JP2011032150A - 回収された多結晶シリコンの再生方法 - Google Patents
回収された多結晶シリコンの再生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011032150A JP2011032150A JP2009183199A JP2009183199A JP2011032150A JP 2011032150 A JP2011032150 A JP 2011032150A JP 2009183199 A JP2009183199 A JP 2009183199A JP 2009183199 A JP2009183199 A JP 2009183199A JP 2011032150 A JP2011032150 A JP 2011032150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- polycrystalline silicon
- furnace
- crucible
- quartz cylinder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】回収された粉末状又は小片状の多結晶シリコン34を、上面および下面が開口して当該上面および下面のそれぞれがシリコン板22,23で閉塞された石英製筒体2に収容する工程と、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体をCZ引上げ炉1内に入れ、所定圧に減圧するとともに不活性ガスを導入する工程と、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体を前記CZ引上げ炉の坩堝12上に位置させた状態で、前記CZ引上げ炉内の温度を昇温し、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンと前記シリコン板を溶解して前記坩堝に収容する工程と、前記CZ引上げ炉から前記石英製筒体を取り出す工程と、前記坩堝内の溶解シリコンをCZ法により育成し単結晶シリコンを製造する工程と、を備える。
【選択図】 図1
Description
前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体をCZ引上げ炉内に入れ、所定圧に減圧するとともに不活性ガスを導入する工程と、
前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体を前記CZ引上げ炉の坩堝上に位置させた状態で、前記CZ引上げ炉内の温度を昇温し、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンと前記シリコン板を溶解して前記坩堝に収容する工程と、
前記CZ引上げ炉から前記石英製筒体を取り出す工程と、
前記坩堝内の溶解シリコンをCZ法(チョクラルスキー法)により育成し単結晶シリコンを製造する工程と、を備えることを特徴とする。
ように構成することもできる(MCZ法)。
図1に示すようにCZ炉1内に設置した黒鉛製サセプタ13に石英製坩堝12をセットし、その中にシリコン原料を10kg充填し、その直上に石英製筒体1の上下両端の開口をシリコンウェーハ22,23で蓋をし、内部に30kgのシリコンの微粉末を充填した。
実施例1に対し、石英製坩堝12にセットするシリコン原料を40kgとしたこと以外は実施例1と同じ条件とし、直径150mmで長さ900mmの単結晶シリコンの育成を行った。その結果、70kgのシリコン融液から直径が150mmで長さが900mmのシリコン単結晶が育成できた。
CZ炉1内に設置した黒鉛製サセプタ13内に石英製坩堝12をセットし、その中にシリコン微粉末を40kg充填した。そして、20torrへ減圧してアルゴンガスを流したところ、微粉末がCZ炉1内に一部飛散したが、溶解することはできた。ただし、溶解時に細かい粉末が溶解メルト表面に浮遊する現象が観察された。
11…メインチャンバ
11A…ガス排出パイプ
12…坩堝
13…サセプタ
14…下軸
15…ヒータ
16…保温筒
17…支持部材
18…整流体
19…プルチャンバ
19A…ガス供給パイプ
19B…引上げ軸
2…石英製筒体
21…本体
22,23…シリコンウェーハ(シリコン板)
24…吊り紐
25,26…環状鍔部
31…シリコン融液
32…シリコン単結晶
33…種結晶
34…粉末状又は小片状の多結晶シリコン原料
Claims (1)
- 回収された粉末状又は小片状の多結晶シリコンを、上面および下面が開口して当該上面および下面のそれぞれがシリコン板で閉塞された石英製筒体に収容する工程と、
前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体をCZ引上げ炉内に入れ、所定圧に減圧するとともに不活性ガスを導入する工程と、
前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体を前記CZ引上げ炉の坩堝上に位置させた状態で、前記CZ引上げ炉内の温度を昇温し、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンと前記シリコン板を溶解して前記坩堝に収容する工程と、
前記CZ引上げ炉から前記石英製筒体を取り出す工程と、
前記坩堝内の溶解シリコンをCZ法により育成し単結晶シリコンを製造する工程と、を備える回収された多結晶シリコンの再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009183199A JP5381475B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 回収された多結晶シリコンの再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009183199A JP5381475B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 回収された多結晶シリコンの再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011032150A true JP2011032150A (ja) | 2011-02-17 |
JP5381475B2 JP5381475B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=43761596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009183199A Active JP5381475B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 回収された多結晶シリコンの再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5381475B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012154449A1 (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller |
JP2016108160A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の育成方法 |
JP2019199374A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 粉末状原料の充填方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111088501B (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-22 | 浙江大学 | 一种元素分析仪还原管的回收和再利用方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61222982A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
JPH0710682A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Toshiba Corp | 単結晶の引上方法及びその製造装置 |
JP2004035357A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引上げ装置の原料供給装置、単結晶半導体製造用原料および原料供給用原料容器 |
JP2004083322A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Cz原料供給方法及び供給治具 |
JP2005112669A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム |
JP2008063205A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Covalent Materials Corp | 固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法 |
-
2009
- 2009-08-06 JP JP2009183199A patent/JP5381475B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61222982A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
JPH0710682A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Toshiba Corp | 単結晶の引上方法及びその製造装置 |
JP2004035357A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引上げ装置の原料供給装置、単結晶半導体製造用原料および原料供給用原料容器 |
JP2004083322A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Cz原料供給方法及び供給治具 |
JP2005112669A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム |
JP2008063205A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Covalent Materials Corp | 固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012154449A1 (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller |
US8691013B2 (en) | 2011-05-09 | 2014-04-08 | Memc Singapore Pte Ltd | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller |
JP2016108160A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の育成方法 |
JP2019199374A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 粉末状原料の充填方法 |
JP7006500B2 (ja) | 2018-05-16 | 2022-01-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 粉末状原料の充填方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5381475B2 (ja) | 2014-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4689373B2 (ja) | シリコンの再利用方法 | |
TWI428482B (zh) | 製備用於矽晶體成長之矽粉末融化物之方法 | |
JP5380442B2 (ja) | 種結晶から鋳造シリコンを製造するための方法および装置 | |
JP4103593B2 (ja) | 固形状多結晶原料のリチャージ管及びそれを用いた単結晶の製造方法 | |
JP2002201092A (ja) | 単結晶インゴットの製造装置 | |
TW200914371A (en) | Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon | |
JP5381475B2 (ja) | 回収された多結晶シリコンの再生方法 | |
JPH09202694A (ja) | Czシリコン結晶成長システムの急速冷却 | |
JP2003002780A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2005162599A (ja) | 均一なベイカンシ欠陥を有するシリコン単結晶インゴット、シリコンウエハ、シリコン単結晶インゴットの製造装置、及びシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
JP4917519B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
EP2993259B1 (en) | Silicon single crystal fabrication method | |
JP4692324B2 (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造装置 | |
TW202332498A (zh) | 單晶爐裝置 | |
JP5392040B2 (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
JP2008087996A (ja) | 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法 | |
JP2019069898A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
TWI338728B (ja) | ||
JP4396505B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
CN114929951A (zh) | 单晶制造装置 | |
JPH07118089A (ja) | 多結晶のリチャージ装置およびリチャージ方法 | |
WO2019097875A1 (ja) | 単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の引き上げ方法 | |
JP2009126738A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2007176717A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2004292288A (ja) | シリコン単結晶原料の溶解方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5381475 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |