JP2013012506A5 - 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、電子機器の製造方法、および電子機器 - Google Patents
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Description
本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含むものである。
以下、本技術の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態では、固体撮像素子として、CCD型の固体撮像素子(イメージ・センサ)を例に説明する。ただし、本技術は、CCD型の他、CMOS型等、他の固体撮像素子にも広く適用することができる。
図3に示すように、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光のうちの大部分は、緑色のカラーフィルタ27Gを透過して、G画素7Gのフォトダイオード17に入射する。その一方で、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光には、マイクロレンズ35が集光しきれずに、緑色のカラーフィルタ27Gを透過した後、G画素7Gに隣接するR画素7R側に向かい、このR画素7Rのフォトダイオード17に入射するような斜め光が含まれる(実線矢印L1、破線矢印L2参照)。
そこで、本実施形態の固体撮像素子1のように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光部40が設けられることにより、光学的な混色が抑制される。具体的には、図3に示すように、例えば、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光のうち、マイクロレンズ35により集光されずに、G画素7Gに隣接するR画素7R側に向かう斜め光(実線矢印L1)は、層内レンズ30間の境界部分に存在する遮光部40によって遮光される。つまり、遮光部40が存在しない場合にG画素7G側から隣のR画素7Rのフォトダイオード17に入射する光(破線矢印L2)が、遮光部40に入射して反射される(実線矢印L1、L3)。これにより、異色画素間において混色の原因となる斜め光のフォトダイオード17への入射が阻止され、混色が抑制される。
図2に示すように、本実施形態の固体撮像素子1は、層内レンズ30のレンズ間に設けられる遮光部40に加え、オンチップレンズであるマイクロレンズ35においても、レンズ間に遮光部45を備える。つまり、本実施形態の固体撮像素子1においては、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分に、遮光部45が設けられている。
例えば、層内レンズ30の材料がSiN(窒化シリコン)であり、遮光層41の材料がタングステンである場合、下地膜42の材料としてSiO2を用いて成膜する。つまり、この場合、層内レンズ30および平坦部32を含むSiN膜上に、SiO 2 からなる下地膜42を1層形成し、この下地膜42の上に、遮光層41を形成する。また、遮光層41の材料としては、W(タングステン)のほか、Al(アルミニウム)等が挙げられ、下地膜42の材料としては、SiO2のほか、Ti(チタン)、Al2O3(酸化アルミニウム)、HfO2(酸化ハフニウム)、TiO2(二酸化チタン)等が挙げられ、これらの材料が遮光層41および下地膜42の材料として適宜の組み合わせで用いられる。
なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
(1)半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。
(1)半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。
Claims (1)
- 半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、
前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、
互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、
固体撮像素子の製造方法。
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TWI636557B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-09-21 | 新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device |
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TW201933599A (zh) * | 2013-03-25 | 2019-08-16 | 日商新力股份有限公司 | 固體攝像元件、攝像裝置及電子裝置 |
JP2015015296A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US10367021B2 (en) * | 2013-12-17 | 2019-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device and fabricating method thereof |
JP6451059B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2019-01-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び電子機器 |
JP6417809B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2018-11-07 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
JP6272175B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-01-31 | Hoya Candeo Optronics株式会社 | 光学素子 |
JP6312260B2 (ja) * | 2014-11-02 | 2018-04-18 | Hoya Candeo Optronics株式会社 | 光学素子 |
US20160354307A1 (en) * | 2014-05-19 | 2016-12-08 | Carl Hilliard | Antimicrobial composition and methods of use |
JP2016001682A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR102290502B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
US9723188B2 (en) * | 2014-09-04 | 2017-08-01 | SK Hynix Inc. | Image sensor, method of manufacturing the image sensor, and electronic device including the image sensor |
US9991303B2 (en) * | 2015-03-16 | 2018-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device structure |
US9946798B2 (en) | 2015-06-18 | 2018-04-17 | International Business Machines Corporation | Identification of target audience for content delivery in social networks by quantifying semantic relations and crowdsourcing |
KR102531712B1 (ko) * | 2015-08-19 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 적층형 이미지 센서와 그 제조방법 |
EP3937246A3 (en) | 2015-09-29 | 2022-04-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lens sheet, lens sheet unit, imaging module, imaging device |
JP2018046145A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法 |
US10522585B2 (en) * | 2017-04-17 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing CMOS image sensor |
DE102018124865A1 (de) * | 2017-11-15 | 2019-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Lichtblockierschicht für eine Bildsensorvorrichtung |
US10522579B2 (en) * | 2017-11-15 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Light blocking layer for image sensor device |
CN108257999A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-06 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及形成图像传感器的方法 |
CN108281447A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-13 | 德淮半导体有限公司 | 半导体装置及其制作方法 |
JP7070199B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2022-05-18 | 株式会社デンソー | 光検出素子およびライダー装置 |
JP7056439B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2022-04-19 | 株式会社デンソー | 光検出素子およびライダー装置 |
WO2020022313A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社デンソー | 光検出素子およびライダー装置 |
CN110970449B (zh) * | 2018-09-30 | 2023-04-25 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 光学感测器及其形成方法 |
US11121160B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment comprising a light shielding part in a light receiving region and a light shielding film in a light shielded region |
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US11398512B2 (en) * | 2019-12-19 | 2022-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photo-sensing device and manufacturing method thereof |
KR20210094693A (ko) * | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
US11269376B2 (en) * | 2020-06-11 | 2022-03-08 | Apple Inc. | Electronic device |
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CN116435325B (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-08 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 背照式图像传感器及其形成方法 |
Family Cites Families (12)
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---|---|---|---|---|
JPH10163462A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sony Corp | マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法 |
JP5105695B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2012-12-26 | カミヤチョウ アイピー ホールディングス | 固体イメージセンサおよびその製造方法 |
US7250973B2 (en) * | 2002-02-21 | 2007-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus for reflecting light at an area between successive refractive areas |
US6849558B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
JP4383959B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2009-12-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP4232541B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2009-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ装置の製造方法 |
JP2005079344A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US7335963B2 (en) * | 2004-08-25 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Light block for pixel arrays |
JP2006163263A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Arisawa Mfg Co Ltd | 透過型スクリーン |
TWI426602B (zh) * | 2007-05-07 | 2014-02-11 | Sony Corp | A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus |
KR20090048920A (ko) * | 2007-11-12 | 2009-05-15 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 |
JP5434252B2 (ja) * | 2009-05-14 | 2014-03-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
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