JPS61222982A - シリコン単結晶引上装置 - Google Patents
シリコン単結晶引上装置Info
- Publication number
- JPS61222982A JPS61222982A JP6530185A JP6530185A JPS61222982A JP S61222982 A JPS61222982 A JP S61222982A JP 6530185 A JP6530185 A JP 6530185A JP 6530185 A JP6530185 A JP 6530185A JP S61222982 A JPS61222982 A JP S61222982A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- silicon single
- heater
- single crystal
- crucible
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はシリコン単結晶引上装置の改良に関する。
シリコン単結晶の製造方法としてはチョクラルスキー法
が知られている。このチョクラルスキー法は第２図に示
すような引上装置を用いるものである。
が知られている。このチョクラルスキー法は第２図に示
すような引上装置を用いるものである。
第２図において、下部チャンバー１は上面及び底面に開
口が設けられており、その上部にはシリコン単結晶を引
上げるためのプルチャンバー２が設けられている。下部
チャンバー１の底面の開口からは支持軸３が回転自在に
挿入され、その上端に黒鉛製の保護体４及びその内部の
石英等からなるルツボ５を支持している。また、下部チ
ャンバー１内にはその底面を貫通してＣｕ又は内部水冷
されたＳＵＳからなる電極６．６が挿入され、これらの
上端にカーボン製の電極クランプ７が装着されている。
口が設けられており、その上部にはシリコン単結晶を引
上げるためのプルチャンバー２が設けられている。下部
チャンバー１の底面の開口からは支持軸３が回転自在に
挿入され、その上端に黒鉛製の保護体４及びその内部の
石英等からなるルツボ５を支持している。また、下部チ
ャンバー１内にはその底面を貫通してＣｕ又は内部水冷
されたＳＵＳからなる電極６．６が挿入され、これらの
上端にカーボン製の電極クランプ７が装着されている。
この電極クランプ７上には前記保護体４の周囲を囲むよ
うに、カーボンヒーター８が載置され、カーボン製のボ
ルト９．９によりカーボンヒーター８の端子と電極クラ
ンプ７とが係合されている。更に、プルチャンバー２の
上方からは引上軸１１が吊下されており、その下端の保
持治具１２に種結晶１３が保持されている。
うに、カーボンヒーター８が載置され、カーボン製のボ
ルト９．９によりカーボンヒーター８の端子と電極クラ
ンプ７とが係合されている。更に、プルチャンバー２の
上方からは引上軸１１が吊下されており、その下端の保
持治具１２に種結晶１３が保持されている。
上記引上装置を用いたシリコン単結晶の引上げは、以下
にようにして行なわれる。すなわち、まずルツボ５内に
多結晶シリコン粉末及び不純物を投入した後、不活性ガ
スを流しながら減圧にする０次に、電極６．６かも電極
クランプ７を介してカーボンヒーター８へ通電して加熱
することによりルツボ５内の原料を溶融する０次いで、
ルツボ５を回転させた状態でこの溶融シリコン１４に種
結晶１３を浸し、引上軸１１を回転させながら引上げる
ことにより、シリコン単結晶１５を成長させる。
にようにして行なわれる。すなわち、まずルツボ５内に
多結晶シリコン粉末及び不純物を投入した後、不活性ガ
スを流しながら減圧にする０次に、電極６．６かも電極
クランプ７を介してカーボンヒーター８へ通電して加熱
することによりルツボ５内の原料を溶融する０次いで、
ルツボ５を回転させた状態でこの溶融シリコン１４に種
結晶１３を浸し、引上軸１１を回転させながら引上げる
ことにより、シリコン単結晶１５を成長させる。
しかし、上述した従来の引上装置でシリコン単結晶の引
上げを行なっている間、下部チャンバー１内の雰囲気中
に浮遊しているＳｉが原因となって種々の問題が生じる
。すなわち、このＳｉはカーボンヒーター８の端子と電
極クランプ７との接触部やポルト９と反応するため、こ
れらの部分がＳｉＣ化される。このため、接触不良によ
るスパークやポルト９の固着が多発し、作業を中断した
り、頻繁に部品を交換しなければならなかった。
上げを行なっている間、下部チャンバー１内の雰囲気中
に浮遊しているＳｉが原因となって種々の問題が生じる
。すなわち、このＳｉはカーボンヒーター８の端子と電
極クランプ７との接触部やポルト９と反応するため、こ
れらの部分がＳｉＣ化される。このため、接触不良によ
るスパークやポルト９の固着が多発し、作業を中断した
り、頻繁に部品を交換しなければならなかった。
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであり
、カーボンヒーターの端子と電極クランプとの接触不良
やポルトの固着を防止し得るシリコン単結晶引上装置を
提供しようとするものである。
、カーボンヒーターの端子と電極クランプとの接触不良
やポルトの固着を防止し得るシリコン単結晶引上装置を
提供しようとするものである。
本発明のシリコン単結晶引上装置は、カーボンヒーター
の端子にポルトにより係合された電極クランプ及び該電
極クランプと接続された電極からなるヒーター系の少な
くとも前記カーボンヒーターと電極クランプとの接触部
及び両者を係合するポルトの周囲をカーボン酸のカバー
で覆ったことを特徴とするものである。
の端子にポルトにより係合された電極クランプ及び該電
極クランプと接続された電極からなるヒーター系の少な
くとも前記カーボンヒーターと電極クランプとの接触部
及び両者を係合するポルトの周囲をカーボン酸のカバー
で覆ったことを特徴とするものである。
このようなシリコン単結晶引上装置によれば、カーボン
ヒーターと電極クランプとの接触部やポルトのＳｉＣ化
を回避して、スパークの発生やポルトの固着を防止する
ことができる。
ヒーターと電極クランプとの接触部やポルトのＳｉＣ化
を回避して、スパークの発生やポルトの固着を防止する
ことができる。
以下、本発明の実施例を１ｇ１図を参照して説明する。
なお、第１図において第２図図示の従来のシリコン単結
晶引上装置と同一の部材には同一番号を付して説明を省
略する。
晶引上装置と同一の部材には同一番号を付して説明を省
略する。
第１図図示のシリコン単結晶引上装置では、下部チャン
バー１の底面を貫通して内部に挿入されたＣｕ又は内部
水冷されたＳＵＳからなる電極６．６．これら電極６．
６の上端に装着されたカーボン酸の電極クランプ７及び
この電極クランプ７上に保護体４の周囲を囲むように載
置され、カーボン酸のポルト９．９により電極クランプ
７とその端子で係合されたカーボンヒーター８から構成
されるヒーター系において、カーボンヒーター８の端子
と電極クランプ７との接触部及びポルト９．９はカーボ
ン酸のカバー１６によりその周囲が覆われている。
バー１の底面を貫通して内部に挿入されたＣｕ又は内部
水冷されたＳＵＳからなる電極６．６．これら電極６．
６の上端に装着されたカーボン酸の電極クランプ７及び
この電極クランプ７上に保護体４の周囲を囲むように載
置され、カーボン酸のポルト９．９により電極クランプ
７とその端子で係合されたカーボンヒーター８から構成
されるヒーター系において、カーボンヒーター８の端子
と電極クランプ７との接触部及びポルト９．９はカーボ
ン酸のカバー１６によりその周囲が覆われている。
このようなシリコン単結晶引上装置によれば、引上操作
中にカーボンヒーター８の端子と電極クランプ７との接
触部及びポルト９．９がチャンバー内の雰囲気にさらさ
れることがない、このため、上記の部位がチャンバー内
に浮遊しているＳｉと反応してＳｉＣ化するのを回避す
ることができる。したがって、スパークの発生やポルト
９．９の固着を防止することができ、作業の中断を大幅
に低減して作業能率を向上し得るとともに、部品の長寿
命化を図ることができる。
中にカーボンヒーター８の端子と電極クランプ７との接
触部及びポルト９．９がチャンバー内の雰囲気にさらさ
れることがない、このため、上記の部位がチャンバー内
に浮遊しているＳｉと反応してＳｉＣ化するのを回避す
ることができる。したがって、スパークの発生やポルト
９．９の固着を防止することができ、作業の中断を大幅
に低減して作業能率を向上し得るとともに、部品の長寿
命化を図ることができる。
以上詳述した如く本発明のシリコン単結晶引上装置によ
れば、カーボンヒーターの端子と電極クランプとの接触
部及びポルトのＳｉＣ化を防止することにより、作業能
率の向上及び部品の長寿命化を達成できる等顕著な効果
を奏するものである。
れば、カーボンヒーターの端子と電極クランプとの接触
部及びポルトのＳｉＣ化を防止することにより、作業能
率の向上及び部品の長寿命化を達成できる等顕著な効果
を奏するものである。
第１図は本発明の実施例におけるシリコン単結晶引上装
置の断面図、第２図は従来のシリコン単結晶引上装置の
断面図である。 １・・・下部チャン１＜−２２・・・プルチャンバー、
３・・・支持軸、４・・・保護体、５・・・ルツボ、６
・・・電極、７・・・電極クランプ、８・・・カーボン
ヒーター、９・・・ボルト、１０・・・保温筒、１１・
・・引上軸、１２・・・保持治具、１３・・・種結晶、
１４・・・溶融シリコン。 １５・・・シリコン単結晶、１６・・・カーボン製のカ
バー。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武彦 第１図
置の断面図、第２図は従来のシリコン単結晶引上装置の
断面図である。 １・・・下部チャン１＜−２２・・・プルチャンバー、
３・・・支持軸、４・・・保護体、５・・・ルツボ、６
・・・電極、７・・・電極クランプ、８・・・カーボン
ヒーター、９・・・ボルト、１０・・・保温筒、１１・
・・引上軸、１２・・・保持治具、１３・・・種結晶、
１４・・・溶融シリコン。 １５・・・シリコン単結晶、１６・・・カーボン製のカ
バー。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武彦 第１図
Claims (1)
- チャンバー内にルツボを回転自在に支持し、該ルツボ外
周に配設されたカーボンヒーターに通電して加熱するこ
とによりルツボ内でシリコン原料を溶融し、該溶融シリ
コンに上方から吊下された種結晶を浸してシリコン単結
晶を引上げる装置において、前記カーボンヒーターの端
子にボルトにより係合された電極クランプ及び該電極ク
ランプと接続された電極からなるヒーター系の少なくと
も前記カーボンヒーターと電極クランプとの接触部及び
両者を係合するボルトの周囲をカーボン製のカバーで覆
ったことを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6530185A JPS61222982A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | シリコン単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6530185A JPS61222982A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | シリコン単結晶引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222982A true JPS61222982A (ja) | 1986-10-03 |
Family
ID=13282951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6530185A Pending JPS61222982A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | シリコン単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222982A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008260671A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Covalent Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JP2011032150A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-17 | Sumco Corp | 回収された多結晶シリコンの再生方法 |
| JP2012508151A (ja) * | 2008-11-05 | 2012-04-05 | エムイーエムシー・シンガポール・プライベイト・リミテッド | シリコンの結晶成長のためのシリコン粉末の溶融物を調製する方法 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6530185A patent/JPS61222982A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008260671A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Covalent Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JP2012508151A (ja) * | 2008-11-05 | 2012-04-05 | エムイーエムシー・シンガポール・プライベイト・リミテッド | シリコンの結晶成長のためのシリコン粉末の溶融物を調製する方法 |
| JP2011032150A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-17 | Sumco Corp | 回収された多結晶シリコンの再生方法 |
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