TW201442221A - 薄膜電晶體及有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種薄膜電晶體係包括一閘極電極，延伸自一顯示器之掃描線且具有一邊緣；以及一連接線，連接該閘極電極之邊緣至該掃描線。

Description

薄膜電晶體及有機發光二極體顯示器
所述的技術大致上關於一種薄膜電晶體及一種有機發光二極體顯示器，更特定言之，係關於一種包括具有一邊緣的閘極電極之薄膜電晶體，以及包括該薄膜電晶體之有機發光二極體顯示器。
顯示器裝置係一顯示影像的裝置，近年來有機發光二極體顯示器已廣受注目。
由於有機發光二極體顯示器具有自行發射特性且不需要一分離的光源，此與如液晶顯示器裝置不同，因此可降低顯示器的厚度與重量。此外，有機發光二極體顯示器具有高品質特徵與特性，如低功率消耗、高亮度及高反應速度。
一般言之，有機發光二極體顯示器係包括閘極配線，安置於基材上且包括在一個方向上延伸的掃描線，包括資料配線，在與該閘極配線交叉的一方向上延伸，包括複數個薄膜電晶體，分別連接至該閘極配線與該資料配線，以及包括一相應的有機發光二極體，與各薄膜電晶體連接。
近年來，用於有機發光二極體顯示器中的畫素係包括一或多個薄膜電晶體，包括複數個閘極電極，延伸自掃描線或多條掃描線以避免漏電。
然而，在相關領域中包括複數個閘極電極的薄膜電晶體中，複數個閘極電極中之一或多個閘極電極係在與掃描線的延伸方向不同的方向上延伸並形成邊緣，因此由外部流進通過該掃描線的靜電係集中在閘極電極的邊緣處，故存在鄰近該等閘極電極邊緣的絕緣層會變得更易於破裂的問題。
此先前技術部分揭露的上述資訊僅用於增強了解所述技術的背景，因此其可含有未形成此國家中對於此技術領域中具有通常知識者而言為已知的先前技術的資訊。
所述技術已努力於提供一種薄膜電晶體及一種包括該薄膜電晶體之有機發光二極體顯示器，避免或降低由於外界的靜電所導致之鄰近閘極電極邊緣之絕緣層破裂的發生率。
一例示性具體實施態樣係提供一種薄膜電晶體，包括一閘極電極，延伸自一顯示器之掃描線且具有一邊緣；以及一連接線，連接該閘極電極之邊緣至該掃描線。
該薄膜電晶體可更包括一主動圖案，對應於該閘極電極而安置在非該閘極電極之一顯示器之不同層上，該主動圖案係包含一第一導電區域；一第一通道區域鄰近該第一導電區域；一第二導電區域與該第一導電區域相隔開，其中該第一通道區域 係位於該二者之間；一第二通道區域與該第一通道區域相隔開，其中該第二導電區域係位於該二者之間；以及一第三導電區域與該第二導電區域相隔開，其中該第二通道區域係位於該二者之間。該閘極電極可包括一第一閘極區域，安置於該主動圖案上且橫越該第一通道區域；以及一第二閘極區域，安置於該主動圖案上且橫越該第二通道區域，以及其中該邊緣係該第一閘極區域或該第二閘極區域之一部分，且該連接線可連接該邊緣至一顯示器之掃描線且連同該第一閘極區域、該第二閘極區域及該掃描線而圍繞該第二導電區域。
一顯示器之掃描線、該第一閘極區域、該第二閘極區域及該連接線可以一封閉迴路形式延伸。
該閘極電極係可未與該第二導電區域重疊。
該第一導電區域、該第二導電區域及該第三導電區域可包含導電材料，且該第一通道區域及該第二通道區域可包含半導體材料。
離子可摻雜於該第一導電區域、該第二導電區域及該第三導電區域中。
該第二導電區域可具有一或多種彎曲(curve)。
另一例示性具體實施態樣係提供一種有機發光二極體顯示器，包括一基材；一有機發光二極體，位於該基材上；以及一薄膜電晶體，與該有機發光二極體連接；其中該薄膜電晶體係包括一閘極電極，延伸自一顯示器之掃描線且具有一邊緣；以 及一連接線，連接該閘極電極之邊緣至該掃描線。
該顯示器之有機發光二極體可包括一第一電極，連接至該薄膜電晶體；一有機發射層，位於該第一電極上；以及一第二電極，位於該有機發射層上。
根據本發明例示性具體實施態樣，可提供一種薄膜電晶體以及一種包括該薄膜電晶體之有機發光二極體顯示器，其避免或降低由於外界的靜電所導致之鄰近閘極電極邊緣之絕緣層發生破裂。
1000、1002‧‧‧有機發光二極體顯示器
AP‧‧‧主動圖案
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
CE1‧‧‧第一電容電極
CE2‧‧‧第二電容電極
CH‧‧‧接觸孔
CL1‧‧‧第一連接線
CL2‧‧‧第二連接線
CL3‧‧‧第三連接線
CL4‧‧‧第四連接線
CHA1‧‧‧第一通道區域
CHA2‧‧‧第二通道區域
COA1‧‧‧第一導電區域
COA2‧‧‧第二導電區域
COA3‧‧‧第三導電區域
DA1-DAm‧‧‧資料線
DD‧‧‧資料驅動器
DW‧‧‧資料配線
ETD1‧‧‧第一電極
ETD2‧‧‧第二電極
E1-En‧‧‧光發射控制線
ELVDD‧‧‧第一功率供應
ELVDDL‧‧‧驅動功率線
ELVSS‧‧‧第二功率供應
G1‧‧‧第一閘極電極
G2‧‧‧第二閘極電極
G3‧‧‧第三閘極電極
G4‧‧‧第四閘極電極
G5‧‧‧第五閘極電極
G6‧‧‧第六閘極電極
GA1‧‧‧第一閘極區域
GA2‧‧‧第二閘極區域
GD1‧‧‧閘極驅動器
GD2‧‧‧光發射控制驅動器
GW‧‧‧閘極配線
OLED‧‧‧有機發光二極體
OL‧‧‧有機發射層
PE‧‧‧畫素
SC1-SCn-1‧‧‧第一掃描線
SC2-SCn‧‧‧第二掃描線
SUB‧‧‧基材
T1‧‧‧第一薄膜電晶體
T2‧‧‧第二薄膜電晶體
T3‧‧‧第三薄膜電晶體
T4‧‧‧第四薄膜電晶體
T5‧‧‧第五薄膜電晶體
T6‧‧‧第六薄膜電晶體
Vinit‧‧‧起始功率線
第1圖係繪示根據本揭露第一例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器之示圖。
第2圖係繪示第1圖所繪示之畫素部分的佈局圖。
第3圖係放大第2圖中部分A的示圖。
第4圖係沿第3圖中線IV-IV所取的剖面圖。
第5圖係繪示根據第二例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器之畫素的佈局圖。
第6圖係放大第5圖中部分B的示圖。
第7圖係沿第6圖中線VII-VII所取的剖面圖。
在下文詳細說明中，藉由例示僅顯示及描述特定例示性具體實施態樣。於此技術領域中具有通常知識者將了解可以各種不同方式修改所述的具體實施態樣，而不背離本發明之精神 或範圍。
因此，圖式與說明本質上係認為例示用的，而非限制性的。在本說明書中，類似的參考符號係代表類似的元件。
此外，在例示性具體實施態樣中，由於類似的參考符號係代表類似的具有相同或相似構造的元件，因此代表性地描述第一例示性具體實施態樣，且在其他例示性具體實施態樣中，僅將描述不同於第一例示性具體實施態樣之構造或部分。
再者，圖式中所示各構造的尺寸與厚度係任意地顯示，以供理解且易於描述，但本發明不受限於此。
在圖式中，層、膜、面板、區域等的厚度係為清晰目的而經誇示。在圖式中，為供理解且易於描述，一些層與區域的厚度係經誇示。將理解當如層、膜、區域或基材等元件係經指為在另一元件「上」時，其可直接位於該另一元件上，亦可存在中介元件。
再者，除非明確相反地描述，將理解用字「包含(comprise)」與變化形如「包含(comprises)」或「包含(comprising)」係暗示併含所述的元件，但不排除任何其他元件。此外，在說明書中，用字「上」係意指安置於物件部分上或下，但非實質地意指基於重力方向係安置於物件部分的上側。
下文中，將參考第1至4圖描述根據第一例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器。下文中，薄膜電晶體係分別意指下述各種電晶體中之第三薄膜電晶體與第四薄膜電晶體，閘 極電極係分別意指下述各種閘極電極中之第三閘極電極與第四閘極電極，掃描線係分別意指第一掃描線與第二掃描線，以及連接線係分別意指第一連接線與第二連接線。
第1圖係繪示根據第一例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器之示圖。
如第1圖所繪示，根據第一例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器1000係包括一閘極驅動器GD1、閘極配線GW、一光發射控制驅動器GD2、一資料驅動器DD、資料配線DW、及畫素PE。
閘極驅動器GD1係連續地供應掃描信號至包括在閘極配線GW中的第一掃描線SC1-SCn-1與第二掃描線SC2-SCn，以回應由外部控制線路(未繪示)供應的控制信號，例如計時控制器或其他控制器。之後，畫素PE係經由掃描信號而選擇以連續地接收資料信號。
閘極配線GW係安置於基材SUB上且在一第一方向上延伸，閘極配線GW係包括一第一掃描線如線SCn-1、光發射控制線E1-En、一第二掃描線如線SCn如線SCn、一起始功率線Vinit、以及一第二電容電極CE2，將於下文中描述。第一掃描線SCn-1係與閘極驅動器GD1連接且接收來自閘極驅動器GD1的掃描信號。光發射控制線En係與光發射控制驅動器GD2連接且接收來自光發射控制驅動器GD2的光發射控制信號。第二掃描線SCn係與閘極驅動器GD1連接且接收來自閘極驅動器GD1的掃描信號。起始功率線 Vinit係與閘極驅動器GD1連接且接收來自閘極驅動器GD1的起始功率。第二電容電極CE2係與第一掃描線SCn-1相隔開且在第一方向上延伸。
如此，起始功率線Vinit、第一掃描線SCn-1、第二電容電極CE2、第二掃描線SCn、以及光發射控制線En係彼此相隔開且在第一方向上延伸。此外，起始功率線Vinit、第一掃描線SCn-1、第二電容電極CE2、第二掃描線SCn、及光發射控制線En係安置於相同層上且由相同材料所形成，且可透過如光蝕刻之方法而形成。
同時，在另一例示性具體實施態樣中，起始功率線Vinit、第一掃描線SCn-1、第二電容電極CE2、第二掃描線SCn、及光發射控制線En係安置於不同層上，且可由不同材料所形成。
此外，在第一例示性具體實施態樣中，起始功率線Vinit係接收來自閘極驅動器GD1的起始功率，但在另一例示性具體實施態樣中，起始功率線Vinit係與另一其他元件連接，以接收來自該其他元件的起始功率。
光發射控制驅動器GD2係連續地供應光發射控制信號至光發射控制線En，以回應由外界如計時控制器所供應的控制信號。畫素PE的發射係經由光發射控制信號而控制。
此即，光發射控制信號係控制畫素PE的發射時間。然而，視畫素PE的內部結構而定，可省略光發射控制驅動器GD2。
同時，在另一具體實施態樣中，光發射控制驅動器GD2可與閘極驅動器GD1整體地形成。
資料驅動器DD係供應資料信號至資料配線DW中的資料線DAm，以回應由外界如計時控制器所供應的控制信號。供應至資料線DAm的資料信號係供應至畫素PE，畫素PE係經由掃描信號而選擇，每當掃描信號供應至第二掃描線SCn時。之後，畫素PE改變對應於該資料信號的電壓並發射具有對應於該電壓之亮度的光。
資料配線DW係安置於閘極配線GW之上方且在與第一方向交叉的第二方向上延伸。資料配線DW係包括資料線DA1-DAm與驅動功率線ELVDDL。資料線如線DAm係與資料驅動器DD連接且接收來自資料驅動器DD的資料信號。驅動功率線ELVDDL係與一第一外部功率供應ELVDD(將於下文描述)且接收來自第一功率供應ELVDD的驅動功率。
畫素PE係安置於閘極配線GW與資料配線DW的交叉區域中，且包括一有機發光二極體，以發射具有對應於一驅動電流(對應於該資料信號)之亮度的光；包括複數個薄膜電晶體，以控制流通過有機發光二極體的驅動電流；以及包括一或多個電容。複數個薄膜電晶體及一或多個電容係分別連接至閘極配線GW與資料配線DW，且該有機發光二極體係與複數個薄膜電晶體及一或多個電容連接。有機發光二極體係連接在第一功率供應ELVDD與一第二功率供應ELVSS之間。
第2圖係繪示第1圖所繪示畫素部分的佈局圖，第3圖係放大第2圖中部分A之示圖，第4圖係沿第3圖中線IV-IV所取的 剖面圖。
如第2至4圖所繪示，畫素PE係包括一畫素電路，其係包括一有機發光二極體OLED(第4圖所繪示)，連接在第一功率供應ELVDD與一第二功率供應ELVSS之間；包括六個薄膜電晶體，連接在有機發光二極體OLED與第一功率供應ELVDD之間，以控制供應至有機發光二極體OLED之驅動功率；以及包括二個電容。
有機發光二極體OLED係包括一第一電極ETD1、一有機發射層OL安置於第一電極ETD1上、及一第二電極ETD2安置於有機發射層OL上。第一電極ETD1係有機發光二極體OLED之陽極，且係經由畫素線路連接至連接到第一功率供應ELVDD的驅動功率線ELVDDL；且第二電極ETD2係有機發光二極體OLED之陰極，且係連接至第二功率供應ELVSS。當驅動功率係透過畫素電路由第一功率供應ELVDD供應且共同功率係由第二功率供應ELVSS供應時，有機發光二極體OLED的有機發射層OL係發射對應於流通過有機發光二極體OLED之驅動電流之亮度的光。
畫素電路係包括一第一薄膜電晶體T1、一第二薄膜電晶體T2、一第三薄膜電晶體T3、一第四薄膜電晶體T4、一第五薄膜電晶體T5、一第六薄膜電晶體T6、一第一電容C1、以及一第二電容C2。
第一薄膜電晶體T1係連接在驅動功率線ELVDDL與有機發光二極體OLED的第一電極ETD1之間，且在畫素PE的發射 期間，由第一功率供應ELVDD供應對應於資料信號的驅動功率至有機發光二極體OLED。第一薄膜電晶體T1係起畫素PE之驅動電晶體之功能。第一薄膜電晶體T1的第一閘極電極G1係分別連接至第一電容C1之第一電容電極CE1、第二電容C2、第三薄膜電晶體T3、以及第四薄膜電晶體T4，且源極電極係分別連接至第二薄膜電晶體T2及第五薄膜電晶體T5，且汲極電極係分別與第三薄膜電晶體T3與第六薄膜電晶體T6連接。有機發光二極體OLED之第一電極ETD1係透過第六薄膜電晶體T6連接至第一薄膜電晶體T1。
第二薄膜電晶體T2係連接資料線DAm與第一薄膜電晶體T1，且包括連接至第二掃描線SCn之第二閘極電極G2。當掃描信號係由第二掃描線SCn供應時，第二薄膜電晶體T2係轉移由資料線DAm供應的資料信號至畫素PE中。第二薄膜電晶體T2係起畫素PE之開關電晶體之功能。
第三薄膜電晶體T3係連接第一薄膜電晶體T1之另一部分至第一閘極電極G1，且包括連接至第二掃描線SCn的第三閘極電極G3。當資料信號係供應至畫素PE以補償第一薄膜電晶體T1之臨界電壓(threshold voltage)時，第三薄膜電晶體T3係連接第一薄膜電晶體T1，二極體形式。此即，第三薄膜電晶體T3係起畫素PE之補償電晶體之功能。
第三薄膜電晶體T3係包括一主動圖案AP，一第三閘極電極G3、及一第一連接線CL1。
主動圖案AP係連接第一閘極電極G1與第一薄膜電 晶體T1之另一部分，且詳細地係連接第一電容C1之第一電容電極CE1與第一薄膜電晶體T1之活性層。
活性圖案AP係包括一第一導電區域COA1、一第一通道區域CHA1、一第二導電區域COA2、一第二通道區域CHA2、以及一第三導電區域COA3，其等係連續地在一第二方向上延伸，如第2圖所示之設定方向。
第一導電區域COA1係連接第一電容電極CE1與第一通道區域CHA1，且因為離子係摻雜於多晶矽中因此具有導體特性。此即，第一導電區域COA1係由導電材料所形成。
第一通道區域CHA1係鄰近第一導電區域COA1，以連接第一導電區域COA1與第二導電區域COA2，且包括多晶矽(係半導體材料)以具有半導體特性。此即，第一通道區域CHA1係由半導體材料所形成。
第二導電區域COA2係與第一導電區域COA1相隔開(其中第一通道區域CHA1係位於該二者之間)，以連接第一通道區域CHA1與第二通道區域CHA2，且因為離子係摻雜於多晶矽中因此具有導體特性。
第二通道區域CHA2係與第一通道區域CHA1相隔開(其中第二導電區域COA2係位於該二者之間)，以連接第二導電區域COA2與第三導電區域COA3，且包括多晶矽(係半導體材料)以具有半導體特性。此即，第二通道區域CHA2係由半導體材料所形成。
第三導電區域COA3係與第二導電區域COA2相隔開(其中第二通道區域CHA2係位於該二者之間)，以連接第二通道區域CHA2與第一薄膜電晶體T1的主動層，且因為離子摻雜於多晶矽中因此具有導體特性。此即，第三導電區域COA3係由導電材料所形成。
第三閘極電極G3與第一連接線CL1係安置於上述之主動圖案AP上。
第三閘極電極G3係與第二掃描線SCn連接且未與主動圖案AP之第二導電區域COA2重疊，且係包括一第一閘極區域GA1與第二閘極區域GA2包括金屬，係一導電材料。
第一閘極區域GA1係安置於第一通道區域CHA1上，在第一方向上橫越第一通道區域CHA1。第一閘極區域GA1係與第二閘極區域GA2相隔開，且自第二掃描線SCn延伸以在第一方向上具有一邊緣ED。
第二閘極區域GA2係與第一閘極區域GA1相隔開且安置於第二通道區域CHA2上，且在第一方向上橫越第二通道區域CHA2。第二閘極區域GA2係在第一方向上於第二掃描線SCn上之上方延伸。
第一連接線CL1係連接第三閘極電極G3之第一閘極區域GA1之邊緣ED與第二掃描線SCn。因此，第一連接線CL1係連同第一閘極區域GA1、第二閘極區域GA2與第二掃描線SCn而圍繞第二導電區域COA2。第一連接線CL1未與第二導電區域COA2重 疊。
第一連接線CL1與第三閘極電極G3係安置於與第二掃描線SCn相同的層上，且第一連接線CL1、第三閘極電極G3及第二掃描線SCn係整體地形成。第一連接線CL1、第三閘極電極G3及第二掃描線SCn可使用光蝕刻或相似製程一次形成。
再者，第一連接線CL1與第三閘極電極G3係未與第二導電區域COA2重疊。第二掃描線SCn、第一閘極區域GA1、第二閘極區域GA2、以及第一連接線CL1係呈封閉式迴路形式延伸以圍繞第二導電區域COA2。
如此，在第三薄膜電晶體T3中，第一連接線CL1係連接第一閘極區域GA1之邊緣ED與第二掃描線SCn。因此，雖然靜電可由外界流通過第二掃描線SCn，但由於靜電並未集中在第一閘極區域GA1的邊緣ED處，反而可再透過第一連接線CL1移動至第二掃描線SCn，因此係避免鄰近第三閘極電極G3之邊緣ED的絕緣層輕易地破裂。
第四薄膜電晶體T4係連接起始功率線Vinit與第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。當掃描信號在資料編程期間前的一起始期間由第一掃描線SCn-1供應時，第四薄膜電晶體T4係轉移由起始功率線Vinit供應的起始功率至畫素PE，以起始第一薄膜電晶體T1，使得當資料信號係輸入至畫素PE時，資料信號在資料編程期間係更順暢地供應至畫素PE。此即，第四薄膜電晶體T4係起畫素PE之開關電晶體之功能。第四薄膜電晶體T4係包括一主動圖 案AP、一第四閘極電極G4、及一第二連接線CL2。
主動圖案AP係連接起始功率線Vinit與第一薄膜電晶體T1的第一閘極電極G1，且更詳細地說，係連接起始功率線Vinit與第一電容C1的第一電容電極CE1。
主動圖案AP係包括一第一導電區域COA1、一第一通道區域CHA1、一第二導電區域COA2、一第二通道區域CHA2、以及一第三導電區域COA3，其等係連續地在一設定方向上延伸。
第一導電區域COA1係連接起始功率線Vinit與第一通道區域CHA1，且因為離子摻雜於多晶矽中因此具有導體特性。此即，第一導電區域COA1係由導電材料所形成。
第一通道區域CHA1係鄰近第一導電區域COA1以連接第一道點區域COA1與第二導電區域COA2，且包括多晶矽(係半導體材料)以具有半導體特性。此即，第一通道區域CHA1係由一半導體材料所形成。
第二導電區域COA2係與第一導電區域COA1相隔開(其中第一通道區域CHA1係位於該二者之間)，以連接第一通道區域CHA1與第二通道區域CHA2，且因為離子摻雜於多晶矽中因此具有導體特性。此即，第二導電區域COA2係由一導電材料所形成。第二導電區域COA2係具有一次性彎曲(once-curved)形式，且係由第一通道區域CHA1一次性地彎曲且延伸至第二通道區域CHA2。
同時，在另一例示性具體實施態樣中，第二導電區 域COA2可具有彎曲二次或多次的形式，對應於整個畫素PE的設計。
第二通道區域CHA2係與第一通道區域CHA1相隔開(其中第二導電區域COA2係位於該二者之間)，以連接第二導電區域COA2與第三導電區域COA3，且包括多晶矽(係半導體材料)以具有半導體特性。此即，第二通道區域CHA2係由一半導體材料所形成。
第三導電區域COA3係與第二導電區域COA2相隔開(其中第二通道區域CHA2係位於該二者之間)，以連接第二通道區域CHA2與第一電容C1之第一電容電極CE1，且因為離子摻雜於多晶矽中因此具有導體特性。此即，第三導電區域COA3係由一導電材料所形成。
第四閘極電極G4與第二連接線CL2係安置於上述之主動圖案AP上，其中絕緣層係位於該二者之間。
第四閘極電極G4係與第一掃描線SCn-1連接，未與主動圖案AP之第二導電區域COA2重疊，且包括一第一閘極區域GA1與第二閘極區域GA2包括金屬，其係一導電材料。
第一閘極區域GA1係安置於第一通道區域CHA1上，在第二方向上橫越第一通道區域CHA1。第一閘極區域GA1係在第二方向上延伸以與第一方向(係第一掃描線SCn-1的延伸方向)交叉，以在第二方向上具有一邊緣ED。
第二閘極區域GA2係與第一閘極區域GA1相隔開且 安置於第二通道區域CHA2上，且在第一方向上橫越第二通道區域CHA2。第二閘極區域GA2係安置於第一掃描線SCn-1(其係在第一方向上延伸)上。
第二連接線CL2係連接第四閘極電極G4之第一閘極區域GA1之邊緣ED與第一掃描線SCn-1。因此，第二連接線CL2係連同第一閘極區域GA1、第二閘極區域GA與第一掃描線SCn-1而圍繞第二導電區域COA2。第二連接線CL2未與第二導電區域COA2重疊。
第二連接線CL2與第四閘極電極G4係安置於與第一掃描線SCn-1相同的層上。因此，第二連接線CL2、第四閘極電極G4、及第一掃描線SCn-1係整體地形成。第二連接線CL2、第四閘極電極G4、及第一掃描線SCn-1係可使用光蝕刻或相似製程同時形成。
再者，第二連接線CL2與第四閘極電極G4係未與第二導電區域COA2重疊。第一掃描線SCn-1、第一閘極區域GA1、第二閘極區域GA2、及第二連接線CL2係呈封閉式迴路形式延伸，以圍繞第二導電區域COA2。
如此，在第四薄膜電晶體T4中，第一連接線CL1連接第一閘極區域GA1之邊緣ED與第一掃描線SCn-1。因此，雖然靜電可由外界流通過第一掃描線SCn-1，但由於靜電並未集中在第一閘極區域GA1的邊緣ED處，反而可再透過第二連接線CL2移動至第一掃描線SCn-1，因此係避免鄰近第四閘極電極G4之邊緣ED的 絕緣層輕易地破裂。
同時，在第一例示性具體實施態樣中，第三薄膜電晶體T3與第四薄膜電晶體T4係安置於畫素PE中，但在另一例示性具體實施態樣中，具有與第三薄膜電晶體或第四薄膜電晶體相同形狀的薄膜電晶體反而可安置於閘極驅動器或資料驅動器中。
第五薄膜電晶體T5係連接驅動功率線ELVDDL與第一薄膜電晶體T1，且包括一第五閘極電極G5，其與光發射控制線En連接。第五薄膜電晶體T5係在畫素PE的非發射期間中斷連接至第一功率供應ELVDD之驅動功率線ELVDDL與第一薄膜電晶體T1之間的連結，且在畫素PE的發射期間連接驅動功率線ELVDDL與第一薄膜電晶體T1。此即，第五薄膜電晶體T5係起畫素PE之另一開關電晶體之功能。
第六薄膜電晶體T6係連接第一薄膜電晶體T1與有機發光二極體OLED的第一電極ETD1，且包括一與光發射控制線En連接的第六閘極電極G6。第六薄膜電晶體T6係在畫素PE的非發射期間中斷第一薄膜電晶體T1與有機發光二極體OLED之間的連接，且在畫素PE的發射期間連接第一薄膜電晶體T1與有機發光二極體OLED。此即，第六薄膜電晶體T6係起畫素PE之另一開關電晶體之功能。
此外，各個薄膜電晶體之第一閘極電極G1、第二閘極電極G2、第三閘極電極G3、第四閘極電極G4、第五閘極電極G5、以及第六閘極電極G6係安置於相同層上，且可使用單一製程如光 蝕刻與閘極配線GW同時形成。
第一電容C1係在資料編程期間儲存供應至畫素PE中的資料信號，維持所儲存的資料信號以供一個架構，且係形成在與第一功率供應ELVDD連接的驅動功率線ELVDDL與第一薄膜電晶體T1的第一閘極電極G1之間。第一電容C1係起儲存電容的功能。
第一電容C1係安置於基材SUB上且包括一第一電容電極CE1與一第二電容電極CE2，二者係面向彼此，其中第一絕緣層係位於該二者之間。
第一電容電極CE1係透過第四薄膜電晶體T4與起始功率線Vinit連接，且係安置於與主動圖案AP相同的層上。
第二電容電極CE2係與驅動功率線ELVDDL連接，且係安置於與閘極配線GW相同的層上。第二電容電極CE2係橫越鄰近的畫素PE且在第一方向上延伸，如第1圖所示。
第二電容C2係補償因有機發光二極體顯示器1000中之負載所導致的電壓降，且係形成在第一電容C1的第一電容電極CE1與第二掃描線SCn之間。此即，第二電容C2係起升壓電容(boosting capacitor)之功能，補償因有機發光二極體顯示器1000中之負載所導致的電壓降，其係經由當電流掃描信號的電壓程度改變時，特別是當電流掃描信號的供應中斷時，的耦合動作，以增加第一薄膜電晶體T1的第一閘極電極G1的電壓。
下文中，將描述畫素PE的操作。
首先，一低程度的預先掃描信號係透過第一掃描線SCn-1供應歷時一第一期間，設定為一起始期間。接著，第四薄膜電晶體T4係開啟以回應低程度的預先掃描信號，且起始功率係由起始功率線Vinit透過第四薄膜電晶體T4供應至第一薄膜電晶體T1，以起始第一薄膜電晶體T1。
之後，一低程度的電流掃描信號係透過第二掃描線SCn供應歷時一第二期間，設定為一資料編程期間。接著，第二薄膜電晶體T2與第三薄膜電晶體T3係開啟，以回應低程度的電流掃描信號。
此外，第一薄膜電晶體T1係經由第三薄膜電晶體T3而開啟呈二極體連接狀態，特定言之，由於第一薄膜電晶體T1係在預先期間起始，因此第一薄膜電晶體T1係以導通方向(forward direction)與二極體連接。
因此，由資料線DAm供應的資料信號係通過第二薄膜電晶體T2、第一薄膜電晶體T1、以及第三薄膜電晶體T3，因此對應於資料信號與第一薄膜電晶體T1的臨界電壓之間差異的電壓係儲存在第一電容C1中。
之後，當電流掃描信號的電壓程度係改變為高程度以結束電流掃描信號時，施加至第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1的電壓係經改變，以回應因第二電容C2的耦合作用所導致之電流掃描信號之電壓改變寬度。於此情況中，由於施加至第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1的電壓係經由第一電容C1與第二 電容C2之間的電荷共享而改變的，因此施加至第一閘極電極G1之電壓的電荷量係經改變，正比於第一電容C1與第二電容C2之間的電荷共享值，以及電流掃描信號的電壓改變寬度。
之後，由光發射控制線En供應的光發射控制信號在一第三期間(設定為一發射期間)係由高程度改變至低程度。接著，第五薄膜電晶體T5與第六薄膜電晶體T6係經由低程度的光發射控制信號在第三期間開啟。因此，驅動電流係供應至由第一功率供應ELVDD至第二功率應供應ELVSS的路徑上，經由驅動功率線ELVDDL、第五薄膜電晶體T5、第一薄膜電晶體T1、第六薄膜電晶體T6、以及有機發光二極體OLED。
驅動電流係經由第一薄膜電晶體T1所控制，且第一薄膜電晶體T1係產生驅動電流，具有一對應於供應至第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1之電壓的量值。於此情況中，由於第一薄膜電晶體T1的臨界電壓在第二期間係儲存在第一電容C1中，因此第一薄膜電晶體T1的臨界電壓係在第三期間經補償。
如此，即使根據第一例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器1000係包括第三薄膜電晶體T3的第三閘極電極G3與第四薄膜電晶體T4的第四閘極電極G4(其各自分別具有一雙閘極區域)，第一連接線CL1與第二連接線CL2係分別連接第三閘極電極G3的邊緣ED及第四閘極電極G4的邊緣ED與第二掃描線SCn及第一掃描線SCn-1。因此，即使靜電由外界流通過第二掃描線SCn與第一掃描線SCn-1，但由於靜電並未集中在第三閘極電極G3之邊 緣ED與第四閘極電極G4之邊緣ED處，反而係分別透過第一連接線CL1與第二連接線CL2移動回第二掃描線SCn與第一掃描線SCn-1，因此係避免鄰近第三閘極電極G3之邊緣ED與第四閘極電極G4之邊緣ED的絕緣層輕易地破裂。
因此，係提供第三薄膜電晶體T3與第四薄膜電晶體T4(其中係避免由於靜電所導致之第三閘極電極G3與第四閘極電極G4與其他元件的短路)，因此，提供對靜電效果更具抗性的有機發光二極體顯示器1000。
下文中，將參考第5至7圖描述根據第二例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器。下文中，連接線意指第三連接線與第四連接線。
下文中，僅誇示與描述可區分的或不同於第一例示性具體實施態樣者的特徵，而省略敘述的部分係遵照或相似於第一例示性具體實施態樣。再者，在第二例示性具體實施態樣中，為便於描述，將使用與第一例示性具體實施態樣相同的參考符號描述相同或相似的構成元件。
第5圖係繪示根據第二例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器之畫素的佈局圖。第6圖係放大第5圖中之部分B的示圖。第7圖係沿第6圖中線VII-VII所取的剖面圖。
第三薄膜電晶體T3係包括一主動圖案AP、一第三閘極電極G3、及一第三連接線CL3。
第三連接線CL3係連接第三閘極電極G3的第一閘極 區域GA1的邊緣ED與第二掃描線SCn。因此，第三連接線CL3係連同第一閘極區域GA1、第二閘極電極GA2、及第二掃描線SCn而圍繞第二導電區域COA2。第三連接線CL3係未與第二導電區域COA2重疊。
第三連接線CL3係安置於與第三閘極電極G3與第二掃描線SCn不同的層上，且透過不同的接觸孔CH連接第三閘極電極G3的邊緣ED與第二掃描線SCn。
於此具體實施態樣中，在第三薄膜電晶體T3中，第三連接線CL3係連接第一閘極區域GA1的邊緣ED與第二掃描線SCn。因此，雖然靜電由外界流通過第二掃描線SCn，但由於靜電並未集中在第一閘極區域GA1的邊緣ED處，反而透過第三連接線CL3移動回第二掃描線SCn，因此係避免鄰近第三閘極電極G3的邊緣ED的絕緣層輕易地破裂。
此外，由於第三連接線CL3係安置在與第三閘極電極G3與第二掃描線SCn不同的層上，因此安置有第三連接線CL3的部分可經三維式的設定，整個第三薄膜電晶體T3以及其他安置於第三薄膜電晶體T3周圍的其他構造的佈局可更輕易地設定。
第四薄膜電晶體T4係包括一主動圖案AP、一第四閘極電極G4、及一第四連接線CL4。
第四連接線T4係連接第四閘極電極G4的第一閘極區域GA1的邊緣ED與第一掃描線SCn-1。因此，第四連接線CL4係連同第一閘極區域GA1、第二閘極區域GA2、及第一掃描線SCn而 圍繞第二導電區域COA2。第四連接線CL4係未與第二導電區域COA2重疊。
第四連接線CL4係安置於與第四閘極電極G4與第一掃描線SCn-1不同的層上，且透過不同的接觸孔CH連接第四閘極電極G4的邊緣ED與第一掃描線SCn-1。
如此，在第四薄膜電晶體T4中，第四連接線CL4係連接第一閘極區域GA1的邊緣ED與第一掃描線SCn-1。因此，雖然靜電由外界流通過第一掃描線SCn-1，但由於靜電並未集中在第一閘極區域GA1的邊緣ED處，反而透過第四連接線CL4移動回第一掃描線SCn-1，因此係避免鄰近第四閘極電極G4的邊緣ED的絕緣層輕易地破裂。
此外，由於第四連接線CL4係安置於與第四閘極電極G4與第一掃描線SCn-1不同的層上，因此安置有第四連接線CL4的部分可經三維式的設定，整個第四薄膜電晶體T4以及其他安置於第四薄膜電晶體T4周圍的其他構造的佈局可更輕易地設定。
如此，雖然根據第二例示性具體實施態樣的有機發光二極體顯示器1002係包括第三薄膜電晶體T3的第三閘極電極G3與第四薄膜電晶體T4的第四閘極電極G4(其各自分別具有一雙閘極區域)，第三連接線CL3與第四連接線CL4係分別連接第三閘極電極G3的邊緣ED及第四閘極電極G4的邊緣ED與第二掃描線SCn及第一掃描線SCn-1。因此，即使靜電由外界流通過第二掃描線SCn與第一掃描線SCn-1，由於靜電並未集中在第三閘極電極G3之邊緣 ED與第四閘極電極G4之邊緣ED處，反而係分別透過第三連接線CL3與第四連接線CL4移動回第二掃描線SCn與第一掃描線SCn-1，因此係避免鄰近第三閘極電極G3之邊緣ED與第四閘極電極G4之邊緣ED的絕緣層輕易地破裂。
因此，係提供第三薄膜電晶體T3與第四薄膜電晶體T4(其中係避免由於靜電所導致之第三閘極電極G3與第四閘極電極G4與其他元件的短路)，因此，提供對靜電效果更具抗性的有機發光二極體顯示器1002。
此外，在根據第二例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器1002中，由於第三連接線CL3係安置於與第三閘極電極G3與第二掃描線SCn不同的層上，因此安置有第三連接線CL3的部分可經三維式的設定，整個第三薄膜電晶體T3以及其他安置於第三薄膜電晶體T3周圍的其他構造的佈局可更輕易地設定。
此外，在根據第二例示性具體實施態樣之有機發光二極體顯示器1002中，由於第四連接線CL4係安置於與第四閘極電極G4與第一掃描線SCn-1不同之層上，因此安置有第四連接線CL4的部分可經三維式的設定，整個第四薄膜電晶體T4以及其他安置於第四薄膜電晶體T4周圍的其他構造的佈局可更輕易地設定。
此即，由於第三連接線CL3與第四連接線CL4係分別安置於與第三閘極電極G3與第四閘極電極G4不同的層上，整個畫素PX的構造可更輕易地設定。於此方式中，係提供高解析度的有機發光二極體顯示器1002，其中更多畫素PE可經由更輕易地減小 各畫素PE尺寸而設置在一設定區域中。
本揭露雖已描述目前認為可行的例示性具體實施態樣，但應理解本發明不限於所揭露的具體實施態樣，反而係欲涵蓋包括在所附申請專利範圍之精神與精神內的各種修改與均等安排。
1000‧‧‧有機發光二極體顯示器
CE2‧‧‧第二電容電極
DA1-DAm‧‧‧資料線
DD‧‧‧資料驅動器
DW‧‧‧資料配線
E1-En‧‧‧光發射控制線
ELVDD‧‧‧第一功率供應
ELVDDL‧‧‧驅動功率線
ELVSS‧‧‧第二功率供應
GD1‧‧‧閘極驅動器
GD2‧‧‧光發射控制驅動器
GW‧‧‧閘極配線
PE‧‧‧畫素
SC1-SCn-1‧‧‧第一掃描線
SC2-SCn‧‧‧第二掃描線
SUB‧‧‧基材
Vinit‧‧‧起始功率線

Claims (9)

  1. 一種薄膜電晶體，包含：一閘極電極，延伸自一顯示器之掃描線且具有一邊緣；以及一連接線，連接該閘極電極之邊緣至該掃描線。
  2. 如請求項1所述之薄膜電晶體，更包含：一主動圖案，對應於該閘極電極而安置在非該閘極電極之一顯示器之不同層上，該主動圖案係包含一第一導電區域；一第一通道區域鄰近該第一導電區域；一第二導電區域與該第一導電區域相隔開，其中該第一通道區域係位於該二者之間；一第二通道區域與該第一通道區域相隔開，其中該第二導電區域係位於該二者之間；以及一第三導電區域與該第二導電區域相隔開，其中該第二通道區域係位於該二者之間；其中，該閘極電極係包含：一第一閘極區域，安置於該主動圖案上且橫越該第一通道區域，以及一第二閘極區域，安置於該主動圖案上且橫越該第二通道區域，以及其中該邊緣係該第一閘極區域或該第二閘極區域之一部分，且該連接線係連接該邊緣至一顯示器之掃描線且連同該第一閘極區域、該第二閘極區域及該掃描線而圍繞該第二導電區域。
  3. 如請求項2所述之薄膜電晶體，其中一顯示器之掃描線、該第一閘極區域、該第二閘極區域及該連接線係以一封閉迴路形式延伸。
  4. 如請求項3所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極係未與該第二導電區域重疊。
  5. 如請求項2所述之薄膜電晶體，其中該第一導電區域、該第二導電區域及該第三導電區域係包含導電材料，且該第一通道區域及該第二通道區域係包含半導體材料。
  6. 如請求項2所述之薄膜電晶體，其中離子係摻雜於該第一導電區域、該第二導電區域及該第三導電區域中。
  7. 如請求項2所述之薄膜電晶體，其中該第二導電區域係具有一或多種彎曲。
  8. 一種有機發光二極體顯示器，包含：一基材；一有機發光二極體，位於該基材上；以及一薄膜電晶體，與該有機發光二極體連接；該薄膜電晶體係包含：一閘極電極，延伸自一顯示器之掃描線且具有一邊緣；以及一連接線，連接該閘極電極之邊緣至該掃描線。
  9. 如請求項8所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機發光二極體係包含： 一第一電極，連接至該薄膜電晶體；一有機發射層，位於該第一電極上；以及一第二電極，位於該有機發射層上。
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