JP5737202B2 - 半導体素子、及びその形成方法 - Google Patents
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Description
窒素がドープされ空孔欠陥が形成された前記半導体基板をアニールする工程と、
該アニール後の半導体基板にスクリーン酸化膜を形成するに際し、雰囲気ガスとして使用する酸素ガスと窒素ガスを流量比が酸素ガス/窒素ガス=0.1〜1となるように混合して、前記スクリーン酸化膜を形成する工程と、
その後、前記半導体基板のスクリーン酸化膜形成面からイオン注入する工程とを有することを特徴とする半導体素子の形成方法。
チョクラルスキー法により窒素を1×1015atoms/cm3ドープし、かつボロンを1×1015atoms/cm3ドープした直径200mmのシリコン単結晶を育成し、該シリコン単結晶をスライスして、P型半導体シリコンウェーハを試料として準備した。このP型半導体シリコンウェーハをPW加工(研磨加工)後、1200℃でAr雰囲気下1時間熱処理した。
スクリーン酸化膜形成の際の流量比(酸素ガス/窒素ガス)を2としたこと以外は、実施例と同様にしてMOSキャパシタを作製し、定電流TDDB法により評価した。
CZ法により窒素を添加せずボロンだけをドープした直径200mmのシリコン単結晶をスライスし、P型半導体シリコンウェーハを試料として準備したこと以外は、実施例と同様にしてMOSキャパシタを作製し、定電流TDDB法により評価した。
Claims (3)
- 半導体基板上に半導体素子を形成する方法であって、
窒素がドープされ空孔欠陥が形成された前記半導体基板をアニールする工程と、
該アニール後の半導体基板にスクリーン酸化膜を形成するに際し、雰囲気ガスとして使用する酸素ガスと窒素ガスを流量比が酸素ガス/窒素ガス=0.1〜1となるように混合して、前記スクリーン酸化膜を形成する工程と、
その後、前記半導体基板のスクリーン酸化膜形成面からイオン注入する工程とを有し、
前記アニール工程において、5×10 12 atoms/cm 3 以上5×10 15 atoms/cm 3 以下の窒素がドープされた前記半導体基板をアニールし、
前記イオン注入工程において、ボロンをイオン注入することを特徴とする半導体素子の形成方法。 - 前記アニール工程において、前記半導体基板を1150℃以上1200℃以下の温度範囲でアニールすることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の形成方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の半導体素子の形成方法により形成されたものであることを特徴とする半導体素子。
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