JP5071304B2 - 半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの製造方法並びに半導体ウエーハの評価方法 - Google Patents
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Description
まず、半導体ウエーハ主表面に絶縁膜となるシリコン酸化膜を形成し、その直上にポリシリコン層を成長させた後、そのポリシリコン層を島状に残すようにエッチングする。これにより、MOS構造のキャパシタが形成され、島状ポリシリコン層は、電極として活用される。
また、GOIへの影響は、Raが大きくなると劣化すると言われている。例えば、CZ法で作製されたウエーハでは、Ra=0.17nmと0.46nmの2種類についてTZDB評価を行い、Raが小さい方が酸化膜の絶縁破壊電界強度が高くなることが示されている。
前述のように、品質の高い絶縁膜を形成することができる半導体ウエーハを供給するためには、ゲート酸化膜のGOIを評価する必要があるが、TZDB法やTDDB法のような破壊検査により評価をしていたため、これらの方法で評価を行ったウエーハは製品として使用することはできなかった。
一方、表面ラフネスがGOIに影響を及ぼすことが報告されているが、表面ラフネスのRaが小さい方が酸化膜の絶縁破壊電界強度が高くなることが開示されているだけであり、詳細な条件等はわからないままであった。
ここで、図1は、AFMによって得られた表面ラフネスRaとTDDB測定により得られたQbdとの関係を示す図である。
そして、半導体ウエーハの製造過程において、表面ラフネスを測定し、さらに、ゲート酸化膜の厚さが測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上の関係となる表面ラフネスを有するウエーハを合格と判定して選別することで、破壊検査であるGOI評価を行うことなく、確実にGOI特性の劣化のない半導体ウエーハを製造することができること、また、上記の所定の条件を満たす場合にゲート酸化膜の耐圧が劣化しないと評価することで、実際にウエーハ表面にMOS構造を形成してGOI評価を行うことなく、半導体ウエーハを評価することができ、TDDB法などに比べて容易に評価することができることがわかった。
ここで、図3はゲート酸化膜の電界集中の緩和を示す模式図である。図3(b)に示すようにゲート酸化膜の厚さが表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上の関係となると、図3(a)とは異なり酸化膜の曲率による電界集中を起こしにくい。すなわち、表面ラフネス周期の波長のピークの中間は波長の1/2であり、酸化膜はこの中間点(谷)の両側から成長してくることで谷が埋まり、ピークでの曲率が緩和される。従って、図3(b)に示すように酸化膜の曲率による電界集中が緩和されることでGOI特性の劣化が防止される。そのため、ゲート酸化膜の厚さが表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上の関係となる表面ラフネスを有するものであることで、高い信頼性をもつゲート酸化膜を形成するのに適した半導体ウエーハとすることができる。
このように、表面ラフネス周期の波長が100nm以下であることで、ゲート酸化膜の耐圧に対して大きく影響を及ぼす波長範囲において、酸化膜の曲率の影響を緩和することができ、電界集中を抑制してGOI特性の劣化を防止する半導体ウエーハを製造することができる。
次に、シリコン単結晶インゴットをスライスして、ウエーハを作製する。このスライスも、一般的なものとすれば良く、例えば内周刃スライサあるいはワイヤソー等の切断装置によってスライスすることができる。
また、パワースペクトル解析から、図4のピーク周期の波長が25nmであるのに対して、図5の場合は、110nmとなっている。
このように、表面ラフネス周期の波長を100nm以下とすることで、ゲート酸化膜の耐圧に対して大きく影響を及ぼす波長範囲について、ウエーハの合否判定を行うことができ、GOI特性の劣化のない半導体ウエーハを製造することができる。
そして、ウエーハの表面ラフネスをAFMを用いて測定し、図4、5のようにパワースペクトル解析により、一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求める。
続いて、ゲート酸化膜の厚さが測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上となる関係を満たす場合には、ゲート酸化膜の耐圧が劣化しないとして半導体ウエーハを評価する。
まず、絶縁膜(ゲート酸化膜)の絶縁電界強度を評価するために、絶縁電界強度測定装置に載置されるMOSキャパシタ型半導体素子11は以下の手順で作製される。
(実施例)
まず、ボロンをドープした直径200mmのP型半導体ウエーハであって、表面ラフネスの異なる2水準のウエーハを用意した。このとき、それぞれのウエーハの表面ラフネスを測定した結果を図4、5に示す。図4、5のパワースペクトル解析結果から、それぞれのピーク周期の波長は、25nm(1/4λ=6.25nm)および110nm(1/4λ=27.5nm)であった。
実施例と同じ仕様のウエーハについて、ボートに載置して縦型熱処理炉に投入し、800℃、乾燥雰囲気下で熱処理して厚さ5nmのゲート酸化膜をウエーハ主表面に形成した。その後、実施例と同様の処理を施し、定電流TDDB法を用いて同様にGOI特性を評価した。
また、表面ラフネス周期の波長が100nm以下では、ゲート酸化膜の厚さは1/4λ以上にする必要があるが、表面ラフネス周期の波長が100nmを超えると表面ラフネス周期との関係は見られなくなる。
また、半導体ウエーハ製造過程において、ウエーハの表面ラフネスを測定し、ゲート酸化膜の厚さと測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長との関係から、合否判定をしてウエーハを選別することで、破壊検査のGOI評価を行うことなく、確実にGOI特性の劣化のない半導体ウエーハを製造することができる。そして、高い信頼性をもつゲート酸化膜を形成するのに適した半導体ウエーハを製造することができる。
さらに、半導体ウエーハの表面ラフネスを測定し、ゲート酸化膜の厚さと測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長とを求め、上記の所定の条件を満たす場合にゲート酸化膜の耐圧が劣化しないと評価することで、実際にウエーハ表面にMOS構造を形成してGOI評価を行うことなく、半導体ウエーハの評価をすることができ、TDDB法などに比べて容易に評価することができる。
Claims (3)
- 半導体ウエーハ上に少なくともゲート酸化膜が形成される半導体ウエーハであって、前記ゲート酸化膜の厚さと前記半導体ウエーハの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長との関係が前記ゲート酸化膜の厚さが前記半導体ウエーハの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上の関係となる表面ラフネスを有するものであり、前記表面ラフネス周期の波長は100nm以下であることを特徴とする半導体ウエーハ。
- 半導体ウエーハ上に少なくともゲート酸化膜が形成される半導体ウエーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてウエーハを作製する工程と、該スライスしたウエーハにラッピング、エッチング、研磨のうち少なくとも1つを行う工程と、該ウエーハの表面ラフネスを測定する工程と、前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求め、前記ゲート酸化膜の厚さが前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上の関係となる表面ラフネスを有するウエーハを合格と判定して選別する工程とを有し、前記表面ラフネス周期の波長は100nm以下とすることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
- 半導体ウエーハ上に少なくともゲート酸化膜が形成される半導体ウエーハの評価方法であって、前記半導体ウエーハの表面ラフネスを測定し、前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求め、前記ゲート酸化膜の厚さが前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して1/4以上となる関係を満たす場合に前記ゲート酸化膜の耐圧が劣化しないと評価し、前記表面ラフネス周期の波長は100nm以下とすることを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
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