JP2012515925A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012515925A5
JP2012515925A5 JP2011548106A JP2011548106A JP2012515925A5 JP 2012515925 A5 JP2012515925 A5 JP 2012515925A5 JP 2011548106 A JP2011548106 A JP 2011548106A JP 2011548106 A JP2011548106 A JP 2011548106A JP 2012515925 A5 JP2012515925 A5 JP 2012515925A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inspection system
tdi sensor
modular array
tdi
modular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011548106A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012515925A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/575,376 external-priority patent/US8624971B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2012515925A publication Critical patent/JP2012515925A/ja
Publication of JP2012515925A5 publication Critical patent/JP2012515925A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (49)

  1. 表面を検査するための検査システムであって、
    複数の時間遅延積分(TDI)センサーモジュールを含むモジュラーアレイであって、各TDIセンサーモジュールは、
    TDIセンサーと、
    前記TDIセンサーの駆動および処理を行うための複数の局所回路と
    を含む、モジュラーアレイと、
    前記表面からの光を受信し、前記光の一部を前記複数のTDIセンサーモジュール上へと導くように構成された光学系と、
    前記モジュラーアレイからのデータを受信する画像プロセッサと、
    を備える、検査システム。
  2. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールに低輝度照明源を分配するための少なくとも1つのライトパイプをさらに含む、検査システム。
  3. 請求項2に記載の検査システムであって、
    前記少なくとも1つのライトパイプからの光を前記複数のTDIセンサーモジュールに対して分割および分配するためのプリズムをさらに含む、検査システム。
  4. 請求項2に記載の検査システムであって、
    前記少なくとも1つのライトパイプからの光を前記複数のTDIセンサーモジュールに対して分割および分配するための鏡をさらに含む、検査システム。
  5. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記少なくとも1つのライトパイプからの光を前記複数のTDIセンサーモジュールに均等に分配するための複数のライトパイプをさらに含む、検査システム。
  6. 請求項1に記載の検査システムであって、
    第1の列のTDIセンサーモジュールは、第2の列のTDIセンサーモジュールからオフセットしている、検査システム。
  7. 請求項6に記載の検査システムであって、
    前記オフセットは、TDI走査方向に対して横方向である、検査システム。
  8. 請求項6に記載の検査システムであって、
    前記オフセットはTDI走査方向である、検査システム。
  9. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記複数の局所回路のうち少なくとも1つが、エイリアシング効果を低下させるよう、前記TDIセンサーと関連付けられたクロックを制御する、検査システム。
  10. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは同一である、検査システム。
  11. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは、異なる積分段を有する少なくとも2つのTDIセンサーを含む、検査システム。
  12. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは、TDI走査方向において整列される、検査システム。
  13. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは、同一検査領域を取り込む、検査システム。
  14. 請求項1に記載の検査システムであって、
    第1の組の前記複数のTDIセンサーモジュールはTDI走査方向において整列され、第2の組の前記複数のTDIセンサーモジュールは前記TDI走査方向において整列され、前記第1の組のTDIセンサーモジュールおよび前記第2の組のTDIセンサーモジュールは、異なる検査領域を取り込む、検査システム。
  15. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイは、前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路の取付および連結を行うためのプリント基板(PCB)をさらに含む、検査システム。
  16. 請求項15に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイはデータトランシーバーをさらに含み、前記データトランシーバーは、前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路から反対側において前記PCB上に取り付けられ、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つの処理回路が前記データトランシーバーに連結される、検査システム。
  17. 請求項16に記載の検査システムであって、
    前記少なくとも1つの処理回路はフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)である、検査システム。
  18. 請求項15に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイはフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)をさらに含み、前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)は、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つからのデジタル化信号を受信し、前記FPGAは前記PCB上に取り付けられる、検査システム。
  19. 請求項18に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイは、前記TDIセンサーから反対側において前記PCB上に取り付けられたデータトランシーバーと、前記複数の局所回路と、前記FPGAとをさらに含み、前記FPGAは前記データトランシーバーに連結される、検査システム。
  20. 請求項1に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイは、前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路の取り付けおよび連結を行うためのシリコン基板をさらに含む、検査システム。
  21. 請求項20に記載の検査システムであって、
    前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路は、前記シリコン基板の反対側に形成/取り付けされる、検査システム。
  22. 請求項20に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイは、前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路から反対側において前記シリコン基板上に取り付けられたデータトランシーバーをさらに含み、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つの処理回路が前記データトランシーバーに連結される、検査システム。
  23. 請求項20に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイはデータトランシーバーをさらに含み、前記データトランシーバーおよび前記複数の局所回路は、前記TDIセンサーの反対側において前記シリコン基板上に取り付けられ、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つの処理回路が前記データトランシーバーに連結される、検査システム。
  24. 請求項22に記載の検査システムであって、
    前記少なくとも1つの処理回路はフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)である、検査システム。
  25. 請求項20に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイはフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)をさらに含み、前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)は、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つからデジタル化信号を受信し、前記FPGAは前記シリコン基板上に取り付けられる、検査システム。
  26. 請求項25に記載の検査システムであって、
    前記モジュラーアレイは、前記TDIセンサーの反対側において前記シリコン基板上に取り付けられたデータトランシーバーと、前記複数の局所回路と、前記FPGAとを含み、前記FPGAは前記データトランシーバーに連結される、検査システム。
  27. 検査システムのためのモジュラーアレイであって、前記モジュラーアレイは、
    複数の時間遅延積分(TDI)センサーモジュールであって、各TDIセンサーモジュールは、
    TDIセンサーと
    前記TDIセンサーの駆動および処理を行うための複数の局所回路と、
    を含む、時間遅延積分(TDI)センサーモジュールと、
    を含む、モジュラーアレイ。
  28. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    第1の列のTDIセンサーモジュールは、第2の列のTDIセンサーモジュールからオフセットしている、モジュラーアレイ。
  29. 請求項28に記載のモジュラーアレイであって、
    前記オフセットは、TDI走査方向に対して横方向である、モジュラーアレイ。
  30. 請求項28に記載のモジュラーアレイであって、
    前記オフセットはTDI走査方向である、モジュラーアレイ。
  31. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記複数の局所回路のうち少なくとも1つが、エイリアシング効果を低下させるよう、前記TDIセンサーと関連付けられたクロックを制御する、モジュラーアレイ
  32. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは同一である、モジュラーアレイ。
  33. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは、異なる積分段を有する少なくとも2つのTDIセンサーを含む、モジュラーアレイ。
  34. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは、TDI走査方向において整列される、モジュラーアレイ。
  35. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記複数のTDIセンサーモジュールは、同一検査領域を取り込む、モジュラーアレイ。
  36. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    第1の組の前記複数のTDIセンサーモジュールはTDI走査方向において整列され、第2の組の前記複数のTDIセンサーモジュールは前記TDI走査方向において整列され、前記第1の組のTDIセンサーモジュールおよび前記第2の組のTDIセンサーモジュールは、異なる検査領域を取り込む、モジュラーアレイ。
  37. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路の取り付けおよび連結のためのプリント基板(PCB)をさらに含む、モジュラーアレイ。
  38. 請求項37に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路から反対側において前記PCBに取り付けられたデータトランシーバーをさらに含み、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つの処理回路が前記データトランシーバーに連結される、モジュラーアレイ。
  39. 請求項38に記載のモジュラーアレイであって、
    前記少なくとも1つの処理回路はフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)である、モジュラーアレイ。
  40. 請求項37に記載のモジュラーアレイであって、
    フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)をさらに含み、前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)は、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つからデジタル化信号を受信し、前記FPGAは前記PCB上に取り付けられる、モジュラーアレイ。
  41. 請求項40に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーから反対側において前記PCB上に取り付けられたデータトランシーバーと、前記複数の局所回路と、前記FPGAとをさらに含み、前記FPGAは前記データトランシーバーに連結される、モジュラーアレイ。
  42. 請求項27に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路の取り付けおよび連結を行うためのシリコン基板をさらに含む、モジュラーアレイ。
  43. 請求項42に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路は、前記シリコン基板の反対側に形成/取り付けされる、モジュラーアレイ
  44. 請求項42に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーおよび前記複数の局所回路から反対側において前記シリコン基板上に取り付けられたデータトランシーバーをさらに含み、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つの処理回路が前記データトランシーバーに連結される、モジュラーアレイ。
  45. 請求項42に記載のモジュラーアレイであって、
    前記モジュラーアレイはデータトランシーバーをさらに含み、前記データトランシーバーおよび前記複数の局所回路は、前記TDIセンサーの反対側において前記シリコン基板上に取り付けられ、前記複数の局所回路のうち少なくとも1つの処理回路が前記データトランシーバーに連結される、モジュラーアレイ
  46. 請求項44に記載のモジュラーアレイであって、
    前記少なくとも1つの処理回路はフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)である、モジュラーアレイ。
  47. 請求項42に記載のモジュラーアレイであって、
    前記複数の局所回路のうち少なくとも1つからデジタル化信号を受信するフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)をさらに含み、前記FPGAは前記シリコン基板に取り付けられる、モジュラーアレイ。
  48. 請求項47に記載のモジュラーアレイであって、
    前記TDIセンサーの反対側において前記シリコン基板上に取り付けられた取と、前記複数の局所回路と、前記FPGAとをさらに含み、前記FPGAは前記データトランシーバーに連結される、モジュラーアレイ。
  49. 検査システムのためのモジュラーアレイを形成する方法であって、
    複数の時間遅延積分(TDI)センサーを形成するステップと、
    前記複数のTDIセンサーからのデータを駆動および処理するための複数の回路を形成するステップであって、各TDIセンサーは、前記TDIセンサーの近隣において局所的に配置された1組の独自の前記複数の回路を有する、ステップと、
    を含む、方法。
JP2011548106A 2009-01-23 2010-01-21 高速検査のための局在駆動および信号処理回路を備えたtdiセンサーモジュール Pending JP2012515925A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14665209P 2009-01-23 2009-01-23
US61/146,652 2009-01-23
US12/575,376 US8624971B2 (en) 2009-01-23 2009-10-07 TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection
US12/575,376 2009-10-07
PCT/US2010/021682 WO2010085578A2 (en) 2009-01-23 2010-01-21 Tdi sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014207026A Division JP6130340B2 (ja) 2009-01-23 2014-10-08 検査システム、モジュラーアレイ、および、方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012515925A JP2012515925A (ja) 2012-07-12
JP2012515925A5 true JP2012515925A5 (ja) 2013-03-07

Family

ID=42353934

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011548106A Pending JP2012515925A (ja) 2009-01-23 2010-01-21 高速検査のための局在駆動および信号処理回路を備えたtdiセンサーモジュール
JP2014207026A Active JP6130340B2 (ja) 2009-01-23 2014-10-08 検査システム、モジュラーアレイ、および、方法
JP2017079412A Pending JP2017142260A (ja) 2009-01-23 2017-04-13 検査システムおよび方法
JP2019162730A Active JP6823131B2 (ja) 2009-01-23 2019-09-06 検査システム
JP2021001267A Active JP7062102B2 (ja) 2009-01-23 2021-01-07 検査システムおよび方法

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014207026A Active JP6130340B2 (ja) 2009-01-23 2014-10-08 検査システム、モジュラーアレイ、および、方法
JP2017079412A Pending JP2017142260A (ja) 2009-01-23 2017-04-13 検査システムおよび方法
JP2019162730A Active JP6823131B2 (ja) 2009-01-23 2019-09-06 検査システム
JP2021001267A Active JP7062102B2 (ja) 2009-01-23 2021-01-07 検査システムおよび方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8624971B2 (ja)
JP (5) JP2012515925A (ja)
WO (1) WO2010085578A2 (ja)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8624971B2 (en) * 2009-01-23 2014-01-07 Kla-Tencor Corporation TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection
JP5748748B2 (ja) 2009-06-19 2015-07-15 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation 極紫外線検査システム
US8575576B2 (en) * 2011-02-14 2013-11-05 Kla-Tencor Corporation Optical imaging system with laser droplet plasma illuminator
US8971588B2 (en) * 2011-03-30 2015-03-03 General Electric Company Apparatus and method for contactless high resolution handprint capture
US9793673B2 (en) 2011-06-13 2017-10-17 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US8947521B1 (en) 2011-08-08 2015-02-03 Kla-Tencor Corporation Method for reducing aliasing in TDI based imaging
US8748828B2 (en) * 2011-09-21 2014-06-10 Kla-Tencor Corporation Interposer based imaging sensor for high-speed image acquisition and inspection systems
US9049353B2 (en) 2011-09-28 2015-06-02 Semiconductor Components Industries, Llc Time-delay-and-integrate image sensors having variable integration times
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US8754972B2 (en) 2012-02-01 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications
US9496425B2 (en) 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US9151940B2 (en) 2012-12-05 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US9426400B2 (en) 2012-12-10 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9448343B2 (en) * 2013-03-15 2016-09-20 Kla-Tencor Corporation Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
US9658170B2 (en) * 2013-06-26 2017-05-23 Kla-Tencor Corporation TDI imaging system with variable voltage readout clock signals
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
US9410901B2 (en) 2014-03-17 2016-08-09 Kla-Tencor Corporation Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article
US9804101B2 (en) 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
TWI640843B (zh) * 2014-04-02 2018-11-11 美商克萊譚克公司 用於產生遮罩之高密度對位映圖的方法、系統及電腦程式產品
FR3024312B1 (fr) * 2014-07-28 2016-07-15 E2V Semiconductors Procede de capture d'image, a defilement et integration de signal, corrigeant des defauts d'image dus a des particules cosmiques
US9767986B2 (en) 2014-08-29 2017-09-19 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples
US9419407B2 (en) 2014-09-25 2016-08-16 Kla-Tencor Corporation Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus
US9891177B2 (en) 2014-10-03 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation TDI sensor in a darkfield system
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system
JP6192626B2 (ja) * 2014-10-09 2017-09-06 三菱電機株式会社 Ccdイメージセンサ及びその画素群の配置方法
US9860466B2 (en) 2015-05-14 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems
US10748730B2 (en) 2015-05-21 2020-08-18 Kla-Tencor Corporation Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer
US10462391B2 (en) 2015-08-14 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Dark-field inspection using a low-noise sensor
US9525423B1 (en) * 2015-09-23 2016-12-20 Xilinx, Inc. Power distribution network IP block
US10313622B2 (en) 2016-04-06 2019-06-04 Kla-Tencor Corporation Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor
US10778925B2 (en) 2016-04-06 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology
US10429321B2 (en) 2016-08-29 2019-10-01 Kla-Tencor Corporation Apparatus for high-speed imaging sensor data transfer
US10141156B2 (en) 2016-09-27 2018-11-27 Kla-Tencor Corporation Measurement of overlay and edge placement errors with an electron beam column array
CN107884318B (zh) * 2016-09-30 2020-04-10 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种平板颗粒度检测方法
KR102650388B1 (ko) 2016-11-23 2024-03-25 삼성전자주식회사 검사 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10175555B2 (en) 2017-01-03 2019-01-08 KLA—Tencor Corporation 183 nm CW laser and inspection system
US11333621B2 (en) 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
US11317500B2 (en) 2017-08-30 2022-04-26 Kla-Tencor Corporation Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology
US10959318B2 (en) 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
US11114489B2 (en) 2018-06-18 2021-09-07 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
US10943760B2 (en) 2018-10-12 2021-03-09 Kla Corporation Electron gun and electron microscope
US11114491B2 (en) 2018-12-12 2021-09-07 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
CN110335885B (zh) * 2019-04-29 2021-09-17 上海天马微电子有限公司 显示模组及显示模组的显示方法、显示装置
CN110189704B (zh) * 2019-06-28 2021-10-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种电致发光显示面板、其驱动方法及显示装置
US11259394B2 (en) 2019-11-01 2022-02-22 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target
US11272607B2 (en) 2019-11-01 2022-03-08 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target
US11143604B1 (en) 2020-04-06 2021-10-12 Kla Corporation Soft x-ray optics with improved filtering
US11848350B2 (en) 2020-04-08 2023-12-19 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer
JP7440354B2 (ja) * 2020-06-26 2024-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
CN112055157B (zh) * 2020-09-21 2021-06-29 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 多组tdi成像的摄像同步性控制系统

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4106046A (en) 1977-01-26 1978-08-08 Westinghouse Electric Corp. Radiant energy sensor
US4112316A (en) * 1977-04-28 1978-09-05 Westinghouse Electric Corp. Charge coupled device circuit with increased signal bandwidth
US4280141A (en) 1978-09-22 1981-07-21 Mccann David H Time delay and integration detectors using charge transfer devices
US4382267A (en) 1981-09-24 1983-05-03 Rca Corporation Digital control of number of effective rows of two-dimensional charge-transfer imager array
US4580155A (en) 1982-12-21 1986-04-01 Northern Telecom Limited Deep depletion CCD imager
JPH0564090A (ja) * 1991-09-05 1993-03-12 Canon Inc 撮像装置
US5440648A (en) 1991-11-19 1995-08-08 Dalsa, Inc. High speed defect detection apparatus having defect detection circuits mounted in the camera housing
US5434629A (en) * 1993-12-20 1995-07-18 Focus Automation Systems Inc. Real-time line scan processor
US5684583A (en) 1994-06-27 1997-11-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Apparatus for detecting foreign matter in a fluid
JPH08186241A (ja) * 1995-01-06 1996-07-16 Canon Inc 撮像素子と固体撮像装置
FR2733111B1 (fr) * 1995-04-11 1997-05-23 Thomson Csf Procede de detection a cycles d'integration et de lecture repartis pour camera a balayage, et barrette de detection correspondante
JPH09189610A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Nippon Avionics Co Ltd 2次元時間遅延積分型熱画像装置
DE19714221A1 (de) 1997-04-07 1998-10-08 Zeiss Carl Fa Konfokales Mikroskop mit einem motorischen Scanningtisch
JPH11153516A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Toppan Printing Co Ltd 画像撮像装置
JP2882409B1 (ja) 1998-04-24 1999-04-12 株式会社東京精密 外観検査装置
US9029793B2 (en) 1998-11-05 2015-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Imaging device
US6867406B1 (en) 1999-03-23 2005-03-15 Kla-Tencor Corporation Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement
JP4298061B2 (ja) * 1999-06-03 2009-07-15 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 固体撮像装置
US20010050331A1 (en) * 1999-12-30 2001-12-13 Yung Benjamin P. Staggered bilinear sensor
US7046283B1 (en) * 2000-10-11 2006-05-16 Dalsa, Inc. Arrangements of clock line drivers
KR20020084541A (ko) 2001-05-02 2002-11-09 (주)한비젼 이동형 단말기기에 적용 가능한 초박형 영상모듈의 구현
US7009163B2 (en) * 2001-06-22 2006-03-07 Orbotech Ltd. High-sensitivity optical scanning using memory integration
US7233350B2 (en) * 2002-01-05 2007-06-19 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with interleaved image output
US7227984B2 (en) * 2003-03-03 2007-06-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a substrate surface by using dithering to reconstruct under-sampled images
JP2005012449A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Alps Electric Co Ltd Ccdセンサ
FR2856872B1 (fr) * 2003-06-27 2005-09-23 Atmel Grenoble Sa Capteur d'image a barrettes lineaires aboutees
JP2005158780A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP4185037B2 (ja) * 2004-10-14 2008-11-19 株式会社東芝 欠陥検査装置
US7952633B2 (en) * 2004-11-18 2011-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
US7609309B2 (en) 2004-11-18 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuous clocking of TDI sensors
JP4713185B2 (ja) * 2005-03-11 2011-06-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物欠陥検査方法及びその装置
US7528943B2 (en) 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
KR100770690B1 (ko) * 2006-03-15 2007-10-29 삼성전기주식회사 카메라모듈 패키지
JP2007295105A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Mitsubishi Electric Corp 撮像装置
JP4695552B2 (ja) * 2006-06-28 2011-06-08 富士フイルム株式会社 画像処理装置及び方法
JP2008096430A (ja) * 2006-09-13 2008-04-24 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法およびその装置
US20080068593A1 (en) 2006-09-13 2008-03-20 Hiroyuki Nakano Method and apparatus for detecting defects
US7675561B2 (en) * 2006-09-28 2010-03-09 Cypress Semiconductor Corporation Time delayed integration CMOS image sensor with zero desynchronization
JP2008224303A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Toray Eng Co Ltd 自動外観検査装置
US8126255B2 (en) * 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
IL188825A0 (en) * 2008-01-16 2008-11-03 Orbotech Ltd Inspection of a substrate using multiple cameras
GB0802478D0 (en) 2008-02-11 2008-03-19 Cmosis Nv Tiem delay integration in imaging device
US8624971B2 (en) * 2009-01-23 2014-01-07 Kla-Tencor Corporation TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012515925A5 (ja)
WO2010085578A3 (en) Tdi sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection
JP5852527B2 (ja) 3次元形状測定方法および基板検査方法
JP2018198427A (ja) インターポーザベースの画像センシングデバイス、及び、検査システム
JP2009260553A5 (ja)
EP3623842A1 (en) Photodetector array on curved substrate
EP1814314A3 (en) Image sensing devices, image sensor modules, and associated methods
JP2013517474A (ja) 基板検査装置
JP3686329B2 (ja) 表面検査用照明装置及び表面検査装置
WO2002029885A3 (en) Optical signal routing method and apparatus providing multiple inspection collection points on semiconductor manufacturing systems
WO2009041709A3 (en) Localized surface plasmon resonance sensor and method of detecting a target substance using said sensor
MY167163A (en) System and method for capturing illumination reflected in multiple directions
US6437312B1 (en) Illumination for inspecting surfaces of articles
JP2007078404A (ja) 太陽電池パネル検査装置
WO2009112704A8 (fr) Dispositif d'inspection de plaquettes semi-conductrices
JP2008300394A5 (ja)
JP2004251892A5 (ja)
JP6122310B2 (ja) 検査装置
TWM467872U (zh) 光學檢查設備的取像系統
WO2008120883A1 (en) Apparatus for inspection of semiconductor device and method for inspection using the same
US7535244B2 (en) Apparatus for testing a semiconductor device
JP2013089871A5 (ja)
JP6831649B2 (ja) 外観検査方法および表面検査装置
CN105865512A (zh) 双头字符视觉检测系统
KR20070068170A (ko) 비전 검사 시스템 및 그를 이용한 검사 방법