JP3561018B2

JP3561018B2 - エネルギー線検出用アッセンブリ

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Publication number: JP3561018B2
Application number: JP31713994A
Authority: JP
Inventors: 恵樹松浦
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1994-12-20
Filing date: 1994-12-20
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2019-09-02
Also published as: JPH08179045A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電子線やイオン、荷電粒子、中性子、Ｘ線、紫外線等のエネルギー線を検出して、被測定対象を映像化あるいは定量・定性分析をするための電気信号を出力するエネルギー線検出用アッセンブリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子線やイオン、荷電粒子、中性子、Ｘ線、紫外線等のエネルギー線を検出して、被測定対象を映像化あるいは定量・定性分析をするための電気信号を出力するエネルギー線検出用アッセンブリは、電子増倍管（ＥＭ管）や光電子増倍管（ＰＭＴ）、画像増強管（イメージインテンシファイア）等が旧来から知られている。
【０００３】
即ち、エネルギー線検出用アッセンブリは、被測定対象から発せられる微弱な物理化学的エネルギーを電気信号に変換して増幅し、被測定対象の物理化学的特徴を信号処理可能な情報として出力する主要な構成要素又はセンサーユニット或いは電子デバイスである。そして、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）、半導体線幅測長器、集束イオンビーム加工器、その他の各種産業機器に内蔵される撮像装置の二次元画像センサや各種分析装置の検出器として利用されている。
【０００４】
しかし、上記列挙したエネルギー線検出用アッセンブリは比較的大型であるため、各種産業機器の小型・軽量化等の要求に応じるべく、より小型・軽量のエネルギー線検出用アッセンブリの研究・開発が行われるようになった。
【０００５】
小型・軽量のエネルギー線検出用アッセンブリの従来例として、ＭＣＰアッセンブリを述べる。これは、直径が数μｍ〜数十μｍという非常に細い導電性のガラスキャピラリを数百万本束ね、薄い板状に仕上げたマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）に所定の電極を形成した物である。そして、厚さ方向に配列されている上記各ガラスキャピラリは独立した電子増倍機能を発揮し、ＭＣＰアッセンブリは全体として二次元電子増倍機能を発揮するので、上記所定の電極から出力される電気信号について画像再生等の信号処理を行うようにすれば、被測定対象を画像化するための二次元撮像装置を実現することができる。
【０００６】
従来のＭＣＰアッセンブリの構造例を図１０の断面図に基いて説明すれば、中央部分に貫通穴１が形成された支持基板２に、シールド板３及びネジ４を介して絶縁体５が固着されると共に、絶縁体５の間には、アノード電極６と出力電極７及び入力電極８が固着され、更に、出力電極７と入力電極８の間にマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）９が挟持されている。尚、これらの各構成要素１〜９は、ネジ４を除き、貫通穴１に対して同心円状の形状を有している。そして、支持基板２を撮像装置本体の筐体１０等に固定して使用されるようになっている。使用例として、半導体デバイスの配線Ｍの線幅を測定するための線幅測長器に適用される場合には、電極６に対して電極７，８に所定極性のバイアス電圧（高電圧）を印加した状態で、貫通穴１を介してＺ方向から配線Ｍに対して一次電子ビームαを照射しつつ走査する。マイクロチャンネルプレート９は、配線Ｍから発せられる二次電子ビームβを受けて電子増倍し、電極６に配線ＭのプロファイルＰに相当する電気信号を発生する。よって、この電気信号と一次電子ビームαの走査タイミングとを同期させつつ画像形成のための信号処理を行うことによって、配線Ｍの二次元画像を再生し、テレビジョンモニタ等に表示することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、かかるＭＣＰアッセンブリのような構造にあっては、更に小型・軽量のエネルギー線検出用アッセンブリを実現しようとすると、図１０中のＺ方向の厚さを薄くすることが困難となるという問題があった。
【０００８】
即ち、電極６，７，８の厚さが一般的な製造技術によればに０．１ｍｍ〜１ｍｍとなり、更にこれらの電極６，７，８間やシールド板３、そして支持基板２等との耐電圧を考慮すると、電極６と７の間の絶縁体の厚さ、電極７と８の間の絶縁体の厚さ、電極６と支持基板２の間の絶縁体の厚さ、そして電極８とシールド板３との絶縁体の厚さ等を、夫々０．５ｍｍ〜数ｍｍにしなければならず、全体として厚さを薄くすることが困難となっていた。
【０００９】
更に、エネルギー線検出用アッセンブリの厚さを薄くすれば、一次ビームの出射口から被測定対象までの距離を短くすることが出来て、対物レンズの被測定対象物側の焦点距離を短くすることができるので、被測定物における照射面の面積を小さくすることができ、その結果、測定分解能を向上させることができることとなる。また、一次ビームの出射口から被測定対象までの距離を、照射ビーム径が適当に小さい状態で離すことができるので、被測定対象物を大きく傾斜させることが可能となり、コントラスト比の大きく立体感のある画像を得ることができる。
【００１０】
しかし、上記のような構造的理由に起因してエネルギー線検出用アッセンブリの厚さを薄くすることが困難であるために、測定分解能を更に向上させることや、立体感のある像を得るための障害となっていた。
【００１１】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みて成されたものであり、より薄いエネルギー線検出用アッセンブリを提供する等を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために本発明は、支持基板と、前記支持基板に重ねられ、絶縁材料からなる薄膜状のシートベースに所定パターンの導電層が形成された第１の電極部材と、前記第１の電極部材に重ねられ、絶縁材料からなる薄膜状のシートベースに所定パターンの導電層が形成された第２の電極部材と、前記第２の電極部材に重ねられる電子増倍素子と、前記電子増倍素子に重ねられ、絶縁材料からなる薄膜状のシートベースに所定パターンの導電層が形成された第３の電極部材と、前記第１ないし第３の電極部材及び前記電子増倍素子を前記支持基板に固定する固定部材と、を具備し、前記第１〜第３の電極部材の各導電層は、前記各シートベースの各側縁よりも内側の部分に形成される構造とした。
【００１３】
また、前記電子増倍素子には、マイクロチャンネルプレート、積層型金属ダイノード、荷電粒子増倍用の半導体を適用した。
【００１４】
また、前記第１〜第３の電極部材の各シートベースと各導電層は別体に形成され、前記重ね合わせによって一体化される構造とした。
【００１５】
また、前記第１〜第３の電極部材の各シートベースは、ポリイミド系樹脂、テフロン、マイカ、ポリカーボネート、アルミナ、マシナブルセラミック、ガラス等の絶縁材料で形成した。
【００１７】
また、前記第１〜第３の電極部材の夫々には、前記各シートベースと一体に成型され且つ前記各導電層と電気的に接続する導電層が形成されて成る引出し部を有する構造とした。
【００１８】
【作用】
第１〜第３の電極部材は絶縁材料の薄いシートベースに配線用の導電層が積層され、各シートベース間で各導電層を挟むような構造にすることができるから、耐電圧性の確保及びチャージアップ効果の防止を確保しつつ全体として薄いエネルギー線検出用アッセンブリを実現することができる。特に、各導電層を前記各シートベースの各側縁よりも内側の部分に形成することによって、放電流の回り込みによる耐電圧の低下等の問題を改善することができる。
【００１９】
【実施例】
（第１の実施例）
本発明によるエネルギー線検出用アッセンブリの第１の実施例を図面と共に説明する。尚、ＭＣＰアッセンブリの実施例を説明する。図１は外観構造を示す要部斜視図、図２は図１中のＡ−Ａ線に沿った縦断面図、図３〜図５は構成要素の要部分解斜視図及び平面図、図６は後述するマイクロチャンネルプレートと電極部材との接続構造を示す要部縦断面図、図７は図１中のＢ−Ｂ線に沿った縦断面図である。
【００２０】
図１及び図２において、円盤状の支持基板１１は、その中央部分に貫通穴１２を有する管部１３が一体に成型されると共に、その周端の３箇所に略矩形状の突起部１４が一体成型されている。
【００２１】
この支持基板１１の管部１３と突起部１４との間には、図３（ｄ）に示すような略円環状の部分１５ａを有するアノード電極部材１５と、同図（ｃ）に示すような略円環状の部分１６ａを有する出力電極部材１６と、同図（ｂ）に示すような略円環状のマイクロチャンネルプレート１７と、同図（ａ）（ｅ）に示すような略円環状の部分１８ａを有する入力電極部材１８が順次に重ね合わされ、更にこれらの部材１５〜１８は、３個のネジ１９により３箇所の突起部１４にネジ止めされた略環状のシールド板２０と支持基板１１の側端との間に適宜の力で締め付け固定されている。
【００２２】
ここで、アノード電極部材１５は、図３（ｄ）及び図４に示すように、絶縁材から成る薄膜状のフィルムベースによって形成され、上記の円環状の部分１５ａの中央部分には支持基板１１の管部１３を嵌挿させるための貫通穴１５ｂが形成されると共に、その環状部分１５ａの一端からは所定幅及び長さの帯状の引出し部１５ｃが一体に成型されている。
【００２３】
更に、環状部分１５ａの一側端には貫通穴１５ｂを中心とする同心円状の導電層１５ｄが積層されると共に、引出し部１５ｃの一側端にも、導電層１５ｄと電気的に接続する導電層１５ｅが積層され、導電層１５ｅの終端部分には、略円環状の端子１５ｆが積層されている。尚、導電層１５ｄ，１５ｅ及び端子１５ｆは、金属蒸着やメッキ等によってフィルムベースに一体に積層されている。
【００２４】
更に、導電層１５ｄは、貫通穴１５ｂの内縁よりも所定の間隔を隔てた部分であって且つ、円環部分１５ａの外縁から所定の間隔を隔てた内側の部分に形成されており、導電層１５ｅは、引出し部１５ｃの略中央部分に形成されている。そして、このアノード電極部材１５は、環状部分１５ａと引出し部１５ｃの裏面を支持基板１１に直接接触させて図２に示す如く支持基板１１に固定されている。
【００２５】
出力電極部材１６は、図３（ｃ）及び図５に示すように、絶縁材から成る薄膜状のフィルムベースによって形成され、アノード電極部材１５の環状部分１５ａと略等しい外径の環状部分１６ａと、環状部分１６ａの一端より延びる所定幅及び所定長さの帯状の引出し部１６ｃが一体に成型されている。
【００２６】
また、環状部分１６ａの中央には、この環状部分１６ａがアノード電極部材１５の環状部分１５ａに重ねられる状態では導電層１５ｄを露出させ得る大径の貫通穴１６ｂが形成されている。更に、環状部分１６ａの一側端には、貫通穴１６ｂの内縁及び環状部分１６ａの外縁から所定の間隔を隔てた部分に環状の導電層１６ｄが積層され、引出し部１６ｃの一側端にも、導電層１６ｄと電気的に接続する導電層１６ｅが積層され、導電層１６ｅの終端部分には、略円環状の端子１６ｆが積層されている。尚、導電層１６ｄ，１６ｅ及び端子１６ｆは、金属蒸着やメッキ等によってフィルムベースに一体に形成されている。
【００２７】
更に、引出し部１６ｃの幅及び長さは、アノード電極部材１５の引出し部１５ｃとほぼ同じサイズに形成され、導電層１６ｅは、引出し部１６ｅの側縁側の所定の偏心位置に沿って積層されている。
【００２８】
そして、この出力電極部材１６は、環状部分１６ａと引出し部１６ｃの背面を、アノード電極部材１５の導電層１５ｄ，１５ｅに直接接触させて、図２に示す如く固着されている。即ち、環状部分１５ａ，１６ａ同士及び引出し部１５ｃ，１６ｃ同士が位置ずれしないようにして組み付けられると共に、出力電極部材１６のベースフィルムが絶縁性を有するので、導電層１５ｄ，１５ｅと導電層１６ｄ，１６ｅとは電気的に絶縁される。
【００２９】
更に、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、導電層１５ｄと１６ｄはいずれもベースフィルムの外縁よりも所定間隔を隔てた内側の部分であって且つ、貫通穴１５ｂ，１６ｂの内縁よりも所定間隔を隔てた外側の部分に形成されているので、これらの導電層１５ｄと１６ｄ間における放電流の回り込みによる耐電圧の低下を防止すると同時にチャージアップを防止する構造となっている。よって、耐電圧性に優れた構造となっている。
【００３０】
マイクロチャンネルプレート１７は、図３（ｂ）に示すように、直径が数μｍ〜数十μｍという非常に細い導電性のガラスキャピラリを数百万本束ね、そのガラスキャピラリ群の両端を切断することによって薄い板状に仕上げた構造を有すると共に、中央部分に支持基板１１の管部１３を嵌挿させ得る内径の貫通穴１７ａが設けられている。尚、マイクロチャンネルプレート１７の外径は、出力電極部材１６の円環部分１６ａの外径と略等しく設計されている。そして、このマイクロチャンネルプレート１７の一側端を出力電極部材１６の導電層１６ｄに接触させて、図２に示す如く固着されている。
【００３１】
入力電極部材１８は出力電極部材１６と同じ構造となっている。即ち、入力電極部材１８は、図３（ａ）に示すように、絶縁材から成る薄膜状のフィルムベースによって、環状部分１８ａとそれから延びる所定幅及び長さの引出し部１８ｃとが一体に成型され、環状部分１８ａの中央部分には、出力電極部材１６の貫通穴１６ｂと等しい内径の貫通穴１８ｂが形成されている。更に、図３（ｅ）に示すように、入力電極部材１８の背面側には、同図（ｄ）に示した出力電極部材１６と等しいパターンの環状の導電層１８ｄと帯び状の導電層１８ｅが金属蒸着やメッキ等によって積層され、導電層１８ｅの終端には図５に示す端子１６ｆと同様の端子用の導電層（図示せず）が積層されている。
【００３２】
そして、入力電極部材１８は、導電層１８ｄがマイクロチャンネルプレート１７に接触するようにして固着される。したがって、入力電極部材１８と出力電極部材１６は、いずれも環状の導電層１８ｄと１６ｄがマイクロチャンネルプレート１７の両端を挟むようにして対向配置されて、図２に示す如く固着される。但し、このように入力電極部材１８と出力電極部材１６がマイクロチャンネルプレート１７を挟んで対向配置されると、導電層１８ｅと１６ｅは、夫々の引出し部１８ｃ，１６ｃの長手方向に沿った仮想中心軸に対して左右に偏心した位置関係となる。
【００３３】
そして、図１及び図２に示す如く、入力電極部材１８上に環状のシールド板２０が装着されて、シールド板２０の所定箇所に形成されているネジ穴を介してネジ１９を支持突起１４に取り付けることによって、上記の電極部材１５〜１８が支持基板１１に固定されている。尚、ネジ１４は薄い平形若しくは円錘状の頭部を有しているので、ネジ１４を上記の如く支持突起１４に螺合すると、その平形の頭部はシールド板２０のネジ穴内に埋没してしまい、シールド板２０の表面と面一の状態になる結果、ネジ１９の頭部がシールド板２０から突出しない構造となっている。
【００３４】
次に、図６に基づいて、マイクロチャンネルプレート１７と出力電極部材１６及び入力電極部材１８との接続構造を更に詳述する。マイクロチャンネルプレート１７は所定の厚さを有するので、マイクロチャンネルプレート１７の外縁近傍には、出力電極部材１６及び入力電極部材１８とによって部分的に画成される隙間２１を生じることとなる。しかし、入力電極部材１８はそのベースフィルムの可撓性によって比較的自在に曲り得るので、同図に示す如く、引出し部１８ｃの途中部分が適宜に曲げられて、出力電極部材１６の引出し部１６ｃとアノード電極部材１５の引出し部１５ｃと共に一体に束ねられて使用され得るようになっている。尚、同図では、入力電極部材１８の引出し部１８ｃを曲げる場合を示すが、出力電極部材１６とアノード電極部材１５の引出し部１６ｃと１５ｃ入力電極部材１８の引出し部１８ｃ側に曲げて束ねたり、これらの引出し部１５ｃ，１６ｃ，１８ｃを適宜に曲げつつ相互に束ねて使用することもできる。
【００３５】
次に、図７に基づいて、上記電極部材１５，１６，１７の引出し部１５ｃ，１６ｃ，１８ｃが束ねられたときの構造を説明する。同図に示すように、アノード電極部材１５の引出し部１５ｃに形成されている導電層１５ｅは、幅方向に対して中心に位置することとなり、入力電極部材１６の引出し部１６ｃに形成されている導電層１６ｅは、その中心に対して偏心した位置となり、出力電極部材１８の引出し部１８ｃに形成された導電層１８ｅは、その中心を境にして導電層１６ｅとは反対側に位置するようになる。したがって、これらの導電層１５ｅ，１６ｅ，１８ｅは相互に離隔され、導電層１５ｅ，１６ｅ，１８ｅ相互間の耐電圧性が保たれるようになっている。
【００３６】
尚、この実施例では、２層のマイクロチャンネルプレート１７を使用する場合を述べたが、それより多数層のマイクロチャンネルプレートを使用し、各層間に適宜に中間電極層を設けるようにしてもよい。また、支持基板１１を絶縁材で成型し、入力電極部材１８のシールド板側の面（導電層１８ｄと１８ｅを設けた反対側の面）に導電電極を形成し、シールド板２０に所定極性の電圧を印加して使用することもできる。
【００３７】
更に、この実施例では、各電極部材１５，１６，１８のベースフィルムとして、絶縁性を有するポリイミド系樹脂を適用した。かかる材料を使用すると、低誘電率を実現することができ、図２に示す如く、各電極部材１５，１６，１８を積層した場合に静電容量を低減することができる。更に、ベースフィルムを１００μｍ以下の薄膜状に成型しても、厚さ方向の絶縁性を高くすることができる。更に、真空中で使用してもガス等の不純物の放出が少なくなる。更に、真空中でのガス抜きを行うために約４００℃以下で使用しても、分解や変性を生じることがない。可撓性を有するので、引出し部１５ｃ，１６ｃ，１８ｃを容易に曲げて配線のための引き回しが容易となる等の効果を得ることができる。
【００３８】
このような構造を有する本実施例のＭＣＰアッセンブリを、例えば図２に示す如く、半導体デバイスの配線（被測定対象）Ｍの線幅を測定するための線幅測長器の筐体２２に固定し、アノード電極部材１５と出力電極部材１６及び入力電極部材１８の各導電層１５ｄ，１５ｅと１６ｄ，１６ｅと１８ｄ，１８ｅに所定極性の高電圧バイアスを印加した状態で、貫通穴１２を介してＺ方向から配線Ｍに対して一次電子ビームαを照射しつつ走査すると、配線Ｍから発せられる二次電子ビームβをマイクロチャンネルプレート１７が受けて電子増倍し、アノード電極部材１５の端子１５ｆに配線ＭのプロファイルＰに相当する電気信号が発生する。よって、この電気信号と一次電子ビームαの走査タイミングとを同期させつつ画像形成のための信号処理を行うことによって、配線Ｍの二次元画像を再生し、テレビジョンモニタ等に表示することができる。
【００３９】
このように、この実施例によれば、各電極部材１５，１６，１８の導電層１５ｄ，１５ｅ，１６ｄ，１６ｅ，１８ｄ，１８ｅを図３に示すように、夫々のベースフィルムの内縁と外縁よりも所定の間隔を隔てて内側に形成することにより耐電圧の向上を図ったので、その分、厚さを増すことによって耐電圧を稼ぐ必要がなくなり、その結果、厚さの薄いＭＣＰアッセンブリを実現することができる。
【００４０】
また、可撓性を有する絶縁材をベースフィルムに適用して引出し部１５ｃ，１６ｃ，１８ｃを成型したので、このＭＣＰアッセンブリより隔たった箇所に設けられている電源ラインや信号ラインに接続する際に、容易に配線のための引き回しを行うことができる結果、種々の産業機器への装着を容易にして設計の自由度を向上させることができるという効果がある。
【００４１】
尚、この実施例では、マイクロチャンネルプレート１７を適用したＭＣＰアッセンブリについて説明したが、このマイクロチャンネルプレート１７の代わりに他の種類の電子増倍素子（例えば、積層型金属ダイノード、荷電粒子増倍用の半導体）や、メッシュ、光電面、蛍光面、複数個の分割型アノードやその他の読み出し素子等を、上記同様の構造を有する電極部材間に介在させる薄型のエネルギー線検出用アッセンブリに適用することもできる。また、前記ポリイミド系樹脂の他に、テフロン、マイカ、ポリカーボネート、アルミナ、マシナブルセラミック、ガラス等の絶縁材料を適用してもよい。
【００４２】
また、形状に関しては、この実施例では略円形の場合を示したが、これに限定されるものではなく、矩形状のものやその変形、又はその他各種の形状のものでもよい。また、電子増倍素子は、穴の開いていないものであってもよい。
【００４３】
（第２の実施例）
次に、第２の実施例を図８に基づいて説明する。尚、同図において図２と同一または相当する構成要素を同一符号にて示す。この実施例の特徴は、アノード電極部材１５と出力電極部材１６とマイクロチャンネルプレート１７と入力電極部材１８及びシールド板２０を支持基板１１に固着させるための構造にある。即ち、支持基板１１に一体に形成された複数箇所の突起部分１４と管部１３との間に第１の実施例と同様に各部材１５〜１８を重ね更にシールド板２０をその上に重ねた状態で、シールド板２０と突起部１４を接着剤２３にて固着させることによって、各部材１５〜１８とシールド板２０を接着剤２３と共に支持基板１１に固定している。
【００４４】
かかる構造によれば、第１の実施例のようなネジ１９が不要であり、更に薄型で外径を小さくしたＭＣＰアッセンブリを実現することができる。また、シールド板２０の背面と支持基板１１の側面を接着剤２３で固着することにより、接着剤２３でのチャージアップ効果を防止することができる。また、接着剤２３には導電性を有する接着剤を使用してもよい。また、この構造は、ＭＣＰアッセンブリに限らず他のエネルギー線検出用アッセンブリにも適用することができる。
【００４５】
（第３の実施例）
第３の実施例を図９に基づいて説明する。尚、同図において図８と同一または相当する構成要素を同一符号にて示す。この実施例の特徴は、アノード電極部材１５と出力電極部材１６とマイクロチャンネルプレート１７と入力電極部材１８及びシールド板２０を支持基板１１に固着させるための構造にある。即ち、この実施例では、アノード電極部材１５と出力電極部材１６と入力電極部材１８の円環状の部分１５ａ，１６ａ，１８ａ（図３参照）の外径をマイクロチャンネルプレート１７の外径と等しく設計し、突起部１４の形成されていない支持基板１１に第２の実施例と同様に各部材１５〜１８を重ねた状態で、これらの各部材１５〜１８の側縁を接着剤２３で固着し、更に、シールド板２０をその接着剤２３に固着させることによって、各部材１５〜１８とシールド板２０を接着剤２３と共に支持基板１１に固定している。
【００４６】
この実施例によれば、より簡素な製造過程で、更に外径の小さなＭＣＰアッセンブリを製造することが可能となる。更に、シールド板２０の外径を大きくしてその裏面を接着剤２３で固着することにより、チャージアップ効果を防止することができる。また、この構造は、ＭＣＰアッセンブリに限らず他のエネルギー線検出用アッセンブリにも適用することができる。
【００４７】
（第４の実施例）
第１〜第３の実施例では、図３に示すように、アノード電極部材１５と出力電極部材１６と入力電極部材１８は、夫々絶縁材から成る薄膜状のベースフィルムに所定パターンの導電層１５ｄ，１５ｅ，１６ｄ，１６ｅ，１８ｄ，１８ｅを蒸着やメッキ等によって一体に形成されており、かかる一体化された電極部材１５，１６，１８を重ねるようにしているが、これらのベースフィルムと導電層を別体で形成しておき、ＭＣＰアッセンブリを組み立てる際に、支持基板１１に順次にこれらのベースフィルムと導電層を組み付けることにより、実質的に第１〜第３の実施例と同様の構造のＭＣＰアッセンブリを実現する。この実施例によっても、ベースフィルムと導電層がシールド板で固定されるので、位置ずれ等の問題を生じることが無く、厚さ方向の耐電圧を低下させたり、チャージアップ効果等の問題を生じることなく構成することができる。また、この構造は、ＭＣＰアッセンブリに限らず他のエネルギー線検出用アッセンブリにも適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、電子増倍素子に接続すべき各電極部材間での耐電圧性を面方向で確保したので、これらの電極部材を薄くすることができ、その結果、全体として薄いエネルギー線検出用アッセンブリを実現することができる。また、外部配線するための引出し部も同様に積層構造にし且つ面方向で耐電圧性を確保するようにしたので薄くすることができ、更に可撓性を有する素材を適用することによって配線等のための引き回しを容易にすることができる。そして、従来の厚さ方向で耐電圧性を確保する構造よりも、本発明によれば、１／２〜１／５程度の薄さを実現することが可能となった。
【００４９】
そして、例えば走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）、半導体線幅測長器、イオンビーム加工器等の各種産業機器に適用した場合には、走査ビームと被測定対象との間隔を短くすることが可能となるから、所謂動作距離を短くすることができ、測定分解能を向上させることができ、産業機器の精度向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の外観構造を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す縦断面図である。
【図３】第１の実施例の各構成要素の要部形状を示すための要部分解斜視図である。
【図４】第１の実施例のアノード電極部材の形状を示す平面図である。
【図５】第１の実施例の出力電極部材の形状を示す平面図である。
【図６】マイクロチャンネルプレートと出力電極部材及び入力電極部材との接続構造を示す部分断面図である。
【図７】電極部材の引出し部の構造を示す要部縦断面図である。
【図８】第２の実施例の構造を示す縦断面図である。
【図９】第３の実施例の構造を示す縦断面図である。
【図１０】従来のエネルギー線検出用アッセンブリの構造を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１１…支持基板、１２…貫通穴、１３…管部、１４…突起部、１５…アノード電極部材、１６…出力電極部材、１７…マイクロチャンネルプレート、１８…入力電極部材、１５ａ，１６ａ，１８ａ…環状部分、１５ｂ，１６ｂ，１７ａ，１８ｂ…貫通穴、１５ｃ，１６ｃ，１８ｃ…引出し部、１５ｄ，１５ｅ，１６ｄ，１６ｅ，１８ｄ，１８ｅ…導電層、１９…ネジ、２０…シールド板、２３…接着剤。

Claims

支持基板と、
前記支持基板に重ねられ、絶縁材料からなる薄膜状のシートベースに所定パターンの導電層が形成された第１の電極部材と、
前記第１の電極部材に重ねられ、絶縁材料からなる薄膜状のシートベースに所定パターンの導電層が形成された第２の電極部材と、
前記第２の電極部材に重ねられる電子増倍素子と、
前記電子増倍素子に重ねられ、絶縁材料からなる薄膜状のシートベースに所定パターンの導電層が形成された第３の電極部材と、
前記第１ないし第３の電極部材及び前記電子増倍素子を前記支持基板に固定する固定部材と、を具備し、
前記第１〜第３の電極部材の各導電層は、前記各シートベースの各側縁よりも内側の部分に形成されることを特徴とするエネルギー線検出用アッセンブリ。
前記電子増倍素子は、マイクロチャンネルプレート、積層型金属ダイノード、荷電粒子増倍用の半導体のいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー線検出用アッセンブリ。
前記第１〜第３の電極部材の各シートベースと各導電層は別体に形成され、前記重ね合わせによって一体化される構造であることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー線検出用アッセンブリ。
前記第１〜第３の電極部材の各シートベースは、ポリイミド系樹脂、テフロン、マイカ、ポリカーボネート、アルミナ、マシナブルセラミック、ガラス等の絶縁材料のいずれかで形成されることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー線検出用アッセンブリ。
前記第１〜第３の電極部材の夫々には、前記各シートベースと一体に成型され且つ前記各導電層と電気的に接続する導電層が形成されて成る引出し部を有することを特徴とする請求項１に記載のエネルギー線検出用アッセンブリ。