JP2012244015A5 - - Google Patents

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本発明の1つの側面は、投影光学系を有し、前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記投影光学系の温度計測箇所の温度を計測する温度計測部と、前記温度計測部によって計測された温度の変化に基づいて前記投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記温度計測箇所の温度の変化に対する2次遅れ応答関数に従って前記光学特性の変化を予測する。

Claims (9)

  1. 投影光学系を有し、前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
    前記投影光学系の温度計測箇所の温度を計測する温度計測部と、
    前記温度計測部によって計測された温度の変化に基づいて前記投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行するコントローラと、を備え、
    前記コントローラは、前記温度計測箇所の温度の変化に対する2次遅れ応答関数に従って前記光学特性の変化を予測する、
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記温度計測部によって温度を計測して前記光学特性の変化を予測する処理を実行する時間間隔の最小値をΔtmin、前記2次遅れ応答関数における時定数の最大値をτmaxとしたときに、Δtmin/τmax≦0.3が満たされる、
    ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記温度計測部は、前記投影光学系の複数の温度計測箇所の温度を計測するように構成されている、
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
  4. 前記2次遅れ応答関数は、前記温度計測箇所における温度の変化と前記投影光学系の光学特性の変化との関係の実測に基づいて決定されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
  5. 前記投影光学系の光学素子を駆動する駆動部を更に備え、
    前記コントローラは、前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化が低減されるように前記駆動部を制御する、
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
  6. 前記光学特性は、前記投影光学系の投影倍率を含む、
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
  7. 投影光学系を有し、前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
    版を位置決めする原版位置決め機構および前記基板を位置決めする基板位置決め機構の少なくとも一方を有し、前記原版位置決め機構および前記基板位置決め機構の前記少なくとも一方から前記投影光学系に伝わる熱量の変化に基づいて前記投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行するコントローラと、を備え、
    前記コントローラは、前記熱量の変化に対する2次遅れ応答関数に従って前記光学特性の変化を予測する、
    ことを特徴とする露光装置。
  8. 前記2次遅れ応答関数は、前記熱量の変化と前記投影光学系の光学特性の変化との関係の実測に基づいて決定されている、
    ことを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
  9. デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
    請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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