JP2012253276A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子装置、及び車両 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法、電子装置、及び車両 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012253276A JP2012253276A JP2011126537A JP2011126537A JP2012253276A JP 2012253276 A JP2012253276 A JP 2012253276A JP 2011126537 A JP2011126537 A JP 2011126537A JP 2011126537 A JP2011126537 A JP 2011126537A JP 2012253276 A JP2012253276 A JP 2012253276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peak
- base layer
- type base
- semiconductor device
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 233
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- -1 for example Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66666—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7788—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823487—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of vertical transistor structures, i.e. with channel vertical to the substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
- H01L27/0922—Combination of complementary transistors having a different structure, e.g. stacked CMOS, high-voltage and low-voltage CMOS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】p型ベース層150は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、第2のピーク、及び第3のピークを有している。第1のピークは、最も半導体基板100の表面側に位置している。第2のピークは、第1のピークよりも半導体基板100の裏面側に位置しており、第1のピークよりも高い。第3のピークは、第1のピークと第2のピークの間に位置している。
【選択図】図1
Description
前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に位置するn型ドレイン層と、
前記半導体基板に形成され、前記n型ドレイン層上に位置するp型ベース層と、
前記p型ベース層に形成され、下端が前記p型ベース層よりも下に位置している凹部と、
前記凹部の内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、
前記p型ベース層に、前記p型ベース層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置するn型ソース層と、
を備え、
前記p型ベース層は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを有している半導体装置が提供される。
前記凹部の内壁及び底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記凹部にゲート電極を埋め込む工程と、
前記半導体基板の表層に、p型ベース層を前記凹部よりも浅く形成する工程と、
前記p型ベース層に、n型ソース層を前記p型ベース層よりも浅く形成する工程と、
を備え、
前記p型ベース層を形成する工程において、互いに異なるイオン注入エネルギーで不純物イオンを3回以上注入することにより、前記p型ベース層の厚さ方向の不純物プロファイルに、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを持たせる半導体装置の製造方法が提供される。
前記電源から前記負荷への電源供給を制御する半導体装置と、
を備え、
前記半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に位置するn型ドレイン層と、
前記半導体基板に形成され、前記n型ドレイン層上に位置するp型ベース層と、
前記p型ベース層に形成され、下端が前記p型ベース層よりも下に位置している凹部と、
前記凹部の内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、
前記p型ベース層に、前記p型ベース層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置するn型ソース層と、
を備え、
前記p型ベース層は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを有している電子装置が提供される。
前記バッテリーから供給される電力によって駆動するランプと、
前記バッテリーから前記ランプへの電源供給を制御する半導体装置と、
を備え、
前記半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に位置するn型ドレイン層と、
前記半導体基板に形成され、前記n型ドレイン層上に位置するp型ベース層と、
前記p型ベース層に形成され、下端が前記p型ベース層よりも下に位置している凹部と、
前記凹部の内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、
前記p型ベース層に、前記p型ベース層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置するn型ソース層と、
を備え、
前記p型ベース層は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、第1のピークと第2のピークの間に位置する第3のピークを有している車両が提供される。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置10の構成を示す断面図である。この半導体装置10は、縦型MOSトランジスタ20を有している。縦型MOSトランジスタ20は、半導体基板100を用いて形成されており、n型ドレイン層130、p型ベース層150、ゲート絶縁膜110、ゲート電極120、及びn型ソース層140を有している。n型ドレイン層130は、半導体基板100に形成されており、半導体基板100の裏面側に位置している。p型ベース層150は、半導体基板100に形成されており、n型ドレイン層130よりも上に位置している。また、半導体基板100には凹部108が形成されている。凹部108は、p型ベース層150に形成されており、下端がp型ベース層150よりも下に位置している。ゲート絶縁膜110は、凹部108の内壁及び底面に形成されている。ゲート電極120は、凹部108に埋め込まれている。n型ソース層140は、p型ベース層150に、p型ベース層150よりも浅く形成されている。n型ソース層140は、平面視で凹部108の隣に位置している。
Ids=μCg×W(Vds−Vth)2/(2×l)・・・(1)
ここで、μ:移動度、Cg:ゲート容量、W:チャネル幅、l:チャネル長、Vds:ドレイン−ソース間の電圧、Vth:閾値電圧である。
図7は、第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す斜視断面図である。図8は、図7に示した半導体装置における配線の接続構造を説明するための図である。この半導体装置は、p型層151を有している点を除いて、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
第3の実施形態に係る半導体装置の構成及びその製造方法は、第1の実施形態と概略同様である。ただし、p型ベース層150を形成する前に、n−層132となる領域の表層に、n型の不純物イオン、例えばリンイオンを打ち込んでいる。このときのイオン注入エネルギーは、p型ベース層150を形成するときのイオン注入エネルギーよりも大きい。これにより、n−層132が半導体基板100の表面側に向けて厚くなる。n−層132が厚くなると、n型ドレイン層130からp型ベース層150に向けて空乏層が伸びたとしても、この空乏層がp型ベース層150内に入り込む可能性が低くなる。これにより、ドレイン電極202に高電圧が印加しても、縦型MOSトランジスタ20が壊れる可能性がさらに低くなる。
図10は、第4の実施形態に係る電子装置の回路構成を示す図である。この電子装置は、例えば車両に用いられており、電子装置2、電源4、及び負荷6を有している。電源4は例えば車両に搭載されているバッテリーである。負荷6は、例えば車両に搭載されている電子部品、例えばヘッドランプである。そして電子装置2は、電源4から負荷6に供給する電力を制御している。
図14は、第5の実施形態に係る半導体装置10の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置10は、p型ベース層150が複数の第3領域154を有している点を除いて、第1〜第4の実施形態のいずれかと同様である。厚さ方向の不純物濃度のプロファイルにおいて、複数の第3領域154は、それぞれ第3のピークp3を有している。これら第3のピークp3は、第2領域152に近づくにつれて大きくなっているのが好ましい。なお、図14では、p型ベース層150は2つの第3領域154を有しているが、3つ以上の第3領域154を有していてもよい。
図15は、第6の実施形態に係る半導体装置10の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置10は、縦型MOSトランジスタ20の代わりにIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)22を有している点を除いて、第1〜第5の実施形態のいずれかと同様である。IGBT22は、縦型MOSトランジスタ20において、n型ドレイン層130とドレイン電極202の間に、p型コレクタ層134を追加した構成を有している。
4 電源
6 負荷
10 半導体装置
12 半導体装置
20 縦型MOSトランジスタ
22 IGBT
30 制御回路
31 MOSトランジスタ
32 チャネル領域
34 ゲート絶縁膜
36 ゲート電極
38 不純物領域
40 電極パッド
100 半導体基板
102 半導体基板
104 エピタキシャル層
106 素子分離膜
108 凹部
110 ゲート絶縁膜
120 ゲート電極
122 ポリシリコン配線
130 n型ドレイン層
132 n−層
134 p型コレクタ層
140 n型ソース層
150 p型ベース層
151 p型層
152 第2領域
154 第3領域
156 第1領域
202 ドレイン電極
300 層間絶縁膜
301 コンタクト
302 コンタクト
303 コンタクト
310 層間絶縁膜
312 第1ソース配線
314 配線
318 ビア
322 第2ソース配線
400 ヘッドランプ
Claims (14)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に位置するn型ドレイン層と、
前記半導体基板に形成され、前記n型ドレイン層上に位置するp型ベース層と、
前記p型ベース層に形成され、下端が前記p型ベース層よりも下に位置している凹部と、
前記凹部の内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、
前記p型ベース層に、前記p型ベース層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置するn型ソース層と、
を備え、
前記p型ベース層は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを有している半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第3のピークは、前記第1のピークよりも高く、前記第2のピークよりも低い半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記p型ベース層の下端から前記第2のピークまでの距離は、前記p型ベース層の厚さの1/3以下である半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第2のピークの高さは、前記第1のピークの高さの3倍以下である半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第2のピークは複数ある半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板に形成され、前記ゲート電極へ入力される信号を生成する制御回路を有する半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記p型ベース層の下端から、前記n型ソース層の下端までの距離は、1.4μm以上である半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、前記p型ベース層の下端から、前記n型ソース層の下端までの距離は、2.5μm以下である半導体装置。
- n型の半導体基板の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部の内壁及び底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記凹部にゲート電極を埋め込む工程と、
前記半導体基板の表層に、p型ベース層を前記凹部よりも浅く形成する工程と、
前記p型ベース層に、n型ソース層を前記p型ベース層よりも浅く形成する工程と、
を備え、
前記p型ベース層を形成する工程において、互いに異なるイオン注入エネルギーで不純物イオンを3回以上注入することにより、前記p型ベース層の厚さ方向の不純物プロファイルに、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを持たせる半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3のピークは、前記第1のピークよりも高く、前記第2のピークよりも低い半導体装置の製造方法。 - 請求項9又は10に記載の半導体装置の製造方法において、
前記p型ベース層の下端から前記第2のピークまでの距離は、前記p型ベース層の厚さの1/3以下である半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2のピークの高さは、前記第1のピークの高さの3倍以下である半導体装置の製造方法。 - 電源から供給される電力によって駆動する負荷と、
前記電源から前記負荷への電源供給を制御する半導体装置と、
を備え、
前記半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に位置するn型ドレイン層と、
前記半導体基板に形成され、前記n型ドレイン層上に位置するp型ベース層と、
前記p型ベース層に形成され、下端が前記p型ベース層よりも下に位置している凹部と、
前記凹部の内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、
前記p型ベース層に、前記p型ベース層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置するn型ソース層と、
を備え、
前記p型ベース層は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを有している電子装置。 - バッテリーと、
前記バッテリーから供給される電力によって駆動するランプと、
前記バッテリーから前記ランプへの電源供給を制御する半導体装置と、
を備え、
前記半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に位置するn型ドレイン層と、
前記半導体基板に形成され、前記n型ドレイン層上に位置するp型ベース層と、
前記p型ベース層に形成され、下端が前記p型ベース層よりも下に位置している凹部と、
前記凹部の内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記凹部に埋め込まれたゲート電極と、
前記p型ベース層に、前記p型ベース層よりも浅く形成され、平面視で前記凹部の隣に位置するn型ソース層と、
を備え、
前記p型ベース層は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第1のピーク、前記第1のピークよりも前記半導体基板の裏面側に位置していて前記第1のピークよりも高い第2のピーク、及び、前記第1のピークと前記第2のピークの間に位置する第3のピークを有している車両。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011126537A JP6006918B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置 |
TW101118871A TWI548091B (zh) | 2011-06-06 | 2012-05-25 | 半導體裝置、半導體裝置之製造方法、電子裝置及車輛 |
US13/488,282 US8723295B2 (en) | 2011-06-06 | 2012-06-04 | Semiconductor device, manufacturing method thereof, electronic device and vehicle |
CN201210183998.4A CN102820336B (zh) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | 半导体装置及其制造方法、电子装置和交通工具 |
US14/196,986 US9082835B2 (en) | 2011-06-06 | 2014-03-04 | Semiconductor device, manufacturing method thereof, electronic device and vehicle |
US14/733,566 US9362396B2 (en) | 2011-06-06 | 2015-06-08 | Semiconductor device, manufacturing method thereof, electronic device and vehicle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011126537A JP6006918B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015135793A Division JP6110900B2 (ja) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012253276A true JP2012253276A (ja) | 2012-12-20 |
JP6006918B2 JP6006918B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=47261563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011126537A Active JP6006918B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8723295B2 (ja) |
JP (1) | JP6006918B2 (ja) |
CN (1) | CN102820336B (ja) |
TW (1) | TWI548091B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014183292A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Fuji Electric Co Ltd | Mos型半導体装置 |
JP6115678B1 (ja) * | 2016-02-01 | 2017-04-19 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2017139439A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9960269B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-05-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2019201119A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
WO2020075248A1 (ja) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2020123607A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2020136402A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6006918B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2016-10-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置 |
CN103762162B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-05-31 | 西安理工大学 | 可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
JP6292349B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2018-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
DE102016108943B4 (de) | 2016-05-13 | 2019-03-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen, Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiterbauelemente |
US11404567B2 (en) | 2018-07-23 | 2022-08-02 | Stmicroelectronics S.R.L. | Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process |
CN116666435A (zh) * | 2023-07-18 | 2023-08-29 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种线性功率mosfet器件及制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5932163A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Nec Corp | Cmos集積回路 |
JPS63311418A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-20 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 電気系統の負荷制御回路 |
JPH09129868A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004221201A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006229181A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20090026533A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Force-Mos Technology Corporation | Trench MOSFET with multiple P-bodies for ruggedness and on-resistance improvements |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4371521B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子およびその製造方法 |
JP2002305304A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
EP1396030B1 (en) * | 2001-04-11 | 2011-06-29 | Silicon Semiconductor Corporation | Vertical power semiconductor device and method of making the same |
JP3954541B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2007-08-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006080177A (ja) | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7671636B2 (en) * | 2006-03-22 | 2010-03-02 | Denso Corporation | Switching circuit and driving circuit for transistor |
JP2007294759A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007173878A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4436406B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2010-03-24 | 矢崎総業株式会社 | 負荷制御装置 |
EP2091083A3 (en) * | 2008-02-13 | 2009-10-14 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device including a deep layer |
US7907379B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-03-15 | Infineon Technologies Ag | Overload protection for a circuit arrangement having a transistor |
JP6006918B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2016-10-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置 |
-
2011
- 2011-06-06 JP JP2011126537A patent/JP6006918B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-25 TW TW101118871A patent/TWI548091B/zh active
- 2012-06-04 US US13/488,282 patent/US8723295B2/en active Active
- 2012-06-06 CN CN201210183998.4A patent/CN102820336B/zh active Active
-
2014
- 2014-03-04 US US14/196,986 patent/US9082835B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-08 US US14/733,566 patent/US9362396B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5932163A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Nec Corp | Cmos集積回路 |
JPS63311418A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-20 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 電気系統の負荷制御回路 |
JPH09129868A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004221201A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006229181A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20090026533A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Force-Mos Technology Corporation | Trench MOSFET with multiple P-bodies for ruggedness and on-resistance improvements |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014183292A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Fuji Electric Co Ltd | Mos型半導体装置 |
JP6115678B1 (ja) * | 2016-02-01 | 2017-04-19 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2017139441A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2017139439A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9960269B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-05-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP7139683B2 (ja) | 2018-05-17 | 2022-09-21 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JP2019201119A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
WO2020075248A1 (ja) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPWO2020075248A1 (ja) * | 2018-10-10 | 2021-09-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7184090B2 (ja) | 2018-10-10 | 2022-12-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11522075B2 (en) | 2018-10-10 | 2022-12-06 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2020123607A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2020136402A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
JP7279393B2 (ja) | 2019-02-15 | 2023-05-23 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI548091B (zh) | 2016-09-01 |
US20120307508A1 (en) | 2012-12-06 |
US9362396B2 (en) | 2016-06-07 |
CN102820336A (zh) | 2012-12-12 |
TW201301517A (zh) | 2013-01-01 |
JP6006918B2 (ja) | 2016-10-12 |
US20140187005A1 (en) | 2014-07-03 |
US9082835B2 (en) | 2015-07-14 |
US8723295B2 (en) | 2014-05-13 |
US20150270392A1 (en) | 2015-09-24 |
CN102820336B (zh) | 2015-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6006918B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置 | |
US10777548B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP3395473B2 (ja) | 横型トレンチmisfetおよびその製造方法 | |
US7928505B2 (en) | Semiconductor device with vertical trench and lightly doped region | |
JP6047297B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20120061723A1 (en) | Semiconductor device | |
CN103548132B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
US8981462B2 (en) | Semiconductor device | |
KR101279203B1 (ko) | 전력 반도체 소자 | |
CN111512448B (zh) | 半导体装置 | |
CN107534053A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
CN108258046B (zh) | 半导体元件 | |
WO2015111218A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016004847A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100940643B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
JP6110900B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20090025757A (ko) | Dmos 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
JP2007324361A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20150364585A1 (en) | Power semiconductor device | |
JP2009218304A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008153495A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20240213357A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
CN109216453B (zh) | 高压半导体装置及其制造方法 | |
KR102013226B1 (ko) | 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 | |
JP2014060345A (ja) | 電力用半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160912 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6006918 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |