RU2343058C2 - Способ диффузионного соединения для микроканальных пластин - Google Patents

Способ диффузионного соединения для микроканальных пластин Download PDF

Info

Publication number
RU2343058C2
RU2343058C2 RU2005129597/02A RU2005129597A RU2343058C2 RU 2343058 C2 RU2343058 C2 RU 2343058C2 RU 2005129597/02 A RU2005129597/02 A RU 2005129597/02A RU 2005129597 A RU2005129597 A RU 2005129597A RU 2343058 C2 RU2343058 C2 RU 2343058C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mcp
dielectric insulator
dielectric
thin film
diffusion
Prior art date
Application number
RU2005129597/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005129597A (ru
Inventor
Майкл ИОСЬЮ (US)
Майкл ИОСЬЮ
Мигель САЛДАНА (US)
Мигель САЛДАНА
Джей ТАКЕР (US)
Джей ТАКЕР
Original Assignee
Л-3 Коммьюникейшнз Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Л-3 Коммьюникейшнз Корпорейшн filed Critical Л-3 Коммьюникейшнз Корпорейшн
Publication of RU2005129597A publication Critical patent/RU2005129597A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2343058C2 publication Critical patent/RU2343058C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/16—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/006—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H01J31/506—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect
    • H01J31/507—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect using a large number of channels, e.g. microchannel plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04—Electron multipliers
    • H01J43/06—Electrode arrangements
    • H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246—Microchannel plates [MCP]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/124—Metallic interlayers based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/368—Silicon nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
    • H01J2231/501—Imaging and conversion tubes including multiplication stage
    • H01J2231/5013—Imaging and conversion tubes including multiplication stage with secondary emission electrodes
    • H01J2231/5016—Michrochannel plates [MCP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано при изготовлении электронных устройств с микроканальными пластинами (МКП), в частности для соединения МКП с промежуточной вставкой из диэлектрического материала. Микроканальная пластина (МКП) и диэлектрический изолятор покрываются тонкой пленкой из соответствующего металла, выбранного из условия оптимальной диффузии. Металлизированные МКП и диэлектрический изолятор состыковывают и помещают в соединительное устройство, которое обеспечивает необходимое усилие, прилагаемое к компонентам для инициирования диффузионного процесса соединения. Соединительное устройство затем помещают в вакуумную термокамеру для ускорения диффузионного процесса соединения между МКП и диэлектрическим изолятором. Изобретение обеспечивает соединение без фиксаторов и припоев хрупкого материала с низкой прочностью на сдвиг.2 н. и 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Область техники
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим микроканальные пластины (МКП), а более конкретно - к способам соединения микроканальной пластины с диэлектрическим изолятором.
Уровень техники
МКП известных типов обычно выполняются из резистивного стекла, покрытого с каждой стороны проводящим материалом. Высокое напряжение, прикладываемое к пластине через электроды, способствует возникновению в ней эффекта электронного усиления.
Традиционные МКП часто помещаются между двумя электродами (входным и выходным), которые разделены керамической прокладкой. Эта известная конструкция “закрывает доступ” к входной поверхности МКП и не допускает ее состыковки с промежуточной вставкой.
Настоящее изобретение, напротив, допускает стыковку МКП с присоединяемой к ней промежуточной вставкой, изготовленной из диэлектрического материала.
Раскрытие изобретения
В соответствии с настоящим изобретением предлагается способ соединения диэлектрического изолятора и микроканальной пластины (МКП), предназначенной для электронного усиления с целью использования в электронных устройствах, таких как электронно-оптические преобразователи (усилители яркости изображения). Материалами, пригодными для использования в качестве диэлектрического изолятора, являются, например, сапфир и нитрид кремния, но перечень таких материалов этим не ограничивается.
Механический крепеж или фиксирующие детали нежелательны, поскольку соединяются хрупкие материалы с низкой прочностью на сдвиг. Заявляемый способ не требует использования припоев или паяльных флюсов.
На МКП и диэлектрический изолятор наносят тонкую пленку из соответствующего металла (металлов), выбранного (выбранных) из условия оптимальной диффузии. Такими металлами являются золото, серебро, медь, но перечень таких материалов этим не ограничивается. В частности, для соединения МКП и диэлектрического изолятора были успешно использованы тонкие пленки из золота.
Металлизированные МКП и диэлектрический изолятор взаимно состыковывают и помещают в соединительное устройство. Соединительное устройство обеспечивает приложение к соединяемым компонентам усилия, достаточного для инициирования диффузионного соединения. Затем соединительное устройство помещают в вакуумную термокамеру для ускорения диффузионного процесса соединения между МКП и диэлектрическим изолятором.
Технической задачей, решаемой настоящим изобретением, является соединение МКП и диэлектрического изолятора без использования фиксаторов или припоев. Способ соединения по изобретению применяется к хрупкому материалу с низкой прочностью на сдвиг. После соединения МКП и диэлектрический изолятор не должны деформироваться при термомеханическом воздействии, по меньшей мере, при температуре 400°С и ударной нагрузке в 500 g.
Эти и другие задачи, преимущества и свойства настоящего изобретения будут понятны из нижеследующего описания, приводимого со ссылкой на соответствующие чертежи, на которых представлены предпочтительные варианты осуществления изобретения.
Краткое описание чертежей
Более детальное описание изобретения, кратко изложенного выше, приводится ниже на примерах конструктивных исполнений, проиллюстрированных чертежами. При этом станет понятно, каким именно образом достигаются вышеупомянутые, а также другие свойства изобретения, которые будут выявлены в процессе дальнейшего описания. Чертежи иллюстрируют только типовые, предпочтительные варианты изобретения, которые не должны рассматриваться как ограничивающие объем изобретения, поскольку изобретение допускает и другие эффективные варианты осуществления.
На фиг.1, на виде спереди, представлено соединительное устройство по настоящему изобретению.
Фиг.1а является видом сверху соединительного устройства, показанного на фиг.1.
Фиг.1b является видом снизу соединительного устройства, показанного на фиг.1.
На фиг.2 соединительное устройство, показанное на фиг.1, показано с пространственным разделением его компонентов.
На фиг.3 на виде сверху представлен диэлектрический изолятор.
На фиг.4 на виде сверху представлена микроканальная пластина.
На фиг.5 на виде сверху представлена сборка, состоящая из микроканальной пластины и диэлектрической промежуточной вставки.
Осуществление изобретения
Для того чтобы пояснить вышеописанные признаки, преимущества и цели настоящего изобретения, ниже приведено более подробное описание конкретного варианта изобретения, который проиллюстрирован прилагаемыми чертежами. На всех чертежах одним и тем же элементам соответствуют идентичные обозначения.
Совмещаемые стороны или поверхности микроканальной пластины (МКП) 50 и диэлектрического изолятора 80 покрывают тонкой пленкой одного из подходящих металлов или металлических сплавов, выбранных из условия оптимальной диффузии. Применяемые металлы или металлические сплавы включают в себя золото, серебро, медь, но перечень таких материалов этим не ограничивается. Тонкая пленка из золота успешно использовалась для формирования соединения между МКП 50 и диэлектрическим изолятором 80.
Металлизированные МКП 50 и диэлектрический изолятор 80 состыковывают и помещают в соединительное устройство F. Соединительное устройство F обеспечивает приложение к соединяемым компонентам необходимого усилия 26 для инициирования диффузионного процесса соединения. Затем соединительное устройство F помещают в известную вакуумную термокамеру V для ускорения диффузионного процесса соединения между МКП 50 и диэлектрическим изолятором 80 за счет создания нужной температуры и вакуума. Описанный диффузионный процесс соединения обеспечивает отвечающее всем требованиям соединение между МКП 50 и диэлектрическим изолятором 80. На МКП 50 и диэлектрический изолятор 80 нанесена тонкая пленка из соответствующего металла или сплава, отобранного из условия оптимальной диффузии. Такими металлами являются золото, серебро, медь, но перечень таких материалов этим не ограничивается.
По завершении термомеханического цикла обеспечивается прочное соединение и деталь готова для использования в известных электронных устройствах, например в электронно-оптическом преобразователе I (показан схематично на фиг.5). Никакого дополнительного цикла отжига или прессования не требуется.
Согласно фиг.3 диэлектрический изолятор 80, например сапфировое кольцо, имеет металлизированную соединительную поверхность (сторону) 82, с которой связано тонкопленочное металлическое покрытие 84.
На фиг.4 показана МКП 50, одна сторона (поверхность) 52 которой имеет тонкопленочное металлическое покрытие 54. Однако предпочтительно, чтобы обе поверхности МКП 50 имели одно и то же металлическое покрытие. Кроме того, соединительная поверхность 82 диэлектрического изолятора 80 должна быть совместима с металлизированной поверхностью 52 МКП 50.
На фиг.4 показаны дорожки 56 из золота или другого выбранного металла. На МКП 50 может быть сформирован требуемый рисунок (контур) 58 с использованием хрома или другого металла, используемого в производстве МКП.
На фиг.5 изображен корпусной элемент 60 для МКП, который может представлять собой многослойный керамический компонент с выступающими участками (накладками) 62, выполненными из соответствующего материала, например золота. Эта стандартная твердотельная технология преимущественно применяется для противоположных входной и выходной поверхностей 64. Для удобства совмещения в процессе производства может быть использована позиционная метка 66. В общем случае диэлектрический изолятор 80, МКП 50 и корпусной элемент 60 собирают, как описано ниже, и помещают в вакуумную печь V. Компоненты выдерживают в вакуумной печи V в течение заранее определенного периода времени, после чего температуру печи медленно понижают до комнатной температуры для извлечения из печи одного или более соединительных устройств F.
Настоящее изобретение обладает следующими преимуществами.
а. Не существует известных способов соединения МКП и диэлектрического изолятора.
b. Способ соединения МКП и диэлектрического изолятора обеспечивается именно настоящим изобретением.
с. Соединение осуществляется при малой поверхности контакта.
d. Цикл нагрева при температуре около 400°С обеспечивает упрочнение диффузионного соединения компонентов без отрицательного влияния на соединение или на компоненты.
е. Сохранение открытой входной поверхности МКП позволяет улучшить конструкцию катодного входного окна путем уменьшения глубины полости.
f. Диэлектрический изолятор позволяет улучшить параметры входного зазора между фотокатодом и МКП.
Кроме того, требование наличия соединения МКП 50 и диэлектрического изолятора 80 является уникальным и не известным из предыдущих способов. Настоящее изобретение обеспечивает новый способ соединения МКП 50 и диэлектрического изолятора 80. Данная технология соединения позволяет улучшить регулировку зазора между фотокатодом и МКП 50 в таких устройствах, как электронно-оптические преобразователи.
Как это видно прежде всего из фиг.1 и 2, операции по соединению могут производиться в следующей последовательности:
a) собирают в единый узел основание 10 и кольцо 12 соединительного устройства;
b) сверху на кольцо 12 устанавливают диэлектрический изолятор 80 (например, в форме сапфирового кольца 14) таким образом, что его металлизированная золотом поверхность 14а обращена кверху;
c) МКП 16, имеющую двухстороннюю металлизацию поверхностей (например, металлизацию золотом), устанавливают сверху на сапфировое кольцо 14 и совмещают с ним таким образом, чтобы обеспечить требуемое положение дорожек 56 из золота, причем основная часть покрытия из золота должна находиться в зоне контакта МКП 16 с диэлектрическим изолятором 14;
d) корпусной элемент 20, имеющий выступающий участок 18 из золота или из другого металла, устанавливают сверху на МКП 16; при этом для точной установки используются позиционные метки на МПК 16 и на корпусном элементе 20;
e) сверху на корпусной элемент 20 помещают верхний компрессионный диск 22;
f) верхнюю пластину 24 соединительного устройства 36 соединяют с нижней частью (основанием) 10 соединительного устройства без осуществления на этом этапе контакта или приложения силы;
g) затем к верхнему компрессионному диску 22 прикладывают незначительное усилие 26;
h) отпускают нижний регулирующий винт 28, что позволяет настроечному кольцу 32 опуститься и выйти из контакта с корпусным элементом 20 (этот шаг может не являться необходимым при удалении компонентов);
i) прикладывают заранее выбранное усилие к компрессионному блоку 34 с помощью верхнего регулирующего винта 30 соединительного устройства 36.
Разборка производится в обратном порядке, при этом первоначально медленно снимается давление с помощью регулирующего винта 28.
Как правило, одна или более жестких стоек 38 разделяют нижнее основание 10 и верхнюю пластину 24. Ручное приспособление Н для увеличения или уменьшения соединительного усилия может включать в себя ручку или рукоятку 40, несущую верхний регулирующий винт 30, функционально связанный с цилиндром 41, штоком 42, пружиной 44 и поршнем 46, который несет контактный шариковый элемент 48. Стопорная гайка 49 может взаимодействовать с приспособлением Н, фиксируя соединительное устройство 36 в положении, соответствующем заданному усилию сжатия.
Приведенное описание изобретения носит только иллюстративный и пояснительный характер; без отхода от идеи изобретения могут быть внесены различные изменения в размеры, форму, материалы, а также в детали представленной конструкции.

Claims (12)

1. Способ соединения микроканальной пластины и диэлектрического изолятора, включающий следующие этапы:
на сопрягаемые поверхности микроканальной пластины (МКП) и диэлектрического изолятора наносят тонкопленочное покрытие из соответствующего металла, выбранного из условия оптимальной диффузии при повышенной температуре и давлении;
взаимно состыковывают металлизированные МКП и диэлектрический изолятор и помещают их в соединительное устройство, после чего прикладывают к совмещенным наружным поверхностям МКП и диэлектрического изолятора соответствующее усилие сжатия, достаточное для инициирования диффузионного процесса соединения при выбранной температуре;
соединительное устройство, в котором находятся зафиксированные металлизированные МКП и диэлектрический изолятор, помещают в вакуумную термокамеру для ускорения диффузионного процесса соединения между МКП и диэлектрическим изолятором.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл для нанесения тонкой пленки выбран из группы металлов, состоящей из золота, серебра и меди.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что диэлектрический изолятор состоит из материала, выбранного из группы, содержащей сапфир и нитрид кремния.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что диэлектрический изолятор представляет собой сапфировое кольцо.
5. Сборка на основе микроканальной пластины (МКП), пригодной для электронного усиления, содержащая МКП, имеющую соединительную поверхность, и диэлектрический изолятор, имеющий соединительную поверхность, совместимую с соединительной поверхностью МКП, при этом соединительная поверхность МКП соединена диффузионным способом с совместимой соединительной поверхностью диэлектрического изолятора.
6. Сборка по п.5, отличающаяся тем, что диэлектрический изолятор состоит из материала, выбранного из группы материалов, состоящей из сапфира и нитрида кремния.
7. Сборка по п.5, отличающаяся тем, что диэлектрический изолятор является сапфировым кольцом.
8. Сборка по п.5, отличающаяся тем, что совместимая поверхность диэлектрического изолятора имеет покрытие в виде тонкой металлической пленки, нанесенное перед соединением МКП и диэлектрического изолятора.
9. Сборка по п.8, отличающаяся тем, что тонкая пленка содержит металл, выбранный из группы металлов, состоящей из золота, серебра и меди.
10. Сборка по п.5, отличающаяся тем, что совместимая поверхность МКП имеет покрытие в виде тонкой металлической пленки, нанесенное на поверхность МКП перед соединением МКП и диэлектрического изолятора.
11. Сборка по п.10, отличающаяся тем, что тонкая пленка содержит металл, выбранный из группы металлов, состоящей из золота, серебра и меди.
12. Сборка по п.5, отличающаяся тем, что она адаптирована для использования в электронно-оптическом преобразователе.
RU2005129597/02A 2003-03-30 2004-03-30 Способ диффузионного соединения для микроканальных пластин RU2343058C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US32006703P 2003-03-30 2003-03-30
US60/320,067 2003-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005129597A RU2005129597A (ru) 2006-05-10
RU2343058C2 true RU2343058C2 (ru) 2009-01-10

Family

ID=33298187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005129597/02A RU2343058C2 (ru) 2003-03-30 2004-03-30 Способ диффузионного соединения для микроканальных пластин

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6938817B2 (ru)
EP (1) EP1617966B1 (ru)
JP (1) JP2006522454A (ru)
AT (1) ATE514517T1 (ru)
RU (1) RU2343058C2 (ru)
WO (1) WO2004093157A2 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6874674B2 (en) * 2003-03-31 2005-04-05 Litton Systems, Inc. Bonding method for microchannel plates
US8225481B2 (en) * 2003-05-19 2012-07-24 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Diffusion bonded composite material and method therefor
JP5771447B2 (ja) 2011-06-02 2015-08-26 浜松ホトニクス株式会社 電子増倍器
CN103794429A (zh) * 2014-01-22 2014-05-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 方形柱面实芯微通道板的制备装置及制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209965A (ja) 1985-03-14 1986-09-18 株式会社東芝 窒化珪素セラミツクスとアルミニウムの接合方法
JPS62124083A (ja) * 1985-11-20 1987-06-05 Hitachi Ltd 拡散接合法
GB2202367A (en) * 1987-03-18 1988-09-21 Philips Electronic Associated Channel plate electron multipliers
JPS649878A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Agency Ind Science Techn Bonding between silicon nitride ceramics and metal
US5452177A (en) 1990-06-08 1995-09-19 Varian Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp
DE69313399T2 (de) * 1992-11-02 1998-02-26 Philips Electronics Nv Vacuumröhre mit keramischem Teil
JP3330945B2 (ja) * 1992-11-06 2002-10-07 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド ウエハ静電締着装置
US5514928A (en) * 1994-05-27 1996-05-07 Litton Systems, Inc. Apparatus having cascaded and interbonded microchannel plates and method of making
US5863671A (en) * 1994-10-12 1999-01-26 H Power Corporation Plastic platelet fuel cells employing integrated fluid management
RU2174728C2 (ru) * 1994-10-12 2001-10-10 Х Пауэр Корпорейшн Топливный элемент, использующий интегральную технологию пластин для распределения жидкости
US5994824A (en) * 1997-07-24 1999-11-30 Itt Manufacturing Enterprises Light weight/small image intensifier tube
US6040657A (en) 1997-08-15 2000-03-21 Itt Manufacturing Enterprises Thin faceplate image intensifier tube having an improved vacuum housing
EP1071121A1 (en) * 1999-07-19 2001-01-24 International Business Machines Corporation Process for the formation of a collar oxide in a trench in a semiconductor substrate
IL138398A0 (en) * 2000-09-11 2001-10-31 Merhav Aap Ltd System for protection from falls
EP1362876B1 (en) * 2000-12-18 2006-03-08 Konishi Co., Ltd. One-pack moisture-curable epoxy resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004093157A2 (en) 2004-10-28
JP2006522454A (ja) 2006-09-28
EP1617966B1 (en) 2011-06-29
RU2005129597A (ru) 2006-05-10
EP1617966A2 (en) 2006-01-25
US20040191940A1 (en) 2004-09-30
ATE514517T1 (de) 2011-07-15
WO2004093157A3 (en) 2005-05-06
US6938817B2 (en) 2005-09-06
EP1617966A4 (en) 2008-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7021522B2 (en) Bonding methods for microchannel plates
JP4493251B2 (ja) 静電チャックモジュールおよび基板処理装置
EP1453089A2 (en) Semiconductor substrate of high reliability
EP1187198A3 (en) Metal-ceramic circuit board and manufacturing method thereof
JPH07504945A (ja) スパッタ・ターゲット受け板組立体を結合する方法とそれにより製造される組立体
JPH07202063A (ja) セラミックス回路基板
JPH07169781A (ja) 半導体モジュールの製造方法
CN102574361B (zh) 层合材料及其制造方法
US5106009A (en) Methods of joining components
RU2343058C2 (ru) Способ диффузионного соединения для микроканальных пластин
US6207221B1 (en) Process for producing a metal-ceramic substrate and a metal-ceramic substrate
JP3932744B2 (ja) 半導体実装用絶縁回路基板の製造方法
JPH11330308A (ja) セラミックス回路基板およびその製造方法
JP4765110B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JPH0586662B2 (ru)
CN112739485B (zh) 金属接合体和金属接合体的制造方法以及半导体装置和波导路
JPS62222060A (ja) スパツタリング用タ−ゲツト
EP2782124A1 (en) Power semiconductor mounting
JP2000349098A (ja) セラミック基板と半導体素子の接合体及びその製造方法
DE10330901B4 (de) Elektrostatisches Fixierelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH11278953A (ja) 半田付け用セラミックスメタライズ基板、その製造方法およびセラミックス−金属接合体
DE10063549A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektromagneten
JP2004207449A (ja) 複合基板及びその製造方法
JPH01202361A (ja) リフローターチップ
CS270727B1 (cs) Způsob spájení Au-Ge targetu se základovou Cu deskou