JP6141915B2 - 有機発光ダイオードディスプレー及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 171
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 161
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 95
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Description
前記第2の半導体層と前記第1の半導体層とを貫通する第2の電気接続孔を形成するとともに、前記第2の半導体層上に第3の金属層を形成する工程は、前記第2の半導体層上に、第2の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義する工程と、前記第2の半導体層と、前記第1の半導体層と、前記ゲート絶縁層とを貫通し、対応する前記ポリシリコン層を露出させる第2の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記第2の半導体層、前記第1の半導体層、及び前記ゲート絶縁層をエッチングする工程と、前記第2の接続孔の底部及び周壁と、前記第2の半導体層上に、第3の金属層を形成する工程と、を含み、
前記有機平坦層を貫通する第3の電気接続孔を形成するとともに、前記有機平坦層上に、前記第3の電気接続孔に連通するアノード層を形成する工程において、前記有機平坦層上に、第3の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義する工程と、前記有機平坦層を貫通し、前記第3の金属層を露出させる第3の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記有機平坦層をエッチングする工程と、前記第3の接続孔の底部及び周壁と、前記有機平坦層上に、第4の金属層を形成し、そのうち、前記有機平坦層上に形成された第4の金属層をアノード層とする工程と、を含むことにある。
本発明が提供する有機発光ダイオードディスプレーの製造方法は、第2の金属層によって、初期化電圧Vintの配線を行い、アノード層と互いに影響し合うことを有効的に回避することができ、開口面積を大きくし、輝度及び寿命を向上させることができる。
2 : アノード
11 : ベース
13 : ゲート絶縁層
14 : 第1の金属層
15 : 第1の半導体層
16 : 第2の金属層
17 : 第2の半導体層
18、19、20 : 第3の金属層
21 : 有機平坦層
22 : アノード層
23 : 画素定義層
24 : 画素電極
31 : ベース
33 : ゲート絶縁層
34 : 第1の金属層
35 : 第1の半導体層
36 : 第2の金属層
37 : 第2の半導体層
38 : 第3の金属層
39 : 第3の金属層
40 : 有機平坦層
41 : アノード層
42 : 画素定義層
43 : 画素電極
121 : ポリシリコン層
123 : ポリシリコン層
321 : ポリシリコン層
361 : 第2の金属層
a : 第1の接続孔
A : 第1の接続孔
b、c : 第2の接続孔
B : 接続孔
C、D : 第1の接続孔
d : 第3の接続孔
e : 開口
E : 第2の接続孔
F : 開口
Claims (12)
- ベースと、前記ベース上に設けられたポリシリコン層及びゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた第1の金属層及び第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられた第2の金属層及び第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた有機平坦層とを含む有機発光ダイオードディスプレーにおいて、
前記第2の絶縁層は、前記第2の金属層を覆っており、
前記第2の金属層の一部が、前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第1の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続されて、初期化電圧の配線となし、初期化電圧が前記ポリシリコン層に導入されることを特徴とする有機発光ダイオードディスプレー。 - 前記有機平坦層上に設けられた、前記有機平坦層を貫通する第2の電気接続孔、及び第2の領域に位置し前記第2の電気接続孔に連通する前記第1の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続されるアノード層と、前記アノード層を露出させる開口を有する画素定義層と、
前記画素定義層の開口内に位置するとともに前記アノード層を覆う画素電極と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ダイオードディスプレー。 - ベースを提供し、前記ベースにポリシリコン層とゲート絶縁層とを形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に第1の金属層と第1の絶縁層とを形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に第2の金属層と前記第2の金属層を覆う第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第1の電気接続孔を形成し、前記第2の金属層の一部を前記第1の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続し、初期化電圧を前記ポリシリコン層に導入することができる初期化電圧の配線を構成する工程と、
前記第2の絶縁層上に有機平坦層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - 前記有機平坦層を貫通する第2の電気接続孔を形成するとともに、前記有機平坦層上に、前記第2の電気接続孔に連通し、前記第2の電気接続孔及び前記第2の電気接続孔に連通する第1の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続されるアノード層を形成する工程と、
前記有機平坦層と前記アノード層上に、前記アノード層に対応して前記アノード層を露出させる開口が形成される画素定義層を形成する工程と、
前記開口内に、前記アノード層を覆う画素電極を形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - 前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第1の電気接続孔を形成し、前記第2の金属層の一部を前記第1の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続する工程において、
前記第2の絶縁層上に第1の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義し、定義された第1の接続孔を前記ポリシリコン層の上方に位置させることと、前記第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層と、前記ゲート絶縁層とを貫通し、対応する前記ポリシリコン層を露出させる第1の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記第2の絶縁層、前記第1の絶縁層、及び前記ゲート絶縁層をエッチングすることとを含む、前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第1の電気接続孔を形成する工程と、
前記第2の絶縁層上に接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義し、定義された接続孔を前記第2の金属層の上方に位置させることと、前記第2の絶縁層を貫通し、前記第2の金属層の一部を露出させる接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、第2の絶縁層をエッチングすることとを含む、前記第2の絶縁層を貫通する電気接続孔を形成する工程と、
前記第2の金属層の一部が、第3の金属層を介して前記ポリシリコン層に接続されるように、前記第1の接続孔の底部及び周壁、前記接続孔の底部及び周壁、前記第2の絶縁層上に第3の金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - 前記有機平坦層を貫通する第2の電気接続孔を形成するとともに、前記有機平坦層上に、前記第2の電気接続孔に連通するアノード層を形成する工程において、
前記有機平坦層上に、第2の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義する工程と、
前記有機平坦層を貫通し、前記第3の金属層を露出させる第2の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記有機平坦層をエッチングする工程と、
前記第2の接続孔の底部及び周壁と、前記有機平坦層上に、第4の金属層を形成し、そのうち、前記有機平坦層上に形成された第4の金属層をアノード層とする工程と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - ベースと、前記ベース上に設けられたポリシリコン層及びゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた第1の金属層及び第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられた第2の金属層及び第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた有機平坦層とを含む有機発光ダイオードディスプレーにおいて、
前記第2の絶縁層は、前記第2の金属層を覆っており、
前記第2の金属層の一部が、前記第1の絶縁層を貫通する第1の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続されて、初期化電圧の配線となし、初期化電圧が前記ポリシリコン層に導入され、
前記第1の電気接続孔は、その底部とその周壁が金属で構成されており、その他の部分は、前記第2の絶縁層と同材料によって充たされていることを特徴とする有機発光ダイオードディスプレー。 - 前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第2の電気接続孔、及び前記有機平坦層を貫通する第3の電気接続孔を介して、前記ポリシリコン層に接続されているアノード層と、前記アノード層を露出させる開口を有する画素定義層と、
前記画素定義層の開口内に位置するとともに前記アノード層を覆う画素電極と、
をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の有機発光ダイオードディスプレー。 - ベースを提供し、前記ベースにポリシリコン層とゲート絶縁層とを形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に第1の金属層と第1の絶縁層とを形成する工程と、
前記第1の絶縁層を貫通する第1の電気接続孔を形成するとともに、前記第1の絶縁層上に、一部が前記第1の電気接続孔の周壁と底部を介して前記ポリシリコン層に接続される第2の金属層を形成して、初期化電圧を前記ポリシリコン層に導入することができる初期化電圧の配線を構成する工程と、
前記第1の絶縁層と前記第2の金属層上に、第2の絶縁層を形成するとともに前記第1の電気接続孔の前記底部および前記周壁以外の他の部分を、前記第2の絶縁層と同材料によって充たす工程と、
前記第2の絶縁層上に有機平坦層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - 前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第2の電気接続孔を形成するとともに、前記第2の絶縁層上に、前記第2の電気接続孔を介して前記ポリシリコン層に接続される第3の金属層を形成する工程と、
前記有機平坦層を貫通し、前記第2の電気接続孔に連通する第3の電気接続孔を形成するとともに、前記有機平坦層上に、前記第3の電気接続孔と前記第2の電気接続孔を介して前記ポリシリコン層に接続され、前記第3の電気接続孔に連通するアノード層を形成する工程と、
前記有機平坦層と前記アノード層上に、前記アノード層に対応して前記アノード層を露出させる開口が形成される画素定義層を形成する工程と、
前記開口内に、前記アノード層を覆う画素電極を形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - 前記第1の絶縁層を貫通する第1の電気接続孔を形成するとともに、前記第1の絶縁層上に第2の金属層を形成する工程は、
前記第1の半導体上に、第1の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義し、定義された第1の接続孔を前記ポリシリコン層の上方に位置させる工程と、
前記第1の絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通し、対応する前記ポリシリコン層を露出させる第1の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記第1の絶縁層及び前記ゲート絶縁層をエッチングする工程と、
前記第1の接続孔の底部及び周壁上に金属層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に、前記第1の接続孔における金属層を介して前記ポリシリコン層に接続される第2の金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項10に記載の有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。 - 前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層とを貫通する第2の電気接続孔を形成するとともに、前記第2の絶縁層上に第3の金属層を形成する工程は、
前記第2の絶縁層上に、第2の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義する工程と、
前記第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層と、前記ゲート絶縁層とを貫通し、対応する前記ポリシリコン層を露出させる第2の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記第2の絶縁層、前記第1の絶縁層、及び前記ゲート絶縁層をエッチングする工程と、
前記第2の接続孔の底部及び周壁と、前記第2の絶縁層上に、前記第3の金属層を形成する工程と、を含み、
前記有機平坦層を貫通する第3の電気接続孔を形成するとともに、前記有機平坦層上に、前記第3の電気接続孔に連通するアノード層を形成する工程において、
前記有機平坦層上に、第3の接続孔を形成するためのパターン化フォトレジストを定義する工程と、
前記有機平坦層を貫通し、前記第3の金属層を露出させる第3の接続孔を形成するように、前記パターン化フォトレジストをマスクとして、前記有機平坦層をエッチングする工程と、
前記第3の接続孔の底部及び周壁と、前記有機平坦層上に、第4の金属層を形成し、そのうち、前記有機平坦層上に形成された第4の金属層をアノード層とする工程と、
を含むことを特徴とする請求項11に記載の有機発光ダイオードディスプレーの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2015100838155 | 2015-02-16 | ||
CN201510083815.5A CN105990398B (zh) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016152230A JP2016152230A (ja) | 2016-08-22 |
JP6141915B2 true JP6141915B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=56696658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015144201A Active JP6141915B2 (ja) | 2015-02-16 | 2015-07-21 | 有機発光ダイオードディスプレー及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6141915B2 (ja) |
KR (1) | KR101799306B1 (ja) |
CN (1) | CN105990398B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US11813362B2 (en) | 2018-06-14 | 2023-11-14 | Poxel | Film-coated tablet comprising a triazine derivative for use in the treatment of diabetes |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10497685B2 (en) | 2017-12-26 | 2019-12-03 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Micro LED display panel and manufacturing method thereof |
CN108183156A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制作方法 |
CN108288455A (zh) * | 2018-03-05 | 2018-07-17 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
CN112086576B (zh) * | 2020-09-07 | 2022-09-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及制程方法 |
CN112117234A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-12-22 | 福建华佳彩有限公司 | 一种盲孔屏背板结构及制作方法 |
CN113380144B (zh) * | 2021-06-07 | 2022-11-25 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1031873A3 (en) * | 1999-02-23 | 2005-02-23 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
TWM244584U (en) * | 2000-01-17 | 2004-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Display system and electrical appliance |
JP4801260B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気器具 |
JP2012204017A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
JP6111455B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2017-04-12 | 株式会社Joled | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
KR101924525B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2018-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101486038B1 (ko) * | 2012-08-02 | 2015-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20140141373A (ko) * | 2013-05-31 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
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-
2015
- 2015-02-16 CN CN201510083815.5A patent/CN105990398B/zh active Active
- 2015-07-21 JP JP2015144201A patent/JP6141915B2/ja active Active
- 2015-08-17 KR KR1020150115381A patent/KR101799306B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016152230A (ja) | 2016-08-22 |
KR20160100787A (ko) | 2016-08-24 |
CN105990398A (zh) | 2016-10-05 |
CN105990398B (zh) | 2019-01-11 |
KR101799306B1 (ko) | 2017-12-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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