CN213266786U - 一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，石英管上部安装坩埚托盘，坩埚托盘上部安装坩埚，坩埚内为氮化铝原料粉体，坩埚上部安装籽晶支架，籽晶支架上部安装第一晶片压环、第二晶片压环，第一晶片压环、第二晶片压环上部为原料籽晶，保温贴位于坩埚外部，保温贴上的线圈为感应线圈。本实用新型能在2400℃长时间稳定工作，氮化铝晶体生长的温度均匀性好，线圈保证恒温状态。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉。
背景技术
原料纯化会在生长坩埚中进行。并且由于生长工艺的原因，一般情况下填加原料的高度都是固定的。但是在加热纯化之后，原料的状态很难控制保持一致。更因此填料的过程一般都为人工操作.更增加了很多的不可控因素。原料的气孔率，原料的粒径状态等都会不可控。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，能在2400℃长时间稳定工作，氮化铝晶体生长的温度均匀性好，线圈保证恒温状态。本实用新型的技术方案:一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，石英管1上部安装坩埚托盘2，坩埚托盘2上部安装坩埚3，坩埚内为氮化铝原料粉体4，坩埚3上部安装籽晶支架5，籽晶支架5上部安装第一晶片压环7、第二晶片压环8，第一晶片压环7、第二晶片压环8上部为原料籽晶6，保温贴9位于坩埚3外部，保温贴9上的线圈为感应线圈。
本实用新型工作原理：
长晶炉体采用感应加热方式，在真空下或惰性气体气氛保护的坩埚中，在一定的温度和压力下，达到合适的温度和温度梯度，氮化铝粉在高温下发生分解升华，生成气相组分，由于坩埚反应腔轴向存在着温度梯度，气相组分向温度相对较低的生长界面(晶体/气相界面) 运动，并在籽晶上沉积与结晶。生长界面将稳定地向原料区推移，最终生成氮化铝晶体。
本实用新型技术效果：
支撑石英管1保证炉体与坩埚的稳定支架作用，坩埚托盘2调整坩埚水平度问题，坩埚主要将原材料放入坩埚中，起到容器的作用，籽晶支架5用来托住籽晶放置位置，防止籽晶的在生长晶体过程中掉落，原料籽晶6用来进行晶体生长，第一晶片压环7、第二晶片压环 8将需要生长的籽晶与籽晶支架进行固定籽晶。保温贴9增加线圈为感应线圈，通过感应温度，保证随机线圈进行加热，从而保证恒温状态。
本实用新型主要氮化铝烧结炉的特点：
一、物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉采用红亚的大电流引流具有高保温的技术，能使其在2400℃长时间稳定工作；
二、物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉经过多点测温，多温区控温，本身的温度均匀性好；
三、圈为感应线圈，通过感应温度，保证随机线圈进行加热，从而保证恒温状态。
附图说明：
图1为本实用新型的结构剖视图。
具体实施方式:
如图1所示：一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，石英管1上部安装坩埚托盘2，坩埚托盘2上部安装坩埚3，坩埚内为氮化铝原料粉体4，坩埚3上部安装籽晶支架5，籽晶支架5上部安装第一晶片压环7、第二晶片压环8，第一晶片压环7、第二晶片压环8 上部为原料籽晶6，保温贴9位于坩埚3外部，保温贴9上的线圈为感应线圈。
Claims (1)
1.一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉，其特征是：石英管(1)上部安装坩埚托盘(2)，坩埚托盘(2)上部安装坩埚(3)，坩埚内为氮化铝原料粉体(4)，坩埚(3)上部安装籽晶支架(5)，籽晶支架(5)上部安装第一晶片压环(7)、第二晶片压环(8)，第一晶片压环(7)、第二晶片压环(8)上部为原料籽晶(6)，保温贴(9)位于坩埚(3)外部，保温贴(9)上的线圈为感应线圈。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202021451522.0U CN213266786U (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉 |
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| CN202021451522.0U CN213266786U (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN213266786U true CN213266786U (zh) | 2021-05-25 |
Family
ID=75960562
Family Applications (1)
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| CN202021451522.0U Active CN213266786U (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 一种物理气相传输法氮化铝晶体生长保温炉 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN213266786U (zh) |
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2020
- 2020-07-22 CN CN202021451522.0U patent/CN213266786U/zh active Active
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