JP2012508151A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012508151A5 JP2012508151A5 JP2011534882A JP2011534882A JP2012508151A5 JP 2012508151 A5 JP2012508151 A5 JP 2012508151A5 JP 2011534882 A JP2011534882 A JP 2011534882A JP 2011534882 A JP2011534882 A JP 2011534882A JP 2012508151 A5 JP2012508151 A5 JP 2012508151A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- crucible
- fill
- filling
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 44
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims 38
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (43)
- 少なくとも約20質量%のシリコン粉末を含むシリコン充填物を生成させるため、シリコン粉末粒子の表面に一定量のシリコン酸化物が含まれるシリコン粉末粒子を含有するシリコン粉末を坩堝に投入し、該坩堝を、シリコンインゴットを引き上げるための結晶引上装置のハウジング内に配置して、チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させる際に用いられるシリコン粉末の溶融物を調製するプロセスであって、
シリコン充填物を、少なくとも約30分間、約1100℃から当該シリコン充填物のおよそ融点未満の温度までの範囲に含まれる温度まで加熱し酸化物低減シリコン充填物を調製する工程と、
上記酸化物低減シリコン充填物を、当該充填物の融点を超える温度まで加熱しシリコン溶融物を生成させる工程と、を備えるプロセス。 - 上記の酸化物低減シリコン充填物を調製するため、少なくとも約30分間、約1100℃からシリコン充填物のおよそ融点未満の温度までの範囲に含まれる温度までアルゴンを含む大気中でシリコン充填物を加熱する請求項1記載のプロセス。
- 上記の酸化物低減シリコン充填物を調製するため、少なくとも約30分間、約1100℃からシリコン充填物のおよそ融点未満の温度までの範囲に含まれる温度まで水素を含む大気中でシリコン充填物を加熱する請求項1記載のプロセス。
- 上記の酸化物低減シリコン充填物を調製するため、少なくとも約30分間、約1100℃からシリコン充填物のおよそ融点未満の温度までの範囲に含まれる温度までシリコン充填物を加熱しながら、結晶引上装置のハウジング内において真空を維持する請求項1〜3のいずれかに記載のプロセス。
- 上記真空を制御し、真空を周期的に生じさせる請求項4記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物は、シリコンを熱分解可能な化合物から化学気相成長させる際に用いられる流動層反応炉から排出されたシリコン粉末を含む請求項1〜5の何れかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、約50μm未満の平均公称直径を有するシリコン粉末を含む請求項1〜6の何れかに記載のプロセス。
- 約1100℃からシリコン充填物のおよそ融点未満の温度までの範囲に含まれる温度までシリコン充填物を加熱する前に、大気の一部を除去し上記ハウジング内を真空とし、
上記大気の除去率が、シリコン粉末が大気中に混入することが抑制されるように制御される請求項1〜7の何れかに記載のプロセス。 - シリコン充填物を生成させるため、シリコン粉末を坩堝に投入し、該坩堝を、シリコンインゴットを引き上げるための結晶引上装置の、大気を含むハウジング内に配置して、チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させる際に用いられるシリコン粉末の溶融物を調製するプロセスであって、
大気の一部を除去しハウジング内を真空とする工程と、
シリコン充填物の融点を超える温度まで該シリコン充填物を加熱しシリコン溶融物を生成させる工程と、を有し、
上記大気の除去率は、シリコン粉末が上記大気に混入することが抑制されるように制御されるプロセス。 - 大気の一部を除去し上記ハウジング内に約300トール絶対圧力未満の真空とし、
上記大気の除去率は、シリコン粉末が上記大気に混入することが抑制されるように制御される請求項9に記載のプロセス。 - 真空とされる前の上記ハウジング内の圧力が、およそ大気圧である請求項9記載のプロセス。
- 上記ハウジング内の圧力がおよそ大気圧から約300トールまで変化する時間が少なくとも約60秒である請求項11記載のプロセス。
- 上記ハウジング内の圧力がおよそ大気圧から約300トールまで変化する間、大気の除去率が約4トール/秒未満に制御される請求項11記載のプロセス。
- 上記ハウジング内の圧力がおよそ大気圧から約250トールまで変化する時間が少なくとも約60秒である請求項11記載のプロセス。
- 上記ハウジング内の圧力がおよそ大気圧から約250トールまで変化する間、大気の除去率が約4トール/秒未満に制御される請求項11記載のプロセス。
- 大気の一部を除去し上記ハウジング内に約300トール絶対圧力未満の真空とし、
上記大気の除去率は、シリコン粉末が上記大気に混入することが抑制されるように制御され、
さらに、大気の残りの部分を除去し約5トール絶対圧力の真空とする工程を含む請求項11に記載のプロセス。 - 大気の一部を除去し上記ハウジング内に約250トール絶対圧力未満の真空とし、
上記大気の除去率は、シリコン粉末が上記大気に混入することが抑制されるように制御され、
さらに、大気の残りの部分を除去し約5トール絶対圧力の真空とする工程を含む請求項11に記載のプロセス。 - 上記シリコン充填物が、シリコンを熱分解可能な化合物から化学気相成長させる際に用いられる流動層反応炉から排出されたシリコン粉末を含む請求項9〜17のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、約50μm未満の平均公称直径を有するシリコン粉末粒子を含む請求項9〜18のいずれかに記載のプロセス。
- シリコン充填物を生成させるため上記シリコン粉末を坩堝に投入し、上記坩堝を、上記シリコンインゴットを引き上げるための結晶引上装置のハウジング内に配置して、チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させる際に用いられるシリコン粉末の溶融物を調製するプロセスであって、
上記結晶引上装置は、上記シリコン充填物を溶融させるに十分な温度まで上記坩堝を加熱するための、該坩堝に熱的に接続されたヒータを有し、上記ヒータは、ヒータ長さと、上記ヒータの上部と下部との間の中途の軸方向中間点と、を規定する上部及び下部を有し、上記坩堝は、上記結晶引上装置の中央長手方向軸に沿って上記ハウジング内において上下することが可能であり、上記充填物が上記充填物の表面と、上記充填物の下部との間の中途に軸方向中間点を有し、
当該プロセスは、
上記坩堝を、上記充填物の軸方向中間点と上記ヒータの軸方向中間点との間の距離が上記ヒータ長さの約15%未満である第1軸方向ポジションにおいて保持し、表面を有するシリコン溶融物を生成させるため、上記坩堝によって保持されたシリコン充填物を加熱する工程と、
上記溶融物の表面と上記ヒータの軸方向中間点との間の距離が上記ヒータ長さの少なくとも約15%未満である第2軸方向ポジションにおいて上記坩堝を加熱する工程と、
上記第2軸方向ポジションにおいて、少なくとも約30分間、上記充填物の融点を超える温度に上記シリコン溶融物の温度を維持する工程と、を有するプロセス。 - 上記第1軸方向ポジションと上記第2軸方向ポジションとの間の位置の相違は、上記ヒータ長さの約5%未満である請求項20記載のプロセス。
- 上記第1軸方向ポジションと上記第2軸方向ポジションとが実質的に同じである請求項20記載のプロセス。
- 上記溶融物の表面が、上記ヒータの上部より下方、上記ヒータ長さの約2.5%〜約25%の位置に存在する第3軸方向ポジションまで上記坩堝を上昇させる工程をさらに備える請求項20〜22のいずれかに記載のプロセス。
- 上記ヒータ長さが少なくとも約300mmである請求項20〜23のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、シリコンを熱分解可能な化合物から化学気相成長させる際に用いられる流動層反応炉から排出されたシリコン粉末を含む請求項20〜24のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、約50μm未満の平均公称直径を有するシリコン粉末粒子を含む請求項20〜25のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、少なくとも約20質量%のシリコン粉末を含む請求項20〜26のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、少なくとも約50質量%のシリコン粉末を含む請求項20〜26のいずれかに記載のプロセス。
- チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させる際に用いられるシリコン粉末の溶融物を調製するプロセスであって、
上記シリコン溶融物は、底部と、内表面を有する側壁と、を有する坩堝において調製され、
当該プロセスは、
上記坩堝の側壁の内表面に沿って、上部と下部とを有する除去可能なスペーサを挿入する工程と、
シリコン充填物を生成させるため、シリコン粉末を上記坩堝に投入する工程と、
上記坩堝の側壁と上記シリコン充填物との間にギャップを形成するため、上記坩堝から、上記除去可能なスペーサを除去する工程と、
シリコン溶融物を生成させるため、上記シリコン充填物を上記充填物の融点を超える温度まで加熱する工程と、を有するプロセス。 - 上記シリコン粉末は、上記スペーサが上記坩堝から取り除かれる前の時点において、上記側壁において、上記除去可能なスペーサの上部の高さ以下の高さを有する請求項29記載のプロセス。
- 上記除去可能なスペーサを上記坩堝に挿入する前に、シリコン粉末を坩堝に投入し部分的なシリコン充填物を生成させ、
上記除去可能なスペーサを挿入した後に、シリコン粉末を坩堝に投入し完全なシリコン充填物を生成させる請求項29又は30に記載のプロセス。 - 上記スペーサの形状が矩形である請求項29〜31のいずれかに記載のプロセス。
- 上記スペーサが環状体である請求項29〜32のいずれかに記載のプロセス。
- 上記坩堝側壁が、内周面を有する環状体であり、
上記スペーサの長さが少なくともおよそ上記側壁の上記内周面の長さである請求項29〜33のいずれかに記載のプロセス。 - 2つの除去可能なスペーサが上記坩堝に挿入される請求項29〜34のいずれかに記載のプロセス。
- 上記スペーサが少なくとも約20mm厚である請求項29〜35のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、シリコンを熱分解可能な化合物から化学気相成長させる際に用いられる流動層反応炉から排出されたシリコン粉末を含む請求項29〜36のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、約50μm未満の平均公称直径を有するシリコン粉末粒子を含む請求項29〜37のいずれかに記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、少なくとも約20質量%のシリコン粉末を含む請求項29〜38のいずれかに記載のプロセス。
- チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させる際に用いられるシリコン粉末の溶融物を調製するプロセスであって、
当該プロセスは、
シリコン粉末粒子の表面において一定量のシリコン酸化物を有するシリコン粉末粒子を含むシリコン粉末を、底部と、内表面を有する側壁と、を備える坩堝に投入し、シリコン充填物を生成させる工程と、
上記坩堝側壁の内表面に沿って、上部と下部とを有する除去可能なスペーサを挿入する工程と、
上記坩堝側壁と上記シリコン充填物との間にギャップを形成するため、上記坩堝から上記除去可能なスペーサを除去する工程と、
上記シリコンインゴットを引き上げるための結晶引上装置のハウジング内に上記坩堝を投入する工程と、を有し、
上記ハウジングは大気を含み、上記結晶引上装置は、上記シリコン充填物を溶融させるに十分な温度まで上記坩堝を加熱するために、上記坩堝に熱的に接続されたヒータを有し、上記ヒータは、ヒータ長さ、及び、上記ヒータの上部と下部との間の中途の軸方向中間点を規定する上部と下部とを有し、上記坩堝は、上記結晶引上装置の中央長手方向軸に沿って上記ハウジング内において上下することが可能であり、上記充填物は、当該充填物の表面と上記充填物の下部との間の中途の軸方向中間点を有し、
該プロセスは、
大気の一部を除去し上記ハウジング内を真空とする工程を有し、上記大気の除去率は、シリコン粉末が上記大気に混入することが抑制されるように制御され、
該プロセスは、シリコン充填物を少なくとも約30分間約1100℃からシリコン充填物のおよそ融点未満の温度までの範囲に含まれる温度まで加熱し酸化物低減シリコン充填物を調製する工程と、
上記酸化物低減シリコン充填物を上記充填物の融点を超える温度まで加熱し、表面を有するシリコン溶融物を生成させる工程と、を有し、上記坩堝は、上記充填物の軸方向中間点と上記ヒータの軸方向中間点との間の距離が上記ヒータ長さの約15%未満である第1軸方向ポジションにおいて保持され、
該プロセスは、上記溶融物の表面と、上記ヒータの軸方向中間点との間の距離が、上記ヒータ長さの約15%未満である第2軸方向ポジションに上記坩堝を配置する工程と、
上記第2軸方向ポジションにおいて、上記シリコン溶融物の温度を少なくとも約30分間上記充填物の融点を超える温度に維持する工程と、を有するプロセス。 - 上記シリコン充填物が、シリコンを熱分解可能な化合物から化学気相成長させる際に用いられる流動層反応炉から排出されたシリコン粉末を含む請求項40記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、約50μm未満の平均公称直径を有するシリコン粉末粒子を含む請求項40又は41に記載のプロセス。
- 上記シリコン充填物が、少なくとも約20質量%のシリコン粉末を含む請求項40〜42のいずれかに記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11153608P | 2008-11-05 | 2008-11-05 | |
US61/111,536 | 2008-11-05 | ||
PCT/US2009/063114 WO2010053915A2 (en) | 2008-11-05 | 2009-11-03 | Methods for preparing a melt of silicon powder for silicon crystal growth |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012508151A JP2012508151A (ja) | 2012-04-05 |
JP2012508151A5 true JP2012508151A5 (ja) | 2012-12-20 |
Family
ID=41591647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534882A Pending JP2012508151A (ja) | 2008-11-05 | 2009-11-03 | シリコンの結晶成長のためのシリコン粉末の溶融物を調製する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100107966A1 (ja) |
EP (2) | EP2650405A3 (ja) |
JP (1) | JP2012508151A (ja) |
KR (1) | KR20110095290A (ja) |
CN (1) | CN102272360A (ja) |
NO (1) | NO20110755A1 (ja) |
TW (1) | TWI428482B (ja) |
WO (1) | WO2010053915A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8721786B2 (en) | 2010-09-08 | 2014-05-13 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Czochralski crystal growth process furnace that maintains constant melt line orientation and method of operation |
CN102953117B (zh) * | 2011-08-31 | 2015-06-10 | 上海普罗新能源有限公司 | 硅锭的铸造方法 |
CN103266346B (zh) * | 2013-05-22 | 2016-12-28 | 嘉兴和讯光电科技有限公司 | 一种引上法生长yvo4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法 |
KR101540570B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2015-07-31 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 성장용 도가니, 및 이를 포함하는 단결정 성장 장치 |
WO2017062949A1 (en) * | 2015-10-10 | 2017-04-13 | Sunedison, Inc. | System and method for degassing granular polysilicon |
US11313049B2 (en) * | 2015-10-19 | 2022-04-26 | Globalwafers Co., Ltd. | Crystal pulling systems and methods for producing monocrystalline ingots with reduced edge band defects |
CN105783510A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-07-20 | 苏州普京真空技术有限公司 | 一种双用可拆卸坩埚 |
CN106087045B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-05-07 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅半熔铸锭用熔料及长晶工艺 |
CN106119956B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-04-12 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅半熔铸锭方法 |
JP7049119B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2022-04-06 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP6844560B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2021-03-17 | 株式会社Sumco | シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置 |
CN113802181A (zh) * | 2020-06-11 | 2021-12-17 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 硅料装料方法 |
US11987899B2 (en) * | 2020-11-12 | 2024-05-21 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for preparing an ingot in an ingot puller apparatus and methods for selecting a side heater length for such apparatus |
US20220145492A1 (en) * | 2020-11-12 | 2022-05-12 | GlobalWaters Co., Ltd. | Ingot puller apparatus having a heat shield disposed below a side heater and methods for preparing an ingot with such apparatus |
CN112581835B (zh) * | 2020-12-07 | 2022-02-22 | 东北大学 | 一种液桥生成器 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1147698A (en) * | 1980-10-15 | 1983-06-07 | Maher I. Boulos | Purification of metallurgical grade silicon |
US4354987A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-19 | Union Carbide Corporation | Consolidation of high purity silicon powder |
US4659421A (en) * | 1981-10-02 | 1987-04-21 | Energy Materials Corporation | System for growth of single crystal materials with extreme uniformity in their structural and electrical properties |
JPS61222982A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
US4676968A (en) | 1985-07-24 | 1987-06-30 | Enichem, S.P.A. | Melt consolidation of silicon powder |
DE3629231A1 (de) | 1986-08-28 | 1988-03-03 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zum aufschmelzen von in einen schmelztiegel chargiertem siliciumpulver und schmelztiegel zur durchfuehrung des verfahrens |
JPH0798715B2 (ja) * | 1989-01-23 | 1995-10-25 | 住友金属工業株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
US5006317A (en) * | 1990-05-18 | 1991-04-09 | Commtech Development Partners Ii | Process for producing crystalline silicon ingot in a fluidized bed reactor |
US5108720A (en) * | 1991-05-20 | 1992-04-28 | Hemlock Semiconductor Corporation | Float zone processing of particulate silicon |
JPH0710682A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Toshiba Corp | 単結晶の引上方法及びその製造装置 |
JP3085567B2 (ja) * | 1993-10-22 | 2000-09-11 | コマツ電子金属株式会社 | 多結晶のリチャージ装置およびリチャージ方法 |
US5976247A (en) | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
US5588993A (en) * | 1995-07-25 | 1996-12-31 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
US5814148A (en) * | 1996-02-01 | 1998-09-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
US5919303A (en) * | 1997-10-16 | 1999-07-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing a silicon melt from a polysilicon charge |
US5935328A (en) * | 1997-11-25 | 1999-08-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for use in crystal pulling |
JPH11310496A (ja) | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Mitsubishi Materials Corp | 一方向凝固組織を有するシリコンインゴットの製造方法およびその製造装置 |
US6093913A (en) | 1998-06-05 | 2000-07-25 | Memc Electronic Materials, Inc | Electrical heater for crystal growth apparatus with upper sections producing increased heating power compared to lower sections |
JP3702679B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2005-10-05 | 株式会社Sumco | 石英るつぼの内面保護具及びこれを用いて多結晶シリコンを入れる方法 |
US6663709B2 (en) * | 2001-06-26 | 2003-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots |
US6984263B2 (en) * | 2001-11-01 | 2006-01-10 | Midwest Research Institute | Shallow melt apparatus for semicontinuous czochralski crystal growth |
US6797062B2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-09-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for a crystal puller |
US7258744B2 (en) * | 2002-12-27 | 2007-08-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Graphite heater for producing single crystal, apparatus for producing single crystal, and method for producing single crystal |
US20050066881A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Continuous production method for crystalline silicon and production apparatus for the same |
KR100831044B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2008-05-21 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법 |
TW200914371A (en) * | 2007-06-01 | 2009-04-01 | Gt Solar Inc | Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon |
WO2009140406A2 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc. | Crystal growth apparatus for solar cell manufacturing |
-
2009
- 2009-11-03 WO PCT/US2009/063114 patent/WO2010053915A2/en active Application Filing
- 2009-11-03 US US12/611,567 patent/US20100107966A1/en not_active Abandoned
- 2009-11-03 JP JP2011534882A patent/JP2012508151A/ja active Pending
- 2009-11-03 EP EP13174922.8A patent/EP2650405A3/en not_active Withdrawn
- 2009-11-03 CN CN2009801536954A patent/CN102272360A/zh active Pending
- 2009-11-03 EP EP09745266.8A patent/EP2356268B1/en not_active Not-in-force
- 2009-11-03 KR KR1020117012737A patent/KR20110095290A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-11-05 TW TW098137653A patent/TWI428482B/zh active
-
2011
- 2011-05-23 NO NO20110755A patent/NO20110755A1/no not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012508151A5 (ja) | ||
EP2356268B1 (en) | Methods for preparing a melt of silicon powder for silicon crystal growth | |
JP5493092B2 (ja) | 酸化ガリウム単結晶の製造方法および酸化ガリウム単結晶 | |
JP6913430B2 (ja) | Vb/vgf法による結晶成長用石英管及び装置 | |
TW200914371A (en) | Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon | |
CN107429421B (zh) | 用于将挥发性掺杂剂引入熔体内的设备和方法 | |
JP2601411B2 (ja) | 単結晶引上げ方法およびその装置 | |
JP2003277197A (ja) | CdTe単結晶およびCdTe多結晶並びにその製造方法 | |
JP2009018967A (ja) | 固体原料融解方法および結晶成長方法 | |
EP2554720B1 (en) | Method for synthesizing group ii-vi compound semiconductor polycrystals | |
CN107099842A (zh) | 单晶硅的制备方法 | |
CN211471638U (zh) | 一种高纯锗用加热坩埚和直拉提纯装置 | |
JP6471700B2 (ja) | リチャージ装置を用いたシリコン原料の融解方法 | |
US9250014B2 (en) | Vacuum storage method and device for crystalline material | |
JP5741163B2 (ja) | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2011102204A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP2007022865A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP5136278B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP5029184B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法及びその製造装置 | |
CN114057196A (zh) | 一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法 | |
CN106167916A (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
JP4498457B1 (ja) | 結晶成長方法 | |
KR101507571B1 (ko) | 갈륨 아세나이드 합성장치 및 합성방법 | |
JP5110026B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体結晶の製造方法 | |
CN213266786U (zh) | 一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉 |