JP2012252879A - 電子増倍器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子増倍器100は、電気配線パターン20を有し貫通孔16が形成された絶縁性基板11と、絶縁性基板11の貫通孔16の一方側に配置され電気配線パターン20に電気的に接続されたMCP12と、MCP12の一方側に配置されMCP12に電気的に接続されたシールド板13と、貫通孔16の他方側に配置され電気配線パターン20に電気的に接続されたアノード15と、絶縁性基板11に固定されアノード15から信号を読み出すための信号読出し端子19と、を備えている。シールド板13は、厚さ方向から見てMCP12を含むように形成されている。シールド板13には、MCP12の少なくとも一部を露出させる貫通孔27が形成されている。ここで、絶縁性基板11、MCP12、シールド板13及びアノード15は、一体となるように互いに固定されている。
【選択図】図3
Description
まず、第1実施形態について説明する。図1〜3に示すように、本実施形態の電子増倍器100は、電子を高感度・高速・高分解能で増倍し検出するものである。電子増倍器100は、例えば質量分析、半導体検査装置及び表面分析装置等の種々の電子装置に適用することができる。この電子増倍器100は、カード型の検出器であって、絶縁性基板11と、積層された複数(ここでは2枚)のMCP(マイクロチャンネルプレート)12,12と、シールド板(金属板)13と、センタリング基板14と、アノード15と、を備えている。
MCP12の抵抗値(20MΩ):抵抗R2の抵抗値(5MΩ)
=Vmcp(2kV):Vout−anode(500V) …(1)
MCP12の抵抗値(80MΩ):抵抗R2の抵抗値(5MΩ)
=Vmcp(2353V):Vout−anode(147V) …(2)
ここで、上式(1),(2)では、供給電圧が2.5kVとされている。
次に、第2実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第3実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第4実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第5実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第6実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第7実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第2実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第8実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第4実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第9実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第5実施形態と異なる点について主に説明する。
Claims (13)
- 電気配線パターンを有し、厚さ方向に延びる貫通孔が形成された絶縁性基板と、
前記厚さ方向における前記絶縁性基板の貫通孔の一方側に配置され、前記電気配線パターンに電気的に接続されたマイクロチャンネルプレートと、
前記厚さ方向における前記マイクロチャンネルプレートの一方側に配置され、前記マイクロチャンネルプレートに電気的に接続された金属板と、
前記厚さ方向における前記絶縁性基板の貫通孔の他方側に配置され、前記電気配線パターンに電気的に接続されたアノードと、
前記絶縁性基板に固定され、前記電気配線パターンを介して前記アノードから信号を読み出すための信号読出し端子と、を備え、
前記金属板は、前記厚さ方向から見て前記マイクロチャンネルプレートを含むように形成されていると共に、前記金属板には、前記マイクロチャンネルプレートの少なくとも一部を露出させる貫通孔が形成され、
前記絶縁性基板、前記マイクロチャンネルプレート、前記金属板及び前記アノードは、一体となるように互いに固定されていることを特徴とする電子増倍器。 - 前記電気配線パターンにおいては、前記マイクロチャンネルプレートの出力側が、第1ブリーダ回路部を介して、前記マイクロチャンネルプレートの他方側に電気的に接続される電圧供給端子に接続されていることを特徴とする請求項1記載の電子増倍器。
- 前記電気配線パターンにおいては、前記マイクロチャンネルプレートの抵抗値よりも低い抵抗値を有する第2ブリーダ回路部が、前記マイクロチャンネルプレートに対し並列になるように接続されていることを特徴とする請求項2記載の電子増倍器。
- 前記金属板は、前記マイクロチャンネルプレートの一方側へ供給する電圧が印加されることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項記載の電子増倍器。
- 前記金属板は、前記厚さ方向から見て、前記絶縁性基板を含むように形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項記載の電子増倍器。
- 前記マイクロチャンネルプレートは、前記絶縁性基板及び前記金属板によって挟まれることで前記絶縁性基板及び前記金属板に固定されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項記載の電子増倍器。
- 前記金属板は、導電性の締結部材によって、前記絶縁性基板に固定され且つ前記電気配線パターンに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項記載の電子増倍器。
- 前記アノードは、導電性の接合剤によって、前記絶縁性基板に固定され且つ前記電気配線パターンに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項記載の電子増倍器。
- 前記絶縁性基板及び前記金属板の少なくとも一方には、外部と固定するための固定孔が設けられていることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項記載の電子増倍器。
- 前記絶縁性基板は、前記金属板に対し平行に延在する第1平行部と、前記厚さ方向における前記第1平行部の他方側に積層するように配置された第2平行部と、前記第1及び第2平行部を連結するように当該第1及び第2平行部に対して交差する交差部と、を少なくとも含む屈折基板であり、
前記絶縁性基板の貫通孔は、前記第1平行部に形成され、
前記アノードは、前記第1平行部において前記第2平行部側の表面上に設けられ、
前記第1及び第2平行部の間には、絶縁性又は導電性を有する支柱が介在されていることを特徴とする請求項1〜9の何れか一項記載の電子増倍器。 - 前記絶縁性基板は、第1基板と、前記厚さ方向における前記第1基板の他方側に積層するように配置された第2基板と、を少なくとも含み、
前記絶縁性基板の貫通孔は、前記第1基板に形成され、
前記アノードは、前記第1基板において前記第2基板側の表面上に設けられ、
前記第1及び第2基板の間には、絶縁性又は導電性を有する支柱が介在されていることを特徴とする請求項1〜9の何れか一項記載の電子増倍器。 - 前記絶縁性基板は、第1基板と、前記厚さ方向における前記第1基板の他方側に積層するように配置された第2基板と、を少なくとも含む多重基板であり、
前記絶縁性基板の貫通孔は、前記第1基板に形成され、
前記アノードは、前記第2基板において前記第1基板側の表面上に設けられていることを特徴とする請求項1〜9の何れか一項記載の電子増倍器。 - 前記第2基板において前記第1基板側と反対側の表面上には、ノイズシールド部が形成されていることを特徴とする請求項12記載の電子増倍器。
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