JP2004251892A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された、放射線を電気信号に変換する第１の半導体変換素子と、前記第１の半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、を含む複数の変換部と、
   複数のプリント配線基板と、を有し、
   前記複数の変換部は、複数の画素領域に区分けされ、前記画素領域毎に対応する前記プリント配線基板に接続され、
   一部の前記画素領域内に、放射線の照射量を検出するために前記基板上に配置された第２の半導体変換素子を有し、前記第２の半導体変換素子が前記一部の前記画素領域に対応する前記プリント配線基板に接続されていることを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記変換部には、前記スイッチ素子の動作を制御する制御配線と、前記スイッチ素子を介して前記第１の半導体変換素子から出力された信号を伝達する信号線と、が配置され、
   前記第２の半導体変換素子が接続されたプリント配線基板には、前記信号線が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記第１の半導体変換素子は、第１の面積の半導体変換素子と、前記第１の面積よりも小さい第２の面積の半導体変換素子と、を含み、
   前記第２の面積の半導体変換素子は、前記第２の半導体変換素子に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
4. 前記第２の半導体変換素子は、前記第１の半導体変換素子を前記基板の互いに対向する２辺に平行な境界線によって同数ずつからなる２群に区分けしたときに、前記境界線を対称の軸として線対称に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
5. 前記プリント配線基板には、半導体チップが実装されており、
   前記変換部は、前記半導体チップに接続され、
   前記第２の半導体変換素子は、前記半導体チップに接続されていないことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
6. 前記プリント配線基板は、前記半導体チップに接続されていない予備配線を更に有し、前記第２の半導体変換素子は前記予備配線に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
7. 前記半導体チップに接続された読み出し回路と、前記読み出し回路とは別途設けられ、前記予備配線に接続された、前記放射線の照射量を検出するための回路と、を更に有することを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
8. 前記放射線を発生させる放射線源と、
   前記放射線源から入射された放射線を電気信号に変換する請求項１に記載の放射線撮像装置と、
   前記放射線撮像装置から出力された電気信号を画像処理する画像処理手段と、
   前記画像処理手段により画像処理された電気信号を表示する表示手段と、
   を有することを特徴とする放射線撮像システム。
9. 前記画像処理手段から出力された電気信号を伝送する伝送処理手段を更に備え、前記画像処理手段は、前記伝送処理手段を介して前記表示手段に前記電気信号を出力することを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像システム。