JP2013033899A - ショットキーダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のショットキーダイオードは、第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含む。前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続されている。前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなる。
【選択図】図1
Description
図1を参照すると、本発明のショットキーダイオード10は、第一金属層12と、半導体層14と、第二金属層16と、を含む。前記第一金属層12及び前記第二金属層16は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層14に電気的に接続される。前記第一金属層12と、前記半導体層14との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層16と、前記半導体層14との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層14は、フレキシブル高分子複合層である。前記半導体層14は、高分子絶縁材料144及び該高分子絶縁材料144に分散した複数のカーボンナノチューブ142からなる。本実施例において、前記第一金属層12、前記半導体層14、及び前記第二金属層16は、順に積層され、サンドイッチ構造体を形成している。これにより、前記半導体層14は、前記第一金属層12及び前記第二金属層16の間に設置される。
図5を参照すると、本実施例のショットキーダイオード20は、実施例1のショットキーダイオード10と比べて絶縁基板28を含む。具体的には、前記ショットキーダイオード20は、第一金属層22と、半導体層24と、第二金属層26と、絶縁基板28と、を含む。前記第一金属層22と前記第二金属層26は、間隔をあけて前記絶縁基板28の一つの表面に設置される。前記半導体層24は、前記第一金属層22と前記第二金属層26との間に設置され、且つそれぞれ前記第一金属層22及び前記第二金属層26の少なくとも一部が前記半導体層24に被覆されている。
12、22 第一金属層と、
14、24 半導体層
16、26 第二金属層
141 第一表面
142、242 カーボンナノチューブ
143 第二表面
144、244 高分子絶縁材料
28 絶縁基板
Claims (2)
- 第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含むショットキーダイオードにおいて、
前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続され、
前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触であり、
前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触であり、
前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするショットキーダイオード。 - 単量体材料を提供し、該単量体材料を有機溶剤に溶かして、単量体溶液を形成させる第一ステップと、
複数のカーボンナノチューブを提供し、該複数のカーボンナノチューブを前記単量体溶液に均一に分散させる第二ステップと、
前記有機溶剤を蒸発させた後、橋かけ剤を添加してカーボンナノチューブ複合材料を形成する第三ステップと、
第一金属層を提供し、該第一金属層の一つの表面に前記カーボンナノチューブ複合材料を被覆し、半導体層を形成する第四ステップと、
第二金属層を提供し、該第二金属層の一つの表面と、前記半導体層の前記第一金属層と隣接する表面とは反対の表面と、を隣接させてショットキーダイオードを形成する第五ステップと、
を含むことを特徴とするショットキーダイオードの製造方法。
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