KR20180098383A - 레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법 - Google Patents

레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180098383A
KR20180098383A KR1020187021712A KR20187021712A KR20180098383A KR 20180098383 A KR20180098383 A KR 20180098383A KR 1020187021712 A KR1020187021712 A KR 1020187021712A KR 20187021712 A KR20187021712 A KR 20187021712A KR 20180098383 A KR20180098383 A KR 20180098383A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
wafer
control system
annealing
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020187021712A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102080613B1 (ko
Inventor
구오동 추이
얀핑 란
밍잉 마
천펭 송
강 선
Original Assignee
상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 filed Critical 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20180098383A publication Critical patent/KR20180098383A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102080613B1 publication Critical patent/KR102080613B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/034—Observing the temperature of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법이 제공된다. 레이저 어닐링 장치는 레이저 광원 시스템(3), 상기 레이저 광원 시스템에 연결되고 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)(1) 위에 위치되는 레이저 조정 시스템(4), 실리콘 웨이퍼 위에 위치되고 실리콘 웨이퍼의 표면에서의 광 스폿의 위치에서의 온도를 실시간으로 측정하는 온도 모니터링 시스템(5), 및 각각 레이저 광원 시스템, 레이저 조정 시스템, 온도 모니터링 시스템 및 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)(2)에 연결되는 중앙 제어 시스템(6)을 포함한다. 본 발명에서, 복수의 독립적인 레이저 장치들(31)을 배열함으로써, 상이한 파장들을 갖는 레이저들은 실리콘 웨이퍼를 공동-어닐링(co-annealing)하기 위해 제공되고; 실리콘 웨이퍼를 어닐링하기 위한 최적의 공정 매개변수 세트들을 선택함으로써, 상이한 파장들을 갖는 레이저들은 상호 보완적이며, 최적의 어닐링 온도에 도달 할뿐만 아니라, 실리콘 웨이퍼의 표면에서의 이미지 효과가 잘 억제되고(inhibited); 온도 모니터링 시스템의 피드백 메커니즘(feedback mechanism) 및 중앙 제어 시스템의 조절 메커니즘(regulatory mechanism)에 의해, 어닐링의 균일성(uniformity) 및 제어 가능성이 향상되고, 열 버짓(heat budget)이 감소되고, 열 확산이 줄어들고, 어닐링 장치의 기술적 적응성이 향상된다.

Description

레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법
본 발명은 레이저 어닐링의 분야에 관한 것으로, 특히 레이저 어닐링 장치 및 관련 어닐링 방법들에 관한 것이다.
반도체 장치들의 제조에서, 실리콘 기판의 배면(backside)의 미리 결정된 부분에 대한 이온 주입 공정 동안, 인(phosphorus)(P) 이온으로 주입된 부분은 종종 붕소(boron)(B) 이온으로 주입된 부분보다 표면에 더 가깝게 위치되고, B 이온은 일반적으로 표면으로부터 더 멀리 위치하는 P 이온에 비해 더 높은 농도를 갖는다. 그러나, 이 이온 주입 공정은 표면 근처의 실리콘 기판의 결정도(crystallinity)에 지장을 주고 거기에(there) 이온의 분포를 무질서하게 하는 경향이 있다. 이러한 문제점들을 극복하기 위하여, 레이저 어닐링(laser annealing)은 일반적으로 유리 기판과 같은 절연 기판에 형성된 반도체 필름(semiconductor film)에 수행되며, 이는 결정화(crystallization)를 유발하거나 또는 결정도를 향상시키고, 비정질 재료(amorphous material)를 다결정 또는 단결정의 것(polycrystalline or monocrystalline one)으로 바꿀 수 있다. 이러한 레이저 어닐링 공정으로 처리될 때, 주입된 도펀트 이온들(dopant ions)은 결정질 원자들(crystalline atoms) 사이에 규칙적으로 분산되며, 이는 결과적으로 처리된 재료의 전기적 특성들을 효과적으로 향상시킨다.
웨이퍼(wafer)가 TSV(실리콘 관통 전극(Through Silicon Via)) 공정과 같은, 포토리소그래피 공정(photolithography process)을 거친 후에, 상이한 특성들을 나타내는 상이한 나노스케일 기하학적 구조들(nanoscale geometries)은 웨이퍼의 표면에서의 상이한 위치에 존재한다. 이러한 기하학적 구조들로 인해, 입사 레이저 에너지의 흡수는 웨이퍼 표면에 따라 달라진다. 결과적으로, 레이저 어닐링 공정에 이어서, 웨이퍼 표면을 가로 지르는 온도 분포는 균질하지 않고, 즉 소위 패턴 효과를 렌더링한다(rendering).
도 1은 포토리소그래피 공정으로부터 생긴(resulting) 웨이퍼의 표면을 개략적으로 도시한다. 도시된 바와 같이, 웨이퍼 표면에, 도면에서 흑색 블록(black blocks)에 의해 나타낸, 다수의 다이들(dies)(1')이 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 다이들(1')을 구비하여, 상이한 재료들의 표면 부분들로 각각 구성된 주기적인 나노스케일 구조들(periodic nanoscale structures)은 웨이퍼 표면에 존재한다. 결과적으로, 입사 광에 대한 웨이퍼 표면의 반사율(reflectance) R(x, y)은 표면에서의 위치에 따라 변한다.
또한, 전자기파의 이론에 의하여, 특정 재료의 표면에 대해, 재료의 표면의 반사율 R(λ, θ)은 입사광의 파장 λ 및 그것의 입사각(its angle of incidence) θ의 함수이다. 특정 파장의 레이저 광에 대해, 상이한 입사각으로 입사할 때, 웨이퍼 표면의 반사율
Figure pct00001
는 광의 입사각에 따라 달라진다. 도 3a 및 3b는 800- 및 500-nm 레이저 빔들이 표면 부분들에 입사하는 입사각의 함수로서 도 2에 도시된 상이한 재료의 표면 부분들 A, B, C 및 D에서의 반사 프로파일들(reflectance profiles)을 도시한다. 도면들로부터 알 수 있는 바와 같이, 동일한 파장의 입사 광에 대하여, 반사율
Figure pct00002
는 입사각에 따라 변한다; 한편, 동일한 입사각에서, 반사율
Figure pct00003
는 입사 광의 파장에 따라 변한다.
요약하면, 포토리소그래피 공정으로부터 생긴 웨이퍼에 대해, 입사 레이저 광에 대한 그 표면의 기준 R(λ, θ, x, y)은 광이 입사하는 표면 위치, 그 파장 및 입사각에 관련된다.
종래의 레이저 어닐링 기술들은 목표 어닐링 온도(target annealing temperature) T0가 웨이퍼 표면에서 도달할 때까지 처리될 웨이퍼의 표면을 조사하는 에너지원(energy source)으로서 레이저를 모두 사용한다. 그러나, 이러한 종래의 레이저 어닐링 기술들에 이용된 레이저들은 모두 단일 파장에서 레이저 광을 방사하는 것들이기 때문에, 웨이퍼 표면에서의 패턴 효과의 발생은 불가피 할 수 있고, 이는 제조되는 장치들의 성능 일관성에 상당한 악영향을 미칠 수 있고, 따라서 포토리소그래피의 성능 및 신뢰성이 손상된다.
상기 문제점들을 극복하기 위하여, 본 발명은 레이저 어닐링 장치 및 관련 어닐링 방법들을 제공한다.
본 발명에 제공되는 레이저 어닐링 장치는 웨이퍼 테이블에서의 웨이퍼를 레이저 어닐링하기 위한 것이며 포함한다:
조절 가능한 파워(tunable power)로 레이저 빔들을 출력하도록 구성되는 적어도 둘의 레이저들(at least two lasers)을 포함하는 레이저 광원 시스템(laser light source system);
상기 레이저 광원 시스템과 연결되는 레이저 조정 시스템(laser adjusting system) - 상기 레이저 조정 시스템은 상기 레이저들과 일-대-일로 대응하는(in one-to-one correspondence) 적어도 둘의 레이저 조정기들(laser adjustors)을 포함함, 상기 레이저 조정 시스템은 상기 웨이퍼의 표면에서 상기 레이저 빔들에 의해 형성되는 광 스폿(light spot)의 위치 및 상기 레이저 빔들의 파워들(powers)을 모니터링하고, 상기 레이저 빔들의 입사각들(angles of incidence) 및 상기 광 스폿의 형상(shape)을 조정하도록(adjust) 구성됨 -;
상기 광 스폿이 형성되는 상기 웨이퍼의 표면에서의 위치에서의 온도(temperature at a location on the surface)를 실시간으로 측정하도록 구성되는 온도 모니터링 시스템(temperature monitoring system); 및
상기 레이저 광원 시스템, 상기 레이저 조정 시스템, 상기 온도 모니터링 시스템 및 상기 웨이퍼 테이블의 각각과 연결되는 중앙 제어 시스템(central control system) - 상기 중앙 제어 시스템은 상기 레이저 광원 시스템, 상기 레이저 조정 시스템, 상기 온도 모니터링 시스템 및 상기 웨이퍼 테이블로부터 데이터(data)를 수신하고, 상기 레이저 광원 시스템, 상기 레이저 조정 시스템 및 상기 웨이퍼 테이블을 제어하도록 구성됨 -
부가적으로, 레이저 광원 제어 시스템(laser light source control system)은 상기 중앙 제어 시스템과 상기 레이저 광원 시스템 사이에 연결될 수 있고, 상기 레이저 광원 제어 시스템은, 상기 중앙 제어 시스템으로부터, 상기 레이저 광원 시스템의 레이저들의 각각으로부터 출력되는 상기 레이저 빔의 파워에 대한 제어 작동(control action)을 나타내는 제어 명령(control command)을 수신하고, 상기 제어 작동의 결과를 상기 중앙 제어 시스템으로 피드백하도록 구성된다(to feed a result of the control action back to the central control system).
부가적으로, 레이저 조정 제어 시스템(laser adjustment control system)은 상기 중앙 제어 시스템과 상기 레이저 조정 시스템 사이에 연결될 수 있고, 상기 레이저 조정 제어 시스템은, 상기 중앙 제어 시스템으로부터, 상기 레이저 조정 시스템에서의 상기 레이저 조정기들의 각각에 대한 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 수신하고, 상기 제어 작동의 결과를 상기 중앙 제어 시스템으로 피드백하도록 구성된다.
부가적으로, 웨이퍼 테이블 제어 시스템(wafer table control system)은 상기 중앙 제어 시스템과 상기 웨이퍼 테이블 사이에 배열될(disposed) 수 있고, 상기 웨이퍼 테이블 제어 시스템은, 상기 중앙 제어 시스템으로부터, 상기 웨이퍼 테이블의 이동에 대한 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 수신하고, 상기 제어 작동의 결과를 상기 중앙 제어 시스템으로 피드백하도록 구성된다.
부가적으로, 상기 온도 모니터링 시스템은 고온계(pyrometer) 또는 반사율 검출기(reflectance detector)일 수 있다.
부가적으로, 상기 레이저들은 광섬유들(optical fibers)에 의해 상기 레이저 조정기들에 연결될 수 있다.
부가적으로, 상기 레이저 조정기들의 각각은, 광학 경로(optical path)를 따라 순차적으로 배열되는, 스폿 검출 시스템(spot detection system), 에너지 감쇠 시스템(energy attenuation system), 광 균질화 시스템(light homogenization system), 및 회전 및 병진 부재(rotation and translation member)를 포함하고, 상기 스폿 검출 시스템은 상기 중앙 제어 시스템 및 상기 레이저들 중 대응하는 하나와 연결되며, 상기 회전 및 병진 부재는 상기 웨이퍼 위에 배치된다.
부가적으로, 상기 스폿 검출 시스템은 파워 미터(power meter), CCD 검출기(CCD detector) 및 이미지 수집기(image collector)를 포함할 수 있다.
부가적으로, 상기 광 균질화 시스템은 마이크로-렌즈 어레이(micro-lens array) 또는 광학 적분기 로드(optical integrator rod)로서 구현될 수 있다.
부가적으로, 빔 확장 및 시준 시스템(beam expansion and collimation system)은 상기 에너지 감쇠 시스템과 상기 광 균질화 시스템 사이에 배열될 수 있다.
부가적으로, 상기 회전 및 병진 부재는 검류계 렌즈(galvanometer lens) 및 압전 세라믹 작동기(piezoelectric ceramic actuator)를 포함할 수 있다.
부가적으로, F-θ 렌즈(F-θ lens)는 상기 회전 및 병진 부재와 상기 웨이퍼 사이에 배열될 수 있다.
부가적으로, 상기 적어도 둘의 레이저들로부터 출력되는 상기 레이저 빔들은 적어도 둘의 상이한 파장들을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 정의된 바와 같은 상기 레이저 어닐링 장치를 사용하여 어닐링하기 위한 방법을 제공하며, 다음의 단계들을 포함한다:
S1) 웨이퍼 테이블에 웨이퍼를 배치하고(placing) 상기 웨이퍼가 수평으로 배향되도록 조정하는 단계;
S2) 상기 레이저 조정 시스템의 레이저 조정기들에 의해, 광 스폿이 형성되는 상기 웨이퍼의 위치를 결정하고 상기 위치에서의 반사율에 기초하여 최적의 공정 매개변수들의 세트(optimum set of process parameters)를 결정하는 단계;
S3) 상기 레이저 광원 시스템 및 상기 레이저 조정 시스템을 조정하고, 상기 최적의 공정 매개변수들의 세트에 기초하여 상기 광 스폿이 형성되는 상기 웨이퍼의 위치를 노광하고(exposing), 상기 온도 모니터링 시스템에 의해 상기 위치에서의 온도를 측정하고, 상기 중앙 제어 시스템으로 상기 온도 측정을 전송하는(transmitting) 단계; 및
S4) 상기 수신된 온도 측정에 기초하여 상기 중앙 제어 시스템에 의해 상기 온도가 미리 결정된 온도 범위 내에 있는지를 결정하고, 그렇지 않은 경우에는(if not), 상기 위치에서의 노광 온도(exposure temperature)를 기록하고(recording), 동일한 반사율을 갖는 웨이퍼의 후속 위치(subsequent location)가 노광될 때, 상기 레이저 조정 시스템의 및 상기 레이저 광원 시스템의 매개변수들(parameters of the laser light source system and of the laser adjusting system)을 조정하여, 상기 웨이퍼가 미리 결정된 온도 범위 내의 노광 온도에서 노광되도록 하고, 그러한 경우에는(if yes), 상기 웨이퍼 테이블이 상기 웨이퍼를 이동시키도록 유발하여(causing) 상기 광 스폿이 노광될 다음 위치에 위치하도록 하는 단계; 및
S5) 상기 다음 위치가 최종 위치인지를 결정하고, 그렇지 않은 경우에는, 단계 S2) 내지 S4)를 반복하고, 그렇지 않으면(otherwise), 상기 방법을 종료하는 단계.
부가적으로, 상기 단계 S2)에서, 최적의 공정 매개변수들의 세트를 결정하는 단계는 다음의 단계들을 포함한다:
S21) 상기 개개의 레이저들(respective lasers)에 대한 파장들(wavelengths)을 선택하는 단계;
S22) 상기 웨이퍼의 위치들 중 하나에 대해, 상기 개개의 레이저들로부터의 레이저 빔들의 파워들 및 입사각들로 각각 구성되는 복수의 매개변수들의 세트(plurality of sets of parameters)를 결정하는 단계;
S23) 선택된 매개변수들의 세트에 대해, 상기 웨이퍼의 위치들 중 하나에서의 상기 레이저 빔들의 반사율 및 흡광도(absorbance)를 측정하고, 온도 모델(temperature model)을 사용하여 상기 선택된 매개변수들의 세트에 대한 노광 온도를 결정하는 단계; 및
S24) 상기 노광 온도가 미리 결정된 온도 범위 내에 있는지를 결정하고, 그렇지 않은 경우에는, 다음 매개변수들의 세트(next set of parameters)에 대해 단계 S23)를 수행하고, 그러한 경우에는, 상기 최적의 공정 매개변수들의 세트로서 상기 선택된 매개변수들의 세트를 결정하고, 상기 웨이퍼 테이블이 상기 웨이퍼를 다음 위치로 이동시키도록 유발하고 단계 S23)으로 되돌아가고(looping back), 상기 웨이퍼의 모든 상기 위치들이 그렇게 처리될 때까지(until all the locations of the wafer have been so treated) 이 방법을 반복하는 단계.
또한, 본 발명은 상기 정의된 바와 같은 상기 레이저 어닐링 장치를 사용하여 어닐링하기 위한 다른 방법을 제공하며, 다음의 단계들을 포함한다:
S1) 웨이퍼 테이블에 웨이퍼를 배치하고, 상기 웨이퍼에 대한 공정 매개변수들을 획득하는 단계;
S2) 상기 공정 매개변수들에 기초하여 적어도 둘의 레이저들을 선택하고, 상기 선택된 레이저들에 의해 레이저 빔들을 생산하고, 상기 레이저 빔들에 대한 어닐링 각도들(annealing angles) 및 파워들을 조정하는 단계; 및
S3) 상기 레이저 빔들에 의해 공동으로(jointly) 형성된 광 스폿으로 상기 웨이퍼의 표면을 어닐링하는 단계.
부가적으로, 단계 S1)에서, 상기 공정 매개변수들은 웨이퍼들의 상이한 유형들의 측정된 표면 치수들로부터 미리(in advance) 설정된(established) 어닐링 매개변수 모델로부터의 상기 웨이퍼의 유형에 기초하여 선택될 수 있다.
부가적으로, 단계 S1)에서, 상기 공정 매개변수들은 상기 웨이퍼의 표면 치수들을 실시간으로 측정함으로써 획득될 수 있다.
부가적으로, 상기 공정 매개변수들은 상기 웨이퍼의 표면 치수들 및 그 재료들의 반사율 지수들(reflectance indices of materials thereof)을 포함할 수 있다.
부가적으로, 단계 S2)에서, 상기 재료들의 반사율 지수들에 기초하여, 상이한 파장들에서 레이저 빔들을 생산하는(produce) 적어도 둘의 레이저들을 선택될 수 있고, 상기 레이저 빔들의 파워는 조정될 수 있다.
부가적으로, 단계 S2)에서, 상기 표면 치수들에 기초하여, 상이한 어닐링 각도들(different annealing angles)은 상기 레이저 조정기들 중 대응하는 것(corresponding ones)을 사용하여 상기 레이저 빔들의 입사각들을 조정함으로써 가능해질 수 있다.
부가적으로, 단계S3)에서, 상기 광 스폿은 상기 웨이퍼의 치수들 및 그 재료들의 반사율 지수들과 양립할(compatible) 수 있는 에너지 분포(energy distribution)를 가질 수 있다.
본 발명의 레이저 어닐링 장치 및 방법들에서, 웨이퍼는 다수의 독립적인 레이저들로부터의 레이저 빔들에 의해 공동으로 어닐링되며, 이는 상이한 파장들을 가지며, 선택된 최적의 공정 매개변수들의 세트를 구비하여, 서로 상호 보완적인 방식으로(in a mutually complementary manner) 협력한다. 결과적으로, 최적의 어닐링 온도가 달성될 수 있고, 표면 패턴 효과들은 효과적으로 감소될 수 있다. 부가적으로, 온도 모니터링 시스템으로부터의 피드백 및 중앙 제어 시스템에 의해 영향받은 조정들로, 어닐링은 감소된 열 버짓 및 적은 열 확산(reduced thermal budget and less thermal diffusion)을 갖는 더 균일하고 제어 가능한 방식으로 수행되며, 이는 어닐링 장치에 향상된 공정 적응성(process adaptability)을 부여한다.
도 1은 종래의 포토리소그래피 공정으로부터 생긴 웨이퍼의 표면을 개략적으로 도시한다.
도 2는 종래의 웨이퍼의 내부 구조를 개략적으로 도시한다.
도 3a 및 3b는 800- 및 500-nm 레이저 빔들이 표면 부분들에 입사하는 입사각의 함수로서 도 2에 도시된 상이한 재료의 표면 부분들 A, B, C 및 D에서의 반사 프로파일들을 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 어닐링 장치의 구조 개략도이다.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 조정기의 구조 개략도이다.
도 6은 셋의 상이한 레이저들로부터 발산된 레이저 빔들에 의해 웨이퍼의 표면에 형성된 광 스폿을 개략적으로 도시한다.
도 7은 500nm 및 800nm의 파장을 구비한 레이저 빔들을 사용하는 어닐링 공정에서의 공정 매개변수들의 세트의 수에 따른 온도 편차의 변화를 도시한다.
도 1에서, 1'은 다이를 나타낸다.
도 4 내지 8에서: 1-웨이퍼; 2-웨이퍼 테이블; 3-레이저 광원 시스템; 31-레이저; 4-레이저 조절 시스템; 41-레이저 조정기; 411-스폿 검출 시스템; 412-에너지 감쇠 시스템; 413-광 균질화 시스템; 414-회전 및 병진 부재; 415-빔 확장 및 시준 시스템; 416-F-θ 렌즈; 5-온도 모니터링 시스템; 6-중앙 통제 시스템; 7-광섬유들; 8-레이저 광원 제어 시스템; 9-레이저 조정 제어 시스템; 10-웨이퍼 테이블 제어 시스템.
본 발명은 첨부된 도면들을 참조하여 더 상세하게 설명될 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼 테이블(2)에 배치된 웨이퍼(1)의 레이저 어닐링을 위한 레이저 어닐링 장치를 제공한다.
레이저 어닐링 장치는 웨이퍼(1)의 표면 상에 어닐링 레이저 빔들을 출력하기 위한 적어도 둘의 레이저들(31)을 갖는 레이저 광원 시스템(3)을 포함한다. 레이저 빔들은 독립적으로 상이한 파장들로 레이저(31)에서 및 조절 가능한 파워 레벨들로부터 출력될 수 있다.
또한, 레이저 어닐링 장치는 레이저 광원 시스템(3)에 연결되고 웨이퍼(1) 위에 위치되는 레이저 조정 시스템(4)을 포함한다. 레이저 조정 시스템은 개개의 레이저들과 일-대-일로 대응하는 적어도 둘의 레이저 조정기들(41)을 포함한다. 즉, 레이저 조정기들(41)의 수는 레이저들(31)의 수와 동일하다. 레이저 조정기들(41)의 각각은 웨이퍼(1)의 표면에서의 레이저 빔들에 의해 형성된 광 스폿의 위치 및 레이저로부터 발산된 레이저 빔의 파워에 대해 레이저들(31) 중 대응하는 하나를 모니터링하고, 레이저 빔의 입사각 및 광 스폿의 형상을 조정하도록 구성된다. 바람직하게는, 레이저 조정 시스템(4)은 레이저 빔들을 전송하기 위한 광섬유들(7)에 의해 레이저 광원 시스템(3)에 연결될 수 있다.
또한, 레이저 어닐링 장치는 웨이퍼(1) 위에 배열되고 광 스폿이 형성되는 웨이퍼 표면의 위치에서의 온도를 실시간으로 측정하도록 구성된 온도 모니터링 시스템(5)을 포함한다. 바람직하게는, 온도 모니터링 시스템(5)은 광 스폿이 형성되는 웨이퍼 표면의 위치에서 온도를 실시간으로 측정하기 위한 고온계 또는 반사율 검출기로서 구현될 수 있고, 획득된 실시간 온도 데이터는 피드백 제어(feedback control)를 위한 기초로서 중앙 제어 시스템(6)으로 피드백될(fed back) 수 있다. 온도 모니터링 시스템(5)은 장치에서의 실제 위치를 제한하기 보다는 다른 구성 요소들 및 중앙 제어 시스템(6)과의 연결을 설명하기 위한 목적으로만 도 4에 개략적으로 도시된다. 그러므로, 온도 모니터링 시스템(5)은 도 4에 도시된 위치에 제한되는 것으로 해석되어야 한다.
또한, 레이저 어닐링 장치는 레이저 광원 시스템(3), 레이저 조정 시스템(4), 온도 모니터링 시스템(5) 및 웨이퍼 테이블(2)의 각각에 연결되고, 레이저 광원 시스템(3), 레이저 조정 시스템(4), 온도 모니터링 시스템(5) 및 웨이퍼 테이블(2)로부터 데이터를 수신하고, 레이저 광원 시스템(3), 레이저 조정 시스템(4) 및 웨이퍼 테이블(2)을 제어하도록 구성된다. 구체적으로, 온도 모니터링 시스템(5)으로부터의 온도 데이터는 중앙 제어 시스템(6)에 의해 프로세싱되고(processed), 레이저 광원 시스템(3) 및 레이저 조정 시스템(4)에 실시간으로 피드백되고(fed back), 제어의 2 자유도(two degrees of freedom of control)로서 역할하는(serving) 레이저 빔의 입사각 및 파워로 반사될(reflected) 수 있어서, 장치에 의해 수행되는 어닐링 공정 동안, 광 스폿이 형성되는 웨이퍼 표면의 위치에서의 온도는 미리 결정된 온도 범위
Figure pct00004
내에서 유지되며, 여기서, T 0는 광 스폿이 형성되는 웨이퍼 표면의 위치에 대한 목표 어닐링 온도를 나타내고,
Figure pct00005
는 허용 가능한 온도 편차(acceptable temperature deviation)를 나타낸다.
도 5에 도시된 바와 같이, 레이저 조정기들(41)의 각각은, 광 경로를 따라 순차적으로 배열되며, 스폿 검출 시스템(411), 에너지 감쇠 시스템(412), 광 균질화 시스템(413) 및 회전 및 병진 부재(414)를 포함할 수 있다. 스폿 검출 시스템(411)은 중앙 제어 시스템(6) 및 레이저들(31) 중 대응하는 하나 둘다에 연결되고, 파워 미터, CCD 검출기 및 이미지 수집기를 포함한다. 스폿 검출 시스템은 레이저로부터의 레이저 빔의 파워 및 레이저 빔에 의해 형성된 광 스폿의 위치를 실시간으로 모니터링하고, 이들 데이터를 중앙 제어 시스템(6)에 패스(pass)하도록 구성된다. 에너지 감쇠 시스템(412)은 편광 빔-분할 프리즘(polarizing beam-splitting prism) 및 감쇠기 또는 파장 판(wave plate)으로 구성될 수 있고, 레이저 빔이 빔의 편광 방향을 변화시키는 것 또는 그것(it)을 통과하는 레이저 빔의 부분을 스케일링하는 것(scaling)을 통해 웨이퍼 표면에 적용하는 에너지를 조정하도록 구성된다. 광 균질화 시스템(413)은 웨이퍼 표면에 레이저 빔에 의해 형성된 광 스폿의 특정 광 강도 분포를 생성하기 위한 광학 적분기 로드 또는 마이크로-렌즈 어레이로서 구현될 수 있다. 회전 및 병진 부재(414)는 검류계 렌즈 및 압전 세라믹 작동기를 포함할 수 있다. 회전 및 병진 부재(414)는 웨이퍼(1) 위에 배치될 수 있으며, 레이저 빔이 웨이퍼 표면에 입사되는 각도를 변화시키거나 웨이퍼 표면에 대한 광 스폿의 위치를 조정하도록 회전 또는 병진(translate)할 수 있다.
계속해서 도 5를 참조하면, 빔 확장 및 시준 시스템(415)은 에너지 감쇠 시스템(412)과 광 균질화 시스템(413) 사이에 배열될 수 있다. 그것은 레이저 빔들을 시준하고 웨이퍼 표면에 형성된 광 스폿의 형상을 조정하기 위한 망원경 시스템(telescope system) 도는 단일 렌즈(single lens)로서 구현될 수 있다. 바람직하게는, F-θ 렌즈(416)는 회전 및 병진 부재(414)와 웨이퍼(1) 사이에 배열되어 레이저 빔들이 웨이퍼 표면에서의 특정 에너지 분포를 갖는 광 스폿을 형성하게 허용할 수 있다. 도 6은 셋의 상이한 레이저들(three different lasers)(31)로부터 발산되는 레이저 빔들에 의해 웨이퍼 표면에 형성된 광 스폿을 개략적으로 도시한다. 일반적으로, 레이저 어닐링 공정 동안, 광 스폿의 형상은 선형 분포, 즉 스캐닝 방향(scanning direction)으로 좁고 비-스캐닝 방향(non-scanning direction)으로 더 넓은 형상을 취한다(assumes). 광 스폿은 레이저 조정 시스템으로부터의 레이저 빔들에 의해 형성된 다수의 광 스폿들의 완전 또는 부분 오버랩핑(complete or partial overlapping)으로부터 생길 수 있다. 일반적인 경우에, 광 스폿은 스캐닝 방향에서의 원하는 강도 및 에너지 분포 및 비-스캐닝 방향에서의 균일한 강도 및 에너지 분포를 갖는다.
계속해서 도 4를 참조하면, 중앙 제어 시스템(6)과 레이저 광원 시스템(3) 사이에는, 레이저 광원 시스템(3)의 레이저들로부터 출력된 레이저 빔들에 대한 원하는 파워를 전하는(imparting) 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 중앙 제어 시스템(6)으로부터 수신하고 중앙 제어 시스템(6)으로 제어 작동의 결과를 피드백하도록 구성되는, 레이저 광원 제어 시스템(8)이 연결될 수 있다. 또한, 레이저 광원 시스템(3)의 레이저들(31)의 각각은, 그것이 레이저 광원 제어 시스템(8)을 통해 중앙 제어 시스템(6)에 출력하고 있는 레이저 빔의 파장 및 파워에 관한 정보를 전송할 수 있다.
계속해서 도 4를 참조하면, 중앙 제어 시스템(6)과 레이저 조정 시스템(4) 사이에는, 레이저 조정 시스템(4)의 레이저 조정기들(41)을 나가는(exiting) 레이저 빔들이 원하는 각도들로 입사되고 원하는 형상들을 갖도록 허용하는 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 중앙 정절 시스템(6)으로부터 수신하도록 구성되고, 제어 작동의 결과를 중앙 제어 시스템(6)으로 피드백하도록 구성되는, 레이저 조정 제어 시스템(9)이 연결될 수 있다.
바람직하게는, 중앙 제어 시스템(6)과 웨이퍼 테이블(2) 사이에는, 웨이퍼 테이블(2)의 이동에 대한 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 중앙 제어 시스템(6)으로부터 수신하고, 중앙 제어 시스템(6)으로 제어 작동의 결과를 피드백하도록 구성되는 웨이퍼 테이블 제어 시스템(10)이 배열될 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼 테이블(2)은 적어도 수평으로 자유롭게 이동하고 웨이퍼(1)를 구동시켜 광 스폿에 대해 이동시킬 수 있는 모션 스테이지(motion stage)로서 구현될 수 있어서, 웨이퍼 표면의 모든 위치는 광 스폿에 의해 어닐링 될 수 있다. 물론, 웨이퍼(1)가 레이저 광원 시스템(3)의 초점의 심도(depth of focus of the laser light source system) 내에 위치될 필요가 있다.
또한, 본 발명은 상기 정의된 바와 같은 레이저 어닐링 장치로 어닐링하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 다음 단계들을 포함한다:
단계 S1에서, 웨이퍼(1)는 웨이퍼 테이블(2)에 배치되고 웨이퍼(1)의 수평 배향(horizontal orientation)이 조정된다. 즉, 웨이퍼(1)는 수평 방향으로 배향되도록 조정된다.
단계 S2에서, 광 스폿이 형성되는 웨이퍼(1)의 위치 Spot (x, y)는 레이저 조정 시스템(4)의 레이저 조정기들(41)의 위치들에 기초하여 결정되고, 최적의 공정 매개변수들의 세트
Figure pct00006
는 위치 Spot (x, y)에서
Figure pct00007
을 갖는 N-번째 레이저(31)로부터 레이저 빔의 웨이퍼의 반사율 R (x,y)에 기초하여 결정되며, 여기서
Figure pct00008
는 파장
Figure pct00009
을 갖는 N-번째 레이저(31)로부터의 레이저 빔의 강도를 나타내고, 각도
Figure pct00010
로 웨이퍼 표면에 입사한다. 구체적으로, 광 스폿이 형성되는 웨이퍼의 위치 Spot (x, y)는 웨이퍼(1)에 대한 레이저 조정기들(41)의 회전 및 병진 부재들(414)의 위치에 기초하여 결정될 수 있다. 최적의 공정 매개변수들의 세트의 결정은 다음의 단계들을 포함할 수 있다:
S21) 개별 레이저들(31)에 대한 파장들
Figure pct00011
을 선택하는 단계;
S22) 웨이퍼(1)의 임의의 위치 (x,y)에 대해, 개별 레이저들(31)의 입사각들 및 파워 출력들을 조정하고 개별 레이저들(31)의 입사각들 및 파워 출력들로 각각 구성된 매개변수들의 m 세트들(m sets of parameters)을 결정하는 단계, 각각의 레이저(31)의 파워는 그것의 정격 파워(its rated power)에서 최대이고, 입사각
Figure pct00012
은 0도로부터 90도로의 범위임;
S23) 매개변수들의 세트들 중 선택된 하나에 대해, 웨이퍼(1)의 위치 (x, y)에서 레이저들(31)로부터의 레이저 빔들의 반사율
Figure pct00013
및 흡광도
Figure pct00014
를 측정하고, 온도 모델을 사용하여 선택된 매개변수들의 세트에 대한 노광 온도 T m 를 결정하는 단계; 및
S24) 노광 온도 T m 가 미리 결정된 온도 범위
Figure pct00015
내에 있는지를 결정하고, 상기 결정이 부정적(negative)이면, 다음 매개변수들의 세트에 대해 단계 S23)를 수행하고; 상기 결정이 긍정적(positive)이면, 특정 매개변수들의 세트를 최적의 공정 매개변수들의 세트
Figure pct00016
로서 결정하고, 웨이퍼 테이블(2)이 웨이퍼(1)를 다음 위치로 이동시키도록 유발하고 단계 S23)으로 되돌아가고, 웨이퍼(1)의 모든 위치들이 그렇게 처리될 때까지 이 공정을 반복하는 단계.
단계 S3에서, 레이저 광원 시스템(3) 및 레이저 조정 시스템(4)은 레이저 광원 제어 시스템(8) 및 레이저 조정 제어 시스템(9)에 의해, 각각 조정된다. 광 스폿이 형성되는 웨이퍼의 위치는 최적의 공정 매개변수들의 세트에 기초하여 노광되고, 그 위치에서의 온도는 온도 모니터링 시스템(5)에 의해 측정되고, 뒤이어(followed by) 온도 측정이 중앙 제어 시스템(6)으로 간다(passage).
단계 S4)에서, 중앙 제어 시스템(6)은 온도가 수신된 온도 측정에 기초하여 미리 결정된 온도 범위
Figure pct00017
내에 있는지를 결정한다. 상기 결정이 부정적이면, 노광 온도 T(x,y)는 기록되고, 동일한 반사율을 갖는 웨이퍼의 후속 위치가 노광될 때, 중앙 제어 시스템(6)은, 기록된 노광 온도 T(x,y)에 기초하여, 각각, 레이저 조정 제어 시스템(9) 및 레이저 광원 제어 시스템(8)을 통해, 레이저 빔들의 입사각 및 파워를 포함하는, 레이저 조정 시스템(4) 및 레이저 광원 시스템(3)의 매개변수들을 조정해서, 미리 결정된 온도 범위 내에서의 노광 온도로 위치가 노광되도록 한다. 상기 결정이 긍정적이면, 웨이퍼 테이블 제어 시스템(10)은, 중앙 제어 시스템(6)의 제어하에, 웨이퍼 테이블(2)이 웨이퍼(1)를 이동시키도록 유발하여서 광 스폿이 노광될 다음 위치에 위치시킨다.
단계 S5에서, 위치가 최종 위치인지 결정된다. 그렇지 않은 경우, 단계 S2-S4가 반복된다. 그렇지 않으면 공정은 종료된다.
도 7은 500nm와 800nm의 파장을 가진 레이저 빔들을 사용하는 어닐링 공정들(annealing processes)에서 공정 매개변수들의 세트들의 수(최대 4500)와의 온도 편차
Figure pct00018
의 변화를 도시한다. 도면으로부터 알 수 있듯이, 온도 편차는 110℃로부터 350℃로의 범위에 있으며, 여기에 개시된 어닐링 방법은 패턴 효과들을 줄이기 위한 효과적인 실현 가능한 솔루션을 제공함을 보여준다.
본 발명은 상기 정의된 바와 같은 레이저 어닐링 장치를 구비하여 어닐링하는 방법을 제공하며, 이는 다음 단계들을 포함한다:
단계 S1에서, 웨이퍼(1)는 웨이퍼 테이블(2)에 배치되고 웨이퍼(1)의 표면에 대한 공정 매개변수들은 획득된다. 공정 매개변수들은 웨이퍼의 표면 치수들 및 그 재료들의 반사율 지수들을 포함할 수 있다. 공정 매개변수들은 웨이퍼들의 상이한 유형들의 측정된 표면 치수들로부터 미리(in advance) 설정된 어닐링 매개변수 모델로부터의 웨이퍼(1)의 유형에 기초하여 선택되거나 웨이퍼의 표면 치수들을 실시간으로 측정함으로써 획득될 수 있다.
단계 S2에서, 공정 매개변수들에 기초하여, 레이저들(31) 중 적어도 둘은 레이저 빔들을 생산하도록 선택된다. 또한, 레이저 어닐링 각도들은 레이저 조정 시스템(4)을 조정함으로써 가능하게 되고, 상이한 어닐링 파워 레벨들은 레이저 광원 시스템(3)을 조정함으로써 가능하게 된다. 구체적으로, 웨이퍼의 재료들의 반사율 지수들에 기초하여, 레이저들(31) 중 적어도 둘은 상이한 파장들의 레이저 빔들을 생산하도록 선택될 수 있고, 레이저 빔들의 파워 레벨들은 조정될 수 있다. 부가적으로, 웨이퍼의 표면 치수들에 기초하여, 레이저 빔들의 입사각들은 레이저 조정기들(41)의 회전 및 병진 부재들(414)을 통해 조정될 수 있으며, 이에 의해 상이한 어닐링 각도들이 가능하게 된다.
단계 S3에서, 웨이퍼의 표면을 어닐링하기 위한 광 스폿은 레이저 빔들에 의해 공동으로 형성된다. 구체적으로, 광 스폿은 웨이퍼의 표면 치수들 및 그의 재료들의 반사율 지수들과 양립할 수 있는 에너지 분포를 가질 수 있다.
요약하면, 본 발명의 레이저 어닐링 장치 및 방법들에서, 웨이퍼(1)는 다수의 독립적인 레이저들(31)로부터의 레이저 빔들에 의해 공동으로 어닐링되며, 이는 상이한 파장들을 가지며, 선택된 최적의 공정 매개변수들의 세트를 구비하여, 서로 상호 보완적인 방식으로 협력한다. 결과적으로, 최적의 어닐링 온도가 달성될 수 있고, 표면 패턴 효과들은 효과적으로 감소될 수 있다. 부가적으로, 온도 모니터링 시스템(5)으로부터의 피드백 및 중앙 제어 시스템(6)에 의해 영향받은 조정들로, 어닐링은 감소된 열 버짓 및 적은 열 확산을 갖는 더 균일하고 제어 가능한 방식으로 수행되며, 이는 어닐링 장치에 향상된 공정 적응성을 부여한다.
본 발명의 몇몇 실시예들이 본 명세서에 설명되었지만, 이들 실시예들은 단지 예시적인 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 다양한 생략, 대체 및 변경은 모두 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (22)

  1. 웨이퍼 테이블에서의 웨이퍼의 레이저 어닐링을 위한 레이저 어닐링 장치에 있어서,
    조절 가능한 파워로 레이저 빔들을 출력하도록 구성되는 적어도 둘의 레이저들을 포함하는 레이저 광원 시스템;
    상기 레이저 광원 시스템과 연결되는 레이저 조정 시스템 - 상기 레이저 조정 시스템은 상기 레이저들과 일-대-일로 대응하는 적어도 둘의 레이저 조정기들을 포함함, 상기 레이저 조정 시스템은 상기 웨이퍼의 표면에서 상기 레이저 빔들에 의해 형성되는 광 스폿의 위치 및 상기 레이저 빔들의 파워들을 모니터링하고, 상기 레이저 빔들의 입사각들 및 상기 광 스폿의 형상을 조정하도록 구성됨 -;
    상기 광 스폿이 형성되는 상기 웨이퍼의 표면에서의 위치에서의 온도를 실시간으로 측정하도록 구성되는 온도 모니터링 시스템; 및
    상기 레이저 광원 시스템, 상기 레이저 조정 시스템, 상기 온도 모니터링 시스템 및 상기 웨이퍼 테이블의 각각과 연결되는 중앙 제어 시스템 - 상기 중앙 제어 시스템은 상기 레이저 광원 시스템, 상기 레이저 조정 시스템, 상기 온도 모니터링 시스템 및 상기 웨이퍼 테이블로부터 데이터를 수신하고, 상기 레이저 광원 시스템, 상기 레이저 조정 시스템 및 상기 웨이퍼 테이블을 제어하도록 구성됨 -
    을 포함하는 레이저 어닐링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    레이저 광원 제어 시스템은 상기 중앙 제어 시스템과 상기 레이저 광원 시스템 사이에 연결되고, 상기 레이저 광원 제어 시스템은, 상기 중앙 제어 시스템으로부터, 상기 레이저 광원 시스템의 레이저들의 각각으로부터 출력되는 상기 레이저 빔의 파워에 대한 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 수신하고, 상기 제어 작동의 결과를 상기 중앙 제어 시스템으로 피드백하도록 구성되는
    레이저 어닐링 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    레이저 조정 제어 시스템은 상기 중앙 제어 시스템과 상기 레이저 조정 시스템 사이에 연결되고, 상기 레이저 조정 제어 시스템은, 상기 중앙 제어 시스템으로부터, 상기 레이저 조정 시스템에서의 상기 레이저 조정기들의 각각에 대한 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 수신하고, 상기 제어 작동의 결과를 상기 중앙 제어 시스템으로 피드백하도록 구성되는
    레이저 어닐링 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    웨이퍼 테이블 제어 시스템은 상기 중앙 제어 시스템과 상기 웨이퍼 테이블 사이에 배열되고, 상기 웨이퍼 테이블 제어 시스템은, 상기 중앙 제어 시스템으로부터, 상기 웨이퍼 테이블의 이동에 대한 제어 작동을 나타내는 제어 명령을 수신하고, 상기 제어 작동의 결과를 상기 중앙 제어 시스템으로 피드백하도록 구성되는
    레이저 어닐링 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 온도 모니터링 시스템은 고온계 또는 반사율 검출기인
    레이저 어닐링 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 레이저들은 광섬유들에 의해 상기 레이저 조정기들에 연결되는
    레이저 어닐링 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 조정기들의 각각은, 광학 경로를 따라 순차적으로 배열되는, 스폿 검출 시스템, 에너지 감쇠 시스템, 광 균질화 시스템, 및 회전 및 병진 부재를 포함하고, 상기 스폿 검출 시스템은 상기 중앙 제어 시스템 및 상기 레이저들 중 대응하는 하나와 연결되며, 상기 회전 및 병진 부재는 상기 웨이퍼 위에 배열되는
    레이저 어닐링 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 스폿 검출 시스템은 파워 미터, CCD 검출기 및 이미지 수집기를 포함하는
    레이저 어닐링 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 광 균질화 시스템은 마이크로-렌즈 어레이 또는 광학 적분기 로드로서 구현되는
    레이저 어닐링 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    빔 확장 및 시준 시스템은 상기 에너지 감쇠 시스템과 상기 광 균질화 시스템 사이에 배열되는
    레이저 어닐링 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 회전 및 병진 부재는 검류계 렌즈 및 압전 세라믹 작동기를 포함하는
    레이저 어닐링 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    F-θ 렌즈는 상기 회전 및 병진 부재와 상기 웨이퍼 사이에 배열되는
    레이저 어닐링 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 둘의 레이저들로부터 출력되는 상기 레이저 빔들은 적어도 둘의 상이한 파장들을 포함하는
    레이저 어닐링 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 상기 레이저 어닐링 장치를 사용하여 어닐링하기 위한 방법에 있어서,
    S1) 웨이퍼 테이블에 웨이퍼를 배치하고 상기 웨이퍼가 수평으로 배향되도록 조정하는 단계;
    S2) 상기 레이저 조정 시스템의 레이저 조정기들에 의해, 광 스폿이 형성되는 상기 웨이퍼의 위치를 결정하고 상기 위치에서의 반사율에 기초하여 최적의 공정 매개변수들의 세트를 결정하는 단계;
    S3) 상기 레이저 광원 시스템 및 상기 레이저 조정 시스템을 조정하고, 상기 최적의 공정 매개변수들의 세트에 기초하여 상기 광 스폿이 형성되는 상기 웨이퍼의 위치를 노광하고, 상기 온도 모니터링 시스템에 의해 상기 위치에서의 온도를 측정하고, 상기 중앙 제어 시스템으로 상기 온도 측정을 전송하는 단계; 및
    S4) 상기 수신된 온도 측정에 기초하여 상기 중앙 제어 시스템에 의해 상기 온도가 미리 결정된 온도 범위 내에 있는지를 결정하고, 그렇지 않은 경우에는, 상기 위치에서의 노광 온도를 기록하고, 동일한 반사율을 갖는 웨이퍼의 후속 위치가 노광될 때, 상기 레이저 조정 시스템의 및 상기 레이저 광원 시스템의 매개변수들을 조정하여, 상기 웨이퍼가 미리 결정된 온도 범위 내의 노광 온도에서 노광되도록 하고, 그러한 경우에는, 상기 웨이퍼 테이블이 상기 웨이퍼를 이동시키도록 유발하여 상기 광 스폿이 노광될 다음 위치에 위치하도록 하는 단계; 및
    S5) 상기 다음 위치가 최종 위치인지를 결정하고, 그렇지 않은 경우에는, 단계 S2) 내지 S4)를 반복하고, 그렇지 않으면, 상기 방법을 종료하는 단계
    를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 단계 S2)에서, 최적의 공정 매개변수들의 세트를 결정하는 단계는,
    S21) 상기 개개의 레이저들에 대한 파장들을 선택하는 단계;
    S22) 상기 웨이퍼의 위치들 중 하나에 대해, 상기 개개의 레이저들로부터의 레이저 빔들의 파워들 및 입사각들로 각각 구성되는 복수의 매개변수들의 세트를 결정하는 단계;
    S23) 선택된 매개변수들의 세트에 대해, 상기 웨이퍼의 위치들 중 하나에서의 상기 레이저 빔들의 반사율 및 흡광도를 측정하고, 온도 모델을 사용하여 상기 선택된 매개변수들의 세트에 대한 노광 온도를 결정하는 단계; 및
    S24) 상기 노광 온도가 미리 결정된 온도 범위 내에 있는지를 결정하고, 그렇지 않은 경우에는, 다음 매개변수들의 세트에 대해 단계 S23)를 수행하고, 그러한 경우에는, 상기 최적의 공정 매개변수들의 세트로서 상기 선택된 매개변수들의 세트를 결정하고, 상기 웨이퍼 테이블이 상기 웨이퍼를 다음 위치로 이동시키도록 유발하고 단계 S23)으로 되돌아가고, 상기 웨이퍼의 모든 상기 위치들이 그렇게 처리될 때까지 이 방법을 반복하는 단계
    를 포함하는 방법.
  16. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 상기 레이저 어닐링 장치를 사용하여 어닐링하기 위한 방법에 있어서,
    S1) 웨이퍼 테이블에 웨이퍼를 배치하고, 상기 웨이퍼에 대한 공정 매개변수들을 획득하는 단계;
    S2) 상기 공정 매개변수들에 기초하여 적어도 둘의 레이저들을 선택하고, 상기 선택된 레이저들에 의해 레이저 빔들을 생산하고, 상기 레이저 빔들에 대한 어닐링 각도들 및 파워들을 조정하는 단계; 및
    S3) 상기 레이저 빔들에 의해 공동으로 형성된 광 스폿으로 상기 웨이퍼의 표면을 어닐링하는 단계
    를 포함하는 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    단계 S1)에서, 상기 공정 매개변수들은 웨이퍼들의 상이한 유형들의 측정된 표면 치수들로부터 미리 설정된 어닐링 매개변수 모델로부터의 상기 웨이퍼의 유형에 기초하여 선택되는
    방법.
  18. 제16항에 있어서,
    단계 S1)에서, 상기 공정 매개변수들은 상기 웨이퍼의 표면 치수들을 실시간으로 측정함으로써 획득되는
    방법.
  19. 제16항, 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 공정 매개변수들은 상기 웨이퍼의 표면 치수들 및 그 재료들의 반사율 지수들을 포함하는
    방법.
  20. 제19항에 있어서,
    단계 S2)에서, 상기 재료들의 반사율 지수들에 기초하여, 상이한 파장들에서 레이저 빔들을 생산하는 적어도 둘의 레이저들을 선택하고, 상기 레이저 빔들의 파워를 조정하는 단계
    인 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    단계 S2)에서, 상기 표면 치수들에 기초하여, 상이한 어닐링 각도들은 상기 레이저 조정기들 중 대응하는 것을 사용하여 상기 레이저 빔들의 입사각들을 조정함으로써 가능해지는
    방법.
  22. 제19항에 있어서,
    단계S3)에서, 상기 광 스폿은 상기 웨이퍼의 치수들 및 그 재료들의 반사율 지수들과 양립할 수 있는 에너지 분포를 갖는
    방법.
KR1020187021712A 2015-12-30 2016-12-28 레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법 Active KR102080613B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511021931.0 2015-12-30
CN201511021931.0A CN106935491B (zh) 2015-12-30 2015-12-30 一种激光退火装置及其退火方法
PCT/CN2016/112662 WO2017114424A1 (zh) 2015-12-30 2016-12-28 一种激光退火装置及其退火方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180098383A true KR20180098383A (ko) 2018-09-03
KR102080613B1 KR102080613B1 (ko) 2020-02-24

Family

ID=59224600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187021712A Active KR102080613B1 (ko) 2015-12-30 2016-12-28 레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20190015929A1 (ko)
EP (1) EP3399543B1 (ko)
JP (1) JP6831383B2 (ko)
KR (1) KR102080613B1 (ko)
CN (1) CN106935491B (ko)
TW (1) TW201729295A (ko)
WO (1) WO2017114424A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200027144A (ko) * 2018-09-04 2020-03-12 삼성전자주식회사 모니터링 장치 및 모니터링 방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10270032B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Int Tech Co., Ltd. Light source and a manufacturing method therewith
US10768532B2 (en) * 2018-05-15 2020-09-08 International Business Machines Corporation Co-optimization of lithographic and etching processes with complementary post exposure bake by laser annealing
CN109686686B (zh) * 2019-01-30 2024-06-14 北京华卓精科科技股份有限公司 激光热处理装置及激光热处理方法
CN110181165B (zh) * 2019-05-27 2021-03-26 北京华卓精科科技股份有限公司 激光预热退火系统和方法
KR102446159B1 (ko) * 2019-07-30 2022-09-22 (주)에이치아이티오토모티브 열처리 장치
CN110918770B (zh) * 2019-12-16 2021-01-15 山东大学 一种多点激光冲击成形装置及成形方法
CN112769025A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 中国科学院微电子研究所 光学整形装置及方法
CN113345806B (zh) * 2021-04-23 2024-03-05 北京华卓精科科技股份有限公司 一种SiC基半导体的激光退火方法
CN113305389A (zh) * 2021-06-08 2021-08-27 武汉虹信科技发展有限责任公司 一种激光焊接装置及激光焊接方法
CN113764310B (zh) * 2021-08-13 2025-12-16 上海市激光技术研究所有限公司 一种用于改善cmos晶圆浅结工艺的激光退火设备
US12469717B2 (en) * 2021-08-27 2025-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems, methods, and semiconductor devices
CN114932308B (zh) * 2022-04-11 2024-01-30 深圳市韵腾激光科技有限公司 一种动态Mini显示单元修复系统
CN116230509A (zh) * 2022-09-08 2023-06-06 北京华卓精科科技股份有限公司 一种激光退火方法及系统
CN115424961B (zh) * 2022-09-29 2025-09-02 上海集成电路研发中心有限公司 激光退火设备及激光退火控制方法
CN115602751A (zh) * 2022-10-25 2023-01-13 江苏华兴激光科技有限公司（Cn） 一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法
CN116275509B (zh) * 2023-05-15 2023-09-08 苏州亚太精睿传动科技股份有限公司 一种激光焊接方法
CN116790851A (zh) * 2023-06-20 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 退火装置、其检测方法、退火设备、以及退火工艺方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050072813A (ko) * 2002-11-06 2005-07-12 울트라테크 인크. 열처리용 레이저 스캐닝 장치 및 방법
JP2012256879A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Ultratech Inc 集積回路の製造における、パターン密度効果を低減させた超高速レーザーアニーリング
KR20130087418A (ko) * 2012-01-27 2013-08-06 울트라테크 인크. 온도 성능이 개선된 2빔 레이저 어닐링 방법 및 시스템
KR20140020816A (ko) * 2011-06-15 2014-02-19 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 레이저 처리 장치 및 레이저 처리 방법

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663513A (en) * 1985-11-26 1987-05-05 Spectra-Physics, Inc. Method and apparatus for monitoring laser processes
JP3301054B2 (ja) * 1996-02-13 2002-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及びレーザー照射方法
JP4514861B2 (ja) * 1999-11-29 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
US6972268B2 (en) * 2001-03-29 2005-12-06 Gsi Lumonics Corporation Methods and systems for processing a device, methods and systems for modeling same and the device
TW582062B (en) * 2001-09-14 2004-04-01 Sony Corp Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film
JP2003347236A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp レーザ照射装置
KR20050047103A (ko) * 2002-08-19 2005-05-19 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 다양한 조사 패턴을 포함하는 원 샷 반도체 가공 시스템 및방법
JP2004119971A (ja) * 2002-09-04 2004-04-15 Sharp Corp レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
KR101041066B1 (ko) * 2004-02-13 2011-06-13 삼성전자주식회사 실리콘 결정화 방법, 이를 이용한 실리콘 결정화 장치,이를 이용한 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 표시장치
US7645337B2 (en) * 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
US7279721B2 (en) * 2005-04-13 2007-10-09 Applied Materials, Inc. Dual wavelength thermal flux laser anneal
JP2007251015A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザアニール装置及びレーザアニール方法
US8148663B2 (en) * 2007-07-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of improving beam shaping and beam homogenization
US20090114630A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Hawryluk Andrew M Minimization of surface reflectivity variations
US8674257B2 (en) * 2008-02-11 2014-03-18 Applied Materials, Inc. Automatic focus and emissivity measurements for a substrate system
JP5590925B2 (ja) * 2010-03-10 2014-09-17 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置
CN102062647B (zh) * 2010-11-24 2012-08-08 中国科学院半导体研究所 测量半导体激光器腔面温度的测试系统
US9302348B2 (en) * 2011-06-07 2016-04-05 Ultratech Inc. Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication
SG195515A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-30 Ultratech Inc Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
CN103578943B (zh) * 2012-07-25 2017-05-31 上海微电子装备有限公司 一种激光退火装置及激光退火方法
CN103903967B (zh) * 2012-12-28 2016-12-07 上海微电子装备有限公司 一种激光退火装置及方法
US10226837B2 (en) * 2013-03-15 2019-03-12 Nlight, Inc. Thermal processing with line beams
US20140273533A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Annealing Method Utilizing a Vacuum Environment
CN104078339B (zh) * 2013-03-26 2017-08-29 上海微电子装备有限公司 一种激光退火装置和方法
TW201528379A (zh) * 2013-12-20 2015-07-16 Applied Materials Inc 雙波長退火方法與設備
JP6607873B2 (ja) * 2014-07-02 2019-11-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 埋め込み式ファイバーオプティクス及びエポキシ光ディフューザーを使用した基板の温度制御のための装置、システム、並びに方法
US10088365B2 (en) * 2016-11-08 2018-10-02 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser annealing apparatus
DE102017100015A1 (de) * 2017-01-02 2018-07-05 Schott Ag Verfahren zum Trennen von Substraten

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050072813A (ko) * 2002-11-06 2005-07-12 울트라테크 인크. 열처리용 레이저 스캐닝 장치 및 방법
JP2012256879A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Ultratech Inc 集積回路の製造における、パターン密度効果を低減させた超高速レーザーアニーリング
KR20140020816A (ko) * 2011-06-15 2014-02-19 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 레이저 처리 장치 및 레이저 처리 방법
KR20130087418A (ko) * 2012-01-27 2013-08-06 울트라테크 인크. 온도 성능이 개선된 2빔 레이저 어닐링 방법 및 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200027144A (ko) * 2018-09-04 2020-03-12 삼성전자주식회사 모니터링 장치 및 모니터링 방법
US11764064B2 (en) 2018-09-04 2023-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Monitoring device, monitoring method and method of manufacturing semiconductor device using reflectivity of wafer

Also Published As

Publication number Publication date
US20190015929A1 (en) 2019-01-17
KR102080613B1 (ko) 2020-02-24
CN106935491B (zh) 2021-10-12
CN106935491A (zh) 2017-07-07
JP6831383B2 (ja) 2021-02-17
TW201729295A (zh) 2017-08-16
EP3399543A4 (en) 2018-12-12
EP3399543A1 (en) 2018-11-07
EP3399543B1 (en) 2021-12-22
JP2019507493A (ja) 2019-03-14
WO2017114424A1 (zh) 2017-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102080613B1 (ko) 레이저 어닐링 장치 및 그 어닐링 방법
JP2019507493A5 (ko)
US9401278B2 (en) Apparatus and methods for improving the intensity profile of a beam image used to process a substrate
US7674999B2 (en) Fast axis beam profile shaping by collimation lenslets for high power laser diode based annealing system
JP5963219B2 (ja) 微小レンズアレイを使用してラインを生成する光学設計
US20050045604A1 (en) Laser thermal processing with laser diode radiation
TW201214566A (en) Laser beam positioning system
KR102189427B1 (ko) 어닐 처리 반도체 기판의 제조 방법, 주사 장치 및 레이저 처리 장치
JP2016006882A (ja) レーザエネルギによって半導体材料表面を照射する方法および装置
JP5165557B2 (ja) ラインビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム
CN106158609B (zh) 一种激光退火装置及其退火方法
KR20150060743A (ko) 결정질 반도체의 제조 방법 및 결정질 반도체의 제조 장치
JP5590086B2 (ja) ラインビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム及び方法
JP4247081B2 (ja) レーザアニール装置のレーザビーム強度モニタ方法とレーザアニール装置
CN110064839B (zh) 一种激光退火装置
CN111133639A (zh) 光纤激光装置和用于加工工件的方法
KR102459817B1 (ko) 레이저 결정화 장치
KR101309807B1 (ko) 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법
JP2001351876A (ja) レーザ加工装置及び方法
CN120545222A (zh) 一种晶圆激光退火装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R11 Change to the name of applicant or owner or transfer of ownership requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-5-5-R10-R11-ASN-PN2301 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

R14 Transfer of ownership recorded

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-5-5-R10-R14-ASN-PN2301 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P14 Amendment of ip right document requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-5-5-P10-P14-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P14-X000 Amendment of ip right document requested

St.27 status event code: A-5-5-P10-P14-nap-X000

P16 Ip right document amended

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-5-5-P10-P16-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P16-X000 Ip right document amended

St.27 status event code: A-5-5-P10-P16-nap-X000

Q16 A copy of ip right certificate issued

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-Q10-Q16-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Q16-X000 A copy of ip right certificate issued

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q16-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 7