JP2012044046A - レーザアニール装置及びレーザアニール方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザパルスを出射するレーザ光源と、アニール対象物を保持するステージと、レーザ光源から出射したレーザパルスを、ステージに保持されたアニール対象物に伝搬する光学系であって、アニール対象物上におけるレーザパルスの入射位置を移動させる走査器を含む光学系と、レーザ光源から出射され、走査器を経由して、ステージに保持されたアニール対象物に入射する、入射順序が連続する任意の2つのレーザパルスの入射領域が重複部分をもたないように、走査器によるレーザパルスの入射位置の移動を制御する制御装置とを有するレーザアニール装置を提供する。
【選択図】 図6
Description
11 バリアブルアッテネータ
12 光ファイバ
13 レンズ
14 ガルバノスキャナ
15 fθレンズ
16 XYステージ
17 制御装置
18a 短軸用レンズアレイ
18b 長軸用レンズアレイ
20 パルスレーザビーム
30 貼り合わせ基板
30a シリコン層
30b 配線層
30c シリコン層
Claims (11)
- レーザパルスを出射するレーザ光源と、
アニール対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源から出射したレーザパルスを、前記ステージに保持されたアニール対象物に伝搬する光学系であって、前記アニール対象物上におけるレーザパルスの入射位置を移動させる走査器を含む光学系と、
前記レーザ光源から出射され、前記走査器を経由して、前記ステージに保持されたアニール対象物に入射する、入射順序が連続する任意の2つのレーザパルスの入射領域が重複部分をもたないように、前記走査器によるレーザパルスの入射位置の移動を制御する制御装置と
を有するレーザアニール装置。 - 前記制御装置は、前記レーザ光源から出射され、前記走査器を経由して、前記ステージに保持されたアニール対象物に入射する、入射順序が連続する任意の2つのレーザパルスが、前記アニール対象物表面に画定される複数のレーザ照射領域のうち、相互に異なる領域に入射するように、前記走査器によるレーザパルスの入射位置の移動を制御する請求項1に記載のレーザアニール装置。
- 前記制御装置は、前記レーザ光源から出射され、前記走査器を経由して、前記ステージに保持されたアニール対象物に入射するレーザパルスが、前記複数のレーザ照射領域のすべてに順に、1ショットずつ入射するサイクルを繰り返すように、前記走査器によるレーザパルスの入射位置の移動を制御する請求項2に記載のレーザアニール装置。
- 前記制御装置は、前記レーザ光源から出射され、前記走査器を経由して、前記ステージに保持されたアニール対象物に入射するレーザパルスのショット数が、前記複数のレーザ照射領域のすべての任意の位置につき等しくなるように、前記走査器によるレーザパルスの入射位置の移動を制御する請求項2または3に記載のレーザアニール装置。
- 更に、前記光学系は、前記レーザ光源と前記走査器との間のレーザパルスの光路上に配置され、入射するレーザパルスの光強度を変化して出射する光強度調整器を含み、
前記制御装置は、前記レーザ光源から出射され、前記光強度調整器及び前記走査器を経由して、前記ステージに保持されたアニール対象物に入射するレーザパルスが、前記複数のレーザ照射領域のうちの第1照射領域と第2照射領域とに、異なるパルスエネルギ密度で入射するように、前記光強度調整器を出射するレーザパルスの光強度、及び、前記走査器によるレーザパルスの入射位置の移動を制御する請求項2〜4のいずれか1項に記載のレーザアニール装置。 - (a)表層部に不純物が添加された半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板の不純物が添加された領域に、複数のレーザパルスを入射させて前記半導体基板のアニールを行う工程と
を有し、
前記工程(b)において、
入射順序が連続する任意の2つのレーザパルスの入射領域が重複部分をもたないように、前記半導体基板に複数のレーザパルスを入射させるレーザアニール方法。 - 前記工程(b)において、入射順序が連続する任意の2つのレーザパルスが、前記半導体基板表面に画定される複数のレーザ照射領域のうち、相互に異なる領域に入射するように、前記半導体基板に複数のレーザパルスを入射させて、前記複数のレーザ照射領域のアニールを行う請求項6に記載のレーザアニール方法。
- 前記工程(b)において、前記複数のレーザ照射領域のすべてに順に、1ショットずつレーザパルスを入射させるサイクルを繰り返して、前記複数のレーザ照射領域のアニールを行う請求項7に記載のレーザアニール方法。
- 前記工程(b)において、前記複数のレーザ照射領域のすべての任意の位置につき等しいショット数のレーザパルスを入射させる請求項7または8に記載のレーザアニール方法。
- 前記工程(b)において、前記複数のレーザ照射領域のうちの第1照射領域と第2照射領域とに、パルスエネルギ密度を異なる値にして、レーザパルスを入射させる請求項7〜9のいずれか1項に記載のレーザアニール方法。
- (a)表層部に不純物が添加され、内部に配線層が形成された半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板の不純物が添加された領域に、複数のレーザパルスを入射させて前記半導体基板のアニールを行う工程と
を有し、
前記工程(b)において、
入射順序が連続する任意の2つのレーザパルスの入射領域が重複部分をもたないように、前記半導体基板に複数のレーザパルスを入射させるレーザアニール方法。
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