CN105226078B - 显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备，属于显示技术领域。该显示器包括：第一衬底基板；所述第一衬底基板上形成有低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，所述开关控制电路用于控制所述MEMS微镜阵列的开启和关闭；形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有所述发光结构。本发明解决显示器显示质量较差的问题，实现提高显示质量的效果，用于图像显示。

Description

显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备。
背景技术
随着移动通信技术的快速发展，越来越多的电子产品具有移动通信功能，如可穿戴设备。可穿戴设备因其简单、快捷、人性化等特点受到了广泛关注。可穿戴设备的显示器大部分采用有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示技术对图像进行显示。OLED显示技术主要通过低温多晶硅(英文：Low Temperature PloySilicon；简称：LTPS)技术来实现。
现有技术中的可穿戴设备的显示器的显示区域通常不是规则的矩形，而是圆形等异形结构，该结构的像素排列如图1所示，像素排列得接近圆形。图1中的100为像素。
由于上述可穿戴设备的显示器的显示区域不是规则的矩形，尽管像素排列得非常接近圆形，但无法成为圆形，显示区域周边的像素排列呈阶梯状，所以当显示器对图像进行显示时，图像周边会呈锯齿状，直接影响图像的显示效果，因此，显示质量较差。
发明内容
为了解决显示器显示质量较差的问题，本发明提供了一种显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示器，所述显示器包括：
第一衬底基板；
所述第一衬底基板上形成有低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；
形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，所述开关控制电路用于控制所述MEMS微镜阵列的开启和关闭；
形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有所述发光结构。
可选的，所述MEMS微镜阵列包括：
在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域上间隔设置的第一下电极和第二下电极；
形成有所述第一下电极和所述第二下电极的第一衬底基板上形成有支撑柱，所述支撑柱位于所述第一下电极和所述第二下电极之间；
形成有所述支撑柱的第一衬底基板上形成有上电极，所述上电极在所述开关控制电路的控制下旋转预设角度后，对所述显示区域发出的光进行反射。
可选的，所述显示器还包括：
形成有所述发光结构的第一衬底基板上形成有第二衬底基板。
可选的，所述支撑柱由多晶硅，二氧化硅或铝制成。
可选的，所述发光结构为电致发光结构。
第二方面，提供了一种显示器的制造方法，所述制造方法包括：
在第一衬底基板上形成低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；
在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，所述开关控制电路用于控制所述MEMS微镜阵列的开启和关闭；
在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构。
可选的，所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极，所述在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列，包括：
在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成所述下电极；
对形成有所述下电极的第一衬底基板进行图案化，形成所述第一下电极和所述第二下电极，所述第一下电极和所述第二下电极之间存在间隙；
在形成有所述第一下电极和所述第二下电极的第一衬底基板上形成牺牲层；
对所述牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层和由所述第一下电极、所述第二下电极、所述残余牺牲层、所述LTPS背板围成的空腔，所述空腔的宽度等于所述第一下电极和所述第二下电极之间的间隙；
向所述空腔填充支撑材料，形成所述支撑柱；
在形成有所述支撑柱的第一衬底基板上形成所述上电极，所述上电极在所述开关控制电路的控制下旋转预设角度后，对所述显示区域的发光结构发出的光进行反射；
对所述残余牺牲层进行移除，形成所述MEMS微镜阵列。
可选的，在所述在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构之后，所述方法还包括：
在形成有所述发光结构的第一衬底基板上形成第二衬底基板。
可选的，在形成有所述发光结构的第一衬底基板上形成第二衬底基板之后，所述方法还包括：
通过OLED蒸镀技术和OLED封装技术形成所述显示器。
可选的，所述支撑材料为多晶硅，二氧化硅或铝。
可选的，所述发光结构为电致发光结构。
第三方面，提供了一种显示器的制造装置，所述制造装置包括：
背板形成单元，用于在第一衬底基板上形成低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；
微镜阵列形成单元，用于在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，所述开关控制电路用于控制所述MEMS微镜阵列的开启和关闭；
发光结构形成单元，用于在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构。
可选的，所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极，所述微镜阵列形成单元，包括：
下电极形成子单元，用于在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成所述下电极；
第一形成子单元，用于对形成有所述下电极的第一衬底基板进行图案化，形成所述第一下电极和所述第二下电极，所述第一下电极和所述第二下电极之间存在间隙；
牺牲层形成子单元，用于在形成有所述第一下电极和所述第二下电极的第一衬底基板上形成牺牲层；
第二形成子单元，用于对所述牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层和由所述第一下电极、所述第二下电极、所述残余牺牲层、所述LTPS背板围成的空腔，所述空腔的宽度等于所述第一下电极和所述第二下电极之间的间隙；
支撑柱形成子单元，用于向所述空腔填充支撑材料，形成所述支撑柱；
上电极形成子单元，用于在形成有所述支撑柱的第一衬底基板上形成所述上电极，所述上电极在所述开关控制电路的控制下旋转预设角度后，对所述显示区域的发光结构发出的光进行反射；
移除子单元，用于对所述残余牺牲层进行移除，形成所述MEMS微镜阵列。
可选的，所述制造装置还包括：
第一形成单元，用于在形成有所述发光结构的第一衬底基板上形成第二衬底基板。
可选的，所述制造装置还包括：
第二形成单元，用于通过OLED蒸镀技术和OLED封装技术形成所述显示器。
可选的，所述支撑材料为多晶硅，二氧化硅或铝。
可选的，所述发光结构为电致发光结构。
第四方面，提供了一种显示器的显示方法，所述显示器为第一方面所述的显示器，所述显示器包括形成有低温多晶硅LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列，形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有发光结构，所述LTPS背板形成有开关控制电路，所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极，所述显示方法包括：
在需要进行图像显示时，通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
在不需要进行图像显示时，通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置。
可选的，所述通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置，包括：
通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加第一异性电压，同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第二下电极施加电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
或者，通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加所述第一异性电压，同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第一同性电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置。
可选的，所述通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置，包括：
通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第二异性电压，同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第一下电极施加电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
或者，通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加所述第二异性电压，同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加第二同性电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置。
可选的，所述第一异性电压或所述第一同性电压使所述上电极向靠近所述显示区域的方向转动预设角度。
可选的，所述第二异性电压或所述第二同性电压使所述上电极向远离所述显示区域的方向转动预设角度。
可选的，所述预设角度大于等于0度且小于等于12度。
第五方面，提供了一种可穿戴设备，包括第一方面所述的显示器。
本发明提供了一种显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备，由于该显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的微机电系统(英文：Micro-Electro-Mechanical System；简称：MEMS)微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的显示区域的像素排列的结构示意图；
图2-1是本发明实施例提供的一种显示器的结构示意图；
图2-2是本发明实施例提供的另一种显示器的结构示意图；
图2-3是本发明实施例提供的又一种显示器的结构示意图；
图2-4至图2-6是本发明实施例提供的一种显示器的组成示意图；
图2-7是本发明实施例提供的显示器的一种显示区域和非显示区域的俯视图；
图3是本发明实施例提供的一种显示器的制造方法的流程图；
图4-1是本发明实施例提供的另一种显示器的制造方法的流程图；
图4-2是本发明实施例提供的一种形成LTPS背板的结构示意图；
图4-3是本发明实施例提供的一种形成MEMS微镜阵列的结构示意图；
图4-4是本发明实施例提供的一种形成MEMS微镜阵列的流程图；
图4-5是本发明实施例提供的一种形成下电极的结构示意图；
图4-6是本发明实施例提供的一种形成第一下电极和第二下电极的结构示意图；
图4-7是本发明实施例提供的一种形成第一下电极和第二下电极的流程图；
图4-8至图4-11是图4-7对应的形成第一下电极和第二下电极的结构示意图；
图4-12是本发明实施例提供的一种形成牺牲层的结构示意图；
图4-13是本发明实施例提供的一种形成残余牺牲层的结构示意图；
图4-14是本发明实施例提供的一种形成支撑柱的结构示意图；
图4-15是本发明实施例提供的一种形成上电极的结构示意图；
图4-16是本发明实施例提供的一种移除残余牺牲层后的MEMS微镜阵列的结构示意图；
图5-1是本发明实施例提供的一种显示器的制造装置的结构示意图；
图5-2是本发明实施例提供的一种微镜阵列形成单元的结构示意图；
图5-3是本发明实施例提供的另一种显示器的制造装置的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种显示器的显示方法的流程图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种显示器，如图2-1所示，该显示器包括：
第一衬底基板01；第一衬底基板01上形成有LTPS背板02，LTPS背板02形成有开关控制电路(图2-1未画出)；形成有LTPS背板02的第一衬底基板01的非显示区域A形成有MEMS微镜阵列03，MEMS微镜阵列03用于反射显示区域B的发光结构04发出的光，开关控制电路用于控制MEMS微镜阵列的开启和关闭；形成有MEMS微镜阵列03的第一衬底基板01的显示区域B形成有发光结构04。
综上所述，本发明实施例提供的显示器，由于该显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量。
如图2-2所示，MEMS微镜阵列03包括：在形成有LTPS背板02的第一衬底基板01的非显示区域A上间隔设置的第一下电极031和第二下电极032；形成有第一下电极031和第二下电极032的第一衬底基板01上形成有支撑柱033，支撑柱033位于第一下电极031和第二下电极032之间；形成有支撑柱033的第一衬底基板01上形成有上电极034，上电极034在开关控制电路的控制下旋转预设角度后，对显示区域B的发光结构04发出的光进行反射。MEMS微镜阵列可以包括多个MEMS微镜，每个MEMS微镜均包括第一下电极、第二下电极、支撑柱及上电极。
如图2-3所示，该显示器还包括：形成有发光结构04的第一衬底基板01上形成有第二衬底基板05。图2-3中的02为LTPS背板，03为MEMS微镜阵列。
可选的，支撑柱由多晶硅，二氧化硅或铝制成；发光结构为电致发光结构。
图2-4至图2-6示出了显示器的结构示意图，如图2-4所示，该显示器包括第一衬底基板01、LTPS背板02、发光结构04、MEMS微镜阵列03、开关控制电路06、第二衬底基板05。其中，MEMS微镜阵列03包括：第一下电极031和第二下电极032，形成于第一下电极031和第二下电极032之间的支撑柱033，形成在支撑柱033之上的上电极034。发光结构04包括：电极层041和发光层042。发光层042由发光材料组成。发光结构利用发光材料在电场作用下产生光的特性，将电能转换为光能。图2-4中，021为遮光层金属(英文：Shielding Metal；简称：SM)；022为缓冲层(Buffer)，023为多晶硅层(英文：polycrystalline silicon；简称：P-Si)，024为栅极绝缘层(英文：Gate Insulator；简称：GI)，025为中间绝缘层或中间介电层(英文：inter-layer Dielectric；简称：ILD)，026为钝化层(英文：Passivation；简称：PVX)，027为源漏极，028为薄膜晶体管栅极，029为平坦化层(英文：Planarization Layer；简称:PL)，0421为电致发光(英文：Electroluminescence；简称：EL)图案，0422为像素定义层(英文：Pixel Definition Layer；简称：PDL)。
在需要进行图像显示时，通过开关控制电路06控制上电极034、第一下电极031和第二下电极032的电压，使上电极034旋转至能够反射显示区域的发光结构04发出的光的位置，进而使发光结构04发出的光从第二衬底基板05射出。如图2-5所示。图2-5中的其他标号可以参考图2-4进行说明。
在不需要进行图像显示时，通过开关控制电路06控制上电极034、第一下电极031和第二下电极032的电压，使上电极034旋转至无法反射显示区域的发光结构04发出的光的位置，如图2-6所示。图2-6中的其他标号可以参考图2-4进行说明。
需要说明的是，图2-4至图2-6所示的显示器的结构图是各个部分分解出来的结构图，而不是实际制造出来的显示器的结构图。
图2-7示出了本发明实施例提供的显示器的一种显示区域和非显示区域的俯视图，图2-7中的矩形区域为显示区域B，矩形之外的区域为非显示区域A。其中，显示区域B和非显示区域A形成有LTPS背板(图2-7未画出)，LTPS背板形成有开关控制电路，显示区域B形成有发光结构(图2-7未画出)，显示区域B周边的区域即非显示区域A形成有MEMS微镜阵列03，MEMS微镜阵列03用于反射显示区域B的发光结构发出的光。需要说明的是，显示区域的形状可以为矩形，也可以为圆形等异形形状，本发明实施例对显示区域的形状不做限定。
本发明实施例提供的显示器，通过MEMS微镜阵列反射显示区域的发光结构发出的光，解决了异形显示区域显示的图像周边存在锯齿状的问题，适用于所有异形显示区域的窄边框显示装置。
综上所述，本发明实施例提供的显示器，由于该显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量，有效提高用户体验度。
本发明实施例提供了一种显示器的制造方法，如图3所示，该制造方法包括：
步骤301、在第一衬底基板上形成LTPS背板，该LTPS背板形成有开关控制电路控制。
步骤302、在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成MEMS微镜阵列，该MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，开关控制电路用于控制MEMS微镜阵列的开启和关闭。
步骤303、在形成有MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成发光结构。
综上所述，本发明实施例提供的显示器的制造方法，由于显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量。
本发明实施例提供了另一种显示器的制造方法，如图4-1所示，该制造方法包括：
步骤401、在第一衬底基板上形成LTPS背板。
如图4-2所示，在第一衬底基板01上形成LTPS背板02，LTPS背板02形成有开关控制电路控制(图4-2未画出)。
步骤402、在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成MEMS微镜阵列。
如图4-3所示，在形成有LTPS背板02的第一衬底基板01的非显示区域A形成MEMS微镜阵列03。MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，开关控制电路用于控制MEMS微镜阵列的开启和关闭。
具体的，MEMS微镜阵列可以包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极。相应的，步骤402如图4-4所示，包括：
步骤4021、在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成下电极。
如图4-5所示，在形成有LTPS背板02的第一衬底基板01的非显示区域A形成下电极003。
步骤4022、对形成有下电极的第一衬底基板进行图案化，形成第一下电极和第二下电极。
如图4-6所示，对形成有下电极的第一衬底基板01进行图案化，形成第一下电极031和第二下电极032。第一下电极031和第二下电极032之间存在间隙。图4-6中的02为LTPS背板。
其中，如图4-7所示，步骤4022可以包括：
步骤4022a、在形成有下电极的第一衬底基板涂覆负性光刻胶。
如图4-8所示，在形成有下电极003的第一衬底基板01涂覆负性光刻胶07。图4-8中的02为LTPS背板。
步骤4022b、采用掩膜版对涂覆有光刻胶的第一衬底基板进行曝光。
如图4-9所示，采用掩膜版10的不透光区域11，对涂覆有负性光刻胶07的第一衬底基板01进行曝光。采用掩膜版对涂覆有负性光刻胶的第一衬底基板进行曝光的过程可以参考相关技术，在此不再赘述。图4-9中的02为LTPS背板。
步骤4022c、对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到第一下电极和第二下电极。
如图4-10所示，对曝光后的第一衬底基板01进行显影，未感光的负性光刻胶07溶解于负性光刻胶的显影液。示例的，该显影液可以为丁酮、甲苯等。然后对显影后的第一衬底基板01进行刻蚀，得到第一下电极031和第二下电极032。图4-10中的02为LTPS背板。
步骤4022d、剥离负性光刻胶。
剥离负性光刻胶后的第一衬底基板01的结构示意图如图4-11所示。图4-11中，02为LTPS背板，031为第一下电极，032为第二下电极。
步骤4023、在形成有第一下电极和第二下电极的第一衬底基板上形成牺牲层。
如图4-12所示，在形成有第一下电极031和第二下电极032的第一衬底基板01上形成牺牲层1001。图4-12中，02为LTPS背板。
步骤4024、对牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层和由第一下电极、第二下电极、残余牺牲层、LTPS背板围成的空腔。
如图4-13所示，对牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层1002和由第一下电极031、第二下电极032、残余牺牲层1002、LTPS背板02围成的空腔1003。空腔1003的宽度d1等于第一下电极031和第二下电极032之间的间隙d2。
步骤4025、向空腔填充支撑材料，形成支撑柱。
如图4-14所示，向空腔1003填充支撑材料，形成支撑柱1004。示例的，支撑材料可以为多晶硅，二氧化硅或铝。
步骤4026、在形成有支撑柱的第一衬底基板上形成上电极。
如图4-15所示，在形成有支撑柱1004的第一衬底基板01上形成上电极034。图4-15中，02为LTPS背板，031为第一下电极，032为第二下电极，1002为残余牺牲层。
步骤4027、对残余牺牲层进行移除，形成MEMS微镜阵列。
如图4-16所示，对残余牺牲层进行移除，形成MEMS微镜阵列，从而使上电极034在开关控制电路的控制下旋转预设角度后，对显示区域的发光结构发出的光进行反射。具体的，可以通过腐蚀液对残余牺牲层进行腐蚀，由于残余牺牲层在腐蚀液的作用下腐蚀得较快，而支撑柱在腐蚀液的作用下腐蚀得较慢，所以通过腐蚀液可以有效移除残余牺牲层。图4-16中，01为第一衬底基板，02为LTPS背板，031为第一下电极，032为第二下电极，1004为支撑柱。
需要说明的是，一方面，可以按照步骤402在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域逐步形成好MEMS微镜阵列；另一方面，也可以先形成好MEMS微镜阵列，然后将形成好的MEMS微镜阵列形成于LTPS背板上。如果是先形成好MEMS微镜阵列，那么步骤4021可以为：在衬底上形成下电极，其余步骤可以参考步骤402来执行。
步骤403、在形成有MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成发光结构。
如图2-1所示，在形成有MEMS微镜阵列03的第一衬底基板01的显示区域形成发光结构04。示例的，发光结构可以为电致发光结构。电致发光是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。电致发光结构包括电极层和发光层。
步骤404、在形成有发光结构的第一衬底基板上形成第二衬底基板。
如图2-3所示，在形成有发光结构04的第一衬底基板01上形成第二衬底基板05。
步骤405、通过OLED蒸镀技术和OLED封装技术形成显示器。
关于OLED蒸镀技术和OLED封装技术可以参考现有技术，本发明实施例在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示器的制造方法，由于显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量，有效提高用户体验度。
本发明实施例提供了一种显示器的制造装置，如图5-1所示，该显示器的制造装置包括：
背板形成单元501，用于在第一衬底基板上形成LTPS背板，LTPS背板形成有开关控制电路控制。
微镜阵列形成单元502，用于在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成MEMS微镜阵列，MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，开关控制电路用于控制MEMS微镜阵列的开启和关闭。
发光结构形成单元503，用于在形成有MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成发光结构。
综上所述，本发明实施例提供的显示器的制造装置，由于微镜阵列形成单元能够在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量。
可选的，发光结构为电致发光结构。
可选的，MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极，微镜阵列形成单元502如图5-2所示，包括：
下电极形成子单元5021，用于在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成下电极。
第一形成子单元5022，用于对形成有下电极的第一衬底基板进行图案化，形成第一下电极和第二下电极。第一下电极和第二下电极之间存在间隙。
牺牲层形成子单元5023，用于在形成有第一下电极和第二下电极的第一衬底基板上形成牺牲层。
第二形成子单元5024，用于对牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层和由第一下电极、第二下电极、残余牺牲层、LTPS背板围成的空腔。空腔的宽度等于第一下电极和第二下电极之间的间隙。
支撑柱形成子单元5025，用于向空腔填充支撑材料，形成支撑柱。示例的，支撑材料可以为多晶硅，二氧化硅或铝。
上电极形成子单元5026，用于在形成有支撑柱的第一衬底基板上形成上电极。上电极在开关控制电路的控制下旋转预设角度后，对显示区域的发光结构发出的光进行反射。
移除子单元5027，用于对残余牺牲层进行移除，形成MEMS微镜阵列。
如图5-3所示，该制造装置还包括：
第一形成单元504，用于在形成有发光结构的第一衬底基板上形成第二衬底基板。
第二形成单元505，用于通过OLED蒸镀技术和OLED封装技术形成显示器。
综上所述，本发明实施例提供的显示器的制造装置，由于微镜阵列形成单元能够在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量，有效提高用户体验度。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本发明实施例提供了一种显示器的显示方法，该显示器为图2-1、图2-2、图2-3、图2-4至图2-6任一所示的显示器。具体的，该显示器包括形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有MEMS微镜阵列，形成有MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有发光结构，LTPS背板形成有开关控制电路控制，MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极，如图6所示，该显示器的显示方法包括：
步骤601、在需要进行图像显示时，通过开关控制电路控制上电极、第一下电极和第二下电极的电压，使上电极旋转至能够反射显示区域的发光结构发出的光的位置。如图2-5所示。
步骤602、在不需要进行图像显示时，通过开关控制电路控制上电极、第一下电极和第二下电极的电压，使上电极旋转至无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置。如图2-6所示。
综上所述，本发明实施例提供的显示器的显示方法，通过开关控制电路控制上电极、第一下电极和第二下电极的电压，使上电极旋转至能够反射或无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量。
在采用LTPS背板的开关控制电路的控制MEMS微镜阵列的开启和关闭时，可以通过多种方法来实现。如在需要进行图像显示时，可以通过开关控制电路给上电极和第一下电极施加异性电压，使上电极和第一下电极相互吸引，从而使上电极旋转至能够反射显示区域的发光结构发出的光的位置，如图2-5所示。同时还可以给第二下电极施加与上电极同性的电压，使上电极和第二下电极相互排斥，进一步使上电极和第一下电极相互吸引，从而使上电极旋转至能够反射显示区域的发光结构发出的光的位置。在不需要进行图像显示时，可以通过开关控制电路给上电极和第二下电极施加异性电压，使上电极和第二下电极相互吸引，从而使上电极旋转至无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置，如图2-6所示。同时还可以给第一下电极施加与上电极同性的电压，使上电极和第一下电极相互排斥，进一步使上电极和第二下电极相互吸引，从而使上电极旋转至无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置。
因此，一方面，步骤601可以包括：通过开关控制电路对上电极和第一下电极施加第一异性电压，同时通过开关控制电路禁止对上电极和第二下电极施加电压，使上电极旋转至能够反射显示区域的发光结构发出的光的位置。
另一方面，步骤601可以包括：通过开关控制电路对上电极和第一下电极施加第一异性电压，同时通过开关控制电路对上电极和第二下电极施加第一同性电压，使上电极旋转至能够反射显示区域的发光结构发出的光的位置。
此外，一方面，步骤602可以包括：
通过开关控制电路对上电极和第二下电极施加第二异性电压，同时通过开关控制电路禁止对上电极和第一下电极施加电压，使上电极旋转至无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置。
另一方面，步骤602可以包括：通过开关控制电路对上电极和第二下电极施加第二异性电压，同时通过开关控制电路对上电极和第一下电极施加第二同性电压，使上电极旋转至无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置。
其中，第一异性电压或第一同性电压使上电极向靠近显示区域的方向转动预设角度。示例的，预设角度大于等于0度且小于等于12度。
第二异性电压或第二同性电压使上电极向远离显示区域的方向转动预设角度。示例的，预设角度大于等于0度且小于等于12度。
综上所述，本发明实施例提供的显示器的显示方法，通过开关控制电路控制上电极、第一下电极和第二下电极的电压，使上电极旋转至能够反射或无法反射显示区域的发光结构发出的光的位置，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量，有效提高用户体验度。
本发明实施例提供了一种可穿戴设备，该可穿戴设备包括图2-1、图2-2、图2-3、图2-4至图2-6任一所示的显示器。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括：
第一衬底基板；
所述第一衬底基板上形成有低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；
形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、位于所述第一下电极和所述第二下电极之间的支撑柱，以及位于所述支撑柱上的上电极；
所述开关控制电路用于：在所述显示器需要进行图像显示时，对所述上电极和所述第一下电极施加第一异性电压，同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第二下电极施加电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；或者，通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加所述第一异性电压，同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第一同性电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有所述发光结构。
2.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述显示器还包括：
形成有所述发光结构的第一衬底基板上形成有第二衬底基板。
3.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，
所述支撑柱由多晶硅，二氧化硅或铝制成。
4.根据权利要求1所述的显示器，其特征在于，
所述发光结构为电致发光结构。
5.一种显示器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在第一衬底基板上形成低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；
在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、位于所述第一下电极和所述第二下电极之间的支撑柱，以及位于所述支撑柱上的上电极；所述开关控制电路用于：在所述显示器需要进行图像显示时，对所述上电极和所述第一下电极施加第一异性电压，同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第二下电极施加电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；或者，通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加所述第一异性电压，同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第一同性电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构。
6.一种显示器的制造装置，其特征在于，所述制造装置包括：
背板形成单元，用于在第一衬底基板上形成低温多晶硅LTPS背板，所述LTPS背板形成有开关控制电路；
微镜阵列形成单元，用于在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，所述开关控制电路用于控制所述MEMS微镜阵列的开启和关闭；
发光结构形成单元，用于在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构。
7.一种显示器的显示方法，其特征在于，所述显示器为权利要求1至4任一所述的显示器，所述显示器包括形成有低温多晶硅LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列，形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有发光结构，所述LTPS背板形成有开关控制电路，所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极，所述显示方法包括：
在需要进行图像显示时，通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
在不需要进行图像显示时，通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置。
8.根据权利要求7所述的显示方法，其特征在于，所述通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置，包括：
通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第二异性电压，同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第一下电极施加电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置；
或者，通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加所述第二异性电压，同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加第二同性电压，使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置。
9.根据权利要求8所述的显示方法，其特征在于，所述第二异性电压或所述第二同性电压使所述上电极向远离所述显示区域的方向转动预设角度。
10.根据权利要求9所述的显示方法，其特征在于，
所述预设角度大于等于0度且小于等于12度。
11.一种可穿戴设备，其特征在于，包括权利要求1至4任一所述的显示器。
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