JP2017112376A - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のイメージセンサは、複数の画素領域を有する半導体基板、複数の画素領域に形成された複数の光電変換素子、複数の光電変換素子から離隔して半導体基板に形成された複数のストレージノード領域、半導体基板上に形成されて複数の光電変換素子に対応する複数のカラーフィルタ層、複数のカラーフィルタ層間に配置されて複数のストレージノード領域に電気的に連結された複数のスタッド層、カラーフィルタ層を覆ってスタッド層の上面を露出させるコーティング層、コーティング層上に形成され、複数の光電変換素子に対応する複数の分離空間を限定してスタッド層の少なくとも一部分を露出させる分離絶縁層、複数の分離空間をそれぞれを充填して複数の分離空間の内に形成された複数の下部透明電極層、並びに複数の下部透明電極層上に順に配置された有機光電層及び上部透明電極層を備える。
【選択図】図1
Description
前記開口部の幅は、前記スタッド層の幅より狭くともよい。
前記コーティング層と前記下部透明電極層とは、接しない位置に離隔され得る。
前記コーティング層の一部分は、前記下部透明電極層に接し得る。
前記有機光電層は、前記複数の下部透明電極層上に一体に形成され得る。
前記上部透明電極層は、前記複数の下部透明電極層の上方に一体に形成され得る。
前記コーティング層の上面と前記スタッド層の上面とは、同一レベルの平面をなし得る。
前記半導体基板を貫通して前記ストレージノード領域と前記スタッド層とを電気的に連結する貫通ビアをさらに含み得る。
前記複数のカラーフィルタ層に重畳するように前記上部透明電極層上に形成された複数のマイクロレンズをさらに含み得る。
前記光電変換素子は、第1不純物領域及び第2不純物領域を含み、前記第1不純物領域は、前記第2不純物領域より前記半導体基板の表面から深く形成され、前記第1不純物領域及び前記第2不純物領域は、異なる導電型を有し得る。
前記ストレージノード領域は、前記光電変換素子より小さい面積を有し得る。
前記カラーフィルタ層の上面は、前記スタッド層の上面より低いレベルを有し得る。
前記複数の開口部を形成する段階は、エッチバック工程を介して遂行し得る。
前記複数のリセス部を形成する段階は、前記複数のリセス部に対応する前記予備絶縁層の上面を露出させるフォトレジスト層を形成する段階と、前記フォトレジスト層をエッチングマスクとして、前記予備絶縁層の一部分を除去する段階と、前記複数の開口部を形成する段階の前に、前記フォトレジスト層を除去する段階と、を含み得る。
前記コーティング層は、樹脂からなり、前記フォトレジスト層を除去する段階は、アッシング(ashing)工程によって遂行され得る。
前記分離絶縁層は、前記複数の開口部を有するベース層と、前記複数の分離空間の各々の間に配置されるように前記ベース層上に形成された前記突出部に対応する分離層と、を含み、前記複数の分離空間の各々は、前記開口部内の空間、及び前記ベース層上の前記分離層によって取り囲まれた空間からなる。
前記複数の下部透明電極層を形成する段階は、前記下部透明電極層の上面と前記分離層の上面とが同一レベルを有するように平坦化工程を遂行し得る。
前記複数の開口部を形成する段階は、前記複数の開口部の底面に、前記コーティング層を露出させない。
前記複数の開口部を形成する段階は、前記複数の開口部の底面に、前記コーティング層の一部分を露出させる。
前記上部透明電極層は、前記複数の下部透明電極層の上方に一体に形成され得る。
前記コーティング層を形成する段階は、前記コーティング層の上面と前記スタッド層の上面とが同一レベルの平面をなすように形成し得る。
前記複数のカラーフィルタ層に重畳する前記上部透明電極層上に形成される複数のマイクロレンズを形成する段階をさらに含み得る。
前記分離絶縁層を形成する段階は、前記コーティング層及び前記複数のスタッド層を覆う予備絶縁層を形成する段階と、前記予備絶縁層の一部分を除去して前記複数の開口部に対応する前記予備絶縁層を貫通しない複数のリセス部を形成する段階と、前記予備絶縁層の上面から一部分を除去して前記予備絶縁層の上側に突出部を形成する段階と、前記複数のリセス部及び前記突出部を有する前記予備絶縁層を上側から一部分を除去して前記複数の開口部を形成する段階と、を含んでもよい。
前記突出部を形成する段階は、前記複数のリセス部の底面から、前記複数のリセス部が、前記予備絶縁層を貫通しないように前記予備絶縁層の一部分を除去し得る。
前記複数のカラーフィルタ層及び前記複数のスタッド層を形成する段階は、前記カラーフィルタ層の上面が前記スタッド層の上面より低いレベルを有するように形成し得る。
前記分離絶縁層を形成する段階は、前記開口部の幅を前記スタッド層の幅より狭く形成し得る。
200、300 半導体基板
201a 第1面
201b 第2面
202、302 素子分離膜
204、304 光電変換素子
204a、304a 第1不純物領域
204b、304b 第2不純物領域
206、306 ストレージノード領域
211 第1側面絶縁膜
213 第1コンタクトビア
215 第1コンタクトホール
217 バッファ領域
220、320 配線構造体
221 前面層間絶縁膜
223 前面配線
225 第2コンタクトホール
227 第2側面絶縁膜
229 第2コンタクトビア
230、330 スタッド層
231、331 第1スタッド層
233、333 第2スタッド層
240、340 カラーフィルタ層
241、341 第1カラーフィルタ層
243、343 第2カラーフィルタ層
245、345 コーティング層
260、260a、260b、360、360b 予備絶縁層
260c、360c 分離絶縁層
260D、360D 分離空間
260R、261R リセス部
261、361 基底部
262、362 ベース層
262H、362H 開口部
263、363 突出部
264、364 分離層
265 下部透明物質層
266、366 下部透明電極層
266C、366C 下部コンタクト
266E、366E 下部電極
272、372 有機光電層
274、374 上部透明電極層
278、378 保護層
280、380 マイクロレンズ
290 支持膜
310 層間絶縁構造体
311、312、313、314 層間絶縁膜
316 エッチング停止膜
321 層間配線
323 コンタクトビア
323a 最下部コンタクトビア
323b 中間コンタクトビア
323c 最上部コンタクトビア
325 バッファビア
2110 画素アレイ
2120 ロウドライバ
2130 コントローラ
2140 ピクセル信号処理部
2142 相関二重サンプラ(CDS)
2144 アナログ・デジタルコンバータ(ADC)
2146 バッファ
2148 ランプ信号生成器
2200 システム
2210 中央処理装置(CPU)
2220 不揮発性メモリ
2240 入出力装置(I/O)
2250 RAM
2260 バス
3000 電子システム
3010 アプリケーションプロセッサ
3011 DSIホスト
3012 (CSI)ホスト
3013、3061 PHY
3020 GPS
3030 Wimax
3041 CSI装置
3050 ディスプレイ
3051 DSI装置
3060 (RF)チップ
3070 ストレージ
3080 マイクロフォン
3085 DRAM
3090 スピーカ
3100 WLAN
3110 UWB
4000 モバイルフォン
Claims (25)
- 複数の画素領域を有する半導体基板と、
前記複数の画素領域にそれぞれ形成された複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子から離隔して前記半導体基板にそれぞれ形成された複数のストレージノード領域と、
前記半導体基板上に形成されて前記複数の光電変換素子にそれぞれ対応する複数のカラーフィルタ層と、
前記複数のカラーフィルタ層の各々の間に配置されて前記複数のストレージノード領域にそれぞれ電気的に連結された複数のスタッド層と、
前記複数のカラーフィルタ層を覆って前記複数のスタッド層の上面をそれぞれ露出させるコーティング層と、
前記コーティング層上に形成され、前記複数の光電変換素子にそれぞれ対応する複数の分離空間を限定して前記複数のスタッド層の各々の少なくとも一部分を露出させる分離絶縁層と、
前記複数の分離空間の各々を充填して前記複数の分離空間内にそれぞれ形成された複数の下部透明電極層と、
前記複数の下部透明電極層上に順に配置された有機光電層及び上部透明電極層と、を備えることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記分離絶縁層は、
前記スタッド層の少なくとも一部分を露出させる開口部を有するベース層と、
前記複数の分離空間の各々の間に配置されるように前記ベース層上に形成された分離層と、を含み、
前記複数の分離空間の各々は、前記開口部内の空間、及び前記ベース層上の前記分離層によって取り囲まれた空間からなり、
前記複数の下部透明電極層の上面と前記分離層の上面とは、同一レベルを有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記開口部の幅は、前記スタッド層の幅より狭いことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記コーティング層と前記下部透明電極層とは、接しない位置に離隔されることを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記コーティング層の一部分は、前記下部透明電極層に接することを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記有機光電層は、前記複数の下部透明電極層上に一体に形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記上部透明電極層は、前記複数の下部透明電極層の上方に一体に形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記コーティング層の上面と前記スタッド層の上面とは、同一レベルの平面をなすことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記半導体基板を貫通して前記ストレージノード領域と前記スタッド層とを電気的に連結する貫通ビアをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記複数のカラーフィルタ層に重畳するように前記上部透明電極層上に形成された複数のマイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記光電変換素子は、第1不純物領域及び第2不純物領域を含み、
前記第1不純物領域は、前記第2不純物領域より前記半導体基板の表面から深く形成され、
前記第1不純物領域及び前記第2不純物領域は、異なる導電型を有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記ストレージノード領域は、前記光電変換素子より小さい面積を有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記カラーフィルタ層の上面は、前記スタッド層の上面より低いレベルを有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 複数の画素領域を有する半導体基板を準備する段階と、
前記半導体基板の複数の画素領域に、複数の光電変換素子、及び前記複数の光電変換素子から離隔して複数のストレージノード領域をそれぞれ形成する段階と、
前記半導体基板上に、前記複数の光電変換素子にそれぞれ対応する複数のカラーフィルタ層、及び前記複数のカラーフィルタ層の各々の間に配置されて前記複数のストレージノード領域にそれぞれ電気的に連結される複数のスタッド層を形成する段階と、
前記複数のカラーフィルタ層を覆って前記複数のスタッド層の上面をそれぞれ露出させるコーティング層を形成する段階と、
前記複数の光電変換素子にそれぞれ対応する複数の分離空間を限定して前記複数のスタッド層の各々の少なくとも一部分を露出させる複数の開口部を有する分離絶縁層を前記コーティング層上に形成する段階と、
前記複数の分離空間の各々を充填して前記分離絶縁層を覆う下部透明物質層を形成する段階と、
前記分離絶縁層を露出させるように平坦化工程を遂行して前記複数の分離空間を充填する複数の下部透明電極層を形成する段階と、
前記複数の下部透明電極層上に順に配置されるように有機光電層及び上部透明電極層を形成する段階と、を有することを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記分離絶縁層を形成する段階は、
前記コーティング層及び前記複数のスタッド層を覆う予備絶縁層を形成する段階と、
前記予備絶縁層の上面から一部分を除去して前記予備絶縁層の上側に突出部を形成する段階と、
前記突出部を有する前記予備絶縁層の一部分を除去して前記複数の開口部に対応する前記予備絶縁層を貫通しない複数のリセス部をそれぞれ形成する段階と、
前記複数のリセス部及び前記突出部を有する前記予備絶縁層を上側から一部分を除去して前記複数の開口部を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記複数のリセス部を形成する段階は、
前記複数のリセス部に対応する前記予備絶縁層の上面を露出させるフォトレジスト層を形成する段階と、
前記フォトレジスト層をエッチングマスクとして、前記予備絶縁層の一部分を除去する段階と、
前記複数の開口部を形成する段階の前に、前記フォトレジスト層を除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記分離絶縁層は、前記複数の開口部を有するベース層と、前記複数の分離空間の各々の間に配置されるように前記ベース層上に形成された前記突出部に対応する分離層と、を含み、
前記複数の分離空間の各々は、前記開口部内の空間、及び前記ベース層上の前記分離層によって取り囲まれた空間からなることを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記複数の下部透明電極層を形成する段階は、
前記下部透明電極層の上面と前記分離層の上面とが同一レベルを有するように平坦化工程を遂行することを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記有機光電層は、前記複数の下部透明電極層上に一体に形成されることを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記上部透明電極層は、前記複数の下部透明電極層の上方に一体に形成されることを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記コーティング層を形成する段階は、前記コーティング層の上面と前記スタッド層の上面とが同一レベルの平面をなすように形成することを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記分離絶縁層を形成する段階は、
前記コーティング層及び前記複数のスタッド層を覆う予備絶縁層を形成する段階と、
前記予備絶縁層の一部分を除去して前記複数の開口部に対応する前記予備絶縁層を貫通しない複数のリセス部を形成する段階と、
前記予備絶縁層の上面から一部分を除去して前記予備絶縁層の上側に突出部を形成する段階と、
前記複数のリセス部及び前記突出部を有する前記予備絶縁層を上側から一部分を除去して前記複数の開口部を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記突出部を形成する段階は、前記複数のリセス部の底面から、前記複数のリセス部が前記予備絶縁層を貫通しないように前記予備絶縁層の一部分を除去することを特徴とする請求項22に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記複数のカラーフィルタ層及び前記複数のスタッド層を形成する段階は、前記カラーフィルタ層の上面が前記スタッド層の上面より低いレベルを有するように形成することを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記分離絶縁層を形成する段階は、前記開口部の幅を前記スタッド層の幅より狭く形成することを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
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