JP2012519378A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012519378A5 JP2012519378A5 JP2011552079A JP2011552079A JP2012519378A5 JP 2012519378 A5 JP2012519378 A5 JP 2012519378A5 JP 2011552079 A JP2011552079 A JP 2011552079A JP 2011552079 A JP2011552079 A JP 2011552079A JP 2012519378 A5 JP2012519378 A5 JP 2012519378A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric material
- piezoelectric
- seed layer
- laminate according
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/393,644 | 2009-02-26 | ||
| US12/393,644 US8164234B2 (en) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Sputtered piezoelectric material |
| PCT/US2010/025012 WO2010099091A1 (en) | 2009-02-26 | 2010-02-23 | Sputtered piezoelectric material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012519378A JP2012519378A (ja) | 2012-08-23 |
| JP2012519378A5 true JP2012519378A5 (OSRAM) | 2013-04-04 |
Family
ID=42630346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011552079A Abandoned JP2012519378A (ja) | 2009-02-26 | 2010-02-23 | スパッタされた圧電材料 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8164234B2 (OSRAM) |
| EP (1) | EP2401414B1 (OSRAM) |
| JP (1) | JP2012519378A (OSRAM) |
| KR (1) | KR101312485B1 (OSRAM) |
| CN (1) | CN102333904B (OSRAM) |
| WO (1) | WO2010099091A1 (OSRAM) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9441769B2 (en) | 2009-02-20 | 2016-09-13 | Swagelok Company | Method of assembling conduit fitting with attached torque collar |
| JP5399970B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | 強誘電体デバイスの製造方法 |
| FR2976126B1 (fr) * | 2011-06-01 | 2014-05-09 | Commissariat Energie Atomique | Composant electrique comprenant un materiau de structure perovskite et des electrodes optimisees et procede de fabrication |
| US10266936B2 (en) | 2011-10-17 | 2019-04-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Process for making lead zirconate titanate (PZT) layers and/or platinum electrodes and products thereof |
| US9266326B2 (en) * | 2012-07-25 | 2016-02-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Piezoelectric actuator and method of making a piezoelectric actuator |
| CN104488100A (zh) * | 2012-07-31 | 2015-04-01 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 薄膜叠层 |
| JP2015065430A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-04-09 | 三菱マテリアル株式会社 | PNbZT薄膜の製造方法 |
| US9425379B2 (en) * | 2014-03-24 | 2016-08-23 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and piezoelectric element application device |
| WO2017213415A1 (ko) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 주식회사 모다이노칩 | 음향 출력 장치 |
| KR101865347B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2018-06-07 | 주식회사 모다이노칩 | 음향 출력 장치 |
| JP7193334B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2022-12-20 | エスアイアイ・プリンテック株式会社 | ヘッドチップ、液体噴射ヘッド、液体噴射記録装置およびヘッドチップの製造方法 |
| CN112853286A (zh) | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 应用材料公司 | 压电膜的物理气相沉积 |
| JP7667052B2 (ja) * | 2021-09-27 | 2025-04-22 | 富士フイルム株式会社 | 圧電積層体及び圧電素子 |
| JP7667051B2 (ja) * | 2021-09-27 | 2025-04-22 | 富士フイルム株式会社 | 圧電積層体及び圧電素子 |
| US20240065105A1 (en) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Process of epitaxial grown pzt film and method of making a pzt device |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068509B2 (ja) * | 1985-09-17 | 1994-02-02 | 勝 岡田 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| JPH04285025A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Toshiba Corp | 圧電単結晶の単一分域化方法 |
| JP3047316B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2000-05-29 | 富士ゼロックス株式会社 | エピタキシャル強誘電体薄膜素子およびその作製方法 |
| US6502928B1 (en) * | 1998-07-29 | 2003-01-07 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and ink jet recording apparatus comprising the same |
| US6576546B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications |
| JP4182329B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いた液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 |
| DE10231471A1 (de) * | 2001-09-29 | 2003-06-26 | Ceramtec Ag | Piezokeramische Werkstoffe auf der Basis von Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) mit valenzkompensierten Ag-haltigen Komplexen |
| US6728093B2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-04-27 | Ramtron International Corporation | Method for producing crystallographically textured electrodes for textured PZT capacitors |
| KR101137643B1 (ko) * | 2003-10-10 | 2012-04-19 | 후지필름 디마틱스, 인크. | 박막을 구비한 프린트 헤드 |
| JP2005209912A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに圧電素子の製造方法 |
| DE602005002060T2 (de) * | 2004-01-27 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Piezoelektrisches Element und dessen Herstellungsverfahren sowie Tintenstrahldruckkopf und -aufzeichnungsgerät mit demselben |
| EP1726050B1 (en) * | 2004-02-27 | 2011-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric thin film, method of manufacturing piezoelectric thin film, piezoelectric element, and ink jet recording head |
| JP4709544B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | 前駆体組成物、前駆体組成物の製造方法、強誘電体膜の製造方法、圧電素子、半導体装置、圧電アクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンタ |
| JP4431891B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 |
| JP4091641B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2008-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子とその製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド |
| US7456548B2 (en) * | 2006-05-09 | 2008-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and ink jet recording head |
| JP2007314368A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fujifilm Corp | ペロブスカイト型酸化物、強誘電素子、圧電アクチュエータ、及び液体吐出装置 |
| JP5251031B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2013-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、センサー |
| JP5290551B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-09-18 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 |
| US7918542B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-04-05 | Fujifilm Corporation | Perovskite oxide, process for producing the perovskite oxide, piezoelectric body, piezoelectric device, and liquid discharge device |
| EP1973177B8 (en) | 2007-03-22 | 2015-01-21 | FUJIFILM Corporation | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device |
| JP5367242B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-12-11 | 富士フイルム株式会社 | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
| JP2009152235A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Panasonic Corp | 強誘電体積層構造及びその製造方法、電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに強誘電体キャパシタ及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-02-26 US US12/393,644 patent/US8164234B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-23 WO PCT/US2010/025012 patent/WO2010099091A1/en not_active Ceased
- 2010-02-23 EP EP10746695.5A patent/EP2401414B1/en active Active
- 2010-02-23 CN CN2010800093928A patent/CN102333904B/zh active Active
- 2010-02-23 JP JP2011552079A patent/JP2012519378A/ja not_active Abandoned
- 2010-02-23 KR KR1020117022188A patent/KR101312485B1/ko active Active
-
2012
- 2012-03-20 US US13/425,003 patent/US20120177815A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012519378A5 (OSRAM) | ||
| CN102333904B (zh) | 溅射压电材料 | |
| JP2008266771A5 (OSRAM) | ||
| JP2008266770A5 (OSRAM) | ||
| JP5790759B2 (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| JP2012182303A (ja) | 太陽電池バックシート | |
| JP2012139923A5 (ja) | 液体噴射ヘッド及びその製造方法、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー、並びに赤外線センサー | |
| CN109155357A (zh) | 透明的压电器件及其制造方法 | |
| JP2009064859A5 (OSRAM) | ||
| JP2009062207A5 (OSRAM) | ||
| TW202125852A (zh) | 具有pmnpt層的壓電裝置之製造 | |
| JP4998652B2 (ja) | 強誘電体薄膜、強誘電体薄膜の製造方法、圧電体素子の製造方法 | |
| JP2008277783A5 (OSRAM) | ||
| Li et al. | Micro-patterning of PZT thick film by lift-off using ZnO as a sacrificial layer | |
| Kobayashi et al. | Deflection of wafers and cantilevers with Pt/LNO/PZT/LNO/Pt/Ti/SiO2 multilayered structure | |
| JP2007073931A5 (OSRAM) | ||
| WO2023145808A1 (ja) | 結晶、積層構造体、電子デバイス、電子機器及びこれらの製造方法 | |
| Lin et al. | High-performance PZT piezoelectric films on glass with LaNiO3 buffer layer | |
| JP2007088443A5 (OSRAM) | ||
| JP2008130767A5 (OSRAM) | ||
| JP2021084389A5 (ja) | 圧電アクチュエーターおよびその製造方法 | |
| CN101713064B (zh) | PZT基体上沉积不连续NiTi SMA薄膜的制备工艺 | |
| CN101924179B (zh) | 压电薄膜元件及具备其的压电薄膜设备 | |
| WO2023145806A1 (ja) | 積層構造体、電子デバイス、電子機器及びこれらの製造方法 | |
| JP2008048315A5 (OSRAM) |