JP2012508955A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. エリア放射発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスであって、
   ａ）内部基板表面、該内部基板表面の反対側にある外部基板表面、及び基板エッジを有する基板と、
   ｂ）前記内部基板表面上に形成されるエリア放射ＬＥＤピクセルのアレイであって、前記基板エッジと、該基板エッジに最も近い前記内部基板表面上のＬＥＤピクセルとの間にエッジギャップがある、エリア放射ＬＥＤピクセルのアレイと、
   ｃ）前記エリア放射ＬＥＤピクセルのそれぞれと前記内部基板表面間の層、または、前記内部基板表面の反対側の前記ＬＥＤピクセルのそれぞれの面上の層に形成されたカラーフィルターのアレイと、
   ｄ）前記エリア放射ＬＥＤピクセル間の層に形成されたブラックマトリックスと、
   ｅ）前記エッジギャップ内に、かつ前記ＬＥＤピクセルの少なくとも部分的に外側に形成される光抽出構造と、
   ｆ）エリア放射ＬＥＤピクセルの前記アレイの前記エッジギャップに隣接する他のエッジギャップを有するエリア放射ＬＥＤピクセルの他のアレイと
   を備え、
   前記エッジギャップは、エリア放射ＬＥＤピクセルの前記アレイの平均エリアルミナンスの５％〜１５０％の間で放射する、エリア放射発光ダイオードデバイス。
2. 前記光抽出構造と組み合わせて反射面が形成される、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
3. 前記光抽出構造は前記外部基板表面上若しくは該外部基板表面内に、又は前記内部基板表面上若しくは該内部基板表面内に、又は前記基板エッジ上若しくは該基板エッジ内に配置される、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
4. 前記ピクセルは前記基板を通して光を放射し、前記外部基板表面に接着される円偏光子をさらに備える、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
5. 前記光抽出構造は、前記基板エッジに最も近いピクセル間にさらに形成される、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
6. 前記エッジギャップは隣接するピクセル間の距離よりも大きい、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
7. 前記アレイ内の他のＬＥＤピクセルに比べて少ない電流で前記基板エッジに最も近い少なくとも１つのＬＥＤピクセルを駆動するためのコントローラーをさらに備える、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
8. 前記基板エッジの少なくとも一部は、前記内部基板表面又は前記外部基板表面に対して９０度以外の角度で形成される、角度を成す表面である、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
9. 前記角度を成す表面は、傾斜するか、又は部分的に傾斜し、前記内部基板表面又は前記外部基板表面に対して０度〜９０度の角度を有する平坦な表面を形成する、請求項８に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
10. 前記角度を成す表面は５５度〜６５度の角度を有する、請求項８に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
11. 前記角度を成す表面は光学的表面であり、前記ＬＥＤピクセルのうちの少なくともいくつかが前記エッジギャップのエリア内に結像されるようにされる、請求項１０８に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
12. 前記角度を成す表面は、曲面を成す、請求項８に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
13. 前記内部基板表面に接着される内部カバー表面、該内部カバー表面の反対側にある外部カバー表面、及びカバーエッジを有するカバーをさらに備え、前記光抽出構造は、前記内部カバー表面、前記外部カバー表面又は前記カバーエッジ上に配置される、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
14. 前記カバーは透明であり、前記ピクセルは前記カバーを通して光を放射し、前記外部カバー表面に接着される円偏光子をさらに備える、請求項１３に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
15. 請求項１に記載の複数のエリア放射発光ダイオードデバイスから形成されるタイルを有するエリア放射発光デバイスであって、隣接するタイルの基板エッジは当接する、エリア放射発光デバイス。
16. 各タイルの前記基板エッジの少なくとも一部は、前記タイルの前記内部基板表面又は前記外部基板表面に対して９０度以外の角度で形成される、角度を成す表面を有し、前記タイルの当接する基板エッジは平行な表面を有する、請求項１５に記載のエリア放射発光デバイス。
17. 前記各タイルの前記基板エッジの少なくとも一部は、前記タイルの前記内部基板表面又は前記外部基板表面に対して９０度以外の角度で形成される、角度を成す表面を有し、前記タイルの当接する基板エッジは、同じ角度で形成される、角度を成す表面を有する、請求項１５に記載のエリア放射発光デバイス。
18. 前記光抽出構造は、拡散体、散乱層、１つ又は複数のレンズレット、明度向上フィルター、回折格子、反射若しくは屈折素子、又はフォトニック結晶である、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。
19. 前記エッジギャップは、エリア放射ＬＥＤピクセルの前記アレイの平均エリアルミナンスの５０％〜１２０％の間で放射する、請求項１に記載のエリア放射発光ダイオードデバイス。