JP2012518722A - インピーダンス整合回路網による物理的蒸着 - Google Patents
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Abstract
物理的蒸着方法は、物理的蒸着装置内のスパッタターゲットを含む陰極に無線周波数信号を印加する工程と、物理的蒸着装置内の基板を支持するチャックを少なくとも一つのキャパシタを含むインピーダンス整合回路網に電気的に接続する工程と、スパッタターゲットからの材料を基板上に堆積する工程と、を含む。
Description
本開示は、一般的に無線周波数(RF)スパッタリング物理的蒸着法(PVD)に関する。
無線周波数スパッタリングPVDは、基板上に薄膜を堆積する方法である。基板は、真空チャンバ内に、RF電源に接続されたターゲットに対向して置かれる。RF電力が始動されると、プラズマが形成される。正のガスイオンが、ターゲット表面に引き寄せられてターゲットに衝突し、運動量移動によりターゲット原子をはじき飛ばす。次に、はじき飛ばされたターゲット原子は基板上に堆積して薄膜層を形成する。物理的蒸着を行う間、堆積される薄膜の特性を制御することは重要でありえる。
一般的に、一態様では、物理的蒸着方法は、物理的蒸着装置内の、スパッタターゲットを含む陰極に、無線周波数信号を印加する工程と、前記物理的蒸着装置内の、基板を支持するチャックを、少なくとも一つのキャパシタを含むインピーダンス整合回路網に電気的に接続する工程と、前記スパッタターゲットからの材料を前記基板上に堆積する工程と、を含む。
この及び他の実施形態は、以下の特徴の一つ又は複数を随意的に含むことができる。前記物理的蒸着方法は、正の自己バイアス直流電圧を前記基板に生じさせるように前記少なくとも一つのキャパシタの容量を調整する工程を含むことができる。前記少なくとも一つのキャパシタの容量を調整する工程は、10pF乃至500pFの大きさを有するように前記容量を調整することを含むことができる。前記正の自己バイアス直流電圧は10乃至100V、例えば約60Vであることができる。
前記物理的蒸着方法は、正の自己バイアス直流電圧を前記基板に生じさせるように前記少なくとも一つのキャパシタの容量を選択する工程を更に含むことができる。前記容量は10pF乃至500pFであるように選択されることができる。前記正の自己バイアス直流電圧は10乃至100V、例えば約60Vであることができる。
前記無線周波数信号は1000W乃至5000W、例えば3000Wの大きさを有する無線周波数電力を有することができる。前記ターゲットは誘電体材料を含むことができる。前記誘電体材料はジルコニウム酸チタン酸鉛(“PZT”)を含むことができる。前記スパッタターゲットからの材料を前記基板上に堆積する工程は、2000Å乃至10μm、例えば2μm乃至4μmの厚さを有する薄膜を形成することを含むことができる。前記スパッタターゲットからの材料を前記基板上に堆積する工程は、(100)結晶構造を有する薄膜を形成することを含むことができる。
一般的に、一態様では、物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、前記真空チャンバ内の陰極であって、スパッタターゲットを含むように構成された陰極と、前記陰極に無線周波数信号を印加するように構成された無線周波数電源と、前記真空チャンバの前記側壁の内側にあり前記側壁に電気的に接続された陽極と、インピーダンス整合回路網と、前記真空チャンバ内のチャックであって、基板を支持するように構成され前記インピーダンス整合回路網に電気的に接続された、チャックと、を含む。
この及び他の実施形態は、以下の特徴の一つ又は複数を随意的に含むことができる。前記インピーダンス整合回路網は少なくとも一つのキャパシタを含むことができる。前記インピーダンス整合回路網は、前記チャックに電気的に接続された入力端子と、グラウンドに電気的に接続された第1のキャパシタと、前記入力端子と前記第1のキャパシタとの間に電気的に接続されたインダクタと、前記入力端子とグラウンドとの間に電気的に接続され、前記インダクタ及び前記第1のキャパシタに並列である、第2のキャパシタと、を含むことができる。前記インピーダンス整合回路網は可変同調キャパシタ及び分路キャパシタを含むことができる。前記ターゲットは誘電体材料を含むことができる。前記誘電体材料はジルコニウム酸チタン酸鉛(“PZT”)を含むことができる。前記陰極はマグネトロンアセンブリを含むことができる。
陰極上の第1の無線周波数信号と基板上の第2の無線周波数信号との位相差をロックすること、又はインピーダンス回路網をチャックに接続すること、のいずれかにより、基板に正の自己バイアスDC電圧を生じさせることで、有利な圧電体及び誘電体特性を有する薄膜、例えば1000乃至1700の範囲の誘電率、高いd31定数及び高い降伏電圧を有するPZT薄膜を形成することができる。同様に、位相調整器又はインピーダンス整合回路網を使用して負の自己バイアスを生じさせることは、堆積された薄膜の、特にPZT薄膜の、再スパッタリング又はエッチングについて有利となり得る。
一つ又は複数の実施形態の詳細が、添付図面及び以下の説明に記載される。他の特徴、態様及び利点は、本説明、図面及び請求項から明らかになる。
様々な図面中の同じ参照符号及び名称は同じ要素を示す。
基板上に薄膜を生成するためにRF物理的蒸着又はスパッタリングが使用される場合、堆積膜の特性を制御することが困難になる可能性がある。基板のDC自己バイアスを変えることにより、例えば陰極に印加されるRF信号とチャックに印加されるRF信号との位相差をロックすることにより、或いはインピーダンス整合回路網をチャックに電気的に接続することにより、薄膜の特性をより良く制御することができる。
図1Aを参照すると、物理的蒸着装置100は、真空チャンバ102を含むことができる。真空チャンバ102は、円筒状であって、側壁152、上面154及び底面156を有することができる。マグネトロンアセンブリ118が、真空チャンバ102の上部に位置することができる。マグネトロンアセンブリ118は、交番磁極を有する一組の磁石を含むことができる。マグネトロンアセンブリ118は、静止していてもよいし、真空チャンバ102の半径に垂直な軸を中心に回転してもよい。物理的蒸着装置100は、RF電源104と、RF電源104のインピーダンスを真空チャンバ102のものに整合させることができる対応する負荷整合回路網と、を更に含むことができる。
陰極アセンブリ106が、真空チャンバ102内に、真空チャンバ102の上面154の近傍に収容されることができる。陰極アセンブリ106は、金属の受け板(不図示)に接続可能なターゲット126を含むことができる。ターゲット106は、通常、円形で外端160を有することができる。ターゲットは、例えばジルコニウム酸チタン酸鉛(“PZT”)から作製されることができる。陰極106は、RF電源104によってRF電力が印加される際にRF電流の電極として機能することができる。陰極アセンブリ106は、絶縁体リング150によって真空チャンバ102から電気的に絶縁されることができる。
一つ又は複数の基板を支持するための基板支持体又はチャック110が、真空チャンバ102内に、真空チャンバ102の底面156の近傍に(しかし底面156上に離間して)収容されることができる。チャック110は、PVD処理中に基板116を薄膜で被覆することができるように基板116を保持するように構成された基板クランプ板等の基板保持機構122を含むことができる。基板116は、例えばマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)ウエハであることができる。温度制御器(不図示)が、例えば、基板116の温度を、25℃乃至800℃、例えば650℃乃至700℃の所定温度に維持するためにチャック110上に配置されることができる。
図1Aに示す一実施形態では、チャック110はグラウンドから電気的に絶縁されるか又は浮遊状態にあることができ、RF電源120がチャック110に電気的に接続されることができる(RF電源120はグラウンドに接続されることができる)。RF位相調整器105が、RF電源120とRF電源104との間に接続されることができる。RF電源104は、位相調整器105が起動されるとRF電源120に対する位相基準として機能することができる。
図1Bに示す別の実施形態では、チャック110はグラウンドから電気的に絶縁されるか又は浮遊状態にあることができ、インピーダンス整合回路網107がチャック110に電気的に接続されることができる(インピーダンス整合回路網107はグラウンドに接続されることができる)。いかなる二次的RF電源もチャック110に接続されない。インピーダンス整合回路網107は、入力端子109、可変同調キャパシタ111、インダクタ113及び分路キャパシタ115を含むことができる。入力端子109は、チャック110に電気的に接続されることができる。可変同調キャパシタ111は、グラウンドに電気的に接続されることができる。インダクタ113は、入力端子109と分路キャパシタ111との間に電気的に接続されることができる。分路キャパシタ115は、入力端子109とグラウンドとの間に電気的に接続されることができ、インダクタ113及び可変同調キャパシタ111と並列であることができる。
陽極108も、真空チャンバ102内に収容されることができる。陽極108は、RF電流の戻り経路を用意するように陰極106の対抗電極となることができる。いくつかの実施形態では、陽極108とチャック110とが同一部品であることができる。しかしながら他の実施形態では、ここに説明するように、陽極108は、チャック110が浮遊電位又は陽極108と異なる電位に保持されるように、チャック110からから電気的に絶縁されることができる。陽極は、真空チャンバ側壁152にグラウンド(即ち、この場合は真空チャンバ側壁152に電気的に接続)されることができる(陽極がグラウンドに実際に接続される必要はない)。
図1A、図1B、図1C及び図2を参照すると、陽極108は、環状体302を有することができ、環状体302から内向きに突出する環状フランジ304によって延長されることができる。環状フランジ304は、PVD処理中にプラズマを保持することができる所望の放電空間128(図1Aを参照)を画定することができる。図1C及び図2に示すように、環状体302は、上側部分306と下側部分308とを含むことができる。上側部分306は、下側部分308よりも陰極106の近くにあることができる。上側部分306と真空チャンバ102の上面154との間の間隔148(図1A、1Bを参照)は、その間のプラズマ形成を防止するように構成されることができる。
図1Cに示すように、陽極の上側部分306の最上部320は、真空チャンバの上面154から鉛直方向に延びることができる(最上部320は、例えば円筒であることができる)。最上部320は、ターゲット126の端部160に平行であることができ、それを取り囲むことができる。上側部分306の底部322は、最上部320の下端において内面から内向きに(例えば垂直方向に)延びることができる。底部322は、例えば水平リングとして実質的に水平方向に内向きに延びることができる。リング322の内側半径は、ターゲット126とほぼ同じ半径を有することができる。下側部分308は、底部322の下面及び内端から延びることができる。下側部分308は、底部322から垂直に延びることができ、例えば円筒として、鉛直方向に延びることができる。円筒の内壁は、ターゲット126とほぼ同じ半径を有することができる。図示しないが、別の突起が、シールド124の上側部分を配置するための間隙が形成されるように、底部322の外端近傍の下面から下方に延びることができる。
環状フランジ304は、フランジの少なくとも一部がターゲット126の下に延びるように、下側部分308から内向きに突出することができる。図1Aに示すように、陰極106に近いフランジ304の半径が陰極106から遠いフランジ304の半径より大きくなるように、即ちフランジが漏斗形状を有することができるように、フランジ304は環状体302から内向きに下方に延びることができる。或いは、図3A及び3Bに示すように、フランジ304は、環状体302から水平方向に延びることができる。いくつかの実施形態では、フランジ304は、下側部分308の最下端から延びる。
環状開口310(図2を参照)は、PVD処理中に基板116に実質的に影を落とさないように、即ち基板116の上面全体が薄膜で被覆されるように、チャック110とほぼ同じ半径を有することができる。
真空チャンバ102は、更に、真空チャンバ102の側壁を薄膜材で被覆されることから保護するために、RFシールド124を含むことができる。シールド124は、例えば非磁性ステンレス鋼又はアルミニウムから作製されることができ、真空チャンバ102の側壁152にグラウンドされることができる。
いくつかの実施態様では、図1A及び1Bに示すように、シールド124は、鉛直方向に(例えば円筒状に)延びる環状体402を含むことができる。水平方向に延びるフランジ146が、環状体402の下端から内向きに延びることができる。水平方向に延びるフランジ146は、真空チャンバ102の底部近傍に配置されることができ、陽極108の下側部分308を取り囲みそれと部分的に鉛直方向に重なるようにフランジ304を越えて延びることができる。いくつかの実施形態では、鉛直方向に延びるフランジ146は、陽極108の下側部分308と基板保持機構122との間の間隙内に延びることができる。フランジ146は、基板保持機構122と部分的に水平方向に重なることができる。
シールド124の環状フランジ146の内側の環状開口406(図4を参照)は、基板116に実質的に影を落とさないように、チャックとほぼ同じ半径を有することができる。間隙132が、所望の放電空間128から処理ガスが排気されることができるようにするために、シールド124と陽極108との間に存在することができる。
いくつかの実施形態では、図3A、3B、3C及び4に示すように、シールドは、一組の同心環状突起404が環状フランジ146から例えば陰極106に向けて突出するように延ばされることができる。環状突起404は、環状体402と平行に延びることができる。図3A及び3Bに示すように、各環状突起404の高さは、真空チャンバの中心から側壁へ半径に沿って増すことができる。環状体402は、各環状突起404の高さよりも高い高さを有することができる。
物理的蒸着装置102は、陽極108とシールド124とを直接接続する導電体130(例えばストラップ)を更に含むことができる。導電体130は、可撓性であることができ、陽極108とシールド124との間にガスの流れを許容するように構成されることができる。例えば、導電体130は、メッシュ又はワイヤストラップであることができる。導電体130は、例えば銅又はアルミニウムで作製されることができる。
陽極108とシールド124との間に、多くの接続部が存在することができる。例えば、導電体130は陽極108とシールド124とに少なくとも4点で接続されることができる。導電体130は、陽極108の下面とシールド124の最上部との間に接続されることができる。導電体130はまた、陽極108の最上部とシールド124の外面との間に接続されることができる。
物理的蒸着装置100は、二次的チャンバシールド134を更に含むことができる。チャンバシールドは、例えば非磁性ステンレス鋼又はアルミニウムから作製されることができる。チャンバシールドの上部は、陽極108と真空チャンバ102の側壁との間に配置されることができる。チャンバシールド134の下部は、真空チャンバ102の側壁とシールド124との間に配置されることができる。チャンバシールド134は、シールド124及び/又は陽極108と同心であることができ、それらを取り囲むことができる。チャンバシールド134の高さは、シールド124の高さ以上であることができる。チャンバシールド134は、鉛直環状体142と、環状体142から(例えば鉛直環状体142の下端から)内向きに延びる環状フランジ144と、を含むことができる。チャンバシールド134の環状フランジ144は、シールド124の環状フランジ146の下に延びることができ、環状フランジ146よりも短い半径方向長さを有することができる。環状フランジ144は、チャック110よりもチャンバの底部の近くにあることができる。チャンバシールドのフランジ144の内端は、チャック110の外端と鉛直方向に合わされることができる。
チャンバシールド130は、処理ガスが真空チャンバ102へ送り込まれるとともに真空チャンバ102から送り出されることがなおもできるように構成されることができる。例えば、チャンバシールド134は、ガス入口142又は真空入口114を覆わないように十分に短くてよい。或いは、チャンバシールド134は、ガス入口142及び真空入口114の場所に対応する位置に穴(不図示)を有してもよい。更に、チャンバシールド134は、個別に着脱可能であり、容易に洗浄可能で、長期間再利用可能である。
チャンバシールド134は、導電体136によってシールド124に電気的に接続されることができる。導電体136は、導電体130と同様な材質及び形状であることができる。したがって、導電体136は、シールド124とチャンバシールド134との間にガスの流れを許容するように構成されることができる。同様に、導電体136は、メッシュで構成されることができ、一つ又は複数のストラップであることができ、銅又はアルミニウムから成ることができる。また、導電体136は、シールド124の底面とチャンバシールド134の内面との間に接続されることができる。
物理的蒸着装置100は、処理ガス入口112、処理ガス制御装置(不図示)、真空入口114、圧力測定装置及び制御装置(不図示)及び真空ポンプ(不図示)を更に含むことができる。
スパッタリング又はPVD処理中、10乃至200sccm/0.2乃至4sccm、例えば10乃至60sccm/0.5乃至2sccmの流量でガス入口112を介して、アルゴン及び酸素等のガスが供給される。真空ポンプ(不図示)は、真空入口114を介して、例えば10−7トル以下の基礎真空と、例えば0.5ミリトル乃至20ミリトルのプラズマ動作圧力と、を維持する。500W乃至5000W程度、例えば2000W乃至4000W、又は3000W、のRF電源104が陰極アセンブリ106に印加されると、ターゲット126が負にバイアスされ陽極108が正にバイアスされて、陰極104と陽極108との間の所望の放電空間128内にプラズマを形成する。マグネトロンアセンブリ118は、陰極106の前面及びその近傍において、例えば50ガウス乃至400ガウス、例えば200ガウス乃至300ガウス、の磁界を生成する。磁界は、電子をターゲット126の前面と平行な螺旋運動に閉じ込める。
ターゲット126上の負の自己バイアスDC電圧は、磁界によってターゲット126の表面近傍に閉じ込められた電子と共に、プラズマの活性化陽イオンによってターゲット126に衝撃を与えることを促進する。運動量移動は、PZT分子等の中性ターゲット材をターゲット126から移動させ基板116上に堆積させて、基板116上に薄膜を生成する。結果として得られる薄膜は、2000Å乃至10μm、例えば2乃至4μmの厚さを有することができる。
図1A及び3Aに示す実施形態では、RF電源120が基板116に適用されると、基板にDC自己バイアスが生じることができる。RF位相調整器105は、RF電源104及び/又はRF電源120によって印加されるRF信号の位相(例えば電流又は電圧の位相)を調整するために使用されることができる。RF位相調整器105は、各位相をロックして、位相差(例えば0°乃至369°)が、例えば−300V乃至+300V、特に−100V乃至+100Vの正、負又は零の電荷を有することができる基板上に所望のDC自己バイアスを生成するようにすることができる。一例として、基板の正の自己バイアス対ガス流量のグラフを図5に示す。
DC自己バイアスの電荷は、位相差に加えて、基板116に供給されるRF電力の量により制御されることができる。例えば、50W未満(2W未満等)の小さいRF電力がチャック110に供給され、位相が例えば190°乃至240°、例えば220°でロックされると、例えば時間平均で10V乃至100V、例えば60Vの正のDC自己バイアスが基板116に発生することができる。正の電圧は、電子をプラズマから基板116の表面へと引き付けて加速させる。十分なエネルギーを有するこれらの電子が、スパッタされた材料の特性を変化させるが、電子の運動量は小さいので、実質的な再スパッタリングを起こすことはない。更に、正の電圧は、プラズマイオンが基板116の表面に衝撃を与えることを防ぐことができ、したがって表面のエッチングを回避することができる。対照的に、例えば50Wより大きなRF電力が基板に供給され、位相が例えば190°未満又は240°超、例えば180°未満又は270°超でロックされると、負のDC自己バイアスが基板116に発生することができる。負の電圧は、プラズマイオンを基板へと引き付けて加速させることができ、それにより表面の再スパッタリングを行うことができる。再スパッタリングは、例えば、基板表面をエッチングするために有益であることができる。チャンバ構成、ガスの組成並びに流量、圧力、磁場及び電圧等の所与の実施態様について、正又は負の自己バイアス電圧を生成するのに必要な位相調整量を得るために実験が必要とされる場合がある。
図1A及び3Aの装置を使用して薄膜を形成するプロセスのフローチャートを図6Aに示す。工程602では、第1の位相を有する第1の無線周波数信号が、物理的蒸着装置内の陰極に印加される。陰極は、スパッタターゲットを含むことができる。工程604では、第2の位相を有する第2の無線周波数信号が、物理的蒸着装置内の、基板を支持するチャックに印加される。第1及び第2の位相の差が、正の自己バイアスDC電圧を基板に生じさせる。工程606では、スパッタターゲットからの材料が基板上に堆積される。
図1B及び3Bに示す実施形態では、RF電源104が陰極106に適用されてインピーダンス整合回路網107がチャック110に接続されると、DC自己バイアスが基板に生じることができる。可変同調キャパシタ111及び/又は分路キャパシタ115の容量は、所望のDC自己バイアスを基板に生じさせるように、例えば10pF乃至500pFに選択又は調整されることができる。上述の実施形態では、基板は、結果として例えば−300V乃至+300V、特には−100V乃至+100Vの負、正又は零の電荷を有することができる。
図1B及び3Bの装置を使用して薄膜を形成するプロセスのフローチャートを図6Bに示す。工程610では、無線周波数信号が、物理的蒸着装置内の陰極に印加される。陰極は、スパッタターゲットを含む。工程612では、物理的蒸着装置内の基板を支持するチャックが、インピーダンス整合回路網に電気的に接続される。インピーダンス整合回路網は、少なくとも一つのキャパシタを含む。工程614では、スパッタターゲットからの材料が基板上に堆積される。図6に図示しないが、このプロセスは、正の自己バイアスDC電圧を基板に生じさせるように、キャパシタの容量を選択又は調整する工程を更に含むことができる。
物理的蒸着装置におけるRF位相調整器又はインピーダンス整合回路網のいずれかの使用は、PZT薄膜等の圧電薄膜の生成に特に有利であることができる。特に、PZT等の誘電体材料には外部DCバイアスを直接印加することができないので、基板又は堆積膜に間接的なバイアスを生じさせるために位相調整器105又はインピーダンス整合回路網107を使用することは有利である。更に、RF位相調整器105及びインピーダンス整合回路網107の両方は、基板116と所望の放電空間128との間の暗部空間内の電界強度を変更することができ、これにより堆積プロセスの再スパッタリング効果を変えることができる。対照的に、基板への直接的なバイアスは、システム全体の電位をターゲット及び/又は基板の両方に対するオフセット値に変えることができるものの、基板116と所望の放電空間128との間の暗部空間を変更することはできない。
ここに説明するように正のDC自己バイアスを有する基板を備える物理的蒸着装置を使用してPZT膜をスパッタすると、基板の表面に引き付けられる電子が電子加熱を引き起こすことができ、これにより薄膜原子の移動度を上げることができる。更に、表面上の電子は、表面からプラズマイオンを排斥して表面の再スパッタリングを回避する助けとなることができる。その結果、好ましい構造を有する薄膜、例えば(100)結晶構造を有する薄膜を形成することができる。正のDC自己バイアスを有する基板上にスパッタされるこのような膜、例えばペロブスカイトPZT(100)/(200)結晶方位を有するPZT膜は、有利な誘電体及び圧電体特性、例えば1000乃至1700の範囲の誘電率、高いd31定数及び高い降伏電圧を有することができる。例えば、(100)結晶方位を有するPZT薄膜は、インク分配装置のアクチュエータ等のMEMSデバイスとして使用されることができる。
多くの実施形態が説明された。それにもかかわらず、説明されている思想及び範囲を逸脱することなく他の様々な変更がなされ得ることが理解されるであろう。例えば、位置及び向きに関する用語(例えば、「最上部」、「鉛直」)が物理的蒸着装置内の部品の相対的位置及び向きを説明するために使用されているが、物理的蒸着装置自体は鉛直若しくは水平の向き又は他の向きで保持され得るということが理解されるべきである。別の例として、図6A及び6Bの例示的フローチャートの工程は、他の順序で実行されてもよく、いくつかの工程が除去されてもよく、他の工程が追加されてもよい。したがって、他の実施形態は以下の請求項の範囲に含まれる。
Claims (23)
- 物理的蒸着装置内の、スパッタターゲットを含む陰極に、無線周波数信号を印加する工程と、
前記物理的蒸着装置内の、基板を支持するチャックを、少なくとも一つのキャパシタを含むインピーダンス整合回路網に電気的に接続する工程と、
前記スパッタターゲットからの材料を前記基板上に堆積する工程と、
を含む、物理的蒸着方法。 - 正の自己バイアス直流電圧を前記基板に生じさせるように前記少なくとも一つのキャパシタの容量を調整する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも一つのキャパシタの容量を調整する工程は、10pF乃至500pFの大きさを有するように前記容量を調整することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記正の自己バイアス直流電圧は10乃至100Vである、請求項2に記載の方法。
- 前記正の自己バイアス直流電圧は約60Vである、請求項4に記載の方法。
- 正の自己バイアス直流電圧を前記基板に生じさせるように前記少なくとも一つのキャパシタの容量を選択する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記容量は10pF乃至500pFであるように選択される、請求項6に記載の方法。
- 前記正の自己バイアス直流電圧は10乃至100Vである、請求項6に記載の方法。
- 前記正の自己バイアス直流電圧は約60Vである、請求項8に記載の方法。
- 前記無線周波数信号は1000W乃至5000Wの大きさを有する無線周波数電力を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記無線周波数電力は約3000Wの大きさを有する、請求項10に記載の方法。
- 前記ターゲットは誘電体材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記誘電体材料はジルコニウム酸チタン酸鉛(“PZT”)を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記スパッタターゲットからの材料を前記基板上に堆積する工程は、2000Å乃至10μmの厚さを有する薄膜を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記薄膜は2μm乃至4μmの厚さを有する、請求項14に記載の方法。
- 前記スパッタターゲットからの材料を前記基板上に堆積する工程は、(100)結晶構造を有する薄膜を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 側壁を有する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内の陰極であって、スパッタターゲットを含むように構成された陰極と、
前記陰極に無線周波数信号を印加するように構成された無線周波数電源と、
前記真空チャンバの前記側壁の内側にあり前記側壁に電気的に接続された陽極と、
インピーダンス整合回路網と、
前記真空チャンバ内のチャックであって、基板を支持するように構成され前記インピーダンス整合回路網に電気的に接続された、チャックと、
を含む、物理的蒸着装置。 - 前記インピーダンス整合回路網は少なくとも一つのキャパシタを含む、請求項17に記載の装置。
- 前記インピーダンス整合回路網は、
前記チャックに電気的に接続された入力端子と、
グラウンドに電気的に接続された第1のキャパシタと、
前記入力端子と前記第1のキャパシタとの間に電気的に接続されたインダクタと、
前記入力端子とグラウンドとの間に電気的に接続され、前記インダクタ及び前記第1のキャパシタに並列である、第2のキャパシタと、
を含む、請求項18に記載の装置。 - 前記インピーダンス整合回路網は可変同調キャパシタ及び分路キャパシタを含む、請求項17に記載の装置。
- 前記ターゲットは誘電体材料を含む、請求項17に記載の装置。
- 前記誘電体材料はジルコニウム酸チタン酸鉛(“PZT”)を含む、請求項21に記載の装置。
- 前記陰極はマグネトロンアセンブリを更に含む、請求項17に記載の装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018207577A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置および圧電膜の成膜方法 |
JP7036999B1 (ja) * | 2021-07-16 | 2022-03-15 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2023286289A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8557088B2 (en) * | 2009-02-19 | 2013-10-15 | Fujifilm Corporation | Physical vapor deposition with phase shift |
US20100206713A1 (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-19 | Fujifilm Corporation | PZT Depositing Using Vapor Deposition |
DE102011086111B4 (de) | 2011-11-10 | 2016-03-17 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Anordnung zur Einspeisung von HF-Strom für Rohrkathoden |
US20130284589A1 (en) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Youming Li | Radio frequency tuned substrate biased physical vapor deposition apparatus and method of operation |
KR102222902B1 (ko) | 2014-05-12 | 2021-03-05 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20210102437A (ko) * | 2018-12-19 | 2021-08-19 | 에바텍 아크티엔게젤샤프트 | 화합물 층을 증착하기 위한 진공 시스템 및 방법 |
CN112853286A (zh) | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 应用材料公司 | 压电膜的物理气相沉积 |
WO2021148195A1 (en) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | Evatec Ag | Phase shift controlled sputter system and process |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61276966A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 帯電性材料の高周波スパツタリング法 |
JPS6459920A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Hitachi Ltd | Device for forming thin film |
JPH05206072A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-08-13 | Applied Materials Inc | 誘導rf結合を用いたプラズマ加工装置とその方法 |
JPH0715051A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | Ybco超電導薄膜の製造方法 |
JPH08507196A (ja) * | 1994-01-31 | 1996-07-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 共形な絶縁体フィルムを有する静電チャック |
US6471830B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-10-29 | Veeco/Cvc, Inc. | Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system |
US20030042131A1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-06 | Johnson Wayne L. | Method and apparatus for depositing films |
JP2003166047A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-06-13 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | ハロゲン化合物の成膜方法及び成膜装置、並びにフッ化マグネシウム膜 |
WO2007106660A2 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
JP2008187092A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体薄膜素子及びその製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2008244145A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2008266770A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617459A (en) | 1967-09-15 | 1971-11-02 | Ibm | Rf sputtering method and apparatus for producing insulating films of varied physical properties |
US4036723A (en) * | 1975-08-21 | 1977-07-19 | International Business Machines Corporation | RF bias sputtering method for producing insulating films free of surface irregularities |
US4131533A (en) | 1977-12-30 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | RF sputtering apparatus having floating anode shield |
US4584079A (en) | 1983-10-11 | 1986-04-22 | Honeywell Inc. | Step shape tailoring by phase angle variation RF bias sputtering |
US4622122A (en) | 1986-02-24 | 1986-11-11 | Oerlikon Buhrle U.S.A. Inc. | Planar magnetron cathode target assembly |
JPH03201713A (ja) | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Clarion Co Ltd | 圧電膜製造装置 |
US5198090A (en) | 1990-08-31 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Sputtering apparatus for producing thin films of material |
JP3441746B2 (ja) | 1992-11-09 | 2003-09-02 | キヤノン株式会社 | バイアススパッタ方法およびその装置 |
JP3490483B2 (ja) | 1993-10-08 | 2004-01-26 | アネルバ株式会社 | Pzt薄膜の作製方法 |
US5729423A (en) | 1994-01-31 | 1998-03-17 | Applied Materials, Inc. | Puncture resistant electrostatic chuck |
JP3890634B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2007-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子及びインクジェット式記録ヘッド |
JPH09176850A (ja) | 1995-12-22 | 1997-07-08 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、及び誘電体膜製造方法 |
US6579426B1 (en) * | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
US5910886A (en) | 1997-11-07 | 1999-06-08 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Phase-shift power supply |
JP3944341B2 (ja) | 2000-03-28 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 酸化物エピタキシャル歪格子膜の製造法 |
US6440280B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-08-27 | Sola International, Inc. | Multi-anode device and methods for sputter deposition |
JP4553476B2 (ja) | 2000-10-24 | 2010-09-29 | 株式会社アルバック | スパッタ方法及びスパッタ装置 |
JP4204824B2 (ja) | 2001-09-20 | 2009-01-07 | 新明和工業株式会社 | 光学系 |
US20030180450A1 (en) | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Kidd Jerry D. | System and method for preventing breaker failure |
AU2003224727A1 (en) | 2002-03-28 | 2003-10-13 | Tokyo Electron Limited | A system and method for determining the state of a film in a plasma reactor using an electrical property |
SE526857C2 (sv) | 2003-12-22 | 2005-11-08 | Seco Tools Ab | Sätt att belägga ett skärverktyg med användning av reaktiv magnetronsputtering |
US7820020B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for plasma-enhanced physical vapor deposition of copper with RF source power applied through the workpiece with a lighter-than-copper carrier gas |
JP4851108B2 (ja) | 2005-03-24 | 2012-01-11 | 富士フイルム株式会社 | 複合ペロブスカイト型化合物の膜の成膜方法、並びに、それを用いた液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP5063892B2 (ja) | 2005-12-20 | 2012-10-31 | 富士フイルム株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
US7837838B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus |
US20080083611A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-10 | Tegal Corporation | High-adhesive backside metallization |
EP1953840A3 (en) | 2007-01-31 | 2012-04-11 | Panasonic Corporation | Piezoelectric thin film device and piezoelectric thin film device manufacturing method and inkjet head and inkjet recording apparatus |
EP1973177B8 (en) | 2007-03-22 | 2015-01-21 | FUJIFILM Corporation | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device |
JP4317888B2 (ja) | 2007-08-31 | 2009-08-19 | 富士フイルム株式会社 | スパッタ方法およびスパッタ装置 |
US8066857B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-11-29 | Fujifilm Corporation | Shaped anode and anode-shield connection for vacuum physical vapor deposition |
US8043487B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-10-25 | Fujifilm Corporation | Chamber shield for vacuum physical vapor deposition |
US20100206713A1 (en) | 2009-02-19 | 2010-08-19 | Fujifilm Corporation | PZT Depositing Using Vapor Deposition |
US8557088B2 (en) | 2009-02-19 | 2013-10-15 | Fujifilm Corporation | Physical vapor deposition with phase shift |
-
2009
- 2009-02-19 US US12/389,253 patent/US8540851B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-18 KR KR1020117021524A patent/KR101371003B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61276966A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 帯電性材料の高周波スパツタリング法 |
JPS6459920A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Hitachi Ltd | Device for forming thin film |
JPH05206072A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-08-13 | Applied Materials Inc | 誘導rf結合を用いたプラズマ加工装置とその方法 |
JPH0715051A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | Ybco超電導薄膜の製造方法 |
JPH08507196A (ja) * | 1994-01-31 | 1996-07-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 共形な絶縁体フィルムを有する静電チャック |
US20030042131A1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-06 | Johnson Wayne L. | Method and apparatus for depositing films |
US6471830B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-10-29 | Veeco/Cvc, Inc. | Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system |
JP2003166047A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-06-13 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | ハロゲン化合物の成膜方法及び成膜装置、並びにフッ化マグネシウム膜 |
WO2007106660A2 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
JP2008187092A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体薄膜素子及びその製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2008266770A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
JP2008244145A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2018207577A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置および圧電膜の成膜方法 |
JP7036999B1 (ja) * | 2021-07-16 | 2022-03-15 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
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