JP2013026319A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、基板1上方に形成された化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2上方に形成されたゲート電極3、及び平面視でゲート電極3を間に挟む2個のオーミック電極4a及び4bと、が設けられている。更に、ゲート電極3上方に形成され、ゲート電極3並びにオーミック電極4a及び4bから絶縁分離されたフィールドプレート6が設けられている。フィールドプレート6のオーミック電極4a及び4bを互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部は、平面視で、オーミック電極4a及び4bとゲート電極3との間に位置する。
【選択図】図1
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図2(a)は、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。図4(a)は、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す断面図である。また、図4(b)は、第3の実施形態に係るGaN系HEMTのレイアウトを示す図である。
次に、第4の実施形態について説明する。図6(a)は、第4の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)の構造を示す断面図である。また、図6(b)は、第4の実施形態に係るGaN系HEMTのレイアウトを示す図である。
基板と、
前記基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、及び平面視で前記ゲート電極を間に挟む2個のオーミック電極と、
前記ゲート電極上方に形成され、前記ゲート電極及び前記2個のオーミック電極から絶縁分離されたフィールドプレートと、
を備え、
前記フィールドプレートの前記2個のオーミック電極を互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部は、平面視で、前記2個のオーミック電極と前記ゲート電極との間に位置することを特徴とする化合物半導体装置。
前記2個のオーミック電極に印加される電位が、接地電位及び正の電位間で交互に切り替わることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
平面視で、前記フィールドプレートと前記ゲート電極の前記2個のオーミック電極の間の部分とが互いにずれていることを特徴とする付記1又は2に記載の化合物半導体装置。
前記フィールドプレートは、
平面視で、前記2個のオーミック電極の一方と前記ゲート電極との間に位置する第1の部分と、
平面視で、前記2個のオーミック電極の他方と前記ゲート電極との間に位置する第2の部分と、
を有することを特徴とする付記1又は2に記載の化合物半導体装置。
前記第1の部分及び前記第2の部分には、互いに独立した電位が印加されることを特徴とする付記4に記載の化合物半導体装置。
前記第1の部分及び前記第2の部分の一方に前記ゲート電極と同位相の電位が印加され、
前記第1の部分及び前記第2の部分の他方に負の電位が印加されることを特徴とする付記5に記載の化合物半導体装置。
前記フィールドプレートに接地電位又は負の電位が印加されることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記ゲート電極に正の電位が印加された場合に前記2個のオーミック電極間に電流が流れることを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記化合物半導体積層構造は、電子走行層及び電子供給層を有することを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
基板上方に化合物半導体積層構造を形成する工程と、
前記化合物半導体積層構造上方に、ゲート電極、及び平面視で前記ゲート電極を間に挟む2個のオーミック電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上方に、前記ゲート電極及び前記2個のオーミック電極から絶縁分離されたフィールドプレートを形成する工程と、
を備え、
前記フィールドプレートの前記2個のオーミック電極を互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部を、平面視で、前記2個のオーミック電極と前記ゲート電極との間に位置させることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
2、12:化合物半導体積層構造
3、13:ゲート電極
4a、4b、14a、14b:オーミック電極
6、16、46、56a、56b:フィールドプレート
7、17、47、57a、57b:電位制御部
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、及び平面視で前記ゲート電極を間に挟む2個のオーミック電極と、
前記ゲート電極上方に形成され、前記ゲート電極及び前記2個のオーミック電極から絶縁分離されたフィールドプレートと、
を備え、
前記フィールドプレートの前記2個のオーミック電極を互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部は、平面視で、前記2個のオーミック電極と前記ゲート電極との間に位置することを特徴とする化合物半導体装置。 - 平面視で、前記フィールドプレートと前記ゲート電極の前記2個のオーミック電極の間の部分とが互いにずれていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
- 前記フィールドプレートは、
平面視で、前記2個のオーミック電極の一方と前記ゲート電極との間に位置する第1の部分と、
平面視で、前記2個のオーミック電極の他方と前記ゲート電極との間に位置する第2の部分と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。 - 前記第1の部分及び前記第2の部分には、互いに独立した電位が印加されることを特徴とする請求項3に記載の化合物半導体装置。
- 前記フィールドプレートに接地電位又は負の電位が印加されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 基板と、
基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート電極上方に形成され、前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に接続される電源と異なる電源に接続されたフィールドプレート電極と、
を備えたことを特徴とする化合物半導体装置。 - 基板上方に化合物半導体積層構造を形成する工程と、
前記化合物半導体積層構造上方に、ゲート電極、及び平面視で前記ゲート電極を間に挟む2個のオーミック電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上方に、前記ゲート電極及び前記2個のオーミック電極から絶縁分離されたフィールドプレートを形成する工程と、
を備え、
前記フィールドプレートの前記2個のオーミック電極を互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部を、平面視で、前記2個のオーミック電極と前記ゲート電極との間に位置させることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
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JP2011157828A JP5790227B2 (ja) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016134551A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 三菱電機株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010120423A2 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | Triquint Semiconductor, Inc. | Field effect transistor having a plurality of field plates |
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- 2011-07-19 JP JP2011157828A patent/JP5790227B2/ja active Active
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