増加するため、ウェーハの塑性変形を効果的に抑制することが難しい。
なお、第1の温度T1から700℃以上800℃以下の第2の温度T2(T1<T2)までの昇温速度の下限値は、生産性の観点から、0.2℃/分以上であることが好ましい。
なお、前記第1の温度T1の下限値は、生産性の観点から、300℃以上とすることが好ましい。
このような温度範囲内の一定温度で保持することにより、第1の昇温過程S1aで形成された酸素析出核が、一定温度T4を超える温度における消滅臨界サイズ以上に成長しやすくなる。
一方、前記保持時間(t1)が240分を超える場合には、生産性が悪くなると共に、酸素析出核のサイズが大きく成長し、塑性変形の発生源となる可能性があるため好ましくない。
このような昇降温速度とすることにより、熱処理時間の短縮化を図ることができ、前記第2の温度T2から最高到達温度T3までの昇温時や、前記最高到達温度T3からの降温時において、前記第1の昇温過程S1aで形成された酸素析出物の消滅を抑制することができる。
また、前記降温過程における降温速度の上限値は、6.0℃/分以下であることが好ましい。前記降温速度の上限値が6.0℃/分を超える場合には、昇温時と同様の理由から、ウェーハの塑性変形を効果的に抑制することができないため好ましくない。
このような条件とすることで、ウェーハ表面から深さ5μmまでの表層部における結晶欠陥の低減等の効果を効率的に得ることができる。
一方、前記最高到達温度T3が1300℃を超える場合には、シリコンウェーハの降伏応力が低下してスリップが発生しやすく、また、装置部材として用いられる石英が変形するため好ましくない。
また、前記最高到達温度保持過程における保持時間(t2)が1分未満である場合には、ウェーハ表面から深さ5μmまでの表層部における結晶欠陥が消滅しないため好ましくない。
一方、前記最高到達温度保持過程における保持時間(t2)が180分を超える場合には、結晶欠陥の低減等の効果は既に得られており、生産性を悪化させる。また、装置部材として用いられる石英の変形量が大きくなるため好ましくない。
このような構成とすることで、搬出時の急激なシリコンウェーハの温度変化を緩和する効果が得られる。
なお、前記シリコンウェーハを処理室外に搬出する温度の下限値は、生産性の観点から、300℃以上とすることが好ましい。
図2に示すように、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法においては、第1の温度T1から一定温度T4までの昇温速度を3.1℃/分以下の一定速度としてもよい。
このような熱処理シーケンスとすることにより、図1に示したような熱処理シーケンスよりも、小サイズの酸素析出核をより高密度で形成することができる。
このようにして育成されたシリコン単結晶インゴットであれば、シリコン単結晶インゴットの育成時において、酸素析出核を高密度で形成することができるため、上記熱処理後の酸素析出物のサイズをより小さくすることができる。
[実施例1]
直径300mmシリコンウェーハ(酸素濃度1.24×1018atoms/cm3、窒素濃度5×1014atoms/cm3、ボロン濃度2×1014atoms/cm3、リン及びカーボンはノンドープ)をボートに積載し、100%アルゴン雰囲気、600℃で保持された縦型拡散炉の処理室内に搬入した。
そして、最高到達温度T3である1200℃において60分(t2)保持し、最高到達温度T3である1200℃から600℃までの昇温速度を2〜5℃/分に制御して、600℃で当該縦型拡散炉の処理室外に前記熱処理したシリコンウェーハを搬出し、アニールウェーハを作製した。
実施例1と同様のシリコンウェーハをボートに積載し、100%アルゴン雰囲気、600℃で保持された縦型拡散炉の処理室内に搬入した。
その後、昇温過程おいて、図2に示す第1の昇温過程S1aとして、600℃から900℃(T4)までの昇温速度を1℃/分とし、900℃で180分(t1)保持し、その後、第2の昇温過程S1bとして、900℃から最高到達温度T3である1200℃までの昇温速度を2〜5℃/分に制御した。
そして、最高到達温度T3である1200℃において60分(t2)保持し、最高到達温度T3である1200℃から600℃までの昇温速度を2〜5℃/分に制御して、600℃で当該縦型拡散炉の処理室外に前記熱処理したシリコンウェーハを搬出し、アニールウェーハを作製した。
900℃での保持を行わずに、600℃から1200℃までの昇温速度を2〜5℃/分に制御して、それ以外は、実施例1と同様な方法で、アニールウェーハを作製した。
600℃から1200℃までの昇温速度を0.5℃/分に制御して、途中、900℃で300分(t1)保持して、それ以外は、実施例1と同様な方法で、アニールウェーハを作製した。
これらの測定結果をまとめて表1に示す。
600℃から800℃までの昇温速度を0.7℃/分から最大5.0℃/分まで変化させ、それ以外は、実施例1と同様な方法で、それぞれ、アニールウェーハを作製した。
得られた各アニールウェーハについて、実施例1と同様な方法で、酸素析出物の密度とサイズ(散乱光強度)、当該熱処理におけるスリップ長を測定した。
これらの昇温速度条件及び測定結果をまとめて表2に示す。
さらに、昇温速度が0.7℃/以下である場合には、散乱強度が1995a.u.以下とさらに低い酸素析出物を1.5×1010個/cm3以上とより高密度で得られた。
Claims (5)
- チョクラルスキー法により、引上げ時の冷却過程において1100℃から900℃までの温度範囲を40分以内で通過させて育成したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法であって、
600℃以下の第1の温度T1で保持された処理室内に前記シリコンウェーハを搬入した後、前記第1の温度T1から700℃以上800℃以下の第2の温度T2(T1<T2)まで昇温速度3.1℃/分以下で昇温する第1の昇温過程と、
前記第2の温度T2から1150℃以上1300℃以下の最高到達温度T3(T2<T3)まで昇温すると共に、前記第2の温度T2と前記最高到達温度T3との間の850℃以上1100℃以下の温度範囲における一定温度T4で30分以上240分以下保持する過程を含む第2の昇温過程と、
前記最高到達温度T3で一定時間保持する最高到達温度保持過程と、
前記最高到達温度T3から前記シリコンウェーハを処理室外に搬出する温度まで降温する降温過程と、
を備えていることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記一定温度T4が850℃以上950℃以下であることを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記第2の温度T2から最高到達温度T3(T2<T3)まで昇温する際の昇温速度が1℃/分以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記降温過程における降温速度が1℃/分以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記最高到達温度保持過程における保持時間が1分以上180分以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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