JP4891828B2 - 光電子増倍管モジュール - Google Patents

Description

本発明は光電子増倍管モジュールに関する。

従来、光電子増倍管を筐体内に組み込んでなる光電子増倍管モジュールは、微弱光を検出可能なユニットとして知られている。特許文献１に記載の光電子増倍管モジュールは、光電子増倍管に高圧を印加すると共に、光電子増倍管からの出力信号を信号処理部によって処理している。特許文献２及び特許文献３に記載の光電子増倍管モジュールは、光電子増倍管の光入射面側にシャッターを取り付けることで、光の入射を制御している。これらの光電子増倍管モジュールは、小型でありながら、微弱光検出を可能とする優れた検出器として機能している。

特に、特許文献２に記載の光電子増倍管モジュールは、筐体内に光電子増倍管からの出力信号を増幅するアンプ基板を組み込んでおり、増幅された出力信号を外部に出力することができる。アンプ基板は、光電子増倍管の管軸に平行に配置されている。
特開２００４−１２５６５６号公報 特開２００５−３０９８２号公報 特開２００３−１３０７２６号公報

しかしながら、上述の光電子増倍管モジュールは更なる小型化が期待されている。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、更なる小型化を達成した構造の光電子増倍管モジュールを提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明に係る光電子増倍管モジュールは、筐体内に固定され、光入射面が筐体の前面側に配置され、管軸の延長線が前面の重心位置から離隔して設けられる光電子増倍管と、筐体内に固定され、基板表面が管軸の延長線と交差するように配置され、光電子増倍管に動作電圧を印加する高圧発生回路基板と、筐体内に固定され、重心位置から管軸に向かう方向とは反対側に位置し、一端部が光電子増倍管の側管に隣接し、基板表面が前記管軸に平行であって、一端部側の領域から流入する前記光電子増倍管の出力信号を処理する信号処理基板とを備え、前記信号処理基板は、前記信号処理基板の前記光電子増倍管に対向する内側面とは逆側に位置する外側面上に設けられ、前記光電子増倍管からの出力信号をデジタル処理するデジタル回路と、前記デジタル回路と前記光電子増倍管及び前記高圧発生回路基板との間に設けられ、グランドに接続された金属層と、を備えていることを特徴とする。

光電子増倍管は高圧発生回路基板からの動作電圧が入力されることにより動作する。光電子増倍管の動作時において、光入射面に光子が入射すると、光電子増倍管はパルス電流を出力する。このパルス電流は、信号処理基板の一端部側の領域から当該信号処理基板に流入して信号処理される。

ここで、光電子増倍管の管軸の延長線は、筐体前面の重心位置からシフトしており、筐体内の逆側にスペースができている。このスペース内に信号処理基板が配置され、また、高圧発生回路基板は少なくとも一部が管軸の延長線上で固定されているので、筐体内の空間を有効に利用することができる。信号処理基板は、光電子増倍管の側管に隣接させることができるので、信号処理基板の管軸方向の長さが長い場合においても、筐体内に納めることが可能となる。したがって、小型化を達成することが可能となる。

また、光電子増倍管の管軸長は、管軸に平行な方向の信号処理基板の寸法よりも短いことが好ましい。この場合には、光電子増倍管の出力側の後方に、高圧発生回路基板を配置するためのスペースを十分に確保することが可能となるため、光電子増倍管、高圧発生回路基板及び信号処理基板を筐体内にコンパクトに収容することができる。

また、信号処理基板は、信号処理基板の光電子増倍管に対向する内側面とは逆側に位置する外側面上に設けられ、光電子増倍管からの出力信号をデジタル処理するデジタル回路と、デジタル回路と光電子増倍管及び高圧発生回路基板との間に設けられ、グランドに接続された金属層とを備えていることが好ましい。

デジタル回路と、光電子増倍管及び高圧発生回路基板との間には、グランドに接続された金属層が介在しているので、小型化を達成しつつ、これらの間を伝播するノイズを抑制することも可能となる。

また、光電子増倍管モジュールは、上記前面を含む筐体側壁の内側面に固定された導電性固定部材を更に備え、導電性固定部材に上記金属層が電気的に接続されるよう信号処理基板が導電性固定部材によって固定され、筐体は導電性材料からなることが好ましい。

この場合、信号処理基板を導電性固定部材によって支持すると共に、金属層を導電性固定部材に電気的に接続することで、導電性材料からなる筐体グランドに金属層を接続するので、小型でノイズ遮蔽効果の優れた光電子増倍管モジュールを提供することができる。

更に、デジタル回路は、光電子増倍管の出力信号が入力される比較器と、比較器から出力される方形波の数に応じたデジタル値を出力する信号処理回路とを備えることが好ましい。上述の構造は、微弱なノイズが問題となるフォトンカウンティングに有効であり、信号処理回路によって方形波の数に応じたでデジタル値を出力することで、光子レベルの光検出が可能となる。

また、光電子増倍管モジュールは、筐体内に固定され、光入射面が前記筐体の前面側に配置され、管軸の延長線が前記前面の重心位置から離隔して設けられる光電子増倍管と、前記筐体内に固定され、基板表面が前記管軸の延長線と交差するように配置され、前記光電子増倍管に動作電圧を印加する高圧発生回路基板と、前記筐体内に固定され、前記重心位置から前記管軸に向かう方向とは反対側に位置し、一端部が前記光電子増倍管の側管に隣接し、基板表面が前記管軸に平行であって、前記一端部側の領域から流入する前記光電子増倍管の出力信号を処理する信号処理基板と、を備え、筐体の前面を含む側壁の内側面に固定され、光電子増倍管の側管の光入射面側の領域を支持するホルダーと、光電子増倍管のステムピン間、及び、光電子増倍管の側管の光入射面とは反対側の領域からホルダーに接触する位置まで塗布された樹脂材料とを備えていることを特徴とする。

この場合、光電子増倍管をホルダーによって確実に保持することができると共に、樹脂材料によって、ホルダーと光電子増倍管との間に粉塵や水滴が入り込むのを防止し、ステムピン間の粉塵や水滴による短絡を防止することができる。また、樹脂材料による絶縁によって、これらに高圧が印加された場合に発生する電磁ノイズを抑制することも可能となる。

本発明の光電子増倍管モジュールによれば、小型化を達成することができる。

以下、実施の形態に係る光電子増倍管モジュールについて説明する。なお、同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１は、実施の形態に係る光電子増倍管モジュールの斜視図である。なお、同図では、蓋部材１０Ｂを筐体本体１０Ａから外した状態が示されている。また、ＸＹＺ三次元座標系を図示の如く設定する。

光電子増倍管モジュール１０は、筐体本体１０Ａと蓋部材１０Ｂとから構成される筐体１０Ｃを備えている。筐体本体１０Ａは、前面１０Ａ_Ｆの側方に位置する一対の側壁１０ＡＷの外側表面上に、表面から筐体本体１０Ａの内側に向かうテラス面１０ＡＬを有し、テラス面１０ＡＬと周囲の側面との間に段差が形成されている。それぞれのテラス面１０ＡＬは、Ｙ軸方向に沿って延びている。蓋部材１０ＢのＸＺ平面内における断面形状は、コの字型であり、天板１０ＢＦ及び天板１０ＢＦのＺ軸方向両端からＸ軸の負方向に延びた一対の側壁板１０ＢＷを有している。一対の側壁板１０ＢＷのＸ軸の負方向のそれぞれの端部１０ＢＬを、テラス面１０ＡＬ上に当接させると、側壁板１０ＢＷの内側面と筐体本体１０Ａの側壁１０ＡＷの外側面が対面して接触し、図面上方に位置する筐体本体１０Ａの開放した領域を閉塞する。

筐体１０Ｃ内には、光電子増倍管１、分圧回路２及びトランス回路３からなる高電圧発生回路、信号入出力基板４、及び信号処理基板５が内蔵されている。

光電子増倍管１は、筐体１０Ｃ内に固定されており、光入射面１Ｗとしての面板が筐体１０Ｃの前面１０Ａ_Ｆ側に配置されている。光電子増倍管１の管軸の延長線Ｙ１は、前面１０Ａ_Ｆの重心位置ＧからＺ軸方向に離隔して設けられる。

分圧回路２及びトランス回路３からなる高圧発生回路基板２０は、筐体１０Ｃ内に固定されており、これらを構成する複数の回路基板２Ａ，２Ｂ，３Ａの各基板表面が管軸の延長線Ｙ１と直交する（交差する）ように配置されている。このように高圧発生回路基板２０は、複数の回路基板の集合体であり、光電子増倍管１に動作電圧を印加している。

分圧回路２は、対向配置された回路基板２Ａ及び回路基板２Ｂからなり、回路基板２Ａと回路基板２Ｂとの間には複数の絶縁スペーサ２Ｓ１，２Ｓ２が介在している。回路基板２Ａ及び回路基板２Ｂ上には、入力された交流電圧を昇圧して直流電圧を生成するためのコッククロフト回路或いは倍電圧整流回路が物理的に分離して搭載されている。倍電圧整流回路は、複数のダイオードとキャパシタから構成され、広義には前段のトランス３Ｌも含む回路である。本例では、回路基板２Ａ，２Ｂを縦方向に積層することで、これらを分離し、横方向の寸法を縮小化している。また、回路基板２Ａは、分圧機能の主要部を搭載しており、上述のように生成された直流電圧から、光電子増倍管１内の各ダイノードに与える複数の電圧を分圧して生成している。

トランス回路３は、倍電圧整流回路に入力される交流電圧を生成している。トランス回路３は、トランス３Ｌ及び制御回路３Ｉが搭載された回路基板３Ａを有しており、回路基板３Ａと回路基板２Ｂとの間には絶縁スペーサ３Ｓが介在している。制御回路３Ｉは、トランス３Ｌの入力側コイルに印加する交流電圧を生成するものであり、例えば制御回路３Ｉに入力された直流電圧とクロック信号から所定周期の交流電圧を生成する。入力された直流電圧をクロック信号に同期してスイッチングすれば、スイッチング周波数に同期した交流電圧を生成することができ、クロック周波数を適当な可変分周器を用いて変化させると、これに同期してスイッチング周波数を変化させることができる。トランス３Ｌの出力側コイルには、入出力トランス間の巻き数比に略比例した交流電圧が出力され、昇圧が行われる。

信号入出力基板４は、光電子増倍管モジュール１０の内部回路と外部との接続を行うものであり、また、必要に応じてクロック生成回路や発振回路などを備えている。

信号処理基板５は、筐体１０Ｃ内に固定されており、光電子増倍管１に対し、重心位置Ｇから管軸（延長線Ｙ１）に向かう方向Ｚ１とは反対側に位置している。信号処理基板５のＹ軸の負方向の一端部５Ｅは、光電子増倍管１の側管１Ｈに隣接しており、信号処理基板５の基板表面は管軸（延長線Ｙ１）に平行である。なお、本例の隣接とは、若干の隙間を有する離隔状態を示す。

このように、光電子増倍管１の管軸の延長線Ｙ１は、筐体前面１０Ａ_Ｆの重心位置Ｇからシフトしており、筐体内においてシフトした逆側にスペースができている。このスペース内に信号処理基板５が配置され、また、高圧発生回路基板２０は管軸の延長線Ｙ１上で固定されているので、筐体内の空間を有効に利用することができる。信号処理基板５は、光電子増倍管１の側管１Ｈに隣接させることができるので、信号処理基板５の管軸方向（Ｙ軸方向）の長さが長い場合においても、筐体内に納めることが可能となる。したがって、小型化を達成することが可能となる。

また、光電子増倍管１の管軸長は、管軸に平行な方向（Ｙ軸）の信号処理基板５の寸法よりも短い。この場合には、光電子増倍管１の出力側の後方に、高圧発生回路基板２０を配置するためのスペースを十分に確保することが可能となるため、光電子増倍管１、高圧発生回路基板２０及び信号処理基板５を筐体１０Ｃ内にコンパクトに収容することができる。

光電子増倍管１に動作電圧を入力するためのステムピンＳＰＮ及びアノードからの出力信号を出力するためのステムピンＳＰＡは、回路基板２Ａに固定されている。ステムピンＳＰＡから出力される光電子増倍管１の出力信号は、回路基板２Ａを介して、信号処理基板５の一端部５Ｅ側の領域に流入する。流入した出力信号は、信号処理基板５によって処理される。

信号処理基板５は、絶縁性基板に複数の配線を形成してなる配線基板５ａと、配線基板５ａ上に搭載されたデジタル回路５Ｄと、配線基板５ａの内部に埋め込まれた金属層５ｂとを備えている。デジタル回路５Ｄは、信号処理基板５の光電子増倍管１に対向する内側面とは逆側に位置する外側面上に設けられている。デジタル回路５Ｄは、光電子増倍管１からの出力信号をデジタル処理する。

金属層５ｂは、デジタル回路５Ｄと光電子増倍管１及び高圧発生回路基板２０との間に設けられており、グランドに接続されている。デジタル回路５Ｄと、光電子増倍管１及び高圧発生回路基板２０との間には、グランドに接続された金属層５ｂが介在しているので、モジュールの小型化を達成しつつ、これらの間を伝播するノイズを抑制することができる。特に、デジタル回路５Ｄは、スイッチングノイズが大きく、光電子増倍管１の出力信号にノイズが重畳しやすい。そのため、光電子増倍管１の近傍に設置する事は困難であったが、金属層５ｂを設けることにより、ノイズの重畳を抑制し、デジタル回路５Ｄを光電子増倍管の近傍に設置する事が可能となる。

筐体本体１０Ａの前面１０Ａ_Ｆを含む筐体側壁の内側面１０Ａ_ＦＩＮには、導電性固定部材Ｐ１が固定されている。導電性固定部材Ｐ１は、ＹＺ平面内の断面がＬ字型の部材であり、Ｌ字の一辺を含む部分を内側面１０Ａ_ＦＩＮに溶接などによって固定しており、また、Ｌ字の他方の一辺を含む部分と配線基板５ａの一端部を金属製のボルトＢ１で貫通することによって、配線基板５ａを導電性固定部材Ｐ１に固定している。金属層５ｂはボルトＢ１を介して導電性固定部材Ｐ１に電気的に接続されている。換言すれば、信号処理基板５は、金属層５ｂが導電性固定部材Ｐ１に電気的に接続されるように、導電性固定部材Ｐ１によって固定されている。なお、導電性固定部材Ｐ１が固定される筐体１０Ｃも導電性材料からなる。

上述の構造の場合、信号処理基板５を導電性固定部材Ｐ１によって支持すると共に、金属層５ｂを導電性固定部材Ｐ１に電気的に接続することで、導電性材料からなる筐体グランドに金属層５ｂが接続される。したがって、光電子増倍管モジュール１０は、小型であってノイズ遮蔽効果に優れることとなる。

また、光電子増倍管モジュール１０は、筐体１０Ｃの前面１０Ａ_Ｆを含む側壁の内側面１０Ａ_ＦＩＮに固定されたホルダー１ＨＬを備えている。ホルダー１ＨＬの外形は、Ｙ軸方向の辺が短く設定された直方体をなしており、ホルダー１ＨＬは、Ｙ軸に沿った円筒面によって規定される貫通孔を有している。ホルダー１ＨＬの貫通孔の内面は、光電子増倍管１の側管１Ｈの光入射面１Ｗ側の領域を支持している。

また、黒色の樹脂材料１Ｒが、光電子増倍管１のステムピンＳＰＮ，ＳＰＡ間、及び、光電子増倍管１の側管１Ｈの光入射面１Ｗとは反対側の領域からホルダー１ＨＬに接触する位置まで塗布されている。

この構造の場合、光電子増倍管１をホルダー１ＨＬによって確実に保持することができると共に、樹脂材料１Ｒによって、ホルダー１ＨＬと光電子増倍管１との間に粉塵や水滴が入り込むのを防止し、ステムピンＳＰＮ，ＳＰＡ間の粉塵や水滴による短絡を防止することができる。また、樹脂材料１Ｒによる絶縁によって、これらに高圧が印加された場合に発生する電磁ノイズや動作時の温度変化を抑制することも可能となり、黒色樹脂を用いることで、光入射面１Ｗ以外からの光電子増倍管１内への光の入射を遮るとともに、光電子増倍管モジュール１０内に入射した迷光の反射を抑制することもできる。

図２は、光電子増倍管モジュール１０の回路図である。

上述の高圧発生回路基板２０からの動作電圧が光電子増倍管１に入力されると、光電子増倍管１のステムピンＳＰ１、ＳＰ２・・・ＳＰＮを介して各ダイノードＤＹ１、ＤＹ２・・・ＤＹＮに動作電圧が与えられ、光電子増倍管１が動作する。なお、光電陰極１Ｃは、金属製の側管１Ｈと共にグランドＧＮＤに電気的に接続されており、換言すれば、筐体１０Ｃに接続されている。なお、ダイノードＤＹ１、ＤＹ２・・・ＤＹＮの後段になるほど電位は高くなり、光電陰極１Ｃで発生した光電子がアノード１Ａに向かうように設定されている。

光電子増倍管１の動作時において、光入射面１Ｗに光子が入射すると、光電子増倍管１は、ステムピンＳＰＡからパルス電流を出力する。すなわち、光子の入射に応じて光電陰極１Ｃから出射された光電子は、ダイノードＤＹ１、ＤＹ２・・・ＤＹＮによって増倍された後、アノード１Ａにて収集され、アノード１Ａに電気的に接続されたステムピンＳＰＡから、パルス電流として出力される。このパルス電流は、信号処理基板５の一端部５Ｅ側の領域から信号処理基板５に流入して信号処理される。

信号処理基板５に搭載されるデジタル回路５Ｄは、光電子増倍管１から出力されたパルス電流を電圧に変換する電流電圧変換回路５ｃと、電流電圧変換回路５ｃの出力電圧が入力される比較器５ｄとを備えている。すなわち、比較器５ｄには光電子増倍管１の出力信号が入力される。デジタル回路５Ｄは、比較器５ｄの後段に接続された信号処理回路５ｅを更に備えており、比較器５ｄから出力される方形波の数に応じたデジタル値を出力する。この方形波の数は、入射した光子数に比例するため、フォトンカウンティングが可能となる。

図３は、光電子増倍管１から出力されるパルス電流又は比較器５ｄから出力される方形波の１秒当りのパルス数と、入射光量（Ｗ）との関係を示すグラフである。このグラフに示されるように、パルス数をカウントすれば、入射光量（Ｗ）が検出できることになる。

従来、微弱光を検出する際の光電子増倍管１の出力信号は、アナログ増幅器を用いて増幅することも可能であったが、アナログ増幅器のノイズが光電子増倍管１の出力信号よりも大きい場合には、正確な検出が不可能となる。特に、アナログ増幅器のノイズは、周波数に依存して増大する傾向があるため、上述のようなデジタル回路５Ｄを用いたフォトンカウンティングが重要となる。

フォトンカウンティングでは、デジタル処理が行われる。すなわち、１つの光子が光電子増倍管１の光電陰極１Ｃに入射すると、光電子増倍管１からは１つのパルス電流が出力される。従来の装置では、高強度の光が入射した場合、単位時間当たりの入射光子数は、各パルスを分離できない程度に大きいため、出力を連続量として計測していた。一方、微弱光の入射は、時間的に離散した光子の入射と考えることができる。微弱光の場合には、光子の到来間隔は長く、光強度が増大するに伴って、光子の到来間隔が短くなる。

光電子増倍管１からのパルス電流をパルス電圧に変換し、比較器５ｄに入力する場合、入力されるパルス電圧の波高値が、比較器５ｄの基準閾値電圧を越えるごとに方形波が出力される。すなわち、時間的に離散して入射する光子と同じ数の方形波が比較器５ｄからは出力されることとなる。すなわち、デジタル値としての方形波のパルス数をカウントすれば、微弱光が検出できることになる。

信号処理回路５ｅの構成としては様々なものが考えられる。

図４は、信号処理回路５ｅの一例を示す回路図である。

比較器５ｄから出力された方形波電圧は、波形整形回路５ｅ_１によってパルス幅がそろえられる。波形整形回路５ｅ₁出力は可変分周器５ｅ_２に入力され、可変分周器５ｅ_２は、設定された分周比に応じて、入力された周波数を低下させる。可変分周器５ｅ_２の出力はカウンタ５ｅ_３に入力され、設定時間の間、パルス数が計測され、入射光量をデジタル値として示すデジタル信号が出力されることとなる。

なお、比較器５ｄ及び信号処理回路５ｅは、ステムピンＳＰＡから遠い位置に配置されていることが好ましく、換言すれば、これらの回路は、上述の基板の一端部５Ｅよりも、一端部５Ｅとは逆の一端部に近くなるように配置されており、ステムピンＳＰＡへと放射される電磁ノイズの影響が抑制されている。

なお、方形波出力のみでよい場合には、上述の信号処理回路５ｅを信号処理基板５には搭載しない構成も可能である。

以上、説明したように、上述の構造は、微弱なノイズが問題となるフォトンカウンティングに有効であり、信号処理回路５ｅによって方形波の数に応じたデジタル値を出力することで、光子レベルの光検出が可能となる。

図５は、別の実施形態に係る光電子増倍管モジュールの斜視図である。
光電子増倍管１の配置と回路基板２A以外の構造は、上述の実施形態のものと同一である。本例では、光電子増倍管の管軸の延長線をＸ１とし、延長線Ｘ１に沿って光が光電子増倍管の光入射面１Ｗに入射するものであり、上述の実施形態の光電子増倍管１及び回路基板２AをＺ軸回りに９０度回転させたものである。
電子増倍管１の管軸の延長線Ｘ１は、筐体前面１０Ａ_Ｆの重心位置Ｇから方向θＺに沿ってシフトしており、筐体１０Ｃ内においてシフトした逆側にスペースができている。このスペース内に信号処理基板５が配置されている。信号処理基板５の基板表面は、Ｚ軸に垂直であり、長手方向はＹ軸に平行、幅方向はＸ軸に平行である。高圧発生回路基板２０の少なくとも一部である回路基板２Ａは、管軸の延長線Ｘ１上で固定されているので、筐体１０Ｃ内の空間を有効に利用することができる。残りの回路基板２Ｂ、３Ａ、４の基板表面は、Ｙ軸に垂直である。この構造の場合、信号処理基板５は、光電子増倍管１の側管１Ｈに隣接させることができるので、信号処理基板５の管軸方向（Ｘ軸方向）の長さが長い場合においても、筐体１０Ｃ内に納めることが可能となる。したがって、小型化を達成することが可能となる。電流電圧変換回路５ｃはパルスアンプから構成することができ、比較器５ｃよりも光電子増倍管１から遠い位置に配置された信号処理回路５ｅは、デジタル回路から構成されている。
また光電子増倍管１の管軸長は、管軸に平行な方向（Ｘ軸）の信号処理基板５の寸法よりも短く、上記と同様にコンパクトな光電子増倍管モジュールが形成されている。なお、入出力回路基板４には、５Ｖの電源入力用のリード線、グランド用のリード線、信号出力用のリード線、或いは必要に応じて、過大光検出出力を検出するためのリード線が接続されている。

実施の形態に係る光電子増倍管モジュールの斜視図である。 光電子増倍管モジュール１０の回路図である。 光電子増倍管１から出力されるパルス電流又は比較器５ｄから出力される方形波の１秒当りのパルス数と、入射光量（Ｗ）との関係を示すグラフである。 信号処理回路５ｅの一例を示す回路図である。 別の実施形態に係る光電子増倍管モジュールの斜視図である。

符号の説明

１Ａ・・・アノード、１Ｃ・・・光電陰極、１ＨＬ・・・ホルダー、１Ｗ・・・光入射面、１Ｒ・・・樹脂材料、１Ｈ・・・側管、２・・・分圧回路、３・・・トランス回路、３Ｌ・・・トランス、３Ｉ・・・制御回路、３Ｓ・・・絶縁スペーサ、４・・・信号入出力基板、５・・・信号処理基板、５Ｄ・・・デジタル回路、５Ｅ・・・一端部、５ａ・・・配線基板、５ｂ・・・金属層、５ｃ・・・電流電圧変換回路、５ｄ・・・比較器、５ｅ・・・信号処理回路、５ｅ_１・・・波形整形回路、５ｅ_２・・・可変分周器、５ｅ_３・・・周波数電圧変換回路、５ｅ_４・・・Ａ／Ｄ変換回路、１０・・・光電子増倍管モジュール、１０Ａ・・・筐体本体、１０ＡＬ・・・テラス面、１０Ａ_Ｆ・・・前面、１０ＡＷ・・・側壁、１０Ａ_ＦＩＮ・・・内側面、１０Ｂ・・・蓋部材、１０ＢＷ・・・側壁板、１０ＢＬ・・・端部、１０ＢＦ・・・天板、１０Ｃ・・・筐体、２０・・・高圧発生回路基板、Ｂ１・・・ボルト、ＤＹ１・・・ダイノード、Ｐ１・・・導電性固定部材、ＳＰＮ，ＳＰＡ・・・ステムピン、Ｘ１，Ｙ１・・・延長線。

Claims (5)

1. 筐体内に固定され、光入射面が前記筐体の前面側に配置され、管軸の延長線が前記前面の重心位置から離隔して設けられる光電子増倍管と、
   前記筐体内に固定され、基板表面が前記管軸の延長線と交差するように配置され、前記光電子増倍管に動作電圧を印加する高圧発生回路基板と、
   前記筐体内に固定され、前記重心位置から前記管軸に向かう方向とは反対側に位置し、一端部が前記光電子増倍管の側管に隣接し、基板表面が前記管軸に平行であって、前記一端部側の領域から流入する前記光電子増倍管の出力信号を処理する信号処理基板と、
   を備え、
   前記信号処理基板は、
   前記信号処理基板の前記光電子増倍管に対向する内側面とは逆側に位置する外側面上に設けられ、前記光電子増倍管からの出力信号をデジタル処理するデジタル回路と、
   前記デジタル回路と前記光電子増倍管及び前記高圧発生回路基板との間に設けられ、グランドに接続された金属層と、
   を備えていることを特徴とする光電子増倍管モジュール。
2. 前記光電子増倍管の管軸長は、前記管軸に平行な方向の前記信号処理基板の寸法よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の光電子増倍管モジュール。
3. 前記前面を含む筐体側壁の内側面に固定された導電性固定部材を更に備え、
   前記導電性固定部材に前記金属層が電気的に接続されるよう前記信号処理基板が前記導電性固定部材によって固定され、前記筐体は導電性材料からなる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光電子増倍管モジュール。
4. 前記デジタル回路は、
   前記光電子増倍管の出力信号が入力される比較器と、
   前記比較器から出力される方形波の数に応じたデジタル値を出力する信号処理回路と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の光電子増倍管モジュール。
5. 筐体内に固定され、光入射面が前記筐体の前面側に配置され、管軸の延長線が前記前面の重心位置から離隔して設けられる光電子増倍管と、
   前記筐体内に固定され、基板表面が前記管軸の延長線と交差するように配置され、前記光電子増倍管に動作電圧を印加する高圧発生回路基板と、
   前記筐体内に固定され、前記重心位置から前記管軸に向かう方向とは反対側に位置し、一端部が前記光電子増倍管の側管に隣接し、基板表面が前記管軸に平行であって、前記一端部側の領域から流入する前記光電子増倍管の出力信号を処理する信号処理基板と、
   を備え、
   前記筐体の前記前面を含む側壁の内側面に固定され、前記光電子増倍管の前記側管の前記光入射面側の領域を支持するホルダーと、
   前記光電子増倍管のステムピン間、及び、前記光電子増倍管の前記側管の前記光入射面とは反対側の領域から前記ホルダーに接触する位置まで塗布された樹脂材料とを備えることを特徴とする光電子増倍管モジュール。
   

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