JP2013012506A5 - 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、電子機器の製造方法、および電子機器 - Google Patents

固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、電子機器の製造方法、および電子機器 Download PDF

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本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含むものである。
以下、本技術の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態では、固体撮像素子として、CCD型の固体撮像素子(メージ・センサ)を例に説明する。ただし、本技術は、CCD型の他、CMOS型等、他の固体撮像素子にも広く適用することができる。
図3に示すように、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光のうちの大部分は、緑色のカラーフィルタ27Gを透過して、G画素7Gのフォトダイオード17に入射する。その一方で、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光には、マイクロレンズ35が集光しきれずに、緑色のカラーフィルタ27Gを透過した後、G画素7Gに隣接するR画素7R側に向かい、このR画素7Rのフォトダイオード17に入射するような斜め光が含まれる(実線矢印L、破線矢印L2参照)。
そこで、本実施形態の固体撮像素子1のように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光部40が設けられることにより、光学的な混色が抑制される。具体的には、図3に示すように、例えば、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光のうち、マイクロレンズ35により集光されずに、G画素7Gに隣接するR画素7R側に向かう斜め光(実線矢印L1)は、層内レンズ30間の境界部分に存在する遮光部40によって遮光される。つまり、遮光部40が存在しない場合にG画素7G側から隣のR画素7Rのフォトダイオード17に入射する光(破線矢印L2)が、遮光部40に入射して反射される(実線矢印L、L3)。これにより、異色画素間において混色の原因となる斜め光のフォトダイオード17への入射が阻止され、混色が抑制される。
に示すように、本実施形態の固体撮像素子1は、層内レンズ30のレンズ間に設けられる遮光部40に加え、オンチップレンズであるマイクロレンズ35においても、レンズ間に遮光部45を備える。つまり、本実施形態の固体撮像素子1においては、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分に、遮光部45が設けられている。
例えば、層内レンズ30の材料がSiN(窒化シリコン)であり、遮光層41の材料がタングステンである場合、下地膜42の材料としてSiOを用いて成膜する。つまり、この場合、層内レンズ30および平坦部32を含むSiN膜上に、SiO からなる下地膜42を1層形成し、この下地膜42の上に、遮光層41を形成する。また、遮光層41の材料としては、W(タングステン)のほか、Al(アルミニウム)等が挙げられ、下地膜42の材料としては、SiOのほか、Ti(チタン)、Al(酸化アルミニウム)、HfO(酸化ハフニウム)、TiO(二酸化チタン)等が挙げられ、これらの材料が遮光層41および下地膜42の材料として適宜の組み合わせで用いられる。
なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
(1)半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。

Claims (1)

  1. 半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、
    前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、
    互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、
    固体撮像素子の製造方法。
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