JP2012515698A5 - - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 17
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009005837A DE102009005837B4 (de) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumdünnstäben |
| DE102009005837.0 | 2009-01-21 | ||
| PCT/DE2010/000070 WO2010083818A1 (de) | 2009-01-21 | 2010-01-19 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von siliziumdünnstäben |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012515698A JP2012515698A (ja) | 2012-07-12 |
| JP2012515698A5 true JP2012515698A5 (enExample) | 2012-12-20 |
| JP5559203B2 JP5559203B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=42109319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011546591A Expired - Fee Related JP5559203B2 (ja) | 2009-01-21 | 2010-01-19 | シリコン心棒を製造する方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8197595B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2379783B1 (enExample) |
| JP (1) | JP5559203B2 (enExample) |
| CN (1) | CN102292475B (enExample) |
| DE (1) | DE102009005837B4 (enExample) |
| DK (1) | DK2379783T3 (enExample) |
| WO (1) | WO2010083818A1 (enExample) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112012003162T5 (de) * | 2011-07-29 | 2014-04-17 | Ats Automation Tooling Systems Inc. | Systeme und Verfahren zum Herstellen dünner Siliziumstäbe |
| RU2507318C1 (ru) * | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Закрытое Акционерное Общество "Валенсия" | Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) |
| CN103147118B (zh) * | 2013-02-25 | 2016-03-30 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 |
| CN103993352A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-08-20 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种使籽晶转动的硅芯拉制方法 |
| CN105274616B (zh) * | 2014-06-18 | 2018-03-09 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 一种提高硅芯母料利用率的方法 |
| KR101611053B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2016-04-11 | 오씨아이 주식회사 | 폴리실리콘 절편을 이용한 폴리실리콘 필라멘트 접합장치 |
| CN104264221A (zh) * | 2014-09-10 | 2015-01-07 | 河南协鑫光伏科技有限公司 | 一种生产原生多晶硅用方型硅芯材料及制备方法 |
| DE102014226419A1 (de) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone |
| CN106757310A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种硅芯拉制装置 |
| CN109576778A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-04-05 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种降低cz法制备单晶的杂质含量的方法 |
| CN114455587B (zh) * | 2022-01-26 | 2023-07-21 | 何良雨 | 一种高纯多晶硅生产装置和方法 |
| WO2025060333A1 (zh) * | 2023-09-22 | 2025-03-27 | 洛阳长缨新能源科技有限公司 | 多圈籽晶差动升降装置及使多圈籽晶差动升降的方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1544301A1 (de) * | 1966-09-28 | 1970-05-27 | Siemens Ag | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes |
| DE2458490A1 (de) | 1974-12-10 | 1976-06-16 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines siliciumhalbleiterkristallstabes durch tiegelfreies zonenschmelzen |
| US4220839A (en) * | 1978-01-05 | 1980-09-02 | Topsil A/S | Induction heating coil for float zone melting of semiconductor rods |
| DD141536A1 (de) * | 1979-01-22 | 1980-05-07 | Dietmar Taenzer | Verfahren zur herstellung kristalliner staebchen aus einer schmelze |
| DE2952602A1 (de) | 1979-12-28 | 1981-07-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium-duennstaeben |
| DD226599B1 (de) * | 1984-09-10 | 1990-10-10 | Spurenmetalle Freiberg Veb Kom | Vorrichtung zur herstellung von silizium-duennstaeben |
| US7335257B2 (en) * | 2003-02-11 | 2008-02-26 | Topsil Semiconductor Materials A/S | Apparatus for and method of manufacturing a single crystal rod |
| CN1247831C (zh) * | 2003-11-14 | 2006-03-29 | 中国科学院物理研究所 | 一种碳化硅晶体生长装置 |
| JP5080971B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2012-11-21 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 結晶製造装置に溶融ソース材料を装入する方法および溶融装置アッセンブリ |
| DE102005016776B4 (de) | 2005-04-06 | 2009-06-18 | Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd polygonalem Querschnitt |
| US20110204044A1 (en) * | 2008-11-25 | 2011-08-25 | Chaoxuan Liu | High-frequency coil pulling holes arrangement for producing multiple silicon cores |
| JP5313354B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-10-09 | ルオヤン ジンヌオ メカニカル エンジニアリング カンパニー リミテッド | 複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置 |
-
2009
- 2009-01-21 DE DE102009005837A patent/DE102009005837B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-19 CN CN201080004883.3A patent/CN102292475B/zh active Active
- 2010-01-19 JP JP2011546591A patent/JP5559203B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-19 WO PCT/DE2010/000070 patent/WO2010083818A1/de not_active Ceased
- 2010-01-19 DK DK10706486.7T patent/DK2379783T3/da active
- 2010-01-19 US US13/143,738 patent/US8197595B2/en active Active
- 2010-01-19 EP EP10706486.7A patent/EP2379783B1/de not_active Not-in-force
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