JP2010283193A - 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイス向け半導体基板の製造装置 - Google Patents
半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイス向け半導体基板の製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ステージ加熱装置48によって、単結晶ウェーハ2を所定の温度範囲、例えば400℃以上、1000℃以下に予め加熱しておくことによって、レーザビームQ2の入射時における集光点近傍の最高到達温度と、単結晶ウェーハ2全体の温度との温度差を小さく保つことができる。
【選択図】図5
Description
即ち、本発明の半導体デバイス向け半導体基板の製造方法は、半導体基板を400℃以上、1000℃以下の温度範囲まで加熱する基板加熱工程と、該基板加熱工程により加熱された半導体基板の一面にレーザビームを入射させ、前記半導体基板の任意の微小領域に該レーザビームを集光させることにより、前記微小領域に多光子吸収過程を生じさせ、前記微小領域の結晶構造を変化させたゲッタリングシンクを形成するゲッタリングシンク形成工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
前記超短パルスレーザビームは、前記微小領域において、ピーク出力密度が1.0×106〜1.0×1011秒W/cm2、ビーム径が1μm〜10mmの範囲となるように制御されることが好ましい。
前記半導体基板の一面に、エピタキシャル結晶層を形成するエピタキシャル成長工程を更に備えていてもよい。
なお、こうしたゲッタリングシンク4は、単結晶ウェーハ2の上層に成膜したエピタキシャル層3に形成しても良い。
図2は、本発明の固体撮像素子用エピタキシャル基板を用いて作成した固体撮像素子(半導体デバイス)の一例を示す断面図である。固体撮像素子60は、p+型の半導体基板(シリコン基板)2の上にp型のエピタキシャル層3を形成し、更に、単結晶ウェーハ2にゲッタリングシンク4を形成した半導体基板(半導体デバイス向け半導体基板)1を用いる。
半導体デバイス向け半導体基板(以下、単に半導体基板と称する)を製造するにあたっては、ます、単結晶ウェーハ2を用意する(図3(a)参照)。単結晶ウェーハ2は、例えば、シリコン単結晶インゴットをスライスして製造されたシリコン単結晶ウェーハであればよい。
図4(a)に示すように、半導体基板1のエピタキシャル層3に重ねて半導体デバイス、例えば、多数のフォトダイオード(半導体素子)69を形成する(素子形成工程)。この時、それぞれのフォトダイオード69は、個々のゲッタリングシンク4に重なる位置に形成するのが特に好ましい。
2…単結晶ウェーハ
3…エピタキシャル層
4…ゲッタリングシンク
20…レーザー照射装置(半導体デバイスの製造装置)
21…レーザ照射体
21a…照射面
92…ゲッタリングシンク
96…ゲッタリングシンク
Claims (7)
- 半導体基板を400℃以上、1000℃以下の温度範囲まで加熱する基板加熱工程と、 該基板加熱工程により加熱された半導体基板の一面にレーザビームを入射させ、前記半導体基板の任意の微小領域に該レーザビームを集光させることにより、前記微小領域に多光子吸収過程を生じさせ、前記微小領域の結晶構造を変化させたゲッタリングシンクを形成するゲッタリングシンク形成工程と、
を少なくとも備えたことを特徴とする半導体デバイス向け半導体基板の製造方法。 - 前記レーザビームは、パルス幅1.0×10−15〜1.0×10−8秒、波長300〜1200nmの範囲の超短パルスレーザビームであることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス向け半導体基板の製造方法。
- 前記超短パルスレーザビームは、前記微小領域において、ピーク出力密度が1.0×106〜1.0×1011秒W/cm2、ビーム径が1μm〜10mmの範囲となるように制御されることを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス向け半導体基板の製造方法。
- 前記ゲッタリングシンク形成工程は、窒素、アルゴン、水素のうち、少なくとも何れか1種を含む非酸化性ガス雰囲気で行うことを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の半導体デバイス向け半導体基板の製造方法。
- 前記半導体基板の一面に、エピタキシャル結晶層を形成するエピタキシャル成長工程を更に備えたことを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の半導体デバイス向け半導体基板の製造方法。
- パルス幅1.0×10−15〜1.0×10−8秒、波長300〜1200nmの範囲の超短パルスレーザビームを、半導体基板に向けて照射するレーザ照射体と、
前記半導体基板を載置するステージと、
前記半導体基板を400℃以上、1000℃以下の温度範囲まで加熱する基板加熱手段と、
を少なくとも備えたことを特徴とする半導体デバイス向け半導体基板の製造装置。 - 前記基板加熱手段は、前記ステージを加熱するステージ加熱装置であることを特徴とする請求項6記載の半導体デバイス向け半導体基板の製造装置
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