JP2012524416A5 - - Google Patents

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Claims (13)

  1. 基板支持体がその中に配置されたプロセス室であり、任意選択で前記基板支持体が中心軸を軸に回転してもよいプロセス室と、
    前記基板支持体に向かってエネルギーを導くために前記プロセス室の上方に配置された光源と、
    前記光源によって供給された光エネルギーが前記基板支持体に向かって前記プロセス室に入ることができるように前記光源と前記基板支持体との間に配置された窓アセンブリであり、上窓と、前記上窓の下方に配置された導管を含み、さらにプロセスガスを受け取る前記導管の第1の端部に配置された入口と、前記プロセスガスを前記プロセス室内へ分配する前記導管に配置された1つまたは複数の出口とを含む窓アセンブリと
    を備えている基板処理システム。
  2. 前記1つまたは複数の出口のうちの少なくとも1つが、
    ガスの流動方向に平行な軸に沿って変化する断面、または
    前記基板支持体の支持面に対して垂直でない中心軸
    のうちの少なくとも一方を有している、請求項1に記載のシステム。
  3. 前記1つまたは複数の出口のうちの少なくとも1つが円形、長方形、正方形、長円形、多角形、溝穴形、またはこれらの組合せである、請求項1または2に記載のシステム。
  4. 前記1つまたは複数の出口が2つ以上のゾーンに配置されている、請求項1または2に記載のシステム。
  5. 前記1つまたは複数の出口が、前記基板支持体と向い合せの領域に対称に配列されているか、あるいは前記1つまたは複数の出口が、前記基板支持体と向い合せの一領域に非対称に配列されている、請求項1または2に記載のシステム。
  6. 前記1つまたは複数の出口が直線配列で配置されている、請求項1または2に記載のシステム。
  7. 前記導管が、前記基板支持体の中心軸と交わる一の線に沿って延びている、請求項1または2に記載のシステム。
  8. 前記導管が、前記上窓の一部分だけを横切って延びている、請求項1または2に記載のシステム。
  9. 前記窓アセンブリが、
    前記上窓の下方に配置されて第2のプロセスガスを流通させる第2の導管であり、前記第2のプロセスガスの前記プロセス室への流入を容易にするために貫通する1つまたは複数の第2の出口を有する第2の導管
    をさらに備える、請求項1または2に記載のシステム。
  10. 基板にプロセスガスを供給する方法であって、
    プロセス室内において、基板支持体と、前記基板支持体に向かってエネルギーを導くように構成された光源との間に配置された窓アセンブリの上窓の下に配置された導管の入口にガスを供給すること、
    前記窓アセンブリの導管を通して前記ガスを流すこと、および
    前記窓アセンブリの導管に配置された1つまたは複数の出口を通して前記ガスを前記プロセス室へ流入させること
    を含む方法。
  11. 前記窓アセンブリを通して前記ガスを流すことが、上窓の下に配置された導管であって、前記1つまたは複数の出口を有する導管を通して前記ガスを流すことをさらに含み、
    前記上窓の下に配置された第2の導管であって、前記第2のガスの前記プロセス室への流入を容易にするために配置された1つまたは複数の出口を有する第2の導管を通して第2のガスを流すことをさらに含む、
    請求項10に記載の方法。
  12. 前記窓アセンブリに配置された1つまたは複数の出口が非対称に配列され、
    前記基板支持体上に配置された基板の表面全体にわたって前記プロセスガスを均一に分配するために前記基板支持体を回転させること
    をさらに含む、請求項10または11に記載の方法。
  13. 前記光源からのエネルギーを、前記窓アセンブリを通して前記プロセス室内へ導くと共に、前記窓アセンブリを通して前記ガスを流すこと
    をさらに含む、請求項10または11に記載の方法。
JP2012506201A 2009-04-20 2010-04-15 基板にプロセスガスを供給する基板処理システム及び方法 Active JP5800800B2 (ja)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986454B2 (en) 2010-06-08 2015-03-24 Applied Materials, Inc. Window assembly for use in substrate processing systems
US9499905B2 (en) 2011-07-22 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
DE112013003706T5 (de) 2012-07-27 2015-04-09 Applied Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Abgeben von Prozessgasen an ein Substrat
US10174422B2 (en) 2012-10-25 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for selective gas injection and extraction
US10410890B2 (en) * 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
US9443728B2 (en) 2013-08-16 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Accelerated relaxation of strain-relaxed epitaxial buffers by use of integrated or stand-alone thermal processing
US9435031B2 (en) 2014-01-07 2016-09-06 International Business Machines Corporation Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same
US10184183B2 (en) * 2016-06-21 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Substrate temperature monitoring
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2717786B2 (ja) * 1987-07-07 1998-02-25 財団法人 半導体研究振興会 半導体結晶のエピタキシャル成長法及びその方法に用いる分子層エピタキシー装置
JPS6422033A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Deposition system for thin-film
JPH01183809A (ja) * 1988-01-19 1989-07-21 Babcock Hitachi Kk 光cvd装置
JPH01241826A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH0636409B2 (ja) * 1989-12-28 1994-05-11 大日本スクリーン製造株式会社 光照射型気相処理装置
JPH04188622A (ja) * 1990-11-19 1992-07-07 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH0987851A (ja) * 1995-09-21 1997-03-31 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
WO1998044175A1 (en) * 1997-03-28 1998-10-08 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Epitaxial growth furnace
US6099648A (en) 1997-08-06 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Domed wafer reactor vessel window with reduced stress at atmospheric and above atmospheric pressures
WO1999049101A1 (en) 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
US6187133B1 (en) * 1998-05-29 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Gas manifold for uniform gas distribution and photochemistry
JP2000228366A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Furontekku:Kk 反応ガス使用処理装置
JP2002064104A (ja) * 2000-08-16 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
JP2002261036A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP5079949B2 (ja) * 2001-04-06 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
US20030192645A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for creating circumferential process gas flow in a semiconductor wafer plasma reactor chamber
US6932871B2 (en) * 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
US7442274B2 (en) 2005-03-28 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and apparatus therefor
JP4344949B2 (ja) * 2005-12-27 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 シャワーヘッド、シャワーヘッドを含む成膜装置、ならびに強誘電体膜の製造方法
JP4683334B2 (ja) * 2006-03-31 2011-05-18 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマ処理装置
JP4502220B2 (ja) * 2007-02-13 2010-07-14 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置

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