JP2013012556A - 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器 - Google Patents

固体撮像装置とその製造方法、および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2013012556A
JP2013012556A JP2011143581A JP2011143581A JP2013012556A JP 2013012556 A JP2013012556 A JP 2013012556A JP 2011143581 A JP2011143581 A JP 2011143581A JP 2011143581 A JP2011143581 A JP 2011143581A JP 2013012556 A JP2013012556 A JP 2013012556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
thickness
photoelectric conversion
solid
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2011143581A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013012556A5 (https=
Inventor
Yuuki Miyanami
勇樹 宮波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2011143581A priority Critical patent/JP2013012556A/ja
Priority to CN201210206114.2A priority patent/CN102856333B/zh
Priority to US13/527,713 priority patent/US9202839B2/en
Publication of JP2013012556A publication Critical patent/JP2013012556A/ja
Publication of JP2013012556A5 publication Critical patent/JP2013012556A5/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/199Back-illuminated image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/014Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of CMOS image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026Wafer-level processing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/18Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/802Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/18Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182Colour image sensors
    • H10F39/1825Multicolour image sensors having stacked structure, e.g. NPN, NPNPN or multiple quantum well [MQW] structures

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
JP2011143581A 2011-06-28 2011-06-28 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器 Abandoned JP2013012556A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011143581A JP2013012556A (ja) 2011-06-28 2011-06-28 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器
CN201210206114.2A CN102856333B (zh) 2011-06-28 2012-06-18 固体摄像装置、其制造方法以及电子设备
US13/527,713 US9202839B2 (en) 2011-06-28 2012-06-20 Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus to form high-concentration impurity region in semiconductor substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011143581A JP2013012556A (ja) 2011-06-28 2011-06-28 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013012556A true JP2013012556A (ja) 2013-01-17
JP2013012556A5 JP2013012556A5 (https=) 2014-07-31

Family

ID=47389735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011143581A Abandoned JP2013012556A (ja) 2011-06-28 2011-06-28 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9202839B2 (https=)
JP (1) JP2013012556A (https=)
CN (1) CN102856333B (https=)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140113098A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2014199898A (ja) * 2013-03-11 2014-10-23 ソニー株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器
JP2015037121A (ja) * 2013-08-13 2015-02-23 株式会社東芝 固体撮像素子
JP2015038931A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
WO2015037547A1 (ja) * 2013-09-10 2015-03-19 Sekine Hirokazu 固体撮像装置
WO2016076138A1 (ja) * 2014-11-14 2016-05-19 ソニー株式会社 固体撮像素子、製造方法、および電子装置
WO2016103315A1 (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
WO2016194653A1 (ja) * 2015-06-05 2016-12-08 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法
JP2017112376A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサ及びその製造方法
JP2017183562A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子機器
WO2019044103A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
WO2019097971A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
JPWO2018169009A1 (ja) * 2017-03-16 2020-01-16 シャープ株式会社 撮像装置およびx線撮像装置
JP2021077871A (ja) * 2019-10-18 2021-05-20 テレダイン・サイエンティフィック・アンド・イメージング・エルエルシーTeledyne Scientific & Imaging,LLC 湾曲した焦点面アレイのための完全網状検出器
JP2021100253A (ja) * 2018-12-27 2021-07-01 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6095258B2 (ja) * 2011-05-27 2017-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び固体撮像装置を用いた撮像システム
JP6018376B2 (ja) * 2011-12-05 2016-11-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US20140077324A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-20 Sony Corporation Solid-state image pickup device, method of manufacturing solid-state image pickup device, and electronic apparatus
JP6171997B2 (ja) * 2014-03-14 2017-08-02 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器
JP6541313B2 (ja) * 2014-07-31 2019-07-10 キヤノン株式会社 光電変換装置、及び撮像システム
KR102346956B1 (ko) * 2014-08-01 2022-01-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102356695B1 (ko) * 2014-08-18 2022-01-26 삼성전자주식회사 광 유도 부재를 가지는 이미지 센서
US10256269B2 (en) * 2015-03-12 2019-04-09 Sony Corporation Solid-state imaging element, imaging device, and electronic apparatus
JP6711573B2 (ja) * 2015-08-10 2020-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
JP2017112169A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 ソニー株式会社 イメージセンサ、撮像システム及びイメージセンサの製造方法
DE112017006908T5 (de) * 2017-01-24 2019-10-02 Sony Semiconductor Solutions Corporation Lichtempfangselement, verfahren zum produzieren eines lichtempfangselements, bildgebungselement und elektronische vorrichtung
WO2019035252A1 (ja) * 2017-08-16 2019-02-21 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
KR102761437B1 (ko) 2020-01-31 2025-01-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 전자 장치
CN111785748A (zh) * 2020-08-10 2020-10-16 联合微电子中心有限责任公司 降低背照式图像传感器暗电流的方法及结构
CN117596908B (zh) * 2024-01-19 2024-04-05 武汉楚兴技术有限公司 一种像素单元、图像传感器及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6930336B1 (en) * 2001-06-18 2005-08-16 Foveon, Inc. Vertical-color-filter detector group with trench isolation
JP4799835B2 (ja) 2004-07-09 2011-10-26 東レ・ダウコーニング株式会社 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および電気・電子機器
JP4839008B2 (ja) * 2005-03-28 2011-12-14 富士フイルム株式会社 単板式カラー固体撮像素子
JP5564847B2 (ja) * 2009-07-23 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150130266A (ko) * 2013-03-11 2015-11-23 소니 주식회사 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법, 및 전자 기기
JP2014199898A (ja) * 2013-03-11 2014-10-23 ソニー株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器
KR102214822B1 (ko) * 2013-03-11 2021-02-09 소니 주식회사 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법, 및 전자 기기
KR20140113098A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR102083550B1 (ko) * 2013-03-15 2020-04-14 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2015037121A (ja) * 2013-08-13 2015-02-23 株式会社東芝 固体撮像素子
US9698188B2 (en) 2013-08-19 2017-07-04 Sony Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2015025723A1 (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
US12514020B2 (en) 2013-08-19 2025-12-30 Sony Group Corporation Solid-state imaging device having through electrode provided therein and electronic apparatus incorporating the solid-state imaging device
JP2015038931A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
US11862655B2 (en) 2013-08-19 2024-01-02 Sony Group Corporation Solid-state imaging device having through electrode provided therein and electronic apparatus incorporating the solid-state imaging device
JP2015056408A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 関根 弘一 固体撮像装置
WO2015037547A1 (ja) * 2013-09-10 2015-03-19 Sekine Hirokazu 固体撮像装置
US10008521B2 (en) 2013-09-10 2018-06-26 Setech Co., Ltd. Solid-state imaging device
WO2016076138A1 (ja) * 2014-11-14 2016-05-19 ソニー株式会社 固体撮像素子、製造方法、および電子装置
WO2016103315A1 (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
WO2016194653A1 (ja) * 2015-06-05 2016-12-08 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法
JPWO2016194653A1 (ja) * 2015-06-05 2018-03-29 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法
CN107615487B (zh) * 2015-06-05 2022-04-15 索尼公司 成像元件、电子器件、制造设备以及制造方法
JP7006268B2 (ja) 2015-06-05 2022-01-24 ソニーグループ株式会社 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法
CN107615487A (zh) * 2015-06-05 2018-01-19 索尼公司 成像元件、电子器件、制造设备以及制造方法
US10727264B2 (en) 2015-06-05 2020-07-28 Sony Corporation Imaging element, electronic device, manufacturing apparatus, and manufacturing method
JP2017112376A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサ及びその製造方法
US11335732B2 (en) 2015-12-15 2022-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and methods of forming image sensors
JP7048207B2 (ja) 2015-12-15 2022-04-05 三星電子株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
JP2017183562A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子機器
US11973103B2 (en) 2016-03-31 2024-04-30 Sony Group Corporation Solid-state imaging element and electronic device
JP2022002331A (ja) * 2016-03-31 2022-01-06 ソニーグループ株式会社 固体撮像素子、および電子機器
JP7005886B2 (ja) 2016-03-31 2022-01-24 ソニーグループ株式会社 固体撮像素子、および電子機器
JP7388416B2 (ja) 2016-03-31 2023-11-29 ソニーグループ株式会社 固体撮像素子、および電子機器
JPWO2018169009A1 (ja) * 2017-03-16 2020-01-16 シャープ株式会社 撮像装置およびx線撮像装置
WO2019044103A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JP7164532B2 (ja) 2017-08-31 2022-11-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JP2023017789A (ja) * 2017-08-31 2023-02-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び固体撮像装置
US11621290B2 (en) 2017-08-31 2023-04-04 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element, laminated imaging element, and solid-state imaging device
JPWO2019044103A1 (ja) * 2017-08-31 2020-10-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JP7580438B2 (ja) 2017-08-31 2024-11-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び固体撮像装置
US12538604B2 (en) 2017-08-31 2026-01-27 Sony Semiconductor Solutions Corp. Imaging element, laminated imaging element, and solid-state imaging device
WO2019097971A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
JP7078919B2 (ja) 2017-11-14 2022-06-01 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
JP2019091788A (ja) * 2017-11-14 2019-06-13 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
JP2021100253A (ja) * 2018-12-27 2021-07-01 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
JP7761381B2 (ja) 2019-10-18 2025-10-28 テレダイン・サイエンティフィック・アンド・イメージング・エルエルシー 湾曲した焦点面アレイのための完全網状検出器
JP2021077871A (ja) * 2019-10-18 2021-05-20 テレダイン・サイエンティフィック・アンド・イメージング・エルエルシーTeledyne Scientific & Imaging,LLC 湾曲した焦点面アレイのための完全網状検出器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102856333B (zh) 2016-09-21
US9202839B2 (en) 2015-12-01
CN102856333A (zh) 2013-01-02
US20130001730A1 (en) 2013-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102856333B (zh) 固体摄像装置、其制造方法以及电子设备
US9087757B2 (en) Semiconductor device, solid-state imaging device, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
US8618458B2 (en) Back-illuminated CMOS image sensors
JP5564847B2 (ja) 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
CN102856334B (zh) 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子设备
JP2012199489A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP2012038981A (ja) 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
KR20150071768A (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2013016676A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法、電子機器
US20100148230A1 (en) Trench isolation regions in image sensors
WO2015198878A1 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP5407282B2 (ja) 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
KR20140099811A (ko) 카메라 모듈, 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 제조 방법
US20090065829A1 (en) Image Sensor and Method for Manufacturing the Same
JP2017054890A (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
WO2012165255A1 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
KR101476035B1 (ko) 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 고체 촬상 장치
JP2016082067A (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US9978787B1 (en) Image sensor and method for fabricating the same
TW201628176A (zh) 固體攝像裝置及固體攝像裝置之製造方法
TWI556423B (zh) 影像感測裝置及半導體結構
JP2009188380A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
TWI511278B (zh) 具有藉由使用光阻阻擋氮化之經減少的雜訊之影像感測器
JP2013162077A (ja) 固体撮像装置
TW202418572A (zh) 光檢測裝置、電子機器及光檢測裝置之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140618

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140618

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20150402