JP2012256870A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 同一面上の第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタを有し、
   前記酸化物半導体膜は、インジウムと、錫と、亜鉛とを有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と重畳する第１領域と、前記第２のゲート電極と重畳する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間において、前記第１のゲート電極と重畳せず且つ前記第２のゲート電極と重畳しない第３領域とを有し、
   前記ソース電極は、前記ゲート絶縁膜及び前記酸化物半導体膜を介して、前記第１のゲート電極の一部と重畳し、
   前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁膜及び前記酸化物半導体膜を介して、前記第２のゲート電極の一部と重畳することを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第３領域のチャネル長方向における長さは、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   画素及び駆動回路を有し、
   前記トランジスタは、前記画素及び前記駆動回路に設けられることを特徴とする表示装置。