JP2012256879A - 集積回路の製造における、パターン密度効果を低減させた超高速レーザーアニーリング - Google Patents
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- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 181
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 104
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000035876 healing Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02691—Scanning of a beam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0732—Shaping the laser spot into a rectangular shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02683—Continuous wave laser beam
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02686—Pulsed laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
【解決手段】少なくとも一つの第1レーザービーム168で基板のパターン付き表面12を走査する工程を有している。この少なくとも一つの第1レーザービームは、溶融温度Tmeltから400℃以内にある非溶融温度Tnonmeltまでパターン付き表面を加熱する。また、この方法は、さらに、第1レーザービームとの関連において、少なくとも一つの第2レーザービーム268でパターン付き表面を走査する工程を有している。少なくとも一つの第2レーザービームは、パルス状であり、かつ、少なくとも一つの第1レーザービームによって準備された非溶融温度から溶融温度までパターン付き表面を加熱する。
【選択図】図3
Description
システム100の運転の例において、システムコントローラ300が第1の制御信号S1を非溶融レーザー160に送信すると、これに応答して、非溶融レーザー160は、最初の非溶融レーザービーム162を生成する。この最初の非溶融レーザービーム162は、非溶融光学システム166に受け入れられ、ここで非溶融レーザービーム168が形成される。非溶融レーザービーム168は、第1光学軸A1に沿って進み、ウエハ表面12において非溶融ラインイメージ170を形成する。
本発明にかかる超高速レーザーアニーリングシステムおよび方法の利点は、前述したパターン密度効果の不利益を軽減することによってウエハ表面12の温度均一性を向上させる点にある。第1に、レーザーアニーリング処理の実施に関係する温度変動(すなわち、非均一性)ΔTは、下記の数式によって見積もることができる。
Claims (34)
- パターン付き表面および溶融温度を有する半導体基板のアニーリング方法であって、
前記溶融温度から400℃以内にある非溶融温度Tnonmeltまで前記パターン付き表面を加熱する少なくとも一つの第1レーザービームで前記パターン付き表面を走査し、
パルス状であり、かつ、前記非溶融温度から前記溶融温度まで前記パターン付き表面を加熱する、前記第1レーザービームと関連する少なくとも一つの第2レーザービームで前記パターン付き表面を走査する方法。 - 前記第1レーザービームで走査して、前記溶融温度よりも約50℃から約400℃低い非溶融温度まで前記パターン付き表面を加熱する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームは、前記パターン付き表面において少なくとも一つの非溶融ラインイメージを形成し、
前記少なくとも一つの第2レーザービームは、前記パターン付き表面において少なくとも一つの溶融ラインイメージを形成し、
前記パターン付き表面において、前記少なくとも一つの溶融ラインイメージは、前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージと部分的に重なり合っている、請求項1または2に記載の方法。 - 前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージおよび前記少なくとも一つの溶融ラインイメージの一方は、前記パターン付き表面における領域の寸法に対応した長さに形成されている、請求項3に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームおよび前記少なくとも一つの第2レーザービームは、複数のICチップの間における隙間内で重なり合うように走査を行う、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージは、前記少なくとも一つの第1レーザービームで前記パターン付き表面を走査することによる、前記パターン付き表面の最大非溶融温度に対応するピーク温度軸に関連付けされており、
前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージおよび前記少なくとも一つの溶融ラインイメージによる走査は、前記少なくとも一つの溶融ラインイメージが実質的に前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージの前記ピーク温度軸に沿って形成されるようにして実行される、請求項3に記載の方法。 - 前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージおよび前記少なくとも一つの溶融ラインイメージによる前記走査は、前記少なくとも一つの第1レーザービームによって走査される前記パターン付き表面における各点が前記少なくとも一つの第2レーザービームからの少なくとも一つの光パルスを受けるように実行される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームは、走査中における、前記パターン付き表面上での100マイクロ秒から20ミリ秒の間の滞留時間を有している、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームはCO2レーザーを用いて生成される、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームは、実質的にブルースター角で前記パターン付き表面に入射する、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームおよび少なくとも一つの第2レーザービームは、前記パターン付き表面付近のガス状のドーパントプレカーサを伴って走査を行う、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記走査は、二つの第1レーザービームおよび一つの第2レーザービームを用いて実施される、請求項1から12のいずれかに記載の方法。
- 吸収層および反射防止層の内の少なくとも一方が前記パターン付き表面上に配設されている、請求項1から13のいずれかに記載の方法。
- 前記パターン付き表面はドーパントプロファイルを含んでおり、前記ドーパントプロファイルは、a)前記少なくとも一つの第1レーザービームおよびb)前記少なくとも一つの第2レーザービームの少なくとも一方を調整することによって調整される、請求項1から14のいずれかに記載の方法。
- パターン付き表面および溶融温度を有する半導体基板のレーザーアニーリングに用いられるシステムであって、
前記溶融温度から約400℃内にある非溶融温度Tnonmeltまで前記パターン付き表面を加熱する少なくとも一つの第1レーザービームを生成するとともに、前記少なくとも一つの第1レーザービームで前記パターン付き表面を走査する第1レーザーシステムと、
パルス状で、かつ、前記非溶融温度から前記溶融温度まで前記パターン付き表面を加熱する少なくとも一つの第2レーザービームを生成するとともに、前記第1レーザービームに関連して前記少なくとも一つの第2レーザービームで前記パターン付き表面を走査する第2レーザーシステムとを備えるシステム。 - 前記少なくとも一つの第1レーザービームは、前記パターン付き表面における少なくとも一つの非溶融ラインイメージを形成し、
前記第2レーザービームは、前記パターン付き表面における少なくとも一つの溶融ラインイメージを形成し、
前記第1レーザーシステムおよび前記第2レーザーシステムは、前記少なくとも一つの溶融ラインイメージおよび前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージを前記パターン付き表面において少なくとも部分的に重複させる、請求項16に記載のシステム。 - 前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージは、前記少なくとも一つの第1レーザービームによる前記パターン付き表面の走査に起因する前記パターン付き表面の最大非溶融に対応するピーク温度軸に関連し、かつ、
前記第1レーザーシステムおよび前記第2レーザーシステムは、前記少なくとも一つの溶融ラインイメージが、実質的に前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージの前記ピーク温度軸に沿って形成されるように構成されている、請求項17に記載のシステム。 - 前記少なくとも一つの第1レーザービームを生成するCO2レーザーをさらに含んでいる、請求項16から18のいずれかに記載のシステム。
- 前記第1レーザーシステムは、前記少なくとも一つの第1レーザービームが前記パターン付き表面に対して実質的にブルースター角で入射するように構成されている、請求項16から19のいずれかに記載のシステム。
- ガス状のドーパントプレカーサを前記パターン付き表面付近で使用可能にするチャンバーをさらに有する、請求項16から20のいずれかに記載のシステム。
- パターン付き表面および所定の溶融温度Tmeltを有する基板のレーザーアニーリング方法であって、
前記パターン付き表面における温度ムラΔTを選択し、
下記の関係から最低非溶融温度Tnonmeltを決定し、
ここで、ΔTmeltは、従来の一つのビームによる溶融レーザーアニーリングによるパターン密度効果に起因するパターン付き表面温度ムラであり、また、Tsubは、前記パターン付き表面の当初温度である。
少なくとも一つの第1レーザービームで走査して前記パターン付き表面を前記最小非溶融温度Tnonmeltから前記溶融温度よりも約50℃低い温度の範囲の非溶融温度まで加熱し、前記第1レーザービームに関連する少なくとも一つの第2パルス状レーザービームで走査して前記基板溶融温度Tmeltまで前記パターン付き表面を加熱するレーザーアニーリングを実施する方法。 - 前記少なくとも一つの第1レーザービームはCO2レーザーである、請求項22に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームは、前記パターン付き表面に対してブルースター角あるいはそれに近い角度で向けられている、請求項22または請求項23に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームは偏光されている、請求項22から24のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第2レーザービームは繰返し率が1kHz以上である、請求項22から25のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第2レーザービームは、エキシマレーザー、ダイオード励起の固体レーザー、Qスイッチレーザー、および周波数変換レーザーのうちの一つを用いて生成される、請求項22から26のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第2レーザービームは、20Wから500Wの出力で提供される、請求項22から27のいずれかに記載の方法。
- 前記走査は、二つの第1レーザービームと一つの第2レーザービームとで実施される、請求項22から28のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも一つの第1レーザービームおよび前記少なくとも一つの第2レーザービームは、前記パターン付き表面の近傍のガス状ドーパントプレカーサを伴って走査を行う、請求項22から29のいずれかに記載の方法。
- 前記パターン付き表面において、前記少なくとも一つの第1レーザービームで少なくとも一つの非溶融ラインイメージが形成されるとともに、前記少なくとも一つの第2レーザービームで少なくとも一つの溶融ラインイメージが形成され、
前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージおよび前記少なくとも一つの溶融ラインイメージの一方が前記パターン付き表面における領域の寸法に対応した長さを有している、請求項22から30のいずれかに記載の方法。 - 前記少なくとも一つの非溶融ラインイメージおよび前記少なくとも一つの溶融ラインイメージは、前記パターン付き表面上における複数のICチップの隙間において互いに重なるようにして走査をする、請求項31に記載の方法。
- 吸収層および反射防止層の内、少なくとも一方が前記パターン付き表面上に配設されている請求項22から32のいずれかに記載の方法。
- 前記パターン付き表面は、前記少なくとも一つの第1レーザービームおよび前記少なくとも一つの第2レーザービームの内、少なくとも一方を調整することによって調整されるドーパントプロファイルを有している、請求項22から33のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/134,408 US8309474B1 (en) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication |
US13/134,408 | 2011-06-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256879A true JP2012256879A (ja) | 2012-12-27 |
JP5602787B2 JP5602787B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=47114488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012112240A Expired - Fee Related JP5602787B2 (ja) | 2011-06-07 | 2012-05-16 | 集積回路の製造における、パターン密度効果を低減させた超高速レーザーアニーリング |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8309474B1 (ja) |
JP (1) | JP5602787B2 (ja) |
KR (1) | KR20120135867A (ja) |
SG (1) | SG186542A1 (ja) |
TW (1) | TWI497600B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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TW201250854A (en) | 2012-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140722 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |